JPS61103531A - 真空処理装置における基板の冷却機構 - Google Patents
真空処理装置における基板の冷却機構Info
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- JPS61103531A JPS61103531A JP22300884A JP22300884A JPS61103531A JP S61103531 A JPS61103531 A JP S61103531A JP 22300884 A JP22300884 A JP 22300884A JP 22300884 A JP22300884 A JP 22300884A JP S61103531 A JPS61103531 A JP S61103531A
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- cooling
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
処理装置における基版の冷却機構に関するものである。
従来の技術
真空処理装置内に配置される基板を、ガスを利用して冷
却する技術は従来種々提案されている。
却する技術は従来種々提案されている。
例えば、特願昭ｓｒ−ｉ’ｐｏｇ３ｔ．号には処理室内
に配置した基板ホルダ内に冷却用ガスを供給して基板ホ
ルダ自体を冷却し、基板ホルダとの接触による熱伝導お
よび冷却用ガス自体を介しての熱伝導によって基板を冷
却する方法が提案されている。
に配置した基板ホルダ内に冷却用ガスを供給して基板ホ
ルダ自体を冷却し、基板ホルダとの接触による熱伝導お
よび冷却用ガス自体を介しての熱伝導によって基板を冷
却する方法が提案されている。
また、特願昭ｓ９ー／／３０ｌＡダ号には、真空処理装
置内に配置される基板と基板ホルダの周辺部との間に予
定の寸法の冷却ガス逃がしギャップを設け、基板と基板
ホルダとの間への冷却ガスの供給状態を制御して基板の
温度を所要のしはルに調整する基板の冷却方法が提案さ
れている。
置内に配置される基板と基板ホルダの周辺部との間に予
定の寸法の冷却ガス逃がしギャップを設け、基板と基板
ホルダとの間への冷却ガスの供給状態を制御して基板の
温度を所要のしはルに調整する基板の冷却方法が提案さ
れている。
発明が解決しようとする問題点
上述のような従来の基板の冷却方式においては、基板ホ
ルダが一体部材で構成されておシ、基板ホルダの周辺部
も充分冷却されているので、基板と基板ホルダの周辺部
との接触による熱の逃げが大きい。そのため冷却効果は
充分得られるが、導入される冷却ガスの圧力を調整する
ことによって得られる基板の温度の制御範囲が狭いとい
う欠点がある。例えば特願昭３９−／／３θ弘弘号に提
案されたものにおいて基板に一定の熱入射を与えた場合
の基板・基板ホルダ間の圧力と基板温度との関係を添附
図面の第弘図に示す、この図かられかるように基板と基
板ホルダとの間の圧力を０．０／ＴｏｒｒからＩＩ Ｔ
ｏｒｒまで変化させても約ダＯ℃程度の基板の温度の制
御範囲しか取九ない。
ルダが一体部材で構成されておシ、基板ホルダの周辺部
も充分冷却されているので、基板と基板ホルダの周辺部
との接触による熱の逃げが大きい。そのため冷却効果は
充分得られるが、導入される冷却ガスの圧力を調整する
ことによって得られる基板の温度の制御範囲が狭いとい
う欠点がある。例えば特願昭３９−／／３θ弘弘号に提
案されたものにおいて基板に一定の熱入射を与えた場合
の基板・基板ホルダ間の圧力と基板温度との関係を添附
図面の第弘図に示す、この図かられかるように基板と基
板ホルダとの間の圧力を０．０／ＴｏｒｒからＩＩ Ｔ
ｏｒｒまで変化させても約ダＯ℃程度の基板の温度の制
御範囲しか取九ない。
そこで、本発明の目的は、基板と基板ホルダとの間に導
入される冷却ガスの圧力変化（圧力調整）Ｋ対して基板
の温度の制御範囲を大きく取れるようにした基板の冷却
機構を提供することにある。
入される冷却ガスの圧力変化（圧力調整）Ｋ対して基板
の温度の制御範囲を大きく取れるようにした基板の冷却
機構を提供することにある。
問題点を解決するための手段
上記の目的を達成するために、本発明による真空処理装
置における基板の冷却機構は、真空処理装置内に配置さ
れる基板を支持する基板ホルダを、熱伝導率の高い冷却
体部とこの冷却体部より低い熱伝導率をもつ周囲部とで
構成し、基板ホルダの冷却体部と基板の裏面との間に冷
却ガス通路を設け、この冷却ガス通路への冷却ガスの一
定の圧力変化に対して基板の温度制御範囲を大きく選択
できるようにしたことを特徴としている。
置における基板の冷却機構は、真空処理装置内に配置さ
れる基板を支持する基板ホルダを、熱伝導率の高い冷却
体部とこの冷却体部より低い熱伝導率をもつ周囲部とで
構成し、基板ホルダの冷却体部と基板の裏面との間に冷
却ガス通路を設け、この冷却ガス通路への冷却ガスの一
定の圧力変化に対して基板の温度制御範囲を大きく選択
できるようにしたことを特徴としている。
好ましくは、基板ホルダの周囲部は冷却体部より熱伝導
率の低い材質で構成され得る。また基板ホルダの周囲部
は等間隔に放射状に配置された冷却ガス逃がし通路を備
えることができる。
率の低い材質で構成され得る。また基板ホルダの周囲部
は等間隔に放射状に配置された冷却ガス逃がし通路を備
えることができる。
作 用
このように構成することによって本発明による基板の冷
却機構は、基板ホルダの周囲部を構成している材質、形
状（厚きや幅等）を週定することにより一定の熱入射に
対する基板の温度制御範囲を、基板と基板ホルダとの間
の一定の圧力変化範囲に対して大きく選択することがで
きる。
却機構は、基板ホルダの周囲部を構成している材質、形
状（厚きや幅等）を週定することにより一定の熱入射に
対する基板の温度制御範囲を、基板と基板ホルダとの間
の一定の圧力変化範囲に対して大きく選択することがで
きる。
例えば、基板ホルダの熱伝導率の高い冷却体部の材質を
Ｃ！ｕ （Ｋ −３９０ｗ／ ｍ−に常温ンとした場合
、周囲部の材質としては基板の温度制御範囲に応じて５
１０２（１，４ＬＷ／！ｎ１ｋ）、８Ｔ７Ｓ（／ｊ Ｗ
／ ｍ＃ｋ ）、グラファイト（／７０ Ｗ／ｍ−ｋ
） 、Ａｌ （２，３ｇ Ｗ／ｍ−ｋ ）等を選択する
ことができる。
Ｃ！ｕ （Ｋ −３９０ｗ／ ｍ−に常温ンとした場合
、周囲部の材質としては基板の温度制御範囲に応じて５
１０２（１，４ＬＷ／！ｎ１ｋ）、８Ｔ７Ｓ（／ｊ Ｗ
／ ｍ＃ｋ ）、グラファイト（／７０ Ｗ／ｍ−ｋ
） 、Ａｌ （２，３ｇ Ｗ／ｍ−ｋ ）等を選択する
ことができる。
実施例
以下本発明を添附図面の第１−３図を参照して実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
第１図には本発明による一実施例による基板の冷却機構
を示し、ｌは基板ホルダで、冷却体部／ａおよびその外
側のｒ；Ｊ＠Ｊ部／ｂから成っている。
を示し、ｌは基板ホルダで、冷却体部／ａおよびその外
側のｒ；Ｊ＠Ｊ部／ｂから成っている。
基板コは基板ホルダｌの周囲部／１）上にのせられ、基
板押え３によって保持される。基板ホルダｌの冷却体部
／ａと基板コとの間には冷却ガス通路弘が形成され、こ
の冷却ガス通路ダは一方では基板ホルダｌの冷却体部／
ａに設けられた冷却ガス供給通路Ｓを通って冷却ガス供
給源（図示してない）に連結され、また他方では周囲部
／１）に等間隔に放射状に設けられた冷却ガス逃がしス
リット（又はギャップ）６（一つだけを示す）に連通し
ている。この場合、基板ホルダｌの周囲部／ｂの寸法、
形状は基板コの要求された冷却特性に応じて任意に設定
され得る。
板押え３によって保持される。基板ホルダｌの冷却体部
／ａと基板コとの間には冷却ガス通路弘が形成され、こ
の冷却ガス通路ダは一方では基板ホルダｌの冷却体部／
ａに設けられた冷却ガス供給通路Ｓを通って冷却ガス供
給源（図示してない）に連結され、また他方では周囲部
／１）に等間隔に放射状に設けられた冷却ガス逃がしス
リット（又はギャップ）６（一つだけを示す）に連通し
ている。この場合、基板ホルダｌの周囲部／ｂの寸法、
形状は基板コの要求された冷却特性に応じて任意に設定
され得る。
第２図には本発明の別の実施例を示し、この場合には基
板ホルダ１０は冷却体部１０ａとこの冷却体部１０ｈの
上縁段部に設けられた周囲部１０ｂとから成っている。
板ホルダ１０は冷却体部１０ａとこの冷却体部１０ｈの
上縁段部に設けられた周囲部１０ｂとから成っている。
その他の構成はｉ／図の場合と同じであり、第１図に対
応した部分は同じ符号で示す。また第２図においては基
板２を受ける基板ホルダＩＯの周囲部ｌＯｂは環状であ
るが、必要ならば複数個の扇形の部材で構成することも
できる。
応した部分は同じ符号で示す。また第２図においては基
板２を受ける基板ホルダＩＯの周囲部ｌＯｂは環状であ
るが、必要ならば複数個の扇形の部材で構成することも
できる。
第２図による冷却機構における基板コと基板ホルダＩＯ
との間に供給される冷却ガスの圧力と基板ユの温度（冷
却効果）との関係をが３図に示す。
との間に供給される冷却ガスの圧力と基板ユの温度（冷
却効果）との関係をが３図に示す。
第３図に示す特性は第９図に示す上述の従来例の場合と
同じ一定の熱入射に対して測定したものであシ、第ダ図
では上述のように冷却ガスの圧力をθ、Ｑ／ＴＯｒｒか
らＩＩ Ｔｏｒｒ １で変化きせた場合に基板の温度の
制御範囲は単にグ０℃程度であるのに対して、第２図に
示す本発明による冷却機構では約１１０℃の温度制御範
囲の得られることが認められる。従って基板の温度の制
御範囲を冷却ガスの一定の圧力変化範囲に対して大きく
とることができる。
同じ一定の熱入射に対して測定したものであシ、第ダ図
では上述のように冷却ガスの圧力をθ、Ｑ／ＴＯｒｒか
らＩＩ Ｔｏｒｒ １で変化きせた場合に基板の温度の
制御範囲は単にグ０℃程度であるのに対して、第２図に
示す本発明による冷却機構では約１１０℃の温度制御範
囲の得られることが認められる。従って基板の温度の制
御範囲を冷却ガスの一定の圧力変化範囲に対して大きく
とることができる。
効果
以上説明してきたように、本発明による基板の冷却機構
においては、基板ホルダを熱伝導率の高い冷却体部とこ
の冷却体部と異なる熱伝導率の周囲部との分割構造とし
ているので、基板ホルダの周囲部の材質、形状等を適当
に選択することによって一定の熱入射に対する基板の温
度の制御範囲は冷却ガスの一定の圧力変化範囲に対して
大きく取ることができ、従って成膜等のプロセスにおけ
る基板の温度制御に対して有効である。
においては、基板ホルダを熱伝導率の高い冷却体部とこ
の冷却体部と異なる熱伝導率の周囲部との分割構造とし
ているので、基板ホルダの周囲部の材質、形状等を適当
に選択することによって一定の熱入射に対する基板の温
度の制御範囲は冷却ガスの一定の圧力変化範囲に対して
大きく取ることができ、従って成膜等のプロセスにおけ
る基板の温度制御に対して有効である。
２７図および第２図は本発明の異なる実施例を示す概略
断面図、第３図は第２図の冷却機構における基板の温度
の制御特性を示すグラフ、第ｑ図は従来の装置における
基板の温度の制御特性を示すグラフである。 図中、／、１０：基板ホルダ、／ａ、／（７ａ：冷却体
部、ｌｂ、１０ｂ二周囲部、２：基板、ｑ：冷却ガス通
路、５：冷却ガス供給通路。 第３図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５９年 特許願 第２２３００８号２、発明の名称 真空路塩に＊における基板の冷却機構 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県茅ケ崎市萩園２５００査地名称 日
本真空技術株式会社 ４、代理人 、 〒１０５住所 東京都港区西新橋１丁目１番１５
号物産ビル別館 電話（５９１） ０２６１（１）明細
書 、、＋’− （２１＠ｍ ’
断面図、第３図は第２図の冷却機構における基板の温度
の制御特性を示すグラフ、第ｑ図は従来の装置における
基板の温度の制御特性を示すグラフである。 図中、／、１０：基板ホルダ、／ａ、／（７ａ：冷却体
部、ｌｂ、１０ｂ二周囲部、２：基板、ｑ：冷却ガス通
路、５：冷却ガス供給通路。 第３図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５９年 特許願 第２２３００８号２、発明の名称 真空路塩に＊における基板の冷却機構 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県茅ケ崎市萩園２５００査地名称 日
本真空技術株式会社 ４、代理人 、 〒１０５住所 東京都港区西新橋１丁目１番１５
号物産ビル別館 電話（５９１） ０２６１（１）明細
書 、、＋’− （２１＠ｍ ’
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空処理装置内に配置される基板を支持する基板ホ
ルダを、熱伝導率の高い冷却体部とこの冷却体部より低
い熱伝導率をもつ周囲部とで構成し、基板ホルダの冷却
体部と基板の裏面との間に冷却ガス通路を設け、この冷
却ガス通路への冷却ガスの一定の圧力変化に対して基板
の温度制御範囲を大きく選択できるようにしたことを特
徴とする真空処理装置における基板の冷却機構。 ２、基板ホルダの周囲部の熱伝導率が冷却体部の熱伝導
率より低い特許請求の範囲第１項に記載の冷却機構。 ３、基板ホルダの周囲部が等間隔に放射状に配列された
冷却ガス逃し通路を備えている特許請求の範囲第１項に
記載の冷却機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22300884A JPS61103531A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 真空処理装置における基板の冷却機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22300884A JPS61103531A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 真空処理装置における基板の冷却機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61103531A true JPS61103531A (ja) | 1986-05-22 |
| JPS6324411B2 JPS6324411B2 (ja) | 1988-05-20 |
Family
ID=16791379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22300884A Granted JPS61103531A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 真空処理装置における基板の冷却機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61103531A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160227A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-04 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| JPS63170468U (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-07 | ||
| US5027746A (en) * | 1988-03-22 | 1991-07-02 | U.S. Philips Corporation | Epitaxial reactor having a wall which is protected from deposits |
| US6610180B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-08-26 | Anelva Corporation | Substrate processing device and method |
| WO2011043063A1 (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板冷却装置、スパッタリング装置および電子デバイスの製造方法 |
-
1984
- 1984-10-25 JP JP22300884A patent/JPS61103531A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160227A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-04 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| JPS63170468U (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-07 | ||
| US5027746A (en) * | 1988-03-22 | 1991-07-02 | U.S. Philips Corporation | Epitaxial reactor having a wall which is protected from deposits |
| US6610180B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-08-26 | Anelva Corporation | Substrate processing device and method |
| WO2011043063A1 (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板冷却装置、スパッタリング装置および電子デバイスの製造方法 |
| GB2486156A (en) * | 2009-10-05 | 2012-06-06 | Canon Anelva Corp | Substrate cooling device, sputtering device, and method for producing an electronic device |
| JP5462272B2 (ja) * | 2009-10-05 | 2014-04-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板冷却装置、スパッタリング装置および電子デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6324411B2 (ja) | 1988-05-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |