JPS611063A - ＧａＡｓ光電変換素子 - Google Patents
ＧａＡｓ光電変換素子Info
- Publication number
- JPS611063A JPS611063A JP59124090A JP12409084A JPS611063A JP S611063 A JPS611063 A JP S611063A JP 59124090 A JP59124090 A JP 59124090A JP 12409084 A JP12409084 A JP 12409084A JP S611063 A JPS611063 A JP S611063A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gaas
- photoelectric conversion
- conversion element
- current collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は太陽電池などへして用いられるＧａＡｓ光電
変換素子に関し、特にＡ Ｉ ＧａＡｓ／ＧａＡｓヘテ
ロフェイス形、あるいはＧａＡｇモノリシック形光電変
換素子におけるメタライズ電極構造の改良に係るもので
ある。
変換素子に関し、特にＡ Ｉ ＧａＡｓ／ＧａＡｓヘテ
ロフェイス形、あるいはＧａＡｇモノリシック形光電変
換素子におけるメタライズ電極構造の改良に係るもので
ある。
従来からこの種のＧａＡｓ光電変換素子における ｐ形
ＧａＡｓ層へのオーミック材料としては、Ａｕ−Ｚｎ、
Ａｕ市などの、 ＺｎおよびＢｅを含有する合金が用い
られている。そしてこれらの金属とｐ形ＧａＡｓ層との
密着強度を高めるためには、同金属と ｐ形ＧａＡｓと
の充分な厚みを有する合金層を形成させる必要があるが
、例えばｐ形ＧａＡｓ層側を受光面側とするｐ ｏｎ
ｎ形の太陽電池などでは、ｐ形ＧａＡｓ層の厚さが１
ルｍ以下程度になるために、このような電極金属と ｐ
形ＧａＡｓとの充分な密着強度をもった合金層を得るこ
とが非常に困難なものである。
ＧａＡｓ層へのオーミック材料としては、Ａｕ−Ｚｎ、
Ａｕ市などの、 ＺｎおよびＢｅを含有する合金が用い
られている。そしてこれらの金属とｐ形ＧａＡｓ層との
密着強度を高めるためには、同金属と ｐ形ＧａＡｓと
の充分な厚みを有する合金層を形成させる必要があるが
、例えばｐ形ＧａＡｓ層側を受光面側とするｐ ｏｎ
ｎ形の太陽電池などでは、ｐ形ＧａＡｓ層の厚さが１
ルｍ以下程度になるために、このような電極金属と ｐ
形ＧａＡｓとの充分な密着強度をもった合金層を得るこ
とが非常に困難なものである。
一方、こへでＴｊ、Ｃｒなどの金属は、それ自体の吸着
力が強いことから、前記のような浅いｐ−ｎ接合を有す
る半導体素子のオーミック材料として使用されているが
、これをｐ−ＧａＡｓに対するオーミック材料としてみ
るときは、前記したＺｎ、Ｂｅなど゛を含む合金の場合
、その接触面抵抗が１ｏ Ω−ＣＩ０２程度であるの
に比較して、Ｔｉ、Ｃｒなどは１０ Ω−ｃｍ２以上
、つまり １桁以上もの大きな抵抗値を示すために、こ
れを使用し得ないものであった。
力が強いことから、前記のような浅いｐ−ｎ接合を有す
る半導体素子のオーミック材料として使用されているが
、これをｐ−ＧａＡｓに対するオーミック材料としてみ
るときは、前記したＺｎ、Ｂｅなど゛を含む合金の場合
、その接触面抵抗が１ｏ Ω−ＣＩ０２程度であるの
に比較して、Ｔｉ、Ｃｒなどは１０ Ω−ｃｍ２以上
、つまり １桁以上もの大きな抵抗値を示すために、こ
れを使用し得ないものであった。
この発明は従来のこのような実情に鑑み、ｐ ｏｎｎ形
のＧａＡｓ系光電変換素子における ｐ形電極にあって
、強い芭着力が要求される外部接続電極部分でのｐ−Ｇ
ａＡｓ接続部分に対しては、Ｔｊ、Ｃｒまたはこれらを
含む合金などを用い、また密着力はさほどでなくとも低
接触抵抗が要求される集電々極部分でのｐ−ＧａＡｓ接
続部分に対しては、Ｚｎ、Ｂｅを含む合金などを用いる
ことにより、所要部分で強い接続強度および低接触抵抗
を有するＧａＡｓ系光電変換素子を得ようとするもので
ある。
のＧａＡｓ系光電変換素子における ｐ形電極にあって
、強い芭着力が要求される外部接続電極部分でのｐ−Ｇ
ａＡｓ接続部分に対しては、Ｔｊ、Ｃｒまたはこれらを
含む合金などを用い、また密着力はさほどでなくとも低
接触抵抗が要求される集電々極部分でのｐ−ＧａＡｓ接
続部分に対しては、Ｚｎ、Ｂｅを含む合金などを用いる
ことにより、所要部分で強い接続強度および低接触抵抗
を有するＧａＡｓ系光電変換素子を得ようとするもので
ある。
以下この発明に係るＧａＡｓ光電変換素子の一実施例に
つき、添付図面、第１図および第２図を参照して詳細に
説明する。
つき、添付図面、第１図および第２図を参照して詳細に
説明する。
これらの第１図および第２図実施例装置は、この発明を
ｐ−Ａ ＪＪ ＧａＡｓ層側を受光面側とするヘテロフ
ェイス形太陽電池に適用した場合である。
ｐ−Ａ ＪＪ ＧａＡｓ層側を受光面側とするヘテロフ
ェイス形太陽電池に適用した場合である。
これらの各図において、この実施例装置では、まず ｎ
形ＧａＡｓ基板１０上に ｐ形ＧａＡｓ層１１．ｐ形
Ａ文ＧａＡｓ層２０を液相エピタキシャルにより順次に
形成させる。ついでこのｐ形ＡＭ ＧａＡｓ層２０の表
面にＣＶＤ法により ５ｉ３Ｎ４反射防止膜３０を形成
した際１例えば写真製版により集電々極形成部分を除い
た部分にレジスト層を設けた上で、この集電々極形成部
分について、プラズマエツチングにより ５１３Ｎ４反
射防市膜３０を、また湿式エツチングにより ＡｌＧａ
Ａｓ層２０をそれぞれ工、７チング除去して ｐ形Ｇａ
Ａｓ層１１を露出させる。
形ＧａＡｓ基板１０上に ｐ形ＧａＡｓ層１１．ｐ形
Ａ文ＧａＡｓ層２０を液相エピタキシャルにより順次に
形成させる。ついでこのｐ形ＡＭ ＧａＡｓ層２０の表
面にＣＶＤ法により ５ｉ３Ｎ４反射防止膜３０を形成
した際１例えば写真製版により集電々極形成部分を除い
た部分にレジスト層を設けた上で、この集電々極形成部
分について、プラズマエツチングにより ５１３Ｎ４反
射防市膜３０を、また湿式エツチングにより ＡｌＧａ
Ａｓ層２０をそれぞれ工、７チング除去して ｐ形Ｇａ
Ａｓ層１１を露出させる。
続いて、蒸着方法などによりＡｇ−Ｚｎ層４１ａおよび
Ａｇ層４１ｂを形成した上で、写真製版工程および工・
ンチング工程によりｐ−ＧａＡｓ面の露出部分（集電々
極形成部分）の金属層を残し除去して集電々極４１を形
成する。また外部接続電極形成部分についても同様の工
程により、ｐ形（ｉａＡｓ層１１全１１させたのちに、
蒸着、スパッタリ〉′グ方法などによってＴｉ層４２ａ
およびＡ、層４２ｈを形成し、かつ外部接続電極４２を
形成する。そしてさらにこのようにして形成されるこれ
らの集電々極４１および外部接続電極４２は、写真製版
工程でのパターン合わせのズレなどにより電気的接続が
不充分な場合があるので、これらの両電極」二に別に共
通のＡｇ層を設けるか、あるいは予備はんだ層により両
電極間を短絡接続させるのである。
Ａｇ層４１ｂを形成した上で、写真製版工程および工・
ンチング工程によりｐ−ＧａＡｓ面の露出部分（集電々
極形成部分）の金属層を残し除去して集電々極４１を形
成する。また外部接続電極形成部分についても同様の工
程により、ｐ形（ｉａＡｓ層１１全１１させたのちに、
蒸着、スパッタリ〉′グ方法などによってＴｉ層４２ａ
およびＡ、層４２ｈを形成し、かつ外部接続電極４２を
形成する。そしてさらにこのようにして形成されるこれ
らの集電々極４１および外部接続電極４２は、写真製版
工程でのパターン合わせのズレなどにより電気的接続が
不充分な場合があるので、これらの両電極」二に別に共
通のＡｇ層を設けるか、あるいは予備はんだ層により両
電極間を短絡接続させるのである。
すなわち１以上のようにして、この実施例装置では、来
電々極とｐ−ＧａＡｓ層とがＺｎ、Ｂｅを含む合金など
により接続されて低接触抵抗が果され、外部 ・接続
電極とｐ−ＧａＡｓ層とがＴｉ、ｃｒまたはこれらを含
む合金などにより接続されて強い密着力が達成されるの
である。
電々極とｐ−ＧａＡｓ層とがＺｎ、Ｂｅを含む合金など
により接続されて低接触抵抗が果され、外部 ・接続
電極とｐ−ＧａＡｓ層とがＴｉ、ｃｒまたはこれらを含
む合金などにより接続されて強い密着力が達成されるの
である。
以上詳述したようにこの発明によれば、少なくともｎ形
溝電層上のｐ形溝電層に反射防止膜を形成させると共に
、 ｐ形溝電層の反射防止膜側面の一部に、集電々極、
および外部接続電極を接続させたＧａＡｓ光電変換素子
であって、集電々極については、少なくともＺｎまたは
Ｂｅを含む合金層を介して、また外部接続電極について
は、少なくともＴ１またはＣｒ層もしくはＴｉまたはＣ
ｒを含む合金層を介してそれぞれに接続され、かつこれ
らの集電々極と外部接続電極とを、電気的に短絡接続さ
せた構成であるから、集電々極が低接触抵抗となって電
気的特性上、その直列抵抗を低下させることができ、ま
た外部接続電極の密着強度を充分に向上し得るなどの特
長を有し、簡単な構造であるにも拘わらず極めて効果的
なものである。
溝電層上のｐ形溝電層に反射防止膜を形成させると共に
、 ｐ形溝電層の反射防止膜側面の一部に、集電々極、
および外部接続電極を接続させたＧａＡｓ光電変換素子
であって、集電々極については、少なくともＺｎまたは
Ｂｅを含む合金層を介して、また外部接続電極について
は、少なくともＴ１またはＣｒ層もしくはＴｉまたはＣ
ｒを含む合金層を介してそれぞれに接続され、かつこれ
らの集電々極と外部接続電極とを、電気的に短絡接続さ
せた構成であるから、集電々極が低接触抵抗となって電
気的特性上、その直列抵抗を低下させることができ、ま
た外部接続電極の密着強度を充分に向上し得るなどの特
長を有し、簡単な構造であるにも拘わらず極めて効果的
なものである。
第１図および第２図はこの発明の一実施例を適用したＧ
ａＡｓ光電変換素子の概要構成をそれぞれ模式的に示す
一部断面斜視図である。 １０・・・・ｎ形ＧａＡｓ基板、１１−−−− ｐ形Ｇ
ａＡｓ層、２０−・・・ｐ形Ａｕ ＧａＡｓ層、３０・
・・・反射防止膜、４１・・・・集電々極、４１ａおよ
び４１ｂ・・・・集電々極となる Ａｇ−Ｚｎ層および
Ａｇ層、４２・・・・外部接続電極、４２ａおよび４２
ｂ・・・・外部接続電極となるＴｉ層およびＡｇ層。 代 理 人 大 岩 増 雄磨１図 篇２図
ａＡｓ光電変換素子の概要構成をそれぞれ模式的に示す
一部断面斜視図である。 １０・・・・ｎ形ＧａＡｓ基板、１１−−−− ｐ形Ｇ
ａＡｓ層、２０−・・・ｐ形Ａｕ ＧａＡｓ層、３０・
・・・反射防止膜、４１・・・・集電々極、４１ａおよ
び４１ｂ・・・・集電々極となる Ａｇ−Ｚｎ層および
Ａｇ層、４２・・・・外部接続電極、４２ａおよび４２
ｂ・・・・外部接続電極となるＴｉ層およびＡｇ層。 代 理 人 大 岩 増 雄磨１図 篇２図
Claims (2)
- （１）少なくともｎ形導電層と、このｎ形導電層上に形
成されるｐ形導電層と、このｐ形導電層上に形成される
反射防止膜とを有し、ｐ形導電層の反射防止膜側の面の
一部に、集電々極、および外部接続電極をそれぞれに接
続させたＧａＡｓ光電変換素子において、前記集電々極
は、少なくともＺｎまたはＢｅを含む合金層を介し、ま
た前記外部接続電極は、少なくともＴｉまたはＣｒ層も
しくはＴｉまたはＣｒを含む合金層を介してそれぞれに
接続され、かつこれらの集電々極と外部接続電極とを、
電気的に短絡接続させたことを特徴とするＧａＡｓ光電
変換素子。 - （２）集電々極と外部接続電極とを、はんだ層により電
気的に短絡接続させたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のＧａＡｓ光電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124090A JPS611063A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | ＧａＡｓ光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124090A JPS611063A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | ＧａＡｓ光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS611063A true JPS611063A (ja) | 1986-01-07 |
Family
ID=14876677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59124090A Pending JPS611063A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | ＧａＡｓ光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS611063A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01307277A (ja) * | 1988-06-04 | 1989-12-12 | Nippon Mining Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP59124090A patent/JPS611063A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01307277A (ja) * | 1988-06-04 | 1989-12-12 | Nippon Mining Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
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