JPS61107119A - セラミツク容器を用いたシリコンホトセル - Google Patents
セラミツク容器を用いたシリコンホトセルInfo
- Publication number
- JPS61107119A JPS61107119A JP59228544A JP22854484A JPS61107119A JP S61107119 A JPS61107119 A JP S61107119A JP 59228544 A JP59228544 A JP 59228544A JP 22854484 A JP22854484 A JP 22854484A JP S61107119 A JPS61107119 A JP S61107119A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic container
- silicon
- silicon photocell
- silicon chip
- metal plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は微弱光検出に通したセラミック容器を用いたシ
リコンホトセルに関する。
リコンホトセルに関する。
（従来の技術）
第３図は従来のセラミック容器人のシリコンホトセルの
構成例を示す図であって、内部構造を示すために一部破
断して示しである。
構成例を示す図であって、内部構造を示すために一部破
断して示しである。
従来のセラミック容器を用いたシリコンホトセルは、シ
リコンチップ１をセラミック容器３の上にエポキシ系等
の薄い接着材の層２を介して固定しである。
リコンチップ１をセラミック容器３の上にエポキシ系等
の薄い接着材の層２を介して固定しである。
図において６はガラス窓、７はボンディング用ワイヤ、
８はリードピンである。
８はリードピンである。
前記形態のシリコンホトセルを微弱光の計測に用いると
入射信号光以外のパルス性の雑音が発生する。
入射信号光以外のパルス性の雑音が発生する。
この原因はセラミック容器自体が放出するα線によるも
のであると推定される。
のであると推定される。
セラミック容器を形成する材料には必ず微量な放射性物
質が含まれているため、前記α線を発生し、このα線が
シリコンチップのＰＮ接合に達して雑音を発生させる。
質が含まれているため、前記α線を発生し、このα線が
シリコンチップのＰＮ接合に達して雑音を発生させる。
この問題を解決するために充分な厚さをもつシリコン基
板の表面にエピタキシャル成長により接合を作りシリコ
ン基板の部分で前記放射線を遮断するようにすることが
考えられる。
板の表面にエピタキシャル成長により接合を作りシリコ
ン基板の部分で前記放射線を遮断するようにすることが
考えられる。
また、容器と接するＳｉチップの側に数十μｍ以上の厚
さで高濃度の不純物を拡散し、上記同様前記放射線を遮
断することも考えられる。
さで高濃度の不純物を拡散し、上記同様前記放射線を遮
断することも考えられる。
このようなエピタキシャルウェーハまたは拡散ウェーハ
は比較的高価であり、広い空乏層が得られないという問
題がある。
は比較的高価であり、広い空乏層が得られないという問
題がある。
高純度、高比抵抗のシリコンウェーハを用いたシリコン
ホトセルを用いて低雑音化を達成するためにはセラミッ
ク容器とかセラミック基板を用いることができない。
ホトセルを用いて低雑音化を達成するためにはセラミッ
ク容器とかセラミック基板を用いることができない。
そのような放射線を放出しない他の材料により容器等を
形成することも考えられるが一般的にいってそれらの材
料は高価であり、加工の工数も多、くなり、製造原価を
上昇させることになる。
形成することも考えられるが一般的にいってそれらの材
料は高価であり、加工の工数も多、くなり、製造原価を
上昇させることになる。
（発明の目的）
本発明の目的はセラミック容器自体が放出するα線に原
因する雑音を遮断して、微弱信号の計測等に通したＳ／
Ｎ比の優れたシリコンホ、トセルを提供することである
。
因する雑音を遮断して、微弱信号の計測等に通したＳ／
Ｎ比の優れたシリコンホ、トセルを提供することである
。
（発明の構成）
前記目的を達成するために、本発明によるセラミック容
器を用いたシリコンホトセルは、セラミック容器にＰＮ
接合面を上にしてシリコンチップを固定したセラミック
容器を用いたシリコンホトセルにおいて、前記シリコン
チップと前記セラミック容器の間に金属粉入の層または
薄い金属板を挿入することに・よりセラミック容器の発
生する粒子線が前記ＰＮ接合面″□に到達しないように
構成されている。
器を用いたシリコンホトセルは、セラミック容器にＰＮ
接合面を上にしてシリコンチップを固定したセラミック
容器を用いたシリコンホトセルにおいて、前記シリコン
チップと前記セラミック容器の間に金属粉入の層または
薄い金属板を挿入することに・よりセラミック容器の発
生する粒子線が前記ＰＮ接合面″□に到達しないように
構成されている。
（実施例）
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する
。
。
第１図は本発明によるシリコンホトセルの第１の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
中央部にへこみが設けられているセラミック容器３の底
面には２本のリードビン８・８が容器の底面を貫通して
植立されている。
面には２本のリードビン８・８が容器の底面を貫通して
植立されている。
シリコンチップ１はｎ形シリコンウェーハで、−辺が５
ｍｍの正方形、厚さ２５０μｍで、入射面近傍にｐ−ｎ
接合が形成されている。
ｍｍの正方形、厚さ２５０μｍで、入射面近傍にｐ−ｎ
接合が形成されている。
セラミック容器３の形状は前述した形状と異なら′ない
。このセラミック容器３の底面に部分拡大図に示すよう
に、接着剤層２で金属板４を接着し、さらに接着剤層２
を介してシリコンチップ１を接合しである。
。このセラミック容器３の底面に部分拡大図に示すよう
に、接着剤層２で金属板４を接着し、さらに接着剤層２
を介してシリコンチップ１を接合しである。
α線のエネルギーは５ＭｅＶ程度であるから前記金属板
４の遮断効果を推定して１００μｍの厚さのＮｉの金属
箔を使用した。
４の遮断効果を推定して１００μｍの厚さのＮｉの金属
箔を使用した。
接着剤として、通常のエポキシ系の接着剤を用いた。
第２図は本発明によるシリコンホトセルの第２の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
この実施例は、銀ペースト（銀粉を混入した接着剤）５
を塗ってシリコンチップ１を接合したものである。
を塗ってシリコンチップ１を接合したものである。
前述の実施例と同様にα線の遮断効果を推定して接合後
の接着剤層５の厚さが２０μｍ以上になるようにした。
の接着剤層５の厚さが２０μｍ以上になるようにした。
前記第１および第２の実施例を各複数個用意して、同一
の形状のシリコンチップ１を通常の接着剤のみで接合し
たものとの特性を比較した。
の形状のシリコンチップ１を通常の接着剤のみで接合し
たものとの特性を比較した。
シリコンチップ１を通常の接着剤のみで接合したものは
１５分〜３０分に１回の割合でα線に原因すると思われ
る雑音パルスの発生が認められた。
１５分〜３０分に１回の割合でα線に原因すると思われ
る雑音パルスの発生が認められた。
前記各実施例によるものは前記α線に原因すると思われ
る雑音パルスの発生の確率が前記従来、の構成のものに
対して少な（とも１／１０より小さくなることを確認で
きた。
る雑音パルスの発生の確率が前記従来、の構成のものに
対して少な（とも１／１０より小さくなることを確認で
きた。
（変形例）
以上詳しく説明した実施例につき本発、明の範囲内で種
々−の変形を施すことができる。
々−の変形を施すことができる。
前述したα線遮断層を金属粉末を含むインクを予めスク
リーン印刷等でセラミック容器の底面に形成しておいて
も良い。
リーン印刷等でセラミック容器の底面に形成しておいて
も良い。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によるセラミック容器を用い
たシリコンホトセルは、シリコンチップと前記セラミッ
ク容器の間に金属粉入の層または薄い金属板を挿入しで
あるから、前記セラミック容器の発生する粒子線のＰＮ
接合面への到達を防止することができる。
たシリコンホトセルは、シリコンチップと前記セラミッ
ク容器の間に金属粉入の層または薄い金属板を挿入しで
あるから、前記セラミック容器の発生する粒子線のＰＮ
接合面への到達を防止することができる。
その結果本発明によるシリコンホトセルは安価であるが
、微弱光の検出に広く利用することができる。
、微弱光の検出に広く利用することができる。
第１図は本発明によるセラミック容器を用いたシリコン
ホトセルの第１の実施例を示す断面図である。 第２図は本発明によるセラミック容器を用いたシリコン
ホトセルの第２の実施例を示す断面図である。 第３図は従来のセラミック容器人のシリコンホトセルの
構成例を示す図であって、内部構造を示すために一部破
断して示しである。 １・・・シリコンチップ ２・・・接着剤層 ３・・・セラミック容器 ４・・・金属板 ５・・・金属粉末人接着剤 ６・・・ガラス窓 ７・・・ポンディング用ワイヤ ８・・・リードピン
ホトセルの第１の実施例を示す断面図である。 第２図は本発明によるセラミック容器を用いたシリコン
ホトセルの第２の実施例を示す断面図である。 第３図は従来のセラミック容器人のシリコンホトセルの
構成例を示す図であって、内部構造を示すために一部破
断して示しである。 １・・・シリコンチップ ２・・・接着剤層 ３・・・セラミック容器 ４・・・金属板 ５・・・金属粉末人接着剤 ６・・・ガラス窓 ７・・・ポンディング用ワイヤ ８・・・リードピン
Claims (4)
- （１）セラミック容器にＰＮ接合面を上にしてシリコン
チップを固定したセラミック容器を用いたシリコンホト
セルにおいて、前記シリコンチップと前記セラミック容
器の間に金属粉入の層または薄い金属板を挿入すること
によりセラミック容器の発生する粒子線が前記ＰＮ接合
面に到達しないように構成したことを特徴とするセラミ
ック容器を用いたシリコンホトセル。 - （２）前記粒子線はα線である特許請求の範囲第１項記
載のセラミック容器を用いたシリコンホトセル。 - （３）前記金属粉入の層は銀ペースト層である特許請求
の範囲第１項記載のセラミック容器を用いたシリコンホ
トセル。 - （４）前記金属板はニッケル板である特許請求の範囲第
１項記載のセラミック容器を用いたシリコンホトセル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59228544A JPS61107119A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | セラミツク容器を用いたシリコンホトセル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59228544A JPS61107119A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | セラミツク容器を用いたシリコンホトセル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61107119A true JPS61107119A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=16878049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59228544A Pending JPS61107119A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | セラミツク容器を用いたシリコンホトセル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61107119A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0487434U (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593239A (en) * | 1979-01-04 | 1980-07-15 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS55130149A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS5731165A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-19 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
-
1984
- 1984-10-30 JP JP59228544A patent/JPS61107119A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593239A (en) * | 1979-01-04 | 1980-07-15 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS55130149A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS5731165A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-19 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0487434U (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 |
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