JPS61103161A

JPS61103161A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS61103161A
Application number: JP59225107A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Masahiro Kanai; 正博金井; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuetsuki; 津江月　義男; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-10-27
Filing date: 1984-10-27
Publication date: 1986-05-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない１画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｍｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０ｎ−の発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
例えば特開昭５４−８８３４１号公報や特開昭５８−８
３７４８号公報に開示されているシリコン原子を含む非
晶質材料（以後ｒａ−５ｉＪ　と略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

当年ら、光受容層を単層構成のａ−Ｓｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１ＯＬ２Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特
定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる
必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う
必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成
りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては１例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１８０号、同５１１１８１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、ａ　−Ｓｉ系光受容部材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光１０と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入として、
ある層の層厚がなだらかに□以上の層ｎ厚差で不均一であると、反射光Ｒ，、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ
入（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ　＋
−）入（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどちら
に合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に
変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±　１ｏｏｏ。

人の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開
昭５８−１８２９７５号公報）アルミニウム支持体表面
を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボ
ン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける
方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アル
ミニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、
サンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして
、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば
特開昭５７−１８５５４号公報）等が提案されている。

丙午ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−Ｓｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−３ｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化による
その後のａ−５ｒ層の形成に悪影響を与えること等の不
都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光Ｉ０は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光Ｉ！どなる。透
過光ＩＩは、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光Ｋｌ　＋に２　＋に３・・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光Ｒ
８と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光Ｒ１
，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉し七、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可ｆ指であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いてもＭＩ面度に不均一
があって、製造管理上具合が忘かった。加えて、比較的
大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる
大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因と
なっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌｚｍ入また
は２　ｎｄｔ　＝（ｍ　＋　Ｈ）入が成立ち、夫々明部
または暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の
層厚ｄ□＋ｄ２　ｎｄｔ　＋ｄｔｓの夫々の差のあるた
め明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は１画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

木発明のもう１つの荊の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

木発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第
２の層とが支持体側よりこの順に設けられた多層構成の
光受容層を有しており、前記第１の層中に於けるゲルマ
ニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一であり、且つ
前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも一方に伝導
性を支配する物質が含有され、該物質が含有されている
層領域に於いて、該物質の分布状態が層厚方向に不均一
であると共に、前記光受容層は、酸素原子、炭素原子、
窒素原子の中から選択される少なくとも一種を含有し、
且つショートレンジ内に１対以上の非平行な界面を有し
、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも
一方向に多数配列し、該非平行な界面が配列方向におい
て各々なめらかに連結している事を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小でなめらかな凹凸
形状を有する支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面
に沿って多層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６
図の一部に拡大して示されるように、第２層８０２の層
厚がｄｓからｄ６と連続的に変化している為に、界面θ
ｏ３と界面８０４とは互いに傾向きを有している。従っ
て、この微小部分（ショートレンジ）ｔに入射した可干
渉性光は該微小部分ｌに於て干渉を起し、微小な干渉縞
模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光■。に対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面？Ｑ３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（「（Ｂ）」）よりも非平行な場合（
ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明暗の差
が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７４　ｄｏ　）であっても同様に
云える為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６
図のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光１．５に
対して、反射光Ｒ，、Ｒ２，Ｒ３Ｒ４、Ｒ５が存在する
。その九番々の層で第７図を似って前記に説明したこと
が生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には同等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさｌ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスボー２ト径をＬとすれば、ｌ≦Ｌで
ある。

又未発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　−ｄ６）は、照射光の波長
を入とすると、入（ｎ：第２層８０２の屈折率）であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於−て制御されるが、この条件を
満足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面
が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に１層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は、円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加重することで、所望のなめらかな凹凸形状
、ピッチ、深さで形成される。この様な切削加工法によ
って形成される凹凸が作り出す正弦関数形線状突起部は
、円筒状支持体の中心軸を中心にした螺旋構造を有する
。この様な構造の一例を第９図に示す、第９図において
Ｌは支持体の長さであり、ｒは支持体の直径であり、Ｐ
は螺旋ピッチであり、Ｄは溝の深さである。

正弦関数膨突起部の螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋
構造、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れるなめらかな凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を
考慮した上で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に
設定される。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−５ｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、ａ−３ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられるなめらかな凹凸のディメンジョン
を設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

北記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５０（１μｓ
〜０．３４ｍ、より好ましくは２００−〜１鱗、最適に
は５０−〜５鱗であるのが望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１．〜５μｓ
、より好ましくは０．３−〜３綿、最適には０．８−〜
２−とされるのが望ましい、支持体表面の凹部のピッチ
と最大深さが上記の範囲にある場合゛、隣接する凹部と
凸部の各々の極小点と極大点とを結ぶ傾斜面の傾きは、
好ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度
、最適には４度〜ＩＯ度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１−〜？騨、より好ましくは０．１μ〜　１．５ｕａ
、最適にはＱ、２Ｊ１１１〜ＩＱとされるのが望ましい
。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲル与ニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層とが支持体側より順に設けら
れた多層構成となっており、前記第１の層中に於けるゲ
ルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一となって
いるため、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性
、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

以下１図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１Ｏ図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１Ｏ図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容ｆｉ　１０００は支持体１００１側よりゲルマニ
ウム原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子（Ｘ）とを含有するａ−Ｓｉ（以後ｒａ−５ｉＧｅ
　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（
Ｇ）　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハ
ロゲン原子（Ｘ）とを含有するａ−Ｓｉ（以後ｒ　ａ−
９ｉ　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成され、光導電
性を有する第２の層（Ｓ）　１００３とが順に積層され
た層構造を有する。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１の層（Ｇ）　１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１０
０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており
、該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与え
られている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）　１００２又は／及
び第２の層（Ｓ）　１００３に含有される伝導特性を支
配する物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層
領域に含有されても良く、物質（Ｃ）が含有される層の
一部の層領域に偏在する様に含有されても良い。

しかし、いずれの場合に於いても、前記物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＰＮ）に於いて、該物質の層厚方向の
分布状態は不均一とされる。詰り、例えば、第１の層（
Ｇ）の全層領域に前記物質（Ｃ）を含有させるのであれ
ば、第１の層（Ｇ）の支持体側の方に多く分布する様に
前記物質（Ｃ）が第１の層ＣＧ）中に含有される。

この様に層領域（ＰＮ）に於いて、前記物質（Ｃ）の層
厚方向の分布濃度を不均一にすることで、他の層この接
触界面での光学的、電気的接合を良好にすることが出来
る。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられ、その都度、所望に応じて適宜決められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層Ｃ
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層ＣＧ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

丙午ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）中に、伝導特性を
支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質（
Ｃ）の含有される層領域〔ｆｊＳｌの層（Ｇ）の又は／
及び第２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれで
も良い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御すること
が出来るものであるが、この様な物質（Ｃ）としては、
所謂、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来
、本発明に於いては、形成される光受容層を構成するａ
　−５ｉ　（Ｈ、Ｘ）又は／及びａ　−９ｉＧｅ（Ｈ，
Ｘ）に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ
型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａｆ（ア
ルミニウム）　’、　Ｇａ　（ガリウム）。

Ｉｎ（インジウム）、Ｔｔ　（タリウム）等があり。

殊に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
■族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）　、　Ｂｉ　（ビスマス）等であり、殊に
好適に用いられるのは、Ｐ　、　Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る二叉、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、故地の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５　Ｘ　１０’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　
、より好適には０．５〜Ｉ　ＸＩＯ’　　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ　、最適には、１〜５　Ｘ　１０３１０３ａｔ
ｏ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ＋ｍ以上、より
好適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１
００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とすることによって、
例えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場
合には、光受容層の自由表面がΦ極性に帯電処理を受け
た際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を効果
的に阻止することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ
）が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面
がｅ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容層
中への正孔の注入を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（Ｐ　Ｎ）
に含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性と
は別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質を含有さ
せても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝導特
性を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる実際の
量よりも一段と少ない量にして含有させても良いもので
ある。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有され【る前記伝導特性を支配する物質の含有量としては、層領
域（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量
に応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好
ましくは、　　ｏ、ｏｏｔ〜１００１０００ａｔｏ　ｐ
ｐｍ　、より好適には０．０５〜５００　ａｔｏ＋＊１
ｃｐｐ１１．最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　
ｐＨｌｌｌとされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（Ｐ　Ｎ）及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合に
は１層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは
３０　ａｔｏ＋ｗｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい
。

本発明に於いて、層領域（Ｐ　Ｎ）及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは
３０　ａｔｏｍｉｃ　ＰＰ園以下とするのが好ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のＰ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第２６図乃至第３４図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＰＮ）中に含有される物質層ＣＣ）の層厚方
向の分布状態の典型的例が示される。尚、各図に於いて
、層厚及び濃度の表示はそのままの値価で示すと各々の
図の違いが明確でなくなる為、極端な形で図示しており
これらの図は模式的なものと理解されたい。

実際の分布としては、本発明の目的が達成される可く、
所望される分布濃度線が得られるように、ｔｉ（１≦ｉ
≦８）又はＣ１（１≦ｉ≦１７）の値を選らぶか、或い
は分布カーブ全体に適当な係数を掛けたものをとるべき
である。

第２６図乃至第３４図において、横軸は物質（Ｃ）の分
布潤度Ｃを、縦軸は層領域（ＰＭ）の層厚を示し、ｔＢ
は支持体側の層領域（Ｇ）の端面の位置を、Ｌ□は支持
体側とは反対側の層領域（ＰＭ）の端面の位置を示す、
即ち、物質（Ｃ）の含有される層領域（ＰＮ）はｔａ側
より１Ｔ側に向って層形成がなされる。

第２６図には、層領域（ＰＭ）中に含有される物質（Ｃ
）の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２６図に示される例では、物質（Ｃ）の含有される層
領域（ＰＮ）が形成される表面と該層（Ｇ）の表面とが
接する界面位置１Ｂより１．の位置まで′は、物質（Ｇ
）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取り乍ら物質
（Ｃ）が、形成される層（ＰＮ）に含有され、位置し１
よりは濃度Ｃ２より界面位置１丁に至るまで徐々に連続
的に減少されている。界面位置ＥＴにおいては物質（Ｃ
）の分布濃度Ｃは実質的に零とされる。（ここでは実質
的に零とは検出限界量未満の場合である。）第２７図は示される例においては、含有される物質（Ｃ
）の分布濃度Ｃは位置１．より位置ｔ、に至るまで濃度
ＣＩから徐々に連続的に減少して位置１．において濃度
Ｃ６となる様な分布状態を形成している。

第２８図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ちと一定値とされ、
位置ｔ２と位置１丁との間において、徐々に連続的に減
少され、位置し□において、分布濃度Ｃは実質的に零と
されている。

第２９図の場合には、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは位置１
．より位置を丁に至るまで、一度Ｃ６より初め連続的に
徐々に減少され、位置ｔ３よりは、急速に連続的に減少
されて、位置１．において実質的に零とされている。

第３０図に示す例に於ては、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは
、位置１．と位置ｔ４間においては濃度Ｃ７と一定値で
あり、位置ｔ、に於ては分布濃度Ｃは零とされる０位置
し４と１Ｔとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に位置
ｔ４より位置１丁に至るまで減少されている。

第３１図に示される例においては１分布濃度Ｃは位置１
．より位置１．までは濃度Ｃ８の一定値を取り、位置し
５より位置を丁までは濃度Ｃ９より濃度Ｃ１゜まで−次
間数的に減少する分布状態とされている。

第３２図に示す例においては、位置１．より位置ｔ１に
至るまで、物質（Ｇ）の分布濃度Ｃは濃度ＣＯより一次
関数的に連続して減少されて、零に至っている。

第３３図においては、位置１．より位置し６に至るまで
は物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ２より濃度Ｃ１
３まで一時間数的に減少され、位置ｔ６と位置１Ｔとの
間においては、濃度Ｃ１３の一定値とされた例が示され
ている。

第３４図に示される例において、物質（Ｃ）の分布濃度
Ｃは１位！ｔａにおいて濃度ＣＩ４であり、位置し７に
至るまではこの濃度Ｃ’１４より初めはゆっくりと減少
され、ｔ７の位置付近においては、急激に減少されて位
置ｔ７では濃度ＣＩＳとされる。

位置ｔ７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置し８
で濃度Ｃ１ｆｔとなり、位置ｔ８と位置ｔ９との間では
、徐々に減少されて位置し９において、濃度Ｃ１７に至
る。位置ｔ９と位置１Ｔとの間においては濃度ＣＩ７よ
り実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従っ
て減少されている。

以上、第２６図乃至第３４図により、層領域（ＰＭ）中
に含有される物質（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型例
の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体側
において、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃの高い部分を有し、
界面１Ｔ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比
べて可成り低くされた部分を有する物質（Ｃ）の分布状
態が層領域（ＰＭ）に設けられているのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する層領域（ＰＮ）は
好ましくは上記した様に支持体側の方に物質（Ｃ）が比
較的高濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有するの
が望ましい。

本発明においては局在領域（Ｂ）は、第２６図乃至第３
４図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置１、より
５牌以内に設けられるのが望ましい。

本発明に於ては、Ｌ記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔＢ
より５ト厚までの全層領域（Ｌ）とされる場合もあるし
、又、層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特性に従
って適宜状められる。

光受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）１例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子構造的に導
入して前記物質（Ｇ）の含有された層領域（ＰＭ）を形
成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出発物
質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積
室中に各層を形成する為の他の出発物質と共に導入して
やれば良い。

この様な第■族原子導入用の出発物質と成り得るものと
しては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い、その様な第■族原子導入用の出発物質として、具体
的には硼素導入用としては、Ｂ７１（６，ＢａＨｔｏ　
、　ＢｓＨｇ　、　Ｂ２Ｏ３３、Ｂ６Ｈ１ｏ　。

Ｂ１１１７　、　　Ｂ１１１４等の水素化硼素、ＢＦ３
．　ＢＣｊ！３゜ＢＢｒ２等のハロゲン化硼素等が挙げ
られる。このほか、ＡＩｊＣ１３，Ｇａα３　、　Ｇａ
（ＣＨ３）３　、　Ｉｎα３．　ＴｌＣｌ３等も一ヒげ
ることが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として１本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、　Ｐ）１
３．Ｐ２Ｈ４等の水素北端、ＰＨ４Ｉ　＋　　ＰＦ３　
＊ＰＦＳ　、　ＰＣｌ３　、　ＰＣｌ５．　ＰＢｒ３　
、　ＰＢｒ３　、　　ＰＩ３等ノ八ロへン化燐北端げら
れる。この他ＡｓＨ３，ＡｓＦ３　。

ＡｓＣ１ｇ、　　ＡｓＢｒ３．　ＡｓＦ５．　ＳｂＨ３
，ＳｂＦ３．　５ｂＣ１５゜５ｂＣ１、ＢｉＩ３　、　
　Ｂ１Ｇ１１　、　　Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用
の出発物質の有効なものとして挙げること′が出来る。

第１の層（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）　１００２の層厚方向には連
続的であって且つ前記支持体！００１の設けられである
側とは反対の側（光受容層１００１の表面１００５側）
の方に対して前記支持体１００１側の方に多く分布した
状態となる様に前記第１の層（Ｇ）　１００２中に含有
される。

本発明の光受容部材においては、第１の層　　ｊ（Ｇ）
中に含有されるゲルマニウム原子の分布状態は１層厚方
向においては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表
面と平行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望
ましい。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光■・・・・・・一・ −′ 。−′ 、〜 −□ １□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□
□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□
□□□□□□□：マｌ「ものである。

マ　＠１０層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原よる干渉
を防止することが出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

＋＋・＝＋＋ｔＩ・ローー１・１自＋Ｊ・１１上・ｐ）
晶乙ｌツツーセクー■−■−■−■−■−■−■−■−
■−■−■−■−■−■−■−□一□□□□−□□□□
□〜□□□□□−□□□□−□□□□□〜□□□□□−
□□□□−□□□□□−□□□□□−□□□□−□□□
□□−□□□□□−□□□□□□□□□□−□□□□□ □ 部材の第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニラｌ、直
重の屏Ｗ士面め会り計部の血刑菌例が示され第１１図に
示される例では、ゲルマニウム原子の含有される第１の
層（Ｇ）が形成される表面と該ｆｊＳｌの層（Ｇ）の表
面とが接する界面位置１．よりｔ、の位置までは、ゲル
マニウム原子の分布濃度ＣがＣ２なる一定の値を取り乍
らゲルマニウム原子が形成される第１の層（Ｇ）に含有
され、位置ｔ、よりは濃度Ｃ２より界面位置１丁に至る
まで徐々に連続的に減少されている。界面位置を丁にお
いてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度６とされる
。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置を日より位置１丁に至るま
で濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置１Ｔにおい
て濃度ちとなる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には１位置ＬＢより位置Ｌ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ
、位置し２と位置１．との間において、徐々に連続的に
減少され、位置１丁において、分布濃度Ｃは実質的に零
とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の
場合である）。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置１Ｂより位置１Ｔに至るまで、濃度Ｃ８より連続的
に徐々に減少され、位置ｔ１において実質的に零とされ
ている。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ３間においては、濃度Ｃ９と
一定値であり１位置ｔ１に於ては濃度ａｔｅとされる０
位置し３と位置ＬＴとの間では１分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ３より位置１．に至るまで減少されている。

第１８図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一定値を取り、位置
ｔ４より位置１丁までは濃度ＣＩ２より濃度Ｃｔ３まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置１Ｂより位置１丁に
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃　　　　
　　１度Ｃｔａより実質的に零に至る様に一次関数的に
減少している。

第１８図においては、位置１．より位置ｔ５に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ３５より濃
度Ｃ１６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔ
□との間においては、濃度ＣＩ６の一定値とされた例が
示されている。

第１８図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布一度Ｃは、位置１．において濃度０１７であり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度ｃｒ７より初めはゆっくりと
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度ＣＩＯとされる。

位ｆｌｌＬｂと位置ｔ７との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置
ｔ７で濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間で
は、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置１Ｆｇにお
いて、濃度Ｃ２゜に至る０位置ｔ８と位置ｔ□との間に
おいては濃度Ｃｏｏより実質的に零になる様に図に示す
如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第１の層（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面１゜側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に比べて可成り低くされた部分を有するゲルマ
ニウム原子の分布状態が第１の層ＣＧ）に設けられてい
るのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する光受容層を構成す
る第１の層ＣＧ）は好ましくは上記した様に支持体側の
方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されている
局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は第１１図乃至第１９
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置１、より５
ＩＬ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置を日
より５終厚までの全層領域（Ｌｒ）とされる場合もある
し、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子に対して、好ましく
は１０００　ａｔｐｍｉｃ　ｐｐ層層上上より好適には
５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｓｐ上、最適にはＬＸｌ
ｏ”ａｔｏ■ｉｃ　ＰＰ■以上とされる様な分布状態と
なり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層（Ｇ）は、支持体側からの層厚で５勝以内（
ｔｓから５１Ｌ厚の層領域）に分布源。

度の最大値Ｃ■ａｘが存在する様に形成されるのが好ま
しいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量または水素原子とハロゲン原子の量の
和（Ｈ＋Ｘ）は好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、
より好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜
２５　ａｔｏ馬ｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜Ｉ１．５Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ　、
より好ましくは１００〜８×１０５１０５ａｔｏ　Ｐｐ
■とされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層ＣＧ）の層厚Ｔ、は。

好ましくは３０Ａ〜５０ル、より好ましくは、４０Ａ〜
４０牌、最適には、５０Ａ〜３０ルとされるのが望まし
い・　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　１又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５
〜９０ル、より好ましくは１〜８０路最適には２〜５０
ルとされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚Ｔ、と第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（Ｔｅ＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔｅ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００糾、より好適
には１〜８０ト、最適には２〜５０終とされるのが望ま
しい。

本発明のより好ましい実施態様例に於し）てｔ±、上記
の層厚Ｔ１１及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴｌ　／
　Ｔ≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適
切な数値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚丁、及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、Ｔｌ　／　Ｔ≦０．８．最適
にはＴｌ　／　Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層
厚Ｔ、及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましく、％も
のである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含右皐がＩ　Ｘ　１０５ａｔ１０５ａｔｏ
■以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚Ｔ、としては
、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０終以
下、より好ましくは２５終以下、最適には２０終以下と
されるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の暦（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ　−９ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成
される第１の層ＣＧ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０
例えば、グロー放電法によって、ａ−９ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ
）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基本的
には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ
供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導入様
の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料
ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状
態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に含有
されるゲルマニウム原子の分＊濤度を所望の変化率曲線
に従って制御し乍らａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）から成
る層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成
する場合には、例えばＡｔ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで
構成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲットの
二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合されたターゲッ
トを使用してスパッタリングする際、必要に応じて水素
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガス
をスパッタリング用の堆積室に導入してやれば良い。

１・　　　　　本発明１お５゛て使用されるＳｉ供給用
の原料ガスと成り得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２
Ｈ６。

５ｉ３ＨＲ，５ｉ４Ｊ６等のガス状態の又ガス化し得る
水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給
効率の良さ等の点で５ｉｔ（ａ、　５Ｉ２Ｈ６。

が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　、　Ｇｅ、ＨＨ，、Ｇｅ
５Ｈ１２。

Ｇｅ６Ｈ１４、ＧｅｙＨｓ６ｔ　Ｇｅ６Ｈ１８、Ｇｅｇ
Ｈ２０等のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニ
ウムが有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層
作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で
、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢが好ましいものと
して挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、／＼ロゲン化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
の又はガス化し得る／＼ロゲン化合物が好ましく挙げら
れる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素（７）　
ハｔｆｆゲンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ、αＦ３　、　Ｂｒ
Ｆ５　。

ＢｒＦ３　、ＩＦ３　、　ＩＦ７　、、ＩＣＩ　、ＩＢ
ｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６　、　ＳｉＣ！、　、　５ｉＢｒ
、等のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が
出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧｅか
ら成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には１例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層（
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体上に第１の屑（Ｇ）を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様
に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ　−９ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る第１のＭ
ｆ　（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の
場合にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲ
ットの二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを
使用して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッ
タリングし、イオンブレーティング法の場合には、例え
ば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蕪
着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエ
レクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ
飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる
事で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中に／＼ロゲン原子を導入
するには、前記のノ＼ロゲン化合物又は前記のハロゲン
原子を含む硅素化合物のガス　′を堆積室中に導入して
該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものであ
る。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはｌ−ロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ、Ｈα、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、　５ｉＨ７Ｆ７　、　Ｓｌ）
＋７１７　＋ＳｉＨ２α２　、５ｊＨＣ１３、５ｉＨ７
Ｂｒ７　、５ｉＨＢｒ３等の／＼ロゲン置換水素化硅素
、及びＧｅＨＦ３　、　ＧｅＦ２Ｆ２　、　ＧｅＨ３Ｆ
。

ＧｅＨα３．　ＧｅＦ２α２　、　ＧｅＨＢｒ３　、　
ＧｅＨＢｒ３　。

ＧｅＦ２Ｂｒ２　、　ＧｅＨＢｒ３水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素
の１つとする／Ｘロゲン化物、ＧｅＦａ＋ＧｅＣｌ４　
、　ＧｅＢｒ４　、　ＧｅＩ４．　ＧｅＦ２．　Ｇｅα
２１　ＧｅＢｒ２　。

ＧｅＩ２等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態
の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層ＣＧ）形成
用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含む／％ロゲン化物は・
第１の層（Ｇ）形成の際に層中にパ０ゲ７１原子の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＦ２．或いは５１ｇ４＋　５ｉｚＨｂ　。

５ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ１゜等の水素化硅素をＧｅを
供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、
或いは、ＧｅＨ４＋　ＧｅｚＨ＆　＋　Ｇｅ３Ｈｅ　Ｉ
　Ｇｅ４Ｈｔｏ　＋　Ｇｅ５Ｈ１２ｒＧｅ６Ｈ１４、Ｇ
ｅｔＨｒ６＋　ＧｅＢＨ＋８．　Ｇｅｇ）ｈ。等の水素
化ゲルマニウムとＳｒを供給する為のシリコン又はシ１
ノコン化合物とを堆積室中に共存させて放電を生起させ
る事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（）Ｉ）
の量又はＩ＼ロゲン原子（Ｘ）の駿又は水素原子とＩ＼
ロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１
〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０
　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏ自ｉｃ
％とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには１例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、　　ａ−！１ｌｉｉ　（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１
の層（Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中より。

Ｇｅ供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質
〔第２の層（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して
、第１の層（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件
に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される１例え
、ば、グロー放電法によってａ　−９ｉ　（Ｈ、Ｘ）で
構成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には
前記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用
の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、
内部が減圧にし得る堆積室内に導入して。

該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の支持体表面上にａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）
からなる層を形成させれば良い、又、スパッタリング法
で形成する場合には、例えば′Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガ
ス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中
でＳｉで構成されたターゲットをスパッタリングする際
、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
のガスをスパー２タリング用の堆積室に導入しておけば
良い。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（０ＯＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＲ）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＧＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＲ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＯＣＲ）中に含有される原子（０
ＯＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（００％）の含有量は、層領域（０
０％）自体に要求される特性、或いは該層領域（０ＯＮ
）が支持体との接触して設けられる場合には、該支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（００％）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、故地の層領域の特性や、故地の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＲ）中に含有される原子（００％）の量に
は、形成される光受容部材に要求される特性に応じて所
望に従って適宜法められるが、好ましくは０．００１〜
５０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、　０．００２〜
４０ａｔｏｍｉｃ％、ｉ適には０．００３〜３０ａｔａ
ｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも１層
領域（ＱＧＮ）の層厚Ｔｏの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には１層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＧＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
多なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＱＣ：Ｎ）の層厚ＴＯが光
受容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上とな
る様な場合には、層領域（０ＯＮ）中に含有される原子
（ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０　ａｔ　ｏ
　ｍ　ｉ　ｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ
％以下、最適にはｌＯａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが
望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ることが出
来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い、　ＩＩＪＩち、例えば、第１の層中に
は、酸素原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に
例えば酸素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させ
ても良い。

第４２図乃至第５０図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（００％）の層
厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示される
。

第４２図乃至第５０図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＣＮ）の層厚を示し
、１．は支持体側の層領域（００％）の端面の位置を、
ｔ□は支持体側とは反対側の層領域（ｏｃＮ）の端面の
位置を示す、即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領域
（ＯＣＮ）はｔＢ側より１Ｔ側に向って層形成がなされ
る。

第４２図には、層領域（０ＯＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１の
典型例が示される。

第４２図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ｏｃｎ）が形成される表面と該層領域（ＯＧ
Ｎ）の表面とが接する界面位ｉｔ□より１．の位置まで
は、原子（ＯＣＮ）の分布濃度ＣがＣＩなる一定の値を
取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ＯＣＮ）
に含有され、位置１．よりは濃度ゐより界面位置１Ｔに
至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置１．
においては原子（ＱＣ）ｌ）の分布濃度Ｃは濃度自とさ
れる。

第４３図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置１．よりＬＴに至るまで濃度
Ｃａから徐々に連続的に減少して位置１丁において濃度
ちとなる様な分布状態を形成している。

第４４図の場合には、位置１．より位置ｔ２までは原子
（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度ＣＧと一定値とされ、位
１１ｔｚと位置１丁との間において、徐々に連続的に減
少され、位置１丁において、分布濃度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である）。

第４５図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置１．より位置を丁に至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され、位置１．において、実質的に零とされ
ている。

第４６図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置ｔ８と位置し３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり、位置ｔ３より位置１．に至るまで、濃度Ｃ９
により実質的に零に至る様に一次関数的に減少している
。

第４７図に示される例においては１分布濃度Ｃは位置１
．より位置ｔ４までは濃度Ｃｔｔの一定値を取り１位ｉ
ｔ４より位置１．までは濃度０１２より濃度ＣＩ３まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第４８図に示す例においては１位置１．より位置１Ｔに
至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度（ｔａよ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第４θ図においては、位置ｔ６より位置ｔ５に至るまで
は原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度［’ｌＳよりＣ
Ｉ６までの連続的に徐々に減少され、位置ｔ５と位１１
ｔｒとの間においては、濃度ｃｔ６の一定値とされた例
が示されている。

第５０図に示される例においては、原子（ＱＣ；Ｎ）の
分布濃度Ｃは、位置１．においては濃度ＣＩ？であり、
位置ｔ６に至るまではこの濃度ＣＩ？より初めは緩やか
に減少され、Ｌもの位置付近においては、急激に減少さ
れて位ＩＬｔｉでは濃度ｃｘｅとされる。

位置ｔもと位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃ１９となり、位置１．と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されてｔａにおいて、濃度
Ｃｏｏに至る０位置ｔ８と位置１Ｔの間においては濃度
０２０より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲
線に従って減少されている。

以上、第４２図乃至第５０図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
においそは、支持体側において、原子（ＯＣＮ）の分布
濃度Ｃの高い部分を有し、界面１Ｔ側においては、前記
分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分を
有する原子（００％）の分布状態が層領域（０ＯＮ）に
設けられている。

原子（０ＯＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（０（Ｊ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の密着性をより一層向上させることが出来る。

゛　上記局在領域（Ｂ）は、第４２図乃至第５０図に示
す記号を用いて説明すれば、界面位置１．より５終以内
に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂより５榛厚までの全領域（ＬＴ）とされる場合もある
し、又、層領域（ＬＴ　）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ　）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される光受容層に要求される特性
に従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（０ＯＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃ■ｄ！が、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以
上、最適には１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ以上とされ
る様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望まし
い。

即ち、本発明においては、原子（ｏｃｎ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５ＪＬ以内
（ｔａから５終厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃ■
■が存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（０ＯＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（０ＯＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ｏｃｍ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続し
て緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第４２図乃至第４５図、第４８図及
び第５０図に示される分布状態となる様に、原子（ＯＧ
Ｎ）を層領域（ＯＧＮ）中に含有されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯｚ）　、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３　）　、画工酸
化窒素（ＮｚＯａ）、三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ）、二酸
化窒素（８０３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（
０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする１例えばジシ
ロキサン（Ｈ３５ｉＯ９ｉＨ３）、トリシクロキサン（
Ｈ３ＳｉＯ９ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シクロキサン
、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパｙ（
Ｃ３Ｈ＠）、ｎ−ブタ７　（ｎ−Ｃ４Ｈ１０）　、ペン
タ７　（Ｃｓ　Ｈ１２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水
素、エチレン（１４Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、
ブテン−１（Ｃｍ　Ｉｓ　）、ブテン−２ＣｃｓＨａ＞
　、イソブチレン（ＣｓＨｓ）、ペンテン（ＣｓＨ＋ｏ
）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、アセチレン
（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン
（Ｃ，ｌ　Ｈ６）等の炭素数２〜４のアセチレン系炭化
水素、窒素（？ｈ）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジ
ン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３）　、アジ化
アンモニウム（Ｍｌ（４Ｎり　、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）
、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ）等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
５ｉ０７、Ｓｉ３　Ｎ、、カーボンブラッり等を挙げる
ことが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共にス
パッタリング用のターゲットとしての形で使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（０ＯＮ）を設ける場合、該層領
域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃ
を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄ
ｅｐｔｈｐｒｏＦ　ｉ　ｌｅ）を有する層領域（００％
）を形成するには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ
を変化させるべき原子（０（：Ｎ）導入用の出発物質の
ガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜
変化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成され
る。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（（ＩｃＮ）をスパッタリング法によって形成す
る場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚
方向で変化させて、原子（ＤＯＮ）の層厚方向の　。

所望の分布状態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆ　１ｌｅ）を形成
するには。

第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積空中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。第二にはスパッタリング用のター
ゲットを、例えばＳｉと５ｉ０２との混合されたターゲ
ットを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２との混合比
をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させておく
ことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては、例
えば、ＮｊＣｒ、ステンレス、Ｍ、　　　　　ＩＣｒ、
　Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｗｂ、　Ｔａ、　Ｖ、Ｔｉ、　ｐｔ
、　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミ−２り、紙等が通常使用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に旧Ｃｒ、ＡＮ、　
Ｏｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｗｂ、　Ｔａ、■、
Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ。

Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２．１ＴＯ（Ｉｎ２０３　＋５ｎ０
２）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付与
され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィル
ムであれば、旧Ｏｒ、　Ａｆ、Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、
旧、Ａｕ、　Ｃｒ、Ｎｏ、■「、Ｗｂ、　Ｔａ、　Ｖ、
τｉ、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸
着、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属
でその表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状
。

板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが、例えば、第１０図の光受容部材１００４を
電子写真用光受容部材として使用するのであれば連続高
速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい、支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形
成される様に適宜決定されるが、光受容部材として、可
撓性が要求される場合には、支持体としての機能が充分
発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午
ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機能的
強度の点から、好ましくは１０ｇ以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００Ｂのガスボンベには、本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２は５ｉ８４ガス（純度９９
．９９９％、以下、Ｓ　ｉ　Ｈ４と略す）ボンベ、　２
００３はＧｅＨ４ガス（純度θ９．ｌ？Ｈ％、以下Ｇｅ
Ｈ４と略す）ボンベ、２００４はＮＯガス（純度９９．
９９９％、以下ＮＯと略す）ボンベ、２００５はＨ２で
稀釈されたＢ、　Ｈ，ガス（純度９９．９９９％、以下
８２Ｈ６／　Ｈ７と略す）ボンベ、２００ＢはＨ２ガス
（純度９９．８９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００Ｂのバルブ２０２２〜２０２Ｂ、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ２０１２〜２０１Ｂ、流出バルブ２０１
７〜２０２１　。

補助バルブ２０３２．２０３３が開かれていることを確
認して、先ずメインバルブ２０３４を開いて反応室２０
０１、及び各ガス配管内を排気する０次に真空計２０３
８ｃ７）読ミが約５　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒになった時
点で補助バルブ２０３２．２０３３、流出バルブ２０１
７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉＨ
４ガス、ガスボンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガスボ
ンベ２００４よりＮＯガス、ガスボンベ２００５よりＢ
２Ｈ６／　Ｈ２ガス、２００６よりＨ２ガスをバルブ２
０２２．２０２３゜２０２４．２０２５．２０２８を開
いて出口圧ゲージ２０２７．２０２８．２０２９．２０
３０．２０３１の圧をｌ　Ｋｇ／ｃｙｎ’に調整し、流
入バルブ２０１２．２０１３．２０１４．２０１５．２
０１Ｂヲ徐々に開けて、マスフロコントローラ２００７
．２００Ｂ、２００９．２０１０．２０１１内に夫々流
入させる。引き続いて流出バルブ２０１７．２０１８．
２０１９．２０２０゜２０２１、補助バルブ２０３２．
２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００１に
流入させる。このときのＳｉ島ガス流量ＣｅＨ４ガス流
量、ＮＯガス流量の比が所望の値になるように流出バル
ブ２０１７．２０１８．２０１８．２０２０．２０２１
を調整し、また、反応室２００１内の圧力が所望の値に
なるように真空計２０３８の読みを見ながらメインバル
ブ２０３４の開口を調整する。そして、基体２０３７の
温度が加熱ヒーター２０３８により５０〜４００℃の範
囲の温度に設定されていることを確認した後、電源２０
４０を所望の電力に設定して反応室２００１内にグロー
放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変化率曲
線に従って、ＧｅＨ４ガスの流量及びＢ２Ｏ，ガスの流
量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によってバル
ブ２０１８．２０２０の開口を暫時変化させる操作を行
って形成される層中に含有されるゲルマニウム原子及び
硼素原子の分布濃度を制御する。

一ヒ記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望
層厚に、基体２０３７ヒに第１の層（Ｇ）を形成する。

所望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流
出バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて
放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所
望時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）　ｈ
にゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（
Ｓ）を形成することが出来る。

なお、第１の層ＣＧ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、
流出バルブ２０１９あるいは２０２０を適宜開閉するこ
とで酸素原子あるいは硼素原子を含有させたり、含有さ
せなかったり、あるいは各層の一部の層領域にだけ酸素
原子あるいは硼素原子を含有させることも出来る。また
、酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素原子を
含有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮＯガスを
例えばＮＨ３ガスあるいはＣＨａガス等に代えて１層形
成を行なえばよい、また、使用するガスの種類を増やす
場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層形成を
行なえばよい０層形成を行っている間は層形成の均一化
を計るため基体２０３７はモーター２０３８により一定
速度で回転させてやるのが望ましい。

〔実施例〕

以下実施例について説明する。

実施例１第９図に示される形状（長さくＬ）　３５７鳳■、径（
ｒ）８１１１ｍｍ、ピッチ（Ｐ）　２５鱗、深さくＤ）
０．８−の螺旋溝表面形状）のＭ支持体を作製した。

次に、第２０図の膜堆積装置を使用し、第１表に示す条
件で種々の操作手順にしたがって、前述のＭ支持体上に
ａ−９ｉ光受容層を堆積した（試料Ｎｏ、１−１）　。

尚、第１層は、ＧｅＨａ　、　５ｉＨａ　＋　８２　Ｈ
６／　Ｈ２の各ガスの流量を第２１図及び・第３５図の
ようになるように。

マスフロコントローラー２００７．、２００Ｂ及び２０
１Ｏをコンピューター（ＩＰ９８４５Ｂ）により制御し
た。

別に、同一の表面性の同筒状Ｍ支持体上に、第１層及び
第２層形成時４の放電電力をいづれも５０Ｗとした以外
は上記の場合と同様にして、光受容層を形成したところ
、第５８図に示す様に光受容層の表面は支持体８２０１
の表面に対して平行になっていた。この場合、Ｍ支持体
の中央と両端部とで全層の層厚の差はＩｇ〒あった（試
料Ｎｏ、１−２）　。

また、前記試料Ｎｏ−１−１の場合には第６０図の様に
光受容層の表面と支持体８４０１の表面とは非平行であ
った。この場合、Ｍ支持体の中央と両端部とでの平均層
厚の層厚差は２鱗であった。

以上の電子写真用の光受容部材について、波長７８０ｎ
■の半導体レーザーをスポット径８０−で第２５図に示
す装置で画像露光を行い、それを現像、転写して画像を
得た。第５９図に示す表面性の光受容部材では、干渉縞
模様が観察された。

一方、第８０図に示す表面性を有する光受容部材では干
渉縞模様は観察されず、実用に十分な電子写真特性を示
すものが得られた。

実施例２シリンダー状Ｍ支持体の表面を旋盤で、第２表のように
加工した。これ等（シリンダー遂１０１〜１０８）の円
筒状のＭ支持体上に、実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場
合と同様の条件で、電子写真用光受容部材を作製した（
試料正１１１〜１１８　）　。

このときの電子写真用光受容部材のＭ支持体の中央と両
端部での平均層厚の差は２．２鱗であった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、光受容層のピッチ内での差を測定したところ、第
３表のような結果を得た。これらの光受容部材について
、実施例１と同様に第２５図の装置で波長７８０ｎ■の
半導体レーザーを使い、スポット径８０μで画像露光を
行ったところ、第３表の結果を得た。

実施例３第１層を形成する際、Ｇｅ１（４１Ｓ　ｉＨ４＋　Ｂ２
　Ｈ６／　Ｂ２　’Ｉ）各ガスの流量を第２２図及び第
３８図のようになるよう９・　“′。７１″Ｏ−５−２
００７・２００８及′（。

２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制
御した以外は、実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合と同
様にして電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例４第４表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。

尚、第１層は、ＧｅＨａ　、　ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ６／　
８７　（７）各ガスの流量を第２３図及び第３７図のよ
うになるように、マスフロコントローラー２００７．２
００８及び２０１０をコンピュータ（）ＩＰ９８４５Ｂ
）により制御した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。１４ちれた画
像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例５第１層を形成する際、ＧｅＨ４，５ｉ）ｌａ　、　Ｂ２
　Ｈ６／　Ｂ２　′の各ガスの流量を第２４図及び第３
８図のようになるように、マスフロコントローラー２０
０７．２００８及び２０１０をコンピュータ（ＩＰ９８
４５Ｂ）により制御した以外は、実施例４と同様の条件
で電子写真用光受容部材を作製した。

実施例６第５表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。

尚、第１層及びＡ屑は、ＧｅＨ４、Ｓｉ＆　＋　Ｂ２　
Ｈｓ　／　Ｂ２の各ガスの流量を第３９図のようになる
ように、マスフロコントローラー２００７．２００８及
び２０１Ｏをコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制
御した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例７第６表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｉｌの場合と
同様にして電子写真用光受容部材を作製した。

尚、第１層及びＡ層は、’　ＧｅＨ４，Ｓｉｇｎ　、　
Ｂ２　Ｈ６／　Ｂ２の各ガスの流量を第４０図のように
なるように、マスフロコントローラー２００７．２００
８及び２０１０をコンピューター（）ＩＰ９８４５Ｂ）
により制御した。

以−ヒの電子写真用光受容部材について、実施例１と同
様な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、
転写、定着して普通−紙上に可視画像を得た。得られた
画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

す°　　　　　実施例８第７表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。

尚、第１層及びＡ層は、ＧｅＨ４、ＳｉＨ４、Ｂ７　）
１６　／　Ｂ７の各ガスの流量を第４１図のようになる
ように、マスフロコントローラ２００？、　２００８及
び２０１０をコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制
御した。

実施例９実施例１において使用したＮｏガスをＮＨ，ガスに変え
た以外は実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場゛合と同様に
して電子写真用光受容部材を作製した。　　　　。

実施例１０実施例１において使用したＮｏガスをＣ）Ｉａガスに変
えた以外は実施例１の試料Ｎｏ、ｉｌの場合と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙とに可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例１１実施例４において使用した畦３ガスをＮｏガスに変えた
以外は実施例４と同様の条件と手順に従って電子写真用
光受容部材を作製した。

以、Ｅの電子写真用光受容部材について、実施例１と同
様な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、
転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画
像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例１２実施例４に於いて使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスに変
えた以外は実施例４と同様の条件と手順に従って電子写
真用光受容部材を作製した。

実施例１３実施例６において使用したＣＨ４ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例６と同様の条件と手順に従って電子写真
用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様ｊ＊観察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例１４実施例６において使用したＣＨａＮｏガスＨ３ガスに変
えた以外は実施例６と同様の条件と手順に従って電子写
真用受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙Ｅにｎ（視画像を得た。得られた画
像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例１５第８表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。

尚、Ｓ　ｉＨ４、Ｇｅ’Ｈ４、Ｂｚ　Ｈ６／　Ｈ２の流
量を第５１図のようになるようにして、また窒素原子含
有層は、ＮＨ３の流量を第５５図のようになるように、
各々Ｓ　ｉＨａ　、　ＧｅＨａ　、　８２　［６／　Ｈ
２およびＦｉＨ３ｆ）１；＜７＊コア）　０−５−２０
０７．２００８．２０１０．２００９をコンピュータ（
ＨＰ９８４５Ｂ）により制御して形成した。

実施例Ｉ６実施例１５に於て使用したＮＨ，ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例１５と同様の条件と手順に従って電子写
真用光受容部材を作製した。

実施例１７実施例１５に於て使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスにえ
た以外は実施例１５と同様の条件と手順に従って電子写
真用光受容部材を作製した。

実施例１１１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　。

第９表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。

尚、Ｓ　ｉＨ４、Ｇｅ１ｓ　、　８２０％　／　Ｈ２の
流量を第５２図のようになるように、また炭素原子含有
層は、　ＣＨ４の流量を第５６図のようになるように、
各々ＳｉＨ４゜Ｇｌ！Ｈ４、Ｂ２　Ｈ６／　Ｈ２および
ＣＨ４ノマスフロコントローラー２００７．２，００８
．２０１０．２００９をコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ
）により制御して形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙トに可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例１９実施例１８に於て使用したＣＨ４ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例１８と同様の条件と手順に従って電子写
真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様は観察されず、実画に十分なものであっ
た。

実施例２０実施例１８に於て使用したＣ）［４ガスをＮＨ，ガスに
変えた以外は実施例１８と同様の条件と手順に従って電
子写真用光受容部材を作製した。

実施例２１第１０表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。

尚、　ＳｉＨ４、ＧｅＨａ　＊　Ｂ２Ｈ６／　Ｈ２の流
量を第５３図のようになるように、また酸素原子含有層
は、Ｎｏの流量を第５７図のようになるように、各々Ｓ
ｉ鴫。

ＧｅＨ，、８２Ｈ６／　Ｈ２およびＮＯのマスフロコン
トローラー２００？、　２００８．２０１０．２００９
をコンピュータ（ＨＰ９８４５８）　Ｋより制御して形
成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して忰通紙、ヒに可視画像を得た。得られた画
像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例２２実施例２１に於て使用したＮｏガスをＮＨ３ガスに変え
た以外は実施例２１と同様の条件と手順に従って電子写
真用光受容部材を作製した。

実施例２３実施例２１に於て使用したＮｏガスをＣＨｓガスに変え
た以外は実施例２１と同様の条件と手順に従つ！゛　　
　　　て電子写真用光受容部材を作製した。

実施例２４第１１表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｉｌの場合
と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。

尚、ＳｉＨ，、Ｇｅ）Ｌ＋　＋　８２Ｈ６／　Ｈ２の流
量を第５４図のようになるように、また窒素原子含有層
は、　ＮＨ３の濃酸を第５８図のようになるように、各
々ＳｉＨ４゜ＧｅＨ４、Ｈ７Ｈ６／　Ｈ２およびＮＨ３
のマスフロコントローラー２００？、　２００８．２０
１０．２００９をコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）によ
り制御して形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであっ
た。　　　　　　　　　　　　　１実施例２５実施例２４に於て使用したＮＨ，ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例２４と同様の条件と手順に従つて電子写
真用光受容部材を作製した。

以との電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例２Ｂ実施例２４に於て使用したＮＨ３ガスをＯＨ４ガスに変
えた以外は実施例２４と同様の条件と手順に従って電子
写真用光受容部材を作製した。

以−ヒの電子写真用光受容部材について、実施例１と同
様な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、
転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画
像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例２７実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合及び実施例３から実
施例２６までについて、Ｈ２で３０００ｖｏｌ　ｐｐ厳
に稀釈したＢ、　Ｈ６ガスの代りにＨ２で３０００ｖｏ
ｌ　ｐｐｍに稀釈したＰＨ３ガスを使用して、電子写真
用光受容部材を作製した。なお、他の作製条件は、実施
例１の試料Ｎｏ、１−１の場合及び実施例３から実施例
２Ｂまでと同様にした。

以上の電子写真用光受容部材について、第２５図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット
径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。いずれの画像にも干渉縞模様は観察されず
、実用に十分なものであった。

比較例比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
製した際に使用したＭ支持体に代えて、サンドブラスト
法によりＭ支持体の表面を粗面化したＭ支持体を採用し
たほかは前述の実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合と全
く同様の方法でａ−Ｓｉ電子写真用光受容部材を作製し
た。この際のサンドブラスト法により表面粗面化処理し
たＭ支持体の表面状態については光受容層を設ける前に
小板研究所の万能表面形状測定器（Ｓｉ−３０）で測定
したが、この時平均表面粗さは１．８ｇであることが判
明した。

この比較用電子写真用光受容部材を実施例１で用いた第
２５図の装置に取付けて、同様の測定を行なったところ
、全面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた。

？

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図（Ａ）　、（Ｂ）　、　（Ｃ）　、　（Ｄ）は光
受容部材の各層の界面が非モ行な場合に干渉縞が現われ
ないことの説明図である。第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の干、、ｌ　
　　　　渉縞が現われないことの説明図である。第９図は、支持体の表面状態の説明図である。第１０図は、光受容部材の層領域の説明図である。第１１図から第１８図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。第２０図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。第２１図から第２４図及び第３５図から第４１図及び第
５１図〜第５８図は、実施例におけるガス流量の変化を
示す説明図である。第２５図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。＄２６図から第３４図は、層領域（ＰＭ）に於ける物質
（Ｃ）の分布状態を説明する為の説明図である。第４２図から第５０図は、層領域（ＯＣＮ）中の原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布状態を説明するための説明図である
。第５８図及び第８０図は、実施例で作製した光受容部材
の構造図である。１０００・・・・・光受容層１００１・・・・・Ｍ支持体１００２・・・・・第１の層１００３・・・・・第２の層１００４・・・・・光受容部材１００５・・・・・光受容部材の自由表面２６０１・・
・・・電子写真用光受容部材２６０２・・・・・半導体
レーザー２６０３・・・・・ｆθレンズ２６０４・・・・・ポリゴンミラー２６０５・・・・・露光装置の平面図２８０６・・・・・露光装置の側面図第１ｗＪ餉２図第３図第４図第５図第６図（Ａ）　　　　　　　　　　　　ｃＢ）（Ｃ）Ｒ第７図第８図　　　　　　　″ 第９図第１Ｏ図 □Ｃ第１１図第１！２図第１３図第Ｉ４図第１５図第１６図第１７第１８第！９第２１図第２３図第２４図第２５図第２８図第２７図第２８図第２９図第３０図第３１図第３２図第３３図第３４図第３５図第３６図第３７図第３８図第３９図晴間（介）第４０図８１間　（分）第４１図第４２図第４３図第４４図第４５図第４６図第４７図第４８図第４９ン第５０区第５１図一箱５２図第５３図第５４図〃スラ丸量見第５５図力′ステ丸量ＬＬ第５６図ブ久５ｔｔル

Claims

【特許請求の範囲】

（１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶
質材料で構成され、光導電性を示す第２の層とが支持体
側よりこの順に設けられた多層構成の光受容層を有して
おり、前記第１の層中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態が層厚方向に不均一であり、且つ前記第１の層及び
前記第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物質
が含有され、該物質が含有されている層領域に於いて、
該物質の分布状態が層厚方向に不均一であると共に、前
記光受容層は、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から
選択される少なくとも一種を含有し、且つショートレン
ジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非平行な界面
が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列
し、該非平行な界面が配列方向において各々なめらかに
連結している事を特徴とする光受容部材。
（２）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には均
一な状態で含有する特許請求の範囲の第１項に記載の光
受容部材。
（３）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には不
均一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光
受容部材。
（４）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。
（５）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。
（６）前記ショートレンジが０．３〜５００μである特
許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（７）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
た規則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成
されている特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（８）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によっ
て形成されている特許請求の範囲第７項に記載の光受容
部材。
（９）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（１０）前記正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に
於いて螺旋構造を有する特許請求の範囲第９項に記載の
光受容部材。
（１１）前記螺旋構造が多重螺旋構造である特許請求の
範囲第１０項に記載の光受容部材。
（１２）前記正弦関数形線状突起がその稜線方向に於い
て区分されている特許請求の範囲第８項に記載の光受容
部材。
（１３）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
持体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第９項に記載
の光受容部材。
（１４）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する特許請求
の範囲第７項に記載の光受容部材。
（１５）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
範囲第１４項に記載の光受容部材。
（１６）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
かな凹凸が形成されている特許請求の範囲第７項に記載
の光受容部材。