JPS6110313A - マルチバイブレ−タ - Google Patents
マルチバイブレ−タInfo
- Publication number
- JPS6110313A JPS6110313A JP59131318A JP13131884A JPS6110313A JP S6110313 A JPS6110313 A JP S6110313A JP 59131318 A JP59131318 A JP 59131318A JP 13131884 A JP13131884 A JP 13131884A JP S6110313 A JPS6110313 A JP S6110313A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- multivibrator
- resistor
- output frequency
- change
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/282—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator astable
- H03K3/2821—Emitters connected to one another by using a capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマルチバイブレータ、特に出力周波数か制御電
圧の線形関数となるマルチバイブレータに関するもので
ある。
圧の線形関数となるマルチバイブレータに関するもので
ある。
従来例の構成とその問題点
第１図に比較的良好なその出力周波数が制御電圧のＩＩ
！形関数となるマルチバイブレータの回路例を示す。
！形関数となるマルチバイブレータの回路例を示す。
第１図に示す回路の動作は例えば特開昭４７−１０２６
６号に周知のごとく、その発振周波数ｆＯは 工 ｆＯ”４ＣＲＩ。 ・−・・・川・・・・・・−＝
−・（１）となる。
６号に周知のごとく、その発振周波数ｆＯは 工 ｆＯ”４ＣＲＩ。 ・−・・・川・・・・・・−＝
−・（１）となる。
ここで電流子はトランジスタ８．９に流れる電Ｆｔ’６
って、この電流はタイぐングコンデンサＣの充放電電流
となる。また抵抗ＲＶｃは足電流工。
って、この電流はタイぐングコンデンサＣの充放電電流
となる。また抵抗ＲＶｃは足電流工。
にほとんど等しい電流が流れる。
この発振周波数を求めるのは以下の如くである。
まずトランジスタ４がオンしていると仮定する。
するとトランジスタ４のコレクタ電位は、Ｖ、−ＲＩｏ
となる。トランジスタ３のエミッタ電位ｖＥ３ は、ト
ランジスタ２のベース、エミッタ間電圧ｖＢＥ および
トランジスタ３のベース、エミッタ間電圧ｖＢＥ を差
引いたものとなるので、ＶＥ３＝Ｖ１−ＲＩｏ−２Ｖ）
３］ｊ：となル。一方トランジスタ４のエミッタ電位ｖ
Ｅ４ は、トランジスタ３のコレクタ電位ｖ１ より
２ｖＢＥを引いたものとなるので、ｖＥ４＝ｖ１−２ｖ
ＢＥとなる。よってタイミングキャパシタＣ両端の電圧
差は、■Ｅ４−■Ｅ３−ＲＩ０ になる。タイミングキ
ャパシタＣ両端間の電圧変化は、Ｒ工。から−ＲＩ。
となる。トランジスタ３のエミッタ電位ｖＥ３ は、ト
ランジスタ２のベース、エミッタ間電圧ｖＢＥ および
トランジスタ３のベース、エミッタ間電圧ｖＢＥ を差
引いたものとなるので、ＶＥ３＝Ｖ１−ＲＩｏ−２Ｖ）
３］ｊ：となル。一方トランジスタ４のエミッタ電位ｖ
Ｅ４ は、トランジスタ３のコレクタ電位ｖ１ より
２ｖＢＥを引いたものとなるので、ｖＥ４＝ｖ１−２ｖ
ＢＥとなる。よってタイミングキャパシタＣ両端の電圧
差は、■Ｅ４−■Ｅ３−ＲＩ０ になる。タイミングキ
ャパシタＣ両端間の電圧変化は、Ｒ工。から−ＲＩ。
まで２ＲＩ。変化する。このタイミングキャパシタＣに
対する充放電電流は、トランジスタ８および９によって
制御され、これ等はコントロール電圧Ｖｃによって変化
する。従って発振周波数は（１）式で与えられる。（１
）式中のＩはコントロール電圧ｖｃによって線形に変化
さすことができるため、出力周波数が制御電圧の線形関
数となるマルチバイブレータが得られる。
対する充放電電流は、トランジスタ８および９によって
制御され、これ等はコントロール電圧Ｖｃによって変化
する。従って発振周波数は（１）式で与えられる。（１
）式中のＩはコントロール電圧ｖｃによって線形に変化
さすことができるため、出力周波数が制御電圧の線形関
数となるマルチバイブレータが得られる。
しかしながら、一般に半導体素子の動作には遅延時間Ｔ
Ｄが存在する。したがってこのＴＤを考えた場合のマル
チバイブレータの発振周期△Ｔａは、（１）式より求め
られる発振周波数によって得られる発振周期ΔＴ１
に対して △Ｔａ＝△Ｔ１＋ＴＤ となる。
Ｄが存在する。したがってこのＴＤを考えた場合のマル
チバイブレータの発振周期△Ｔａは、（１）式より求め
られる発振周波数によって得られる発振周期ΔＴ１
に対して △Ｔａ＝△Ｔ１＋ＴＤ となる。
発振周波数によって変化する△Ｔ１ に対し、ＴＤは発
振周波数によらず一定の値が保たれるため、発振周期△
Ｔａに対しＴＤが無視できない程高い周波数でマルチバ
イブレータを発振させた場合、コントロール電圧Ｖｃに
対する出力周波数変化の線形性が劣化する。
振周波数によらず一定の値が保たれるため、発振周期△
Ｔａに対しＴＤが無視できない程高い周波数でマルチバ
イブレータを発振させた場合、コントロール電圧Ｖｃに
対する出力周波数変化の線形性が劣化する。
すなわち第２図に示したごとく、△Ｔａに対しＴＤが十
分に小さい値となる領域でのマルチバイブレータのコン
トロール電圧ｖｃに対するその出力周波数変化特性（−
）に対し、ΔＴａ とＴＤが接近した領域での同特性は
同図（ｂ）のごとく劣化する。
分に小さい値となる領域でのマルチバイブレータのコン
トロール電圧ｖｃに対するその出力周波数変化特性（−
）に対し、ΔＴａ とＴＤが接近した領域での同特性は
同図（ｂ）のごとく劣化する。
また一般に第１図に示したごとき回路を構成した場合、
半導体素子、コンデンサー等のリード線、あるいは相互
の素子間の配線によってインダクタンス成分りが生じる
。このインダクタンス成分りとタイミングキャパシタＣ
とによる共振周波数がマルチバイブレータの発振周波数
と接近した周波数となった場合、トランジスタ４に発生
する鋸歯状波に前述のＬＣ共振によるリンギングが重畳
するため、コントロール電圧Ｖｃに対する出力周波数の
変化は第２図（Ｃ）に示しだ如く劣化するという問題が
あった。
半導体素子、コンデンサー等のリード線、あるいは相互
の素子間の配線によってインダクタンス成分りが生じる
。このインダクタンス成分りとタイミングキャパシタＣ
とによる共振周波数がマルチバイブレータの発振周波数
と接近した周波数となった場合、トランジスタ４に発生
する鋸歯状波に前述のＬＣ共振によるリンギングが重畳
するため、コントロール電圧Ｖｃに対する出力周波数の
変化は第２図（Ｃ）に示しだ如く劣化するという問題が
あった。
発明の目的
本発明は前述した高い周波数でのマルチバイブレータの
制御電圧変化に対する出力周波数変化の線形性を改善す
ることを目的とする。
制御電圧変化に対する出力周波数変化の線形性を改善す
ることを目的とする。
発明の構成
本発明は、コンデンサの充電または充放電電流値を変化
させてその出力周波数を変化させるように構成したマル
チバイブレータであって、前記コンデンサに直列でかつ
前記コンデンサの充放電電流の大部分が流れる経路に抵
抗を接続したことを特徴とするマルチバイブレータであ
り、高周波数で作動するマルチバイブレータの出力周波
数リニアリティを改善するものである。
させてその出力周波数を変化させるように構成したマル
チバイブレータであって、前記コンデンサに直列でかつ
前記コンデンサの充放電電流の大部分が流れる経路に抵
抗を接続したことを特徴とするマルチバイブレータであ
り、高周波数で作動するマルチバイブレータの出力周波
数リニアリティを改善するものである。
実施例の説明
第３−に本発明の一実施例を示す。
第３図に示した回路は、第１図に示した従来例に対して
、タイミングコンデンサＣに直列に抵抗ＲＤを接続した
ものである。
、タイミングコンデンサＣに直列に抵抗ＲＤを接続した
ものである。
第３図に示した回路のトランジスタ３．４それぞれのエ
ミッタ間電位差ｖＥＤはタイミングキャパシタＣに対す
る充放電電流Ｉによって生じたタイミングキャパシタ両
端子間の電位差Ｖ（Ｑと、抵抗ＲＤに流れる電流Ｉによ
って生じた電圧とが加算されたもの、すなわち ■ＥＤ＝ｖ（ｑ＋ＩＲＤ となる。
ミッタ間電位差ｖＥＤはタイミングキャパシタＣに対す
る充放電電流Ｉによって生じたタイミングキャパシタ両
端子間の電位差Ｖ（Ｑと、抵抗ＲＤに流れる電流Ｉによ
って生じた電圧とが加算されたもの、すなわち ■ＥＤ＝ｖ（ｑ＋ＩＲＤ となる。
前述したごとくマルチバイブレータの発振周波数を高く
した場合、その発振周期△Ｔａに対する回路遅延時間Ｔ
Ｄの占める割合は増大する。
した場合、その発振周期△Ｔａに対する回路遅延時間Ｔ
Ｄの占める割合は増大する。
第３図に示したマルチバイブレータのトランジスタ３．
４のオン・オフが反転するのに必要／１：両トランジス
タ、エミッタ間の電位差ＶＥＤ（Ｉ）は原理的ニマルチ
バイブレータの発振周波数に関係なく一定である。
４のオン・オフが反転するのに必要／１：両トランジス
タ、エミッタ間の電位差ＶＥＤ（Ｉ）は原理的ニマルチ
バイブレータの発振周波数に関係なく一定である。
前述したごとくこのマルチバイブレータの発振周波数は
電流工を増大させることによって高くなる。
電流工を増大させることによって高くなる。
ここでＭ３図に示した回路では発振周波数を高くしよう
として電流Ｉを増大した場合、この回路に付加した抵抗
ＲＤの両端に生ずる電位差も増大し、トランジスタ３，
４のオン・オフ反転に必要な両トランジスタのエミッタ
間電位差ＶＥＤ （Ｉ）Ｋ占めるタイミングキャパシタ
両端子間に必要な電位差ｖ（ｑ？′ｉ、電流Ｉの増大に
ともない減少する。
として電流Ｉを増大した場合、この回路に付加した抵抗
ＲＤの両端に生ずる電位差も増大し、トランジスタ３，
４のオン・オフ反転に必要な両トランジスタのエミッタ
間電位差ＶＥＤ （Ｉ）Ｋ占めるタイミングキャパシタ
両端子間に必要な電位差ｖ（ｑ？′ｉ、電流Ｉの増大に
ともない減少する。
このことから第３図に示した回路のコントロール電圧Ｖ
Ｃに対する出力周波数の変化特性は第５図に示した特性
となる。
Ｃに対する出力周波数の変化特性は第５図に示した特性
となる。
第６図において（ｑ）は抵抗Ｒｏの抵抗値が零の場合を
示し、（ｈ） 、 （す、（す、（ｋ）の順にＲＤの抵
抗値が大きくしたもので、図かられかるように遅延時間
ＴＤ、タイミングキャパシタＣの値に応じてＲＤの抵抗
値を調整することによって、コントロール電圧ｖｃの変
化に対するマルチバイブレータ出力周波数変化の線形性
を栗良にすることができる。
示し、（ｈ） 、 （す、（す、（ｋ）の順にＲＤの抵
抗値が大きくしたもので、図かられかるように遅延時間
ＴＤ、タイミングキャパシタＣの値に応じてＲＤの抵抗
値を調整することによって、コントロール電圧ｖｃの変
化に対するマルチバイブレータ出力周波数変化の線形性
を栗良にすることができる。
またここでＲＤの素子にインダクタンス成分の少ない素
子（例えばチップ抵抗器）を用いれば、前述の配線忙よ
るインダクタンス成分りとタイミングキャパシタＣによ
る共振のＱを低下できるため、トランジスタ３．４に発
生する鋸歯状波に重畳するリンギングが低減でき第２図
（Ｃ）に示したごとき特性劣化も大巾に低減できる。
子（例えばチップ抵抗器）を用いれば、前述の配線忙よ
るインダクタンス成分りとタイミングキャパシタＣによ
る共振のＱを低下できるため、トランジスタ３．４に発
生する鋸歯状波に重畳するリンギングが低減でき第２図
（Ｃ）に示したごとき特性劣化も大巾に低減できる。
第４図はタイミングキャパシタＣと抵抗ＲＤの他の構成
例を示したもので、タイミングキャパシタＣと抵抗ＲＤ
に対応した部分のみを示している。
例を示したもので、タイミングキャパシタＣと抵抗ＲＤ
に対応した部分のみを示している。
第４図（ｄ）は抵抗ＲＤを可変としたものである。
第３図では抵抗ＲＤを固定抵抗器として示したが、これ
を可変とすれば、前述のＴＤ、タイミングキャパシタＣ
の値のバラツキに応じて個々にＲｐの値を最良に設定で
きる。
を可変とすれば、前述のＴＤ、タイミングキャパシタＣ
の値のバラツキに応じて個々にＲｐの値を最良に設定で
きる。
また前述したごとぐ本発明は高周波数で動作するマルチ
バイブレータに関するものである。高周波でマルチバイ
ブレータを作動させるとき、タイミングキャパシタＣの
値は当然小さなものとなり、噛 配線の分布容量の影響が無視できなくなることか多い。
バイブレータに関するものである。高周波でマルチバイ
ブレータを作動させるとき、タイミングキャパシタＣの
値は当然小さなものとなり、噛 配線の分布容量の影響が無視できなくなることか多い。
この様な場合、ＲＤを第４図（ｅ）に示したごとり、Ｒ
Ｄｌ、ＲＤ２ に分割し、それぞれほぼ等しい値として
タイミングキャノ（シタＣの両端に接続してもよい。
Ｄｌ、ＲＤ２ に分割し、それぞれほぼ等しい値として
タイミングキャノ（シタＣの両端に接続してもよい。
塘た（ｅ）のどとくＲＤを分割した場合、その抵抗をそ
れぞれ可変とし、前述の線形性が最良となるＲＤの調整
をそれぞれのＲＤの抵抗値を調整する方法をとってもよ
いが、第５図（ｆ）に示したごと＜ＲＤを調整するかわ
りにタイミングキャノぐシタＣの値を調整する構成とし
てもよい。
れぞれ可変とし、前述の線形性が最良となるＲＤの調整
をそれぞれのＲＤの抵抗値を調整する方法をとってもよ
いが、第５図（ｆ）に示したごと＜ＲＤを調整するかわ
りにタイミングキャノぐシタＣの値を調整する構成とし
てもよい。
発明の効果
以上述べたように本発明によれば、高周波でマルチバイ
ブレータを作動させた場合の、その制御電圧に対する出
力周波数変化の線形性を簡単な構成で改善できる。
ブレータを作動させた場合の、その制御電圧に対する出
力周波数変化の線形性を簡単な構成で改善できる。
第１図は従来のマルチ・（イブレータの回路図、第２図
は同マルチノ（イブレータの制御電圧に対する出力周波
数変化特性図、第３図は本発明のマルチバイブレータの
一実施例を示す（ロ）略図、第４図は本発明の他の実施
例を示す図、第６図は第３図に示したマルチノ（イブレ
ータの制御電圧に対する出力周波数変化特性図である。 Ｃ・・・・タイミングコンデンサ、ＲＤ、ＲＤｌ、ＲＤ
２・・・・・・抵抗。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 は７５為１名
第１図 Ｃ 第２図 １ｃｍ 第３図
は同マルチノ（イブレータの制御電圧に対する出力周波
数変化特性図、第３図は本発明のマルチバイブレータの
一実施例を示す（ロ）略図、第４図は本発明の他の実施
例を示す図、第６図は第３図に示したマルチノ（イブレ
ータの制御電圧に対する出力周波数変化特性図である。 Ｃ・・・・タイミングコンデンサ、ＲＤ、ＲＤｌ、ＲＤ
２・・・・・・抵抗。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 は７５為１名
第１図 Ｃ 第２図 １ｃｍ 第３図
Claims (6)
- （１）コンデンサの充電または充放電電流値を変化させ
てその出力周波数を変化させるように構成したマルチバ
イブレータであって、前記コンデンサに直列でかつ前記
コンデンサの充放電電流の大部分が流れる経路に抵抗を
接続したことを特徴とするマルチバイブレータ。 - （２）コンデンサに直列に接続した抵抗の抵抗値が連続
的に変化可能であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載のマルチバイブレータ。 - （３）コンデンサの両端に可変抵抗が接続されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載のマルチバ
イブレータ。 - （４）コンデンサの両端にほぼ等しい値の抵抗が接続さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
マルチバイブレータ。 - （５）コンデンサが可変であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載のマルチバイブレータ。 - （６）コンデンサが可変であることを特徴とする特許請
求の範囲第４項に記載のマルチバイブレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59131318A JPS6110313A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | マルチバイブレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59131318A JPS6110313A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | マルチバイブレ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6110313A true JPS6110313A (ja) | 1986-01-17 |
Family
ID=15055142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59131318A Pending JPS6110313A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | マルチバイブレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6110313A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6896466B2 (en) | 1997-09-01 | 2005-05-24 | Dainippon Screen Mfg. Co, Ltd. | Substrate processing apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5575337A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-06 | Fujitsu Ltd | Oscillator |
| JPS6058714A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-04 | Toshiba Corp | 電圧制御発振器 |
-
1984
- 1984-06-26 JP JP59131318A patent/JPS6110313A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5575337A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-06 | Fujitsu Ltd | Oscillator |
| JPS6058714A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-04 | Toshiba Corp | 電圧制御発振器 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6896466B2 (en) | 1997-09-01 | 2005-05-24 | Dainippon Screen Mfg. Co, Ltd. | Substrate processing apparatus |
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