JPS61103162A

JPS61103162A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS61103162A
Application number: JP59225108A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Masahiro Kanai; 正博金井; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuetsuki; 津江月　義男; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-10-27
Filing date: 1984-10-27
Publication date: 1986-05-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し１次
いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真性を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は８５０〜８２０ｎｒの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
例えば特開昭５４−８８３４１号公報や特開昭５８−８
３７４１３号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＢ−３ｉＪ　と略記する）から成る
光受容部材が注目されてし）る。

尚乍ら、光受容層を中層構成のａ−９ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０１７ΩＣ１１１以上の暗抵抗を確保するには、水素
原子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子と
を特定の量範囲で層中に制御され′た形で構造的に含有
させる必要性がある為に１層形成のコントロールを厳密
に行う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度
に可成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては１例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１ｆｉＯ号、同５８１８１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、ａ　−Ｓｉ系光受容部材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に班がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ１画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ＩＯと上部界面１０２で反射した反射光Ｒ５、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλとして、
ある層の層厚がなだらかに六以上の層厚差で不均一であ
ると１反射光Ｒ，、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍは整数、反
射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍａｙ）入（ｍは整数、
反射光は弱め合う）の条件のどちらに合うかによって、
ある層の吸収光量および透過光量に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±　１００００Ａの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１８２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、着
色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（
例えば特開昭５７−１８５８４５号公報）、アルミニウ
ム支持体表面をを地状のアルマイト処理したり、サンド
ブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を・設ける方法（例えば特開
昭５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

丙午ら、これ等従来の方法では２画像とに現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確か番と光散乱効果によ
る干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱とし
ては依然として正反射光成分が残存している為に、該正
反射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持
体表面での光散乱効果の為に照射スボ・ントに拡がりが
生じ、実質的な解像度低下の要因となっていた・第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
１着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−９ｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−Ｓｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化による
その後のａ−Ｓｉ層の形成に恕影響を与えること等の不
都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光■。は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光Ｉ、となる。透
過光１．は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光Ｋｌ　＋に２　＋に３・・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光Ｒ
□と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光ＲＩ
＋支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドプラス）Ｗの方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理り具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダム１　　　　　に形成される機会が多
く、斯かる大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウ
ンの原因となっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍ入また
は２ｎｄ＋　＝　（ｍ＋３７２）入が成立ち、夫々明部
または暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の
層厚ｄｔ　＋ｄ２　、ｄ３　、ｄａの夫々の差の入中の最大か７１以上である様な層厚の不均一性があるた
め明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又５表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との千　　　　　１渉の他に、各層
間の界面での反射光による干渉が加わるため、一層構成
の光受容部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる
。

〔発明のｌｌ的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、ンリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第
２の層と１反射防止機能を有する表面層とが支持体側よ
りこの順に設けられた多層構成の光受容層を有しており
、前記第１の層及び第２の層の少なくとも一方に伝導性
を支配する物質が含有され、該物質の含有されている層
領域に於いて、該物質の分布状態が層厚方向に不均一で
あると共に、前記光受容層は、醜素原子、炭素原子、窒
素原子の中から選択される少なくとも一種を含有し、か
つショートレンジ内に一対以上の非平行な界面を有し、
該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一
方向に多数配列し、該非平行な界面が配列方向に於いて
各々なめらかに連結していることを特徴とする。

以下１本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

未発明は装置の要求解像力よりも微小でなめらかな凹凸
形状を有する支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面
に沿って多層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６
図の一部に拡大して示されるように、第２層６０２の層
厚がｄｓからｄ６と連続的に変化している為に、界面６
０３と界面８０４とは互いに傾向きを有している。従っ
て、この微小部分（ショートレンジ）ｌに入射した可干
渉性光は該微小部分！に於て干渉を起し、微小な干渉縞
模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉ０に対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７→ｄｏ　）であっても同様に云
える為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図
のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光■。に対
して、反射光Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３Ｒ４＋Ｒ５が存在する。

そのへ番々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より−１層干渉効果を防止す
ることが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為１画像に現われることはない。又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には同等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ！（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれｌｆ、ｊ！≦Ｌ
である。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　　　ｄ６）は、照射光の波
長を入とすると、ｄｓ　　ｄｂ≧　六（ｎ：第２層８０２の屈折率）であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が入ＴＴｉ　　　　（”　’層の屈折率）以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を、光学的レベルで正確に制御できることからプラズ
マ気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採
用される。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は１円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることφより、支持体表面を
正確に切削加工することで、所望のなめらかな凹凸形状
、ピッチ、深さで形成される。この様な切削加工法によ
って形成される凹凸が作り出す正弦関数形線状突起部は
、円筒状支持体の中心軸を中心にした螺旋構造を有する
。この様な構造の一例を第９図に示す。第９図において
Ｌは支持体の長さであり、ｒは支持体の直径であり、Ｐ
は螺旋ピッチであり、Ｄは溝の深さである。

正弦関数膨突起部の螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋
構造、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れるなめらかな凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を
考慮した上で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に
設定される。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−９ｉ層は。

層形成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態
に応じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−Ｓｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられるなめらかな凹凸のディメンジョン
を設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸かあると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００−〜０
．３μｍ、より好ましくは２００−〜ｌ騨、最適には５
０−〜５騨であるのが望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１−〜５騨、
より好ましくは０．３鱗〜３鱗、最適には０．６μｍ〜
２−とされるのが望ましい、支持体表面の凹部のピッチ
と最大深さが上記の範囲にある場　　　　　（合、隣接
する凹部と凸部の各々の極小点と極大点とを結ぶ傾斜面
の傾きは、好ましくは１度〜２０度、より好ましくは３
度〜１５度、最適には４度〜１０度とされるのが望まし
い。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１ｕ〜２騨、より好ましくは０、ＩＪＬＩＩ！−１，
５１４，最適には０．２ｕ〜１ｕとされるの５が望まし
い。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層と反射防止機能を有する表面
層とが支持体側より順に設けられた多層構成となってお
り、優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧
性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、＃光疲労、鰻返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して鰻返し得ることができる。

更に１本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

反射防止機能を持つ表面の厚さは１次のように決定され
る。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長を入とす
ると、反射防止機能を持つ表面層の厚さｄは、ｄ＝〒千　ｍ（ｍは奇数）が好ましいものである。

また、表面層の材料としては、その上に表面層を堆積す
る層の屈折率をｎａとすると、ｎ＝几ｉの屈折率を有する材料が最適である。

この様な光学的条件を加味すれば、反射防止層の層厚は
、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるもの
として、０．０５〜２騨とされるのが好適である。

本発明に於いて、反射防止機能を持つ表面層の材料とし
て有効に使用されるものとしては、例えば、ＭｇＦ２、
Ｍ２Ｏ３、ＺｒＯ□、ＴｉＯ２、ＺｎＳ　、　ＣｅＯ２
、ＣｅＦ２．５ｉ０７．　ＳｉＯ、Ｔａ２０ｒ、　、　
ＡｌＦ２、ＮａＦ　、　！１ｌｉｉ３Ｎ。

等の無機弗化物や無機窒化物、或いは、ポリ塩化ビニル
、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、弗化ビニリデン、
メラミン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、酢酸セ
ルロース等の有機化合物が挙げられる。

これらの材料は、本発明の目的をより効果的且つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できる
ことから、蒸着法、スノくツタリング法、プラズマ気相
法（ｐｃｖｏ法）、光ＣＶＤ法、熱ｃｖｎ法、塗布法が
採用される。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１θ図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１Ｏ図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層ｔｏｏｏは自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層ｔｏｏｏは支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−９ｉ（以後ｒａ−５ｉＧｅ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−５ｉ（以後ｒ　ａ−９ｉ
　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成され、光導電性を
有する第２の５　（Ｓ）　１００３と１反射防止機能を
有する表面層１００８とが順に積層された層構造を有す
る。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１の層（Ｇ）　１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１０
０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有され　　　
　　（ており、該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝
導特性が与えられている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）　１００２又は／及
び第２の層（Ｓ）１００３に含有される伝導特性を支配
する物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層領
域に含有されても良く、物質（Ｃ）が含有される層の一
部の層領域に偏在する様に含有されても良い。

しかし、いずれの場合に於いても、前記物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＰＮ）に於いて、該物質の層厚方向の
分布状態は不均一とされる。詰り、例えば、第１の層Ｃ
Ｇ）の全層領域に前記物質（Ｃ）を含有させるのであれ
ば、第１の層（Ｇ）の支持体側の方に多く分布する様に
前記物質（Ｃ）が第１の層（Ｇ）中に含有される。

この様に層領域（ＰＮ）に於いて、前記物質（Ｃ）の層
厚方向の分布濃度を不均一にすることで、他の層との接
触界面での光学的、電気的接合を良好にすることが出来
る。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様にｆｆ１ｌの層（
Ｇ）中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有さ
れる層領域（Ｐ　Ｎ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域
として設けられ、その都度、所望に応じて適宜法められ
る。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

百年ら１本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）中に、伝導特性を
支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質（
Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）の又は／及び
第２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良
い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出
来るものであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂
、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来１本
発明に於いては、形成される光受容層を”構成するａ−
３ｉ　（Ｈ、Ｘ）又は／及びａ　−９ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）
に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物及びｎ型伝
導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第ｍ族に属す
る原子（第■族原子）１例えば、Ｂ（硼素）、Ｍ（アル
ミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、
　ＴＩ　（タリウム）Ｗがあり゛。

殊に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）　、　Ｂｉ　（ビスマス）′４であり、殊
に好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（Ｐ　
Ｎ）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、故地の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５　Ｘ　１０”　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　
、より好適には０．５〜Ｉ　ＸＩＯ４ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ　、最適には、　　ｌ　〜５　Ｘ　１０３１０３ａ
ｔｏ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好
適には５０　ａｔｏａ＋ｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはＩ
ＱＯａｔｏｍｉｃ　ｐｐｗｒ以上とすることによッテ、
例えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のＰ型不純物の場
合には、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受け
た際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を効果
的に阻止することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ
）が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面
がＯ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容層
中への正孔の注入を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性とは
別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質を含有させ
ても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝導特性
を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる実際の量
よりも一段と少ない竜にして含有させても良いものであ
る。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜・決定されるものであるが、好ましく
は、ｏ、ｏｏｔ〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ　、よ
り好適には（１，０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐＩｌ
ｌ、最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍと
されるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（Ｐ　Ｎ）及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合に
は１層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは
３０　ａｔｏａｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
１層領域（Ｚ）に於ける含有量としでは、好ましくは３
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが好ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＰＮ）中に含有される伝導性を支配する物質
（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第１ｔ図乃至第１９図において、横軸は物質（Ｃ）の分
布濃度Ｃを、縦軸は第１の層（Ｇ）の層厚を示し、ｔＢ
は支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位置を、１丁は支
持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置を示す。即ち
、物質（Ｃ）の含有される第１の層（Ｇ）はｔＢ側より
１Ｔ側に向って層形成がなされる。

第１１図には、第１の層（Ｇ）に含有される物質（Ｃ）
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１１図に示される例では、物質（Ｃ）の含有される第
１の層ＣＧ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ）の表
面とが接する界面位置を日より１．の位置までは、物質
（Ｃ）の分布濃度ＣがＣＩなる一定の値を取り乍ら物質
（Ｃ）が形成される第１の層（Ｇ）に含有され１位置ｔ
１よりは濃度Ｃ２より界面位置１丁に至るまで徐々に連
続的に減少されている。界面位置を丁においては物質（
Ｃ）の分布濃度ＣはＣ３とされる。

第１２図に示される例においては、含有される物質（Ｃ
）の分布一度Ｃは位置ＬＢより位置１丁に至る　　　　
　　１まで濃度Ｃ，ｌから徐々に連続的に減少して位置
１丁において濃度ちとなる様な分布状態を形成している
。

第１３図の場合には、位置を日よりｔ２までは、物質（
Ｃ）の分Ｉａａ度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ１位置ｔ
２と位置を丁との間において、ｅ度Ｃ７から徐々に連続
的に減少され、位置１丁において、分布濃度Ｃは実質的
に零とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未
満の場合である）。

第１４図の場合には、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは位置１
Ｂより位置１丁に至るまで、濃度Ｃ８より連続的に徐々
に減少され、位置１丁において実質的に零とされている
。

第１５図に示す例に於ては、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは
、位置１Ｂと位置１３間においては濃度Ｃ９と一定値で
あり１位置１丁に於ては濃度Ｃ１゜とされる。位置ｔ３
と位置ｔ□との間では、分布濃度Ｃは一次関数的に位置
し３より位置を丁に至るまで減少されている。

第１６図に示される例においては１分布濃度Ｃは位置１
Ｂより位置し。までは濃度Ｃ１１の一定値を取り１位置
ｔ４より位置ｔ□までは濃度Ｃ宣２より濃度ＣＩ３まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては１位ＭｔＢより位置を丁に
至るまで、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４より実
質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては、位置１．より位置ｔ５に至るまで
は物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１Ｓより濃度ＣＩ
６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴとの
間においては、濃度ＣＩ＆の一定値とされた例が示され
ている。

第１８図に示される例において、物質（Ｃ）の分布濃度
Ｃは１位置１．において濃度Ｃ１７であり、位置し、に
至るまではこの濃度Ｃｉｔより初めはゆっくりと減少さ
れ、ｔ６の位置付近においては、急激に減少されてｔ６
では濃度ＣＩ８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されてｔ７で濃
度Ｃ１！３となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、極
めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８ににおいて、
濃度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置１Ｔとの間において
は濃度Ｃ２０より実質的に零となる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、層領域（Ｐに）中
に含有される物質（Ｃ）の層厚方向の分布状ｆ’ｆ−，
の典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、
支持体側において、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃの高い部分
を有し、界面１．側においては、前記分布濃度Ｃは支持
体側に比べて可成り低くされた部分を有する物質（Ｃ）
の分布状態が第１の層（Ｇ）又は第２の層（Ｓ）に設け
られているのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する光受容層゛を構成
する＄１の層（Ｇ）又は第２のＭＣ５）は好ましくは上
記した様に支持体側の方に物質（Ｇ）が比較的高濃度で
含有されている局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は、第Ｕ図乃至ｗＳｌ
ｅ図に示す記号を用いて説明子れば、界面位置１、より
５鉢以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔＢ
より５ル厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もある
し、又１層領域（ＬＴ　）の一部とされる場合もある。

第１の層ＣＧ）　１００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）　１００２の層厚方向及び支
持体の表面と平行な面内方向に連続的であって、且つ均
一な分布状態となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中
に含有される。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長波長連
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子　　　
　　（の分布状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続
的に分布しているので、半導体レーザ等を使用した場合
の、第２の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の
光を第１の層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収する
ことが出来、支持体面からの反射による干渉を防１卜す
ることが出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては１本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜状められるが、好まし
くは１〜９．５Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ　、　
　より好ましくは１００〜８Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて＠ｌの層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は１本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚■８は。

好ましくは３０Ａ〜５０川、より好ましくは、　４０八
〜４０ル、最適には、５０Ａ〜３０終とされるのが望ま
しい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
ＱＪＬ、より好ましくは１〜８０鉢最適には２〜５０ル
とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚■ａと第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（Ｔ９＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性にノふいて、光受容部材の層設針の際に所望に従って
、適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔ８十Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくはｔ−ｔｏ。

ｔ、より好適には１〜８０ＩＬ、最適には２〜５Ｑｐと
されるのが望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚１日及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ、／Ｔ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚Ｔ８及び層厚ＴＬｆ）ａ値の選
択に於いて、より好ましくは、Ｔ８／Ｔ≦０．９．最適
にはＴｉＩ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚
ＴＩ＋及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、第１の層ＣＧ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がｌ　Ｘ　ｔｏ５ａｔｏｍｉｃｐｐ
＋＊以上の場合には、第１の層ＣＧ）の層厚Ｔ、とじて
は、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０ｇ
以下、より好ましくは２５ＩＬ以下、最適には２０ｇ以
下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の層（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが１　　　　出来る。

本発明におｌ、Ｘ−（、ａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で
構成される第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー
放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティン
グ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成され
る０例えば、グロー放電法によって、ａ−３ｉＧｅ　（
Ｈ、Ｘ）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、
八本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供
給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得
るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（）Ｉ
）導入様の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入
用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望の
ガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起
させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面
上に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変
化率曲線に従って制御し乍らａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ
）から成る層を形成させれば良い。又、スパッタリング
法で形成する場合には。

例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中で５１で構成されたター
ゲットとＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用して
、又はＳｉとＧｅの混合されたターゲットを使用してス
パッタリングする際、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は
／及び／Ｘロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリ
ング用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、５ｉｔ（４、５ｉｚＨ６ｒＳｉ３Ｈ
ｏ、、　５ｉ４Ｈ，。等のガス状態の又ガス化し得る水
素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｔ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，Ｇｅ２Ｈ６１Ｇｅ３Ｈ８＋　Ｇｅ４Ｈ１０＋　Ｇｅ
Ｓ’１２　＊Ｇｅ６Ｈ１４＋　Ｇｅ７Ｈ１６＋　ＧｅＯ
Ｈ１８ｒ　ＧｅｇＨ２０等のガス状態の又はガス化し得
る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効
率の良さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ
が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くの／翫ロゲン化合物が挙げら
れ、例えばハロゲンガス、ハロゲン　　　−化物、ハロ
ゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等の
ガス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく
挙げられる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、　ＢｒＦ、ＣＩＦ、αＦ３．ＢｒＦ５゜ＢｒＦ
３　、ＩＦ３　、　ＩＦ７　、Ｉα、ＩＢｒ等（７）　
ハロゲン化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン朋導体としては、具体的には例えば５
ｉｔ７４．　Ｓｉ２Ｆ６　、５ｉｌ１４．５ｉＢｒ、等
のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が出来
る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の詳細な説明容部材を形成する
場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し得
る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所望の支持体上にハロゲン化物を含むａ−９ｉＧｅから
成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ノ＼ロゲン原子を含む第１の層
（Ｇ）を作成する場合、ｌ＆木的には、例えばＳｔ供給
用の原料ガスとなるＩ＼ロゲン化硅素とＧｅ供給用の原
料ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｆ２．Ｈｅ等
のガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１
の層（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生
起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することに
よって、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得る
ものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易に
なる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素
原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して居形成し
ても良い。

又、各ガスは単独槽のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ−９ｉＧｅ　（）Ｉ　、　Ｘ）から成る第１
の層（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の
場合にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲ
ットの二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを
使用して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッ
タリングし、イオンブレーティング法の場合には、例え
ば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として薄
着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエ
レクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加°熱蒸発さ
せ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させ
る車で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロ　　　　（ゲン原
子を導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記のハ
ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し
て該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いもので
ある。

又９、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の
原料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は
／及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、Ｈα、　ＨＢｒ。

）（Ｉ等のハロゲン化水素、　ＳｉＨ２Ｆ２　、　Ｓｉ
Ｈ２Ｉ２　。

５ｉＨ２Ｃ！２　、５ｉＨＣ１３、５ｉＨ２Ｂｒ２　、
５ｉＨＢｒ３等のハロゲンｆｌ換水素化硅素、及びＧｅ
ＨＦ３　、　ＧｅＦ２Ｆ２　、　ＧｅＨ３Ｆ。

ＧｅＨα３　　、　　ＧｅＦ２α２　　、　　ＧｅＦ３
α１　、　ＧｅＨＢ、ｒ３　。

ＧｅＦ２Ｂｒ２　、　ＧｅＨ３Ｂｒ、　ＧｅＨＩ３　、
　ＧｅＦ２Ｉ２　、　ＧｅＨ３１等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロ
ゲン化物、ＧｅＦ４゜ＧｅＣ１，、ＧｅＢｒ４　　、　
　Ｇｅ１４．　　ＧｅＦ２．　　ＧｅＣｆｆ１２　　、
　　ＧｅＢｒ２　　。

Ｇｅ１２等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態
の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成
用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層ＣＧ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＦ２．或いはＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

５ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ１゜等の水素化硅素をＧｅを
供給する為ノゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、
或いは、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　、　Ｇｅ
４Ｈ１６１Ｇｅ５Ｈ１２１Ｇｅ６Ｈ１４’、　Ｇｅ７Ｈ
１６、ＧｅＢ）Ｉ　１８　、　ＧｅｇＨ２ｏ等の水素化
ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシリコ
ン化合物とを堆積室中に共存させて放電を生起させる事
でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（）Ｉ）
の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲ
ン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．１〜４０
　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには１例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−Ｓｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成される第
２の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ）
形成用の出発物質（Ｚ）の中より。

Ｇｅ供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質
〔第２の層（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して
、第１の層（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件
に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ　−５ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成
される第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によってａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の居（Ｓ）を形成するには、基本的には前
記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグ
ロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所
定の支持体表面上にａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形
成させれば良い、又、スパッタリング法で形成する場合
には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガ
スをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成され
たターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタ
リング用の堆積室に導入しておけば良い。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＧＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＱＣ：Ｎ）中に含有される原子（
ＱＣ：Ｎ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的
少なくされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化
を確実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は１層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＧＮ
）が支持体との接触して設けられる場合には１．該支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＧＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、故地の層領域の特性や、故地の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の量に
は、形成される光受容部材に要求される特性に応じて所
望に従って適宜状められるが、好ましくは０．００１〜
５０ａｔｏ＋ｍｉｃ％、より好ましくは、０．００２〜
４　Ｑａ　ｔ　ｏｓ　ｉ　ｃ％、最適には０．００３〜
３０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（０ＯＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも１層
領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
多なくされるのが望ましい。

本発明の場合には１層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ
％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下、最適
にはＩＱａｔａｍｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第′　ｌの層には、
少なくとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の
支持体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されること
で、支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ること
が出来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い。即ち、例えば、第１の層中には、酸素
原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸
素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良い
。

第２０図乃至第２８図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示される
。

第２０図乃至第２８図において、横軸は原子（ＱＣ：Ｎ
）の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＣＮ）の層厚を示
　　　　（し、ｔａは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端
面の位置を、を丁は支持体側とは反対側の層領域（ＯＣ
Ｎ）の端面の位置を示す、即ち、原子（ＯＣＮ）の含有
される層領域（ＯＣＮ）は１日側より１丁側に向って層
形成がなされる。

第２０図には１層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＱＣＮ　）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１
の典型例が示される。

第２０図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（ＯＣ
Ｎ）の表面とが接する界面位置１丁よりｔｌの位置まで
は、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃが０１なる一定の値を
取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ＯＣＮ）
に含有され、位置１１よりは濃度奇より界面位置１丁に
至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置１丁
においては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ３とさ
れる。

第２１図に示される例においては、含有される原子（Ｑ
Ｃ：Ｎ）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより１丁に至るまで濃
度Ｃａから徐々に連続的に減少して位置ｔ□において濃
度ちとなる様な分布状態を形成している。

第２２図の場合には１位置１．より位’Ｐｔｔ２までは
原子（０ＯＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ
。

位置ｔ２と位置１丁との間において、徐々に連続的に減
少され１位置１丁において、分布濃度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である）。

第２３図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置ｔ８より位置１丁に至るまで、濃度ＣＢより連続的に
徐々に減少され、位置１Ｔにおいて、実質的に零とされ
ている。

第２４図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置１．と位置１３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり１位置ｔ３より位置１．に至るまで、濃度Ｃ９
により実質的に零に至る様に一次関数的に減少している
。

第２５図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
ａより位置ｔ４までは濃度Ｃｔｔの一定値を取り、位７
１１　Ｌｘより位置を丁までは濃度Ｃ１２より濃度Ｃ１
３まで一次関数的に減少する分布状態とされている。

８２６図に示す例においては１位置ｔＢより位置１丁に
至るまで　ｇ子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度０１４よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第２７図においては、位置ｔ１３より位Ｍｔ５に至るま
では原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ５より０
１６までの連続的に徐々に減少され１位置ｔ５と位置１
丁との間においては、濃度ＣＩ＆の一定値とされた例が
示されている。

第２８図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔｓにおいては濃度Ｃ１７であり１位
置ｔ、に至るまではこの濃度ｃｉｔより初めは緩やかに
減少され、七６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔもでは濃度ａｔｅとされる。

位１ｔｂと位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃｌ−１となり、位置【７と位置ｔ８との間では
、極めてゆっくりと徐々に減少されてｔ８において、濃
度Ｃ２０に至る０位置ｔ８と位置１１の間においては濃
度Ｃ２゜より実質的に零になる様に図に示す如き形状の
曲線に従って減少されている。

以上、第２０図乃至第２８図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に１本発明
においては、支持体側において、原子（ＱＣ：Ｎ）の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、界面１Ｔ側においては、前
記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分
を有する原子（ＱＣ：Ｎ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ
）に設けられている。

原子（０ＯＮ）の含有される層領域（ＯＧＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の密着性をより一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２０図乃至第２８図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５戸以内に設
けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域ＣＢ）は、界面位Ｆ！
ｔａより５μ厚までの全慴城（ＬＴ）とされる場合もあ
るし１．又、層領域（ＬＴ　）の一部とされる場合もあ
る°。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ　）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される光受容層に要求される特性
に従って適宜状められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＱＣ：Ｎ）
の層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃ
の最大値Ｃｔｓａｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上、より好適には８００ａｔａ■ｉｃ　ｐｐ
−以北、最適には１００１０００ａｔｏ　ｐｐｔｓ以上
とされる様な分布状態となり得る様に層形成されるのが
望ましい。

即ち１本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５１Ｊ。

以内（ｔＢから５１Ｌ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大
値Ｃｔｒａｙが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＱＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（０１１
１：Ｎ）と他の層領域との界面において、屈折率が緩や
かに変化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状
態を形成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又１領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃ
の変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続して
緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から１例えば第２０図乃至第２３図、第２８図及
び第２８図に示される分布状態となる様に、原子（ＯＣ
Ｎ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（（ＩｃＮ）を形成するのにグロー放電法を用い
る場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中か
ら所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えばｍ素（０□）、オゾン（０３）−酸
化窒素（ＮＯ）、三酸化窒素（ＮＯ？）　、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二醜化窒素（Ｎ２０３）、画工酸化窒
素（Ｎ２０，１）、ミニ酸化窒素（Ｎ、Ｏｓ）、三酸化
窒素（ＮＯ３）　、シリコン原子（Ｓｉ）と醜素原子（
０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする１例えばジシ
ロキサン（Ｎ３　Ｓ　ｉｔｓ　１Ｈ３）、トリシクロキ
サン（Ｎ３ＳｉＯ９ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シクロ
キサン、メタン（（？Ｈａ）　、エタン（Ｃ２Ｈ４）、
プロパン（Ｃ３Ｈｓ　）、ｎ−ブタ７　（ｎ−ＣａＨｔ
ｏ）　、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）等の炭素数１〜５の飽
和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）。

プロピレン（Ｃ３Ｈｓ）、　ブテン−１（Ｃａ　Ｈ＠）
、ブテン−２（ＣａＨｓ）、　インブチレン（ＣａＩ（
ｓ）、ペンテン（Ｃ５ＨＩ。）等の炭素数２〜５のエチ
レン系炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、　メチルア
セチレン（Ｃ３Ｈ５）、　　ブチン（Ｃａ　Ｈ６）等の
炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）、
アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、
アジ化水素（ＨＮ３）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４
Ｎ３）　、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素ＣＦ、Ｉ
Ｎ）等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガスイト可能な出発物質の他に、固体化出発物質として
、　５ｉ０２、Ｓｉ３　Ｎ、、カーボンブラック等を挙
げることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共
にスパッタリング用のターゲットとしての形で使用され
る。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣ＊
）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合、該層領
域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃ
を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状Ｍ　（
ｄｅｐｆｈｐｒａｆ　１ｌｅ）を有する層領域（ＯＣＮ
）を形成するには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ
を変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質の　
　　　　１ガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に
従って適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによ
って成される。

例えば手動°あるいは外部駆動モータ等の通常用いられ
ている何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けら
れた所定のニードルパルプの開口を暫時変化させる操作
を行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必
要はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計
された変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率
画一を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆ　１ｌｅ）を形成するには
、第゛−には、グロー放電法による場合と同様に、原子
導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積空
中へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させ
ることによって成される。第二にはスパッタリング用の
ターゲットを１例えばＳｉと５ｉ０２との混合されたタ
ーゲットを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２との混
合比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させて
おくことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ｍ、Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａ
ｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に旧Ｃｒ、Ａｉ、　
Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｎ、　Ｉｔ、　Ｎｂ、　Ｔａ、Ｖ、
Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ。

Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２、ＩＴＯ（Ｉｎ２０３　＋５ｉ０
２）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付与
され、或いはポリエステルフィルム等の合成ｓｔ脂フィ
ルムであれば、Ｎ：Ｃｒ、Ａ１．Ａｇ、　Ｐｂ、Ｚｎ、
　Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｏｒ、Ｎｏ、Ｉｒ、　Ｗｂ、　Ｔａ
、Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子
ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又は
前記金属でその表面をラミネート処理して、その表面に
導電性が付与される。支持体の形状としては１円筒状、
ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが１例えば、第１θ図の光受容部材
１００４を電子写真用光受容部材として使用するのであ
れば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状
とするのが望ましい、支持体の厚さは、所望通りの光受
容部材が形成される様に適宜決定されるが、光受容部材
として、可撓性が要求される場合には、支持体としての
機能が充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くさ
れる。面乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い
上、！　　　　機能的強度の点から、好ましくは１０＃
Ｌ以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２９図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００Ｂのガスボンベには、本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２はＳｉＨ４ガス（純度９９
．９１１１１％、以下、ＳｉＨ４と略す）ボンベ、２０
０３はＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨ
ａと略す）ボンベ、　２００４はＮＯガス（純度９９．
９９９％、以下ＮＯと略す）ボンベ、　２００５はＢ２
で稀釈されたＢ２Ｈ，ガス（純度９９．９８９％、以下
日２１４６　／　Ｂ２と略す）ボンベ。

２００６はＢ２ガス（純度９９．９９９％）ボンベであ
る。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００Ｂのバルブ２０２２〜２０２Ｂ、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ２０１２〜２０１＆、流出バルブ２０１
７〜２０２１゜補助バルブ２０３２．２０３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開
いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する０次
に真空計２０３８の読みが約５　Ｘ　１０４ｔｏｒｒに
なった時点で補助バルブ２０３２．２０３３．流出バル
ブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉＨ
４ガス、ガスボンベ２００３よりＧｅ１（、ｓガス、ガ
スボンベ２００４よりＮＯガス、ガスボンベ２００５よ
りＢ２Ｈ６／　Ｂ２ガス、　２００ＢよりＢ２ガスをバ
ルブ２０２２．２０２３．２０２４．２０２５．２０２
６を開いて出口圧ゲージ２０２７．２０２８．２０２９
．２０３０．２０３１の圧をｌ　Ｋｇ／ｃゴに調整し、
流入／ｊルブ２０１２．２０１３．２０１４．２０１５
．２０１６ヲ徐々に開けて、マスフロコントローラ２０
０７゜２００８、２００９．２０！０．２０１１内に夫
々流入させる。引き続いて流出バルブ２０１７．２０１
８．２０１９．２０２０．２０２１、補助バルブ２０３
２．２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００
１に流入させる。このときのＳｉＨ４ガス流量Ｇｅ１．
ガス流量、　ＮＯガス流量の比が所望の値になるように
流出バルブ２０１７．２０１８．２０１９゜２０２０．
２０２１を調整し、また１反応室２００Ｉ内の圧力が所
望の値になるように真空計２０３６の読みを見ながらメ
インバルブ２０３４の開口を調整する。そして、基体２
０３７の温度が加熱ヒーター２０３８により５０〜４０
０℃の範囲の温度に設定されていることを確認した後、
電源２０４０を所望の電力に設定して反応室２００１内
にグロー放電を生起させる。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層ＣＧ）を形成する。所
望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１Ｂを完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）上にゲ
ルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ）
を形成することが出来る。

なお、第１の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、
流出バルブ２０１９あるいは２０２０を適宜開閉したり
することで酸素原子あるいは硼素原子を含有させたり、
含有させなかったり、あるいは各層の一部の層領域にだ
け機素原子あるいは硼素原子を含有させることも出来る
。また、酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素
原子を含有させる場合には、ガスボンベ２ｏ０４のＮＯ
ガスを例えばＮＨ３ガスあるいは０Ｍ４ガス等に代えて
、層形成を行なえばよい、また、使用するガスの種類を
増やす場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層
形成を行なえばよい０層形成を行っている間は層形成の
均一化を計るため基体２０３７はモーター２０３８によ
り一定速度で回転させてやるのが望ましい。

最後に、第２の層（Ｓ）上に反射防止機能を持つ表面層
を堆積させるために１例えば２００６の水素（Ｈ２）カ
スボンベをアルゴン（Ａｒ）ガスボンベに取り変え、堆
積装置を清掃し、カソード電極上に表面層の材料を一面
に張る。その後、装置内に第２のＦｅ　（Ｓ）まで形成
したものを設置し、減圧した後アルゴンガスを導入し、
グロー放電を生起させ表面層材料をスパッタリングして
、所望層厚に表面層を形成する。

〔実施例〕

以下実施例について説明する。

実施例１第９図に示される形状（長さくＬ）　３５７ｍ５．径（
ｒ）８０冒習、ピッチ（Ｐ）　２５μｍ、深さく口）０
．８μの螺旋溝表面形状）のＭ支持体を作製した。

次に、第２８図の膜堆積装置を使用し、第１表に示す条
件で種々の操作手順にしたがって、前述のＭ支持体上に
ａ−９ｉ光受容層を堆積した（試料ＮＯ，１−１）　。

尚１表面層は、第２８図の装置のカソード電極上に、第
１１表に示すような各種材料の板（厚さ３　ａｍ）のう
ち１本例ではＺｒＯ２を一面に張り、第１層および第２
層形成時に使用したＨ２ガスをＡｒガスに取りかえた後
、装置内を約５　Ｘ　１０４ｔｏｒｒの真空とし１次い
でＡｒガスを導入して、高周波電力を３００Ｗとしてグ
ロー放電を起し、カソード電極上のＺｒＯ２をスパッタ
リングすることによって形成した。なお、以下の実施例
においても、表面層形成材料を変える以外は、本例と同
様にして表面層の形成を行った。

別に、同一の表面性の同筒状Ｍ支持体上に、第１層及び
第２層形成時の放電電力をいづれも５０Ｗ　　　　　（
とした以外は上記の場合と同様にして、光受容層を形成
したところ、第３９図に示す様に表面層Ｂ５０５の表面
は支持体６３０１の表面に対して平行になっていた。こ
の場合、Ａ１支持体の中央と両端部とで全層の層厚の差
はＩＨであった（試料ＮＯ，１−２）　。

また、前記試料Ｎｏ、１−１の場合には第４０図の様に
表面層８４０５の表面と支持体８４０１の表面とは非平
行であった。この場合、Ａ！支持体の中央と両端部とで
の平均層厚の層厚差は２３１１１であった。

以上の電子写真用の光受容部材について、波長７８０ｎ
ｍの半導体レーザーをスポット径８０戸で第３０図に示
す装置で画像露光を行い、それを現像、転写して画像を
得た。第３８図に示す表面性の光受容部材では、干渉縞
模様が観察された。

一方、第４０図に示す表面性を有する光受容部材では干
渉縞模様は観察されず、実用に十分な電子写真特性を示
すものが得られた。

実施例２シリンダー状Ｍ支持体の表面を旋盤で、第２表のように
加工した。これ等（シリンダー遂ｔｏｔ〜１０８）の円
筒状のＭ支持体上に、実施例１の試料Ｎｏ、ｌｌの、場
合と同様の条件で、電子写真用光受容部材を作製した（
試料遂ｌ１ｌ−１１８）。

このときの電子写真用光受容部材のＭ支持体の中央と両
端部での平均層厚の差は２．２μｍであった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、光受容層のピッチ内での差を測定したところ、第
３表のような結果を得た。これらの光受容部材について
、実施例１と同様に第３０図の装置で波長７Ｂ０ｎｓの
半導体レーザーを使い、スポット径８０μｍで画像露光
を行ったところ、第３表の結果を得た。

実施例３第４表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例４第５表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，ｉｌの場合と
同様にして電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例５第６表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様はＢ察されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例６実施例４に於いて使用したＣＨ４ガスをＮＨ３ガスに代
えた以外は、実施例４と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例■と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例７実施例５に於いて使用したＮＯガスをＣＨ４ガスビ代え
た以外は、実施例５と同様にして電子写真用光受容部材
を作製した。

実施例８第７表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，ｔ−ｔの場　
　　　　１合と同様にして電子写真用光受容部材を作製
した。

尚、硼素含有層は、Ｂ２８６　／　Ｂ２の流量を第３１
図のようになるようにして、またＮＨ３の流量を第３５
図のようになるように、各々８２　Ｈ６／　Ｂ２及びＮ
１（３のマスフロコントローラー２０１０．２００９ヲ
コンピユーター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

実施例９実施例８に於いて使用したＮＨ３ガスをＮＯガスに代え
た以外は、実施例８と同様にして電子写真用光受容部材
を作製した。

実施例ＩＯ実施例８に於いて使用したＮＨ３ガスをＣＭ、ガスに代
えた以外は、実施例８と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。

実施例１１第８表に示す条件で実施例１の試料？１０．１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。

尚、硼素含有層は、Ｂ２　Ｈ６／　Ｂ２の流量を第３２
図のようになるようにして、またＣＨ４の流量を第３８
図のようになるように、各々Ｂ２　Ｈ６／　Ｂ２及びＣ
Ｈ４のマスフロコントａ−ラー２０１０．２００９をコ
ンピューター　（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

実施例１２実施例１１に於いて使用したＣＨｄガスをＮＯガスに代
える以外は、実施傍目と同様にして電子写真用光受容部
材を作製した。

実施例Ｉ３実施例１１に於いて使用したＣＨ４ガスをＮＨ３ガスに
代える以外は、実施例１１と同様にして電子写真用光受
容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行、゛　　　　　
ない、現像、転写、定着して昏通紙上に可視画像を得た
。得られた画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十
分なものであった。

実施例１４第９表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。

尚、硼素台り層は、Ｂｚ　Ｈ６／　）＋２の流量を第３
３図のようになるようにして、またＮＯの流量を第３７
図のようになるように、各々８２　Ｈｔ、　／　Ｈ２及
びＮＯのマスクロコントローラ−２０１０，２０ｏ９を
コンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

実施例１５実施例１４に於いて使用したＮＯガスをＮＨ３ガスに代
える以外は、実施例１４と同様にして電子写真用光受容
部材を作製した　　　　　　　　　　　　　　　　　１
以上の電子写真用光受容部材について、実施例■と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例１６実施例１４に於いて使用したＮＯガスをＣＨ４ガスに代
える以外は、実施例１４と同様にして電子写真用光受容
部材を作製した。

実施例１７第１０表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。

尚、硼素含有層は、８２８６　／　Ｈ２の流量を第３４
図のようになるようにして、またＮＨ３の流量を第３８
図のようになるように、各々Ｂ２Ｈら／　Ｈ２及びＮＨ
３のマス７０コントローラー２０１０．２００９をコン
ピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

実施例１８実施例１７に於いて使用したＮＨ３ガスをＮＯガスに代
える以外は、実施例１７と同様にして電子写真用光受容
部材を作製した。

実施例１９実施例１７に於いて使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスに
代える以外は、実施例１７と同様にして電子写真用光受
容部材を作製した。

実施例２０実施例１の試料Ｎｏ、ｉｌの場合及び実施例３から実施
例Ｉ９までについて、Ｈ２で３０００ｖｏｌ　ｐｐｍに
！ｋｔＲした８２Ｈ，ガスの代わりにＨ２で３０００ｖ
ｏｌ　ｐｐｍに稀釈したＰＨ３’ガスを使用して、電子
写真用光受容部材を夫々作製した。なお、他の製作条件
は、実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場合及び実施例３か
ら実施例１９までまでと同様にした。

以上の電子写真用光受容部材について第３０図に示す画
像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ＋ｉ、スポット
径８０μｍ）で画像露光を行ない、それを現像転写して
画像を得た。いづれの画像にも干渉縞模様は６ｇされず
実用に十分なものであった。

実施例２１表面層の材質及び層厚を第１１表に示すようにして、そ
の他の条件は、実施例１の試料ＮＯ，ｌ−１の場合と同
様にして第２９図の堆積装置で桓々の操作手順に従って
電子写真用光受容部材を作製した（試ネｌ、、７６．２
７０１〜２７２２）　　。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第３０図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０−）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。得られた画像のいずれに
も干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであった
。

比較例比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
製した際に使用した超支持体に代えて、サンドブラスト
法によりＭ支持体の表面を粗面化したＭ支持体を採用し
たほかは前述の実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場合と全
く同様の方法でａ　−５ｉ電子写真用光受容部材を作製
した。この際のサンドブラスト法により表面粗面化処理
したＡＩ支持体の表面状態については光受容層を設ける
前に小板研究　　　　　１所の万能表面形状測定器（Ｓ
Ｅ−３０）で測定したが、この時平均表面粗さは１．８
ｇであることが判明した。

この比較用電子写真用光受容部材を実施例１で用いた第
３０図の装置に取付けて、同様の測定を行なったところ
、全面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた。

［発明の効果］以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転時の斑点
の現出を同時にしかも完全に解消することができ、しか
も表面における光反射を低減し、入射光を効率よく利用
できる光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、ＣＤ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。第８図は、各層の界面ガ（非平行である場合の干渉縞が
現われないことの説明図である。第９図は、支持体の表面状態の一例の説明図である。第１θ図は、光受容部材の層構成の説明図である。第１１図から第１８図は、それぞれ層領域（ＰＭ）中に
金石される伝導性を支配する物質（Ｃ）の分布状態を説
明するための説明図である。第２０図から第２８図は、それぞれ層領域（ＯＣＮ）中
の原子（０、Ｃ、Ｎ）の分布状態を説明するための説明
図である。第２９図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。第３０図は５実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。第３１図から第３４図はそれぞれ実施例におけるＢＺ　
Ｈ＆　／　Ｈ７ガスの流量の変化率曲線を示すものある
。第３５図から第３８図はそれぞれ実施例におけるガス流
量比の変化率曲線を示すものある。第３９図及び第４０図は、実施例で作製した光受容部材
の構造図である。１０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１ｏｏｔ・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材の自由表面１００６・・・・・・・・
・・・・・・・・・・表面層２６０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレン
ズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・露光装置の平面図２６０６・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面同第１！Ｉｌ第２図第３図第４図第６図第５図（Ａ）　　　　　　　　　　（町（Ｃ）ＲＩＪ７図 □Ｃ第１１図第１２図第１３図第１４　図第１５図第１８図第１７図第１８図 □Ｃ第１９図 □Ｃ第２０図第２１図第２′Ｌ図第２３図第３４図第七図第２６図第２７図第２８図第３０図第３を図時間（分）第　３２　１時間（分）第３３図時間（分）第３４図〃スラえｌ几第３５図 πス浣量ＬＬ第３８図〃久三を量比第３７図１ス違彰り第３８図　　　　　　　１

Claims

【特許請求の範囲】

（１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶
質材料で構成され、光導電性を示す第２の層と、反射防
止機能を有する表面層とが支持体側よりこの順に設けら
れた多層構成の光受容層を有しており、前記第１の層及
び第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物質が
含有され、該物質の含有されている層領域に於いて、該
物質の分布状態が層厚方向に不均一であると共に、前記
光受容層は、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選
択される少なくとも一種を含有し、かつショートレンジ
内に一対以上の非平行な界面を有し、該非平行な界面が
層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列し
、該非平行な界面が配列方向に於いて各々なめらかに連
結していることを特徴とする光受容部材。
（２）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
の中から選択される少なくとも一種の原子を、層厚方向
に均一な分布状態で含有する特許請求の範囲の第１項に
記載の光受容部材。
（３）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
の中から選択される少なくとも一種の原子を、層厚方向
に不均一な分布状態で含有する特許請求の範囲の第１項
に記載の光受容部材。
（４）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項記
載の光受容部材。
（５）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項記
載の光受容部材。
（６）前記ショートレンジが０．３〜５００μｍである
特許請求の範囲第１項記載の光受容部材。
（７）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
た規則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成
されている特許請求の範囲第１項記載の光受容部材。
（８）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によっ
て形成されている特許請求の範囲第７項記載の光受容部
材。
（９）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１項
記載の光受容部材。
（１０）前記正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に
於いて、螺旋構造を有する特許請求の範囲第９項記載の
光受容部材。
（１１）前記螺旋構造が多重螺旋構造である特許請求の
範囲第１０項記載の光受容部材。
（１２）前記正弦関数形線状突起がその稜線方向に於い
て区分されている特許請求の範囲第８項記載の光受容部
材。
（１３）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
持体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第９項記載の
光受容部材。
（１４）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する特許請求
の範囲第７項記載の光受容部材。
（１５）前記傾斜面が鏡面仕上されている特許請求の範
囲第１４項記載の光受容部材。
（１６）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
かな凹凸が形成されている特許請求の範囲第７項記載の
光受容部材。