JPS6068339A - リソグラフィ−用マスク構造体 - Google Patents
リソグラフィ−用マスク構造体Info
- Publication number
- JPS6068339A JPS6068339A JP58177285A JP17728583A JPS6068339A JP S6068339 A JPS6068339 A JP S6068339A JP 58177285 A JP58177285 A JP 58177285A JP 17728583 A JP17728583 A JP 17728583A JP S6068339 A JPS6068339 A JP S6068339A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- holding
- thin film
- lithography
- holding substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本城明はリソグラフィーにおいて用いられるマスク構造
体に関する。
体に関する。
リソグラフィー技術を用いて被加工材表面を部分的に変
質せしめることによシ各種製品を製造することか工業上
特に電子工業の分野において広く利用されており、この
方法によれば・ぐターンが同一の表面変質部を有する製
品を大量に製造できる。
質せしめることによシ各種製品を製造することか工業上
特に電子工業の分野において広く利用されており、この
方法によれば・ぐターンが同一の表面変質部を有する製
品を大量に製造できる。
被加工材の表面変質は各種エネルギーの照射により行わ
れ、この際の・ぐターン形成のため、部分的にエネルギ
ー遮断材を配置してなるマスクが用いられる。この様な
マスクとしては、照射エネルギーが可視光の場合にはガ
ラス又は石英等の透明基板上に黒色の塗料を部分的に塗
布したり又は金属等の可視光不透過性の薄板を部分的に
付与したものが用いられていた。
れ、この際の・ぐターン形成のため、部分的にエネルギ
ー遮断材を配置してなるマスクが用いられる。この様な
マスクとしては、照射エネルギーが可視光の場合にはガ
ラス又は石英等の透明基板上に黒色の塗料を部分的に塗
布したり又は金属等の可視光不透過性の薄板を部分的に
付与したものが用いられていた。
しかるに、近年、よシ微細な・ヤターン形成がめられ更
により短時間でのリソグラフィー加工がめられるにつれ
て、照射エネルギーとしてＸ線更にはイオン線等の粒子
線が用いられる様になってきた。これらのエネルギーは
上記可視光の場合にマスク形成部材として用いられたガ
ラス板や石英板を通過せしめると大部分吸収される。こ
のため、これらエネルギーを用いる場合にはガラス板や
石英板を用いてマスクを形成することは好ましくない。
により短時間でのリソグラフィー加工がめられるにつれ
て、照射エネルギーとしてＸ線更にはイオン線等の粒子
線が用いられる様になってきた。これらのエネルギーは
上記可視光の場合にマスク形成部材として用いられたガ
ラス板や石英板を通過せしめると大部分吸収される。こ
のため、これらエネルギーを用いる場合にはガラス板や
石英板を用いてマスクを形成することは好ましくない。
そこで、Ｘ線や粒子線を照射エネルギーとして用いるリ
ソグラフィーにおいては各種の無機薄膜たとえばチッ化
シリコン、チッ化ホウ素又は酸化シリコン等の薄膜、あ
るいは各種の有機薄膜たとえばポリイミド、ポリアミド
又はぼりエステル等の薄膜、更にはこれらの複合薄膜を
エネルギー透過体として用い、これらの面上に金、白金
、ニッケル、パラジウム、ロジウム又はインジウム等の
金属をエネルギー不透過体として部分的に付与すること
により、マスクを形成することが行われている。このマ
スクは自己保形性がないので適宜の保持体に支持される
。かくして構成されるマスク構造体として従来第１図に
断面図を示す如きものが用いられていた。これはエネル
ギー吸収性のマスク材１を所望のパターンにて片面に付
与されたエネルギー透過性の保持薄膜２の周辺部を環状
保持基板３の一端面（図においては上端面）に接着剤４
を用いて貼着することにより形成されていた。尚、第２
図は保持基板３の平面図である。
ソグラフィーにおいては各種の無機薄膜たとえばチッ化
シリコン、チッ化ホウ素又は酸化シリコン等の薄膜、あ
るいは各種の有機薄膜たとえばポリイミド、ポリアミド
又はぼりエステル等の薄膜、更にはこれらの複合薄膜を
エネルギー透過体として用い、これらの面上に金、白金
、ニッケル、パラジウム、ロジウム又はインジウム等の
金属をエネルギー不透過体として部分的に付与すること
により、マスクを形成することが行われている。このマ
スクは自己保形性がないので適宜の保持体に支持される
。かくして構成されるマスク構造体として従来第１図に
断面図を示す如きものが用いられていた。これはエネル
ギー吸収性のマスク材１を所望のパターンにて片面に付
与されたエネルギー透過性の保持薄膜２の周辺部を環状
保持基板３の一端面（図においては上端面）に接着剤４
を用いて貼着することにより形成されていた。尚、第２
図は保持基板３の平面図である。
ところが、以上の如き従来のマスク構造体においては、
接着剤２の塗布のやυ方によシその厚みに不均一が生じ
たり、保持薄膜２の周辺部から接着剤がはみ出したり、
更に接着後の保持薄膜２の周辺部切除によるめくれ上り
が生じたシするため、保持薄膜２の平面度を良好に保つ
ととが困難であった。これにともないリソグラフィーに
おける精度不良が発生し易かった。
接着剤２の塗布のやυ方によシその厚みに不均一が生じ
たり、保持薄膜２の周辺部から接着剤がはみ出したり、
更に接着後の保持薄膜２の周辺部切除によるめくれ上り
が生じたシするため、保持薄膜２の平面度を良好に保つ
ととが困難であった。これにともないリソグラフィーに
おける精度不良が発生し易かった。
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、保持基板にマス
ク材保持薄膜を接着してなるリソグラフィー用マスク構
造体において保持薄膜の平面度を向上させることを目的
とする。
ク材保持薄膜を接着してなるリソグラフィー用マスク構
造体において保持薄膜の平面度を向上させることを目的
とする。
第３図は本発明によるマスク構造体の一実施例の断面図
である。マスク材１は保持薄膜２の片面に所望の７千タ
ーンにて付与されている。マスク材１としてはたとえば
金、白金、ニッケル、パラジウム、ロジウム、インジウ
ム等の０．７μ程度の薄膜が用いられる。保持薄′膜２
としてはたとえばチッ化シリコン、チッ化ホウ素、酸化
シリコン等の無機薄膜又はポリイミド、？リアミド、ポ
リエステル等の有機薄膜が用いられ、その厚さはたとえ
ば２〜１２μである。保持薄膜２の周辺部は環状保持基
板３に接着剤４によシ接着されている。尚、第４図は保
持基板３の平面図である。保持基板３の最上部平端面３
＆には接着剤４が塗布されておらず、該平端面３ａの外
側に角度θにて交わる面３ｂにのみ接着剤４が塗布され
ている。角度θは０°を超える値であれば特に制限はな
いが、たとえば１５〜３０°である。保持基板３として
はたとえばシリコン、ガラス、石英、リン青銅、黄銅、
ニッケル、ステンレス等が用いられる。接着剤４として
はたとえば工？キシ系、ゴム系その他適宜のものがたと
えば溶剤型、熱硬化型、光硬化型として用いられる。
である。マスク材１は保持薄膜２の片面に所望の７千タ
ーンにて付与されている。マスク材１としてはたとえば
金、白金、ニッケル、パラジウム、ロジウム、インジウ
ム等の０．７μ程度の薄膜が用いられる。保持薄′膜２
としてはたとえばチッ化シリコン、チッ化ホウ素、酸化
シリコン等の無機薄膜又はポリイミド、？リアミド、ポ
リエステル等の有機薄膜が用いられ、その厚さはたとえ
ば２〜１２μである。保持薄膜２の周辺部は環状保持基
板３に接着剤４によシ接着されている。尚、第４図は保
持基板３の平面図である。保持基板３の最上部平端面３
＆には接着剤４が塗布されておらず、該平端面３ａの外
側に角度θにて交わる面３ｂにのみ接着剤４が塗布され
ている。角度θは０°を超える値であれば特に制限はな
いが、たとえば１５〜３０°である。保持基板３として
はたとえばシリコン、ガラス、石英、リン青銅、黄銅、
ニッケル、ステンレス等が用いられる。接着剤４として
はたとえば工？キシ系、ゴム系その他適宜のものがたと
えば溶剤型、熱硬化型、光硬化型として用いられる。
第５図は本発明によるマスク構造体の他の実施例の断面
図である。この場合はθが９０’に相当し且つ接着剤塗
布面として更に第３の面３ｃが形成されている。
図である。この場合はθが９０’に相当し且つ接着剤塗
布面として更に第３の面３ｃが形成されている。
尚、以上の実施例において保持基板３と最上部（５）
平端面３＆以外の面で接する保持薄膜２０部分はその立
体的形状に基き余剰部分を生ずるが、これは予め適宜切
除しておけばよい。
体的形状に基き余剰部分を生ずるが、これは予め適宜切
除しておけばよい。
以上の如き本発明のマスク構造体によれば、保持薄膜２
と保持基板３との接着は薄膜２のマスク材１保持平面外
において行われるので、接着剤４の塗布及び薄膜２の周
辺切除によってはマスク材１保持面の平面度は影響を受
けず良好な平面度を保つことができる。
と保持基板３との接着は薄膜２のマスク材１保持平面外
において行われるので、接着剤４の塗布及び薄膜２の周
辺切除によってはマスク材１保持面の平面度は影響を受
けず良好な平面度を保つことができる。
第１図は従来のマスク構造体の断面図であシ、第２図は
その保持基板の平面図である。第３図は本発明によるマ
スク構造体の断面図であシ、第４図はその保持基板の平
面図である。第５図は本発明によるマスク構造体の断面
図である。 ”１：マスク材 ２：保持薄膜 ３：保持
基板４：接着剤 （６） 第１図 第２図 第３図 第５図 手続補正書（放） 昭和５９年 ２月 ９日 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、 事件の表示 特願昭５８−１７７２８５号 ２、 発明の名称 リソグラフィー用マスク構造体 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住所 東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４ｏ森
ビル昭和５９年 １月３１日 ６、 補正の対象 −９２ζ
その保持基板の平面図である。第３図は本発明によるマ
スク構造体の断面図であシ、第４図はその保持基板の平
面図である。第５図は本発明によるマスク構造体の断面
図である。 ”１：マスク材 ２：保持薄膜 ３：保持
基板４：接着剤 （６） 第１図 第２図 第３図 第５図 手続補正書（放） 昭和５９年 ２月 ９日 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、 事件の表示 特願昭５８−１７７２８５号 ２、 発明の名称 リソグラフィー用マスク構造体 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住所 東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４ｏ森
ビル昭和５９年 １月３１日 ６、 補正の対象 −９２ζ
Claims (1)
- （１）表面に所望のパターンにてマスク材を付与してな
るマスク材保持薄膜の周辺部を環状保持基板の上端面上
に保持せしめたリソグラフィー用マスク構造体において
、保持基板の最上部平端面と適宜の角度をなして該平端
面より下方に位置する外周面において又は該外周面に連
なる面においてマスク材保持薄膜と保持基板との接着が
なされているととを特徴とする、リソグラフィー用マス
ク構造体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177285A JPS6068339A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | リソグラフィ−用マスク構造体 |
| DE19843435177 DE3435177A1 (de) | 1983-09-26 | 1984-09-25 | Maske fuer lithographische zwecke |
| GB08424300A GB2148539B (en) | 1983-09-26 | 1984-09-26 | Lithographic mask |
| US07/398,309 US4956249A (en) | 1983-09-26 | 1989-08-25 | Mask structure for lithography |
| US07/534,875 US5112707A (en) | 1983-09-26 | 1990-06-08 | Mask structure for lithography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177285A JPS6068339A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | リソグラフィ−用マスク構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068339A true JPS6068339A (ja) | 1985-04-18 |
| JPH0563932B2 JPH0563932B2 (ja) | 1993-09-13 |
Family
ID=16028354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58177285A Granted JPS6068339A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | リソグラフィ−用マスク構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068339A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6249623A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-03-04 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| JPS6252931A (ja) * | 1985-08-31 | 1987-03-07 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｘ線露光用マスク |
| JPH01265515A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスク |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5434682A (en) * | 1977-08-23 | 1979-03-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Soft xxray lithography mask and method of producing same |
| JPS54124977A (en) * | 1978-03-23 | 1979-09-28 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Xxray exposure mask |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58177285A patent/JPS6068339A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5434682A (en) * | 1977-08-23 | 1979-03-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Soft xxray lithography mask and method of producing same |
| JPS54124977A (en) * | 1978-03-23 | 1979-09-28 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Xxray exposure mask |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6249623A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-03-04 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| JPS6252931A (ja) * | 1985-08-31 | 1987-03-07 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｘ線露光用マスク |
| JPH01265515A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0563932B2 (ja) | 1993-09-13 |
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