JPS61104620A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS61104620A JPS61104620A JP59227040A JP22704084A JPS61104620A JP S61104620 A JPS61104620 A JP S61104620A JP 59227040 A JP59227040 A JP 59227040A JP 22704084 A JP22704084 A JP 22704084A JP S61104620 A JPS61104620 A JP S61104620A
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- JP
- Japan
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- ray
- chamber
- small
- window
- gas
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＸ線露光装置、詳しくはベリリウム（Ｂｅ）で
作るＸ線取出し窓を薄くし、Ｘ線透過率を高めた軟Ｘ線
露光装置に関する。
作るＸ線取出し窓を薄くし、Ｘ線透過率を高めた軟Ｘ線
露光装置に関する。
前記した軟Ｘ線によるパターン転写は、高密度集積回路
（ＩＣ）パターンの有望な転写手段として注目されてい
る。
（ＩＣ）パターンの有望な転写手段として注目されてい
る。
従来のＸ線露光装置は第２図の断面図に示され、同図に
おいて、２１はＸ線発生室、２２はＸ線取り出し窓、２
３は露光室、２４は位置合せ装置、２５はマスク、２６
は試料例えばウェハ、２７はステージ、をそれぞれ示す
。
おいて、２１はＸ線発生室、２２はＸ線取り出し窓、２
３は露光室、２４は位置合せ装置、２５はマスク、２６
は試料例えばウェハ、２７はステージ、をそれぞれ示す
。
Ｘ線発生室２１においては、１０−６〜１０−７程度の
真空内でターゲットに電子ビーム（ＥＢ）を照射してＸ
線を発生させる。Ｘ線取出し窓は、Ｘ線透過率のよい（
Ｘ線の減衰の少ない） Ｂｅ膜で作るが、ＢｅＩ！ｌｉ
の厚さはＸ線の減衰をできるだけ抑えるために薄いほど
よい。
真空内でターゲットに電子ビーム（ＥＢ）を照射してＸ
線を発生させる。Ｘ線取出し窓は、Ｘ線透過率のよい（
Ｘ線の減衰の少ない） Ｂｅ膜で作るが、ＢｅＩ！ｌｉ
の厚さはＸ線の減衰をできるだけ抑えるために薄いほど
よい。
露光室はその内部にマスクとウェハの位置合せのための
装置が配置され、またウェハの交換などが行われるので
大気圧（１気圧）に保たれている。
装置が配置され、またウェハの交換などが行われるので
大気圧（１気圧）に保たれている。
Ｘ線は酸素（０２）、窒素（Ｎ２）によって吸収され特
に０２によってかなり吸収されるので、Ｘ線が大気中を
通る距離を小にするためにＸ線取出し窓とマスクは１ｍ
ｍ程度の間隔で配置される。マスクは、Ｘ線かよく通る
薄膜に金またはタンタルでＸ Ｋ４Ａを通さないパター
ンが形成されており、このマスクのパターンがウェハ」
二に転写される。
に０２によってかなり吸収されるので、Ｘ線が大気中を
通る距離を小にするためにＸ線取出し窓とマスクは１ｍ
ｍ程度の間隔で配置される。マスクは、Ｘ線かよく通る
薄膜に金またはタンタルでＸ Ｋ４Ａを通さないパター
ンが形成されており、このマスクのパターンがウェハ」
二に転写される。
Ｘ線取出し窓の寸法は、大きくて薄く１度にマスクパタ
ーンが転写されるものが好ましく、その口径は露光域に
よって異なるが、一般に３０ｍｍの径で５０ミクロンの
厚さのものである。Ｂｅ股の厚さをこの４７度のものと
する理由は、Ｘ線取出し窓も４一方側が真空で他方側が
大気圧であるので、この圧力差に耐えうるちのとするた
め従来の装置では厚さは５０ミク１コンよりも小にする
ことができなかった。しかし、Ｘ線透過率を高めるため
にはＸ線取出し窓がより薄いものであることが要望され
るのである。
ーンが転写されるものが好ましく、その口径は露光域に
よって異なるが、一般に３０ｍｍの径で５０ミクロンの
厚さのものである。Ｂｅ股の厚さをこの４７度のものと
する理由は、Ｘ線取出し窓も４一方側が真空で他方側が
大気圧であるので、この圧力差に耐えうるちのとするた
め従来の装置では厚さは５０ミク１コンよりも小にする
ことができなかった。しかし、Ｘ線透過率を高めるため
にはＸ線取出し窓がより薄いものであることが要望され
るのである。
そこで、Ｘ線露光装置は第３図の断面図に示される如く
に改良された。なお、第３図において第２図に示した部
分と同し部分は同一符号を付して表示するが、第３図の
装置においては、Ｘ線取出し筒２８が設げられ、それに
応じてＸ線取出し窓が２１１？ｌＩ所に設けられている
。これらのＸ線取出し窓は符号２２ａ、 ２２ｂをイボ
して表示する。
に改良された。なお、第３図において第２図に示した部
分と同し部分は同一符号を付して表示するが、第３図の
装置においては、Ｘ線取出し筒２８が設げられ、それに
応じてＸ線取出し窓が２１１？ｌＩ所に設けられている
。これらのＸ線取出し窓は符号２２ａ、 ２２ｂをイボ
して表示する。
従来例と同様に、Ｘ線発生室は１０−６〜１０− ′Ｉ
Ｔｏｒｒの真空度に、また露光室は１気圧に保たれ、Ｘ
線取出し筒内にはＸ線の減衰を防止するため１気圧のＨ
ｅが充填しである。そして、上方のＸ線取出し窓は小径
例えば７ ｍｍの直径にし、下方のＸ線取出し窓は従来
通り３０ｍｍの直径にする。」二方のＸ線取出し窓は小
径であるので従来よりもより薄く２５ミクロンの厚さに
することができるが、それでも１気圧が加わるのでより
薄片化することば！Ｉｔ Ｌい。しかし、下方のＸ線取
り出し窓は両側とも大気圧にあるから、３０ｍｍ直径の
ものでも２０ミクロン程度と薄くすることができる。
Ｔｏｒｒの真空度に、また露光室は１気圧に保たれ、Ｘ
線取出し筒内にはＸ線の減衰を防止するため１気圧のＨ
ｅが充填しである。そして、上方のＸ線取出し窓は小径
例えば７ ｍｍの直径にし、下方のＸ線取出し窓は従来
通り３０ｍｍの直径にする。」二方のＸ線取出し窓は小
径であるので従来よりもより薄く２５ミクロンの厚さに
することができるが、それでも１気圧が加わるのでより
薄片化することば！Ｉｔ Ｌい。しかし、下方のＸ線取
り出し窓は両側とも大気圧にあるから、３０ｍｍ直径の
ものでも２０ミクロン程度と薄くすることができる。
前記した改良によって、５０ミクロンの厚さのＸ線取出
し窓は、（２５＋２０）ミクロン−４５ミクロンと薄く
なったが、Ｘ線の透過率を更に高めるため、Ｘ線取り出
し窓の薄片化が要望されている。
し窓は、（２５＋２０）ミクロン−４５ミクロンと薄く
なったが、Ｘ線の透過率を更に高めるため、Ｘ線取り出
し窓の薄片化が要望されている。
本発明は、」二記問題点を改良したＸ線露光装置を提供
するもので、その手段は、真空に保たれたＸ線発生室と
大気圧に保たれた露光室とから成るＸ線露光装置におい
て、Ｘ線発生室にＸ線の拡がりに対応する口径の気密性
第１のＸ線取出し窓を設け、露光室には、Ｘ線発生窓か
らマスク近くまでその開口がＸ線の拡がりに対応して順
次大になる複数の同心開口をもった小室が内部に形成さ
れ、マスク側開口に露光域に対応する口径の気密性第２
のＸ線取出し窓が形成されたＸ線取出し筒を設け、マス
ク側の前記小室にほぼ１気圧のヘリウムガスを導入する
ガス導入口を、またその他の小室にはヘリウムガスを排
気するガス排気口を設けたことを特徴とするＸ線露光装
置によってなされる。
するもので、その手段は、真空に保たれたＸ線発生室と
大気圧に保たれた露光室とから成るＸ線露光装置におい
て、Ｘ線発生室にＸ線の拡がりに対応する口径の気密性
第１のＸ線取出し窓を設け、露光室には、Ｘ線発生窓か
らマスク近くまでその開口がＸ線の拡がりに対応して順
次大になる複数の同心開口をもった小室が内部に形成さ
れ、マスク側開口に露光域に対応する口径の気密性第２
のＸ線取出し窓が形成されたＸ線取出し筒を設け、マス
ク側の前記小室にほぼ１気圧のヘリウムガスを導入する
ガス導入口を、またその他の小室にはヘリウムガスを排
気するガス排気口を設けたことを特徴とするＸ線露光装
置によってなされる。
上記装置においては、Ｘ線取出し筒を数個の小室に分別
し、各室を排気することにより、Ｘ線発生家側の窓にか
かる圧力と、マスク側窓にかかる圧力を両方とも低減し
たものである。すなわち、Ｘ線発生室側の窓には、各小
室から排気するために１気圧よりもかなり低い圧力に保
たれ、また、マスク側窓には１気圧のｌｌｅガスが供給
されるのでマスク側とほぼ同し気圧の下にあるので、両
方の窓の薄片化が可能になるものである。
し、各室を排気することにより、Ｘ線発生家側の窓にか
かる圧力と、マスク側窓にかかる圧力を両方とも低減し
たものである。すなわち、Ｘ線発生室側の窓には、各小
室から排気するために１気圧よりもかなり低い圧力に保
たれ、また、マスク側窓には１気圧のｌｌｅガスが供給
されるのでマスク側とほぼ同し気圧の下にあるので、両
方の窓の薄片化が可能になるものである。
（実施例〕
以下、図面を参照して本発明実施例を詳細に説明する。
第１図に本発明実施例が断面図で示され、同図において
、１は１０−６〜１０−７程度の真空度に保たれるＸ線
発生室、２はＸ線源、３ａは第１のＸ線取出し窓（この
窓は気密性のものである）、３ｂは同じく気密性の第２
のＸ線取出し窓（マスク側）、４はＸ線、５は露光室、
６はＸ線取出し筒、７ａ、。
、１は１０−６〜１０−７程度の真空度に保たれるＸ線
発生室、２はＸ線源、３ａは第１のＸ線取出し窓（この
窓は気密性のものである）、３ｂは同じく気密性の第２
のＸ線取出し窓（マスク側）、４はＸ線、５は露光室、
６はＸ線取出し筒、７ａ、。
、、、７ｅはＸ線取出し筒を構成する小室、８はＩｌｅ
ガス導入口、９はＨｅガス排気口、１０ばマスク、１１
は試料例えばウェハ、１２はステージ、をそれぞれ示す
。Ｘ線４の拡がりに対応し第１のＸ線取り出しく６） 窓３ａは直径７ｍｍ、厚さ１５ミクロンに、第２のＸ線
取出し窓３ｂは露光域に対応して直径３０ｍｍ、厚さ２
０ミクロンに形成する。マスクとウェハは従来通りの位
置合せ手段を用いて位置合せされるが、位置合せ手段は
同には省略した。
ガス導入口、９はＨｅガス排気口、１０ばマスク、１１
は試料例えばウェハ、１２はステージ、をそれぞれ示す
。Ｘ線４の拡がりに対応し第１のＸ線取り出しく６） 窓３ａは直径７ｍｍ、厚さ１５ミクロンに、第２のＸ線
取出し窓３ｂは露光域に対応して直径３０ｍｍ、厚さ２
０ミクロンに形成する。マスクとウェハは従来通りの位
置合せ手段を用いて位置合せされるが、位置合せ手段は
同には省略した。
Ｘ線取出し筒６ば、Ｘ線４の拡がりに対応する同心開口
を提供するよう設計された隔壁６ａ、、、６ｄによって
小室７ａ、、、７ｅに分割されている。露光室５は１気
圧に保たれ、Ｉｌｅガス導入口８から１気圧のＩｌｅガ
スをＸ線取出し筒６の最下部のマスク側小室７ｅに図に
矢印で示す如く送り込む。小室７ｄ、 ７ｃ。
を提供するよう設計された隔壁６ａ、、、６ｄによって
小室７ａ、、、７ｅに分割されている。露光室５は１気
圧に保たれ、Ｉｌｅガス導入口８から１気圧のＩｌｅガ
スをＸ線取出し筒６の最下部のマスク側小室７ｅに図に
矢印で示す如く送り込む。小室７ｄ、 ７ｃ。
７１］＋ ７ａにおいては、ｌｌｅガス排気口９によっ
てｌｌｅガスが矢印方向に排気されているから、小室７
ｅはほぼ１気圧に保たれるが、順次上の小室に向かって
気圧は各室の構成によって定まる圧力勾配で小になり、
小室７ａにおいては気圧はかなり小になり、真空に保た
れるＸ線発生室と小室７ａとの間の第１のＸ線取出し窓
３ａは、第３図に示される従来例に比べてかなり薄片化
されうる。また、第１のＸｉＪに取出し窓３ａのＩ］径
は、Ｘ線４の拡がり状態に対応し小口径化されているの
で、窓の薄片化が更に進められ、上述した直径７ｍｍ、
厚さ１５ミクロンのものか実用可能となる。
てｌｌｅガスが矢印方向に排気されているから、小室７
ｅはほぼ１気圧に保たれるが、順次上の小室に向かって
気圧は各室の構成によって定まる圧力勾配で小になり、
小室７ａにおいては気圧はかなり小になり、真空に保た
れるＸ線発生室と小室７ａとの間の第１のＸ線取出し窓
３ａは、第３図に示される従来例に比べてかなり薄片化
されうる。また、第１のＸｉＪに取出し窓３ａのＩ］径
は、Ｘ線４の拡がり状態に対応し小口径化されているの
で、窓の薄片化が更に進められ、上述した直径７ｍｍ、
厚さ１５ミクロンのものか実用可能となる。
他方、第２のＸ線取出し窓３ｂは、その両側とも１気圧
であるから、Ｘ線４の拡がりに対応して３０ｍｍの口径
としても、２０ミクロンまでに薄片化されうる。かくし
て、図示の実施例において、Ｘ線取出し窓のＢｅの厚さ
は、（１５＋２０） ミクロン−３５ミクロンとなり
、従来例に比べかなり薄片化される。
であるから、Ｘ線４の拡がりに対応して３０ｍｍの口径
としても、２０ミクロンまでに薄片化されうる。かくし
て、図示の実施例において、Ｘ線取出し窓のＢｅの厚さ
は、（１５＋２０） ミクロン−３５ミクロンとなり
、従来例に比べかなり薄片化される。
小室の数、隔壁の寸法などは、露光域、Ｘ線の拡がりな
どをその都度計算し適宜選定する。隔壁６ａ、、、６ｄ
は、絞ることによってその開口度を変更しうるちのとす
ると実用において便利であり、また、ｌｉｅガスは、
０２、 Ｎ２などの混入がないかぎり循環使用が可能で
ある。なお、第２のＸ線取出し窓とマスクとの間隔は従
来例と同様１ ｍｍ程度に設定し、Ｘ線発生室、ステー
ジの構成、位置合せ装置（図示せず）などは従来例と同
様に設計する。
どをその都度計算し適宜選定する。隔壁６ａ、、、６ｄ
は、絞ることによってその開口度を変更しうるちのとす
ると実用において便利であり、また、ｌｉｅガスは、
０２、 Ｎ２などの混入がないかぎり循環使用が可能で
ある。なお、第２のＸ線取出し窓とマスクとの間隔は従
来例と同様１ ｍｍ程度に設定し、Ｘ線発生室、ステー
ジの構成、位置合せ装置（図示せず）などは従来例と同
様に設計する。
以上説明したように本発明によれば、Ｘ線取出し筒を小
室に分け、各室を排気することにより、Ｘ線発生室側の
窓にかかる圧力と、マスク側室にかかる圧力の双方を低
減し、Ｘ線取出し窓の薄片化を達成し、窓でのＸ線の吸
収を低減し、ウェハに照射されるＸ線強度を増大させる
に効果大である。
室に分け、各室を排気することにより、Ｘ線発生室側の
窓にかかる圧力と、マスク側室にかかる圧力の双方を低
減し、Ｘ線取出し窓の薄片化を達成し、窓でのＸ線の吸
収を低減し、ウェハに照射されるＸ線強度を増大させる
に効果大である。
第１図は本発明実施例の断面図、第２図と第３図は従来
例の断面図である。 図中、■はＸ線発生室、２はＸ線源、３ａと３ｂは第１
と第２のＸ線取出し窓、４はＸ線、５は露光室、６はＸ
線取出し筒、６ａ、、、６ｄは隔壁、７ａ、、、。 ７ｅは小室、８はＩｌｅガス導入口、９はＩｌｅガス排
気口、１０はマスク、１１はウェハ、１２はステージ、
をそれぞれ示す。 特 許 出願人 富士通株式会、７． 、Ｌ゛、、、
、、。 ［７・・１
例の断面図である。 図中、■はＸ線発生室、２はＸ線源、３ａと３ｂは第１
と第２のＸ線取出し窓、４はＸ線、５は露光室、６はＸ
線取出し筒、６ａ、、、６ｄは隔壁、７ａ、、、。 ７ｅは小室、８はＩｌｅガス導入口、９はＩｌｅガス排
気口、１０はマスク、１１はウェハ、１２はステージ、
をそれぞれ示す。 特 許 出願人 富士通株式会、７． 、Ｌ゛、、、
、、。 ［７・・１
Claims (1)
- 真空に保たれたＸ線発生室と大気圧に保たれた露光室
とから成るＸ線露光装置において、Ｘ線発生室にＸ線の
拡がりに対応する口径の気密性第１のＸ線取出し窓を設
け、露光室には、Ｘ線発生窓からマスク近くまでその開
口がＸ線の拡がりに対応して順次大になる複数の同心開
口をもった小室が内部に形成され、マスク側開口に露光
域に対応する口径の気密性第２のＸ線取出し窓が形成さ
れたＸ線取り出し筒を設け、マスク側の前記小室にほぼ
１気圧のヘリウムガスを導入するガス導入口を、またそ
の他の小室にはヘリウムガスを排気するガス排気口を設
けたことを特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59227040A JPS61104620A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59227040A JPS61104620A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104620A true JPS61104620A (ja) | 1986-05-22 |
Family
ID=16854583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59227040A Pending JPS61104620A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61104620A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5305364A (en) * | 1991-09-19 | 1994-04-19 | Hitachi, Ltd. | Projection type X-ray lithography apparatus |
-
1984
- 1984-10-29 JP JP59227040A patent/JPS61104620A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5305364A (en) * | 1991-09-19 | 1994-04-19 | Hitachi, Ltd. | Projection type X-ray lithography apparatus |
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