JPS61107321A - 液晶素子 - Google Patents

液晶素子

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JPS61107321A
JPS61107321A JP22978284A JP22978284A JPS61107321A JP S61107321 A JPS61107321 A JP S61107321A JP 22978284 A JP22978284 A JP 22978284A JP 22978284 A JP22978284 A JP 22978284A JP S61107321 A JPS61107321 A JP S61107321A
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JP
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liquid crystal
resin
phase
crystal element
substrates
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JP22978284A
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Shinjiro Okada
伸二郎 岡田
Kazuharu Katagiri
片桐 一春
Junichiro Kanbe
純一郎 神辺
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Original Assignee
Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、液晶表示素子や液晶−光シャッタ等で用いる
液晶素子、特にプラスチック基板を用いた液晶素子に関
し、更に詳しくは液晶分子の初期配向状態を改善するこ
とにより1表示並びに駆動特性を改善した液晶素子に関
するものである。
これまでの液晶よ子は、主にM、5chadtとW、H
e1trich ’J  Applied Physi
csLe、Lters″ Vol、18.No、4(1
971,2,15) 。
P、127〜12BのVo ltage−Depend
entOptical  Activity  of 
 a TwistedNsmaLie Liquid 
Crystal”に記載さaている様なTN(Twis
ted NemaLfc)方式が採用されており、この
TN方式の配向制御を効゛率的に保障する方法としてネ
マチック液晶の接する基板界面を斜方蒸着によって形成
したSiO又はS i02や一方にラビング処理した有
機樹脂。
例えばポリイミド、ポリアミドで形成する方法が知られ
ている。
このTN方式を用いた表示パネルは、TN方式自体に高
速応答性とメモリー効果を持っていないため、高密度画
素の表示パネルを設計する上で1例えば薄膜トランジス
タ(TPT)を7レイ状に配とした7クテイプマトリク
ス基板を必要としている。しかし、この様なTN液晶を
用いたアクティブマトリクス駆動方式の表示パネルでは
、使用するTPTがn1雑な構造を有しているため、製
造工程数が多く、高い製造コストがネックとなっている
上に、TPTを構成しているtJiIII半導体(例え
ば、ポリシリコン、アモルファスシリコン)を広い面積
に亘って被膜形成することが難しいなどの問題点がある
これらの問題点を解決するものとして、N、A、C1a
rk    と   S、T、Lagerwal  1
’の米国特許wS4367924号明細書で提案されて
いる強請電性液晶素子が知られている。
しかし1強誘電性液晶はカイラルスメクテイツク相で、
その挙動を現わすが、一般にスメクテN′ イック相の液晶はネマチック相の液晶に較べ配    
 )′1゜向XvIui性や配向安定性が悪い欠点があ
る。未発明者らの実験では、従来のTN方式て知られて
いる様な配向a11法をスメクテイック相の形成に単に
転用するだけでは、全面に゛亘って均一なモノドメイン
のスメクテイック相を形成できなことが判明した。
従って1本発明の目的は、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイツク相、特に強誘電性を示すカイラル
スメクテイツクC相(3m0本)。
H相(5m8本)、I相(SmI本)、J相(SmJJ
 、に相(SmK*)、F相(S mF本)やG相(S
mG’)を示す液晶を形成する配向制御膜を提供するこ
とにある。
又1本発明の別の目的は、プラスチック基板を用いたス
メクテイツク液晶稟子に適した配向制御膜を提供するこ
とにある。
本発明のかかる目的は、電極を設けた一対の基板の間に
スメクテイツク液晶を封入したセル構造を有する液晶素
子において、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基
板が前記スメクテイツク液晶と接する界面で有機タンタ
ル化合物と有機樹脂を含有する組成物から形成した配向
制御膜を有する液晶素子によって達成される。
以下1図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明による液晶素子の一実施悪様を示すもの
で1図中、1はプラスチック基板、2は該基板上に設け
られた透明導電膜より成る電極、3は配向制御膜、4は
シール部材、5はスペーサ部材、6はスメクティック液
晶物質を示す、プラスチック基板lとしては、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポ
リエーテルスルフォン、ポリカーボネート、三酢酸セル
ロース、ポリオールやポリエーテルサルホンなどのプラ
スチックが使用され、これらに蒸着、低温スパッタ、C
VD、などの公知の手段により酸化スズ、酸化インジウ
ムやITO(Indium  Tin  0xide)
等の透明導電膜2が設けられる。
本発明では上記透明電極3を形成したプラスチック基板
l上に有機タンタル化合物を主成分とする組成物より成
る配向制御[3が形成される。
有機タンタル化合物は1式Ta (0’R) 5で示さ
れ(式中: Rはエチル、プロピル、ブチルなどのアル
キル!8i)、具体的にはTa (OC2H5) 5、
Ta (OC3H7) 5が用いられる。
有機樹脂としては、各種のものを用いることができるが
、特にポリエステル樹脂、イソシア〜 ネート樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂及びポリビ
ニルアルコール樹脂などからなる樹脂類より選択したも
のを用いることができる。
ポリエステル樹脂とは線状飽和ポリエステルであり、テ
レフタル酸、イソフタル酸、アジピン酸、セバシン酸、
無水トリメット酸などの飽和多価カルボン酸とエチレン
グリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリ
コールなどの飽和多価アルコール及びスチレンモノマー
、メタクリル酸メチル、ジアリルフタレートなどの七ツ
マ−に種々の触媒や促進剤によって合成された飽和ポリ
エステル又はその共重合体で、特にテレフタル酸を主体
とし、融点Tmが60’<Tm<150℃であることが
配向制御膜形成上、耐熱性、反応性の点から好ましい。
インシアネートm脂(Cと称す)とは樹脂中にイソシア
ネート[(−NGO)含有化合物を単独あるいはヒドロ
キシル基(−OH)、アミノ基(−NH2)、カルボキ
シル基(−COOH)を含むインシアネートと反応しや
すい物質と混合されたものを指し、インシアネート基の
高い極性と反応性が特徴となっている0例としてトリフ
ェニルメタントリイソシアネート(商品名 Desmo
dur  R)、  トリス(4−フェニルイソシアネ
ート)チオフォスフェート(商品名 Desmodur
  RF)、TDに植体(商品名 Desmodur 
 TT)、TDI三量体(商品名 DesmodurI
L)、2,4.4’−ジフェニルエーテルトリインシア
ネート(商品名 Hylen  DM)。
MDI(商品名 Coronate  AP)、他にポ
リイソシアネートとしてTDIとトリメチロールプ・パ
ンとの反応生成物(商品名          ′1C
oronate  L)などが挙げられ、毒性や取扱い
の容易性、貯蔵安定性及び配向制御膜形成時の反応性の
点からポリイソシアネートが好ましい。
ポリアミド樹脂は、一般にナイロンで称されているもの
で、その原料としては1例えばナイロン6の原料である
カプロラクタム、ないし6−アミノカプロン酸、ナイロ
ン66、ナイロン610の原料であるヘキサメチレンジ
アミンとアジピン酸、セバシン酸などのジカルボン酸。
ナイロン11の原料である11−アミノウンデカン酸、
ナイロン12の原料であるW−ラウロラクタムなどが挙
げられ、さらに、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メ
タン、メタキシクレンジアミン、もしくはこの水素化物
、ピペラジン、2.5−ジメチルピペラジン、トリメチ
ルへキサメチレンジアミ7などのジアミンも挙げられる
。特に、ナイロン6/66、ナイロン6/66/610
.ナイロン6/66/610/12などの共重合体はア
ルコール可溶性であることから好ましいものである。
エポキシ樹脂としては1例えばビスフェノールA、4,
4′−ジヒドロキシビフェニル、2゜2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)メタンやトリヒドロキシジフェニル
ジメチルメタンなどの多価フェノールとエピハロヒドリ
ン(エピクロルヒドリン)やエピハロヒドリンへ誘導さ
れ得る化合物(ジクロロヒドリンの如きジハロヒドリン
)とを塩基性あるいは酸性触媒下で反応させ、脱ハロゲ
ン化反応により得ることができる。その他に、例えば、
「エポキシ樹脂」 (合成樹脂工業技術9.清野繁夫著
、誠文堂新光社発行)や「エポキシ樹脂の製造と応用」
 (垣内弘偏、高分子化学刊行会発行)に記載されたエ
ポキシ樹脂、を用いることができる。
本発明で用いるポリイミド、ポリエステルイミドとポリ
アミドイミドは、その前駆体であるポリアミド酸を溶媒
に溶解し、基板上に塗布した後に加熱処理により脱水閉
環して得られる。
ポリアミドイミドの前駆体であるポリアミド醜は過剰の
ジアミンから得られるポリゴジアミンとジカルボン酸無
水物との縮合により合成される。ポリエステルイミドの
前駆体であるポリアミド酸はエステル基を有するジカル
ボン酸無水物とジアミンとの縮合により合成される。こ
のエステル基を有するジカルボン酸無水物はトリメリッ
ト酸とジオールから得られる。又、ポリイミドの前駆体
であるポリアミド酸は、ジカルボン酸無水物とジアミン
の縮合によって得られる。これらの代表的なジカルボン
酸無水物及びジアミンとしては、例えば米国特許第31
79634号公報に記載されたものを用いることができ
る。具体的には、ジアミンとしてはm又はp−フェニレ
ンジアミン、m又はp−キシレンクアミン、4,4′−
ジアミノジフェニルエーテルや4.4′−ジアミノジフ
ェニルメタンが挙げられ、又ジオールとしてはヒドロキ
ノン、ビスフェノールA、ジクロルビスフェノールA、
テトラクロロビスフェノールAが挙げられる。
ジカルボン酸無水物としては、ピロメリット酸無水物、
2.3,6.7−ナフタレンテトラカルボン酸無水物な
どが使用される。
有機タンタルと有機樹脂を含有する塗布液を用いて配向
Tj制御11!23を形成する際、その塗布液中の有機
タンタルと有機樹脂の濃度が低すぎては配向性鋤が充分
1)られす、又高すぎた場合では成膜のうねり、屈折率
から来る反射光の干渉色及び透明導itt膜上の抵抗値
9増大が生ずるため1〜lowt%が好ましい。
塗布液を作成するに当って、使用する溶媒としてはメタ
ノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノ
ールなどのアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチル
ケトン トン類,テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環式ニ
ー、チル類や酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類
が挙げられる。
これらの塗布液は、基板、特にプラスチック基板の上に
スピンナー塗布法やスクリーン印刷法により塗布した後
,60℃〜150℃で加熱       、。
t,−c.atazaヵ( f 3 4 、     
        ’層膜形成後、綿布等で2 0 〜2
 0 0 g / c rn’ 。
好tL<+*100H/arrI’付近の静圧下でラビ
ングすることで配向制御膜とし、基板間に液晶物質を充
填することにより液晶表示パネルが得られる。
この配向制W膜3の一般的な膜厚は、lo。
人〜1=、好ましくは500人〜2000人とすること
がてきる。
本発明の液晶表示パネルの配向制御膜成形は浸漬法や吹
き付は法などで行なうことが容易で、真空工程やパター
ニング(現象エツチング、ハクリ)工程や印刷工程を要
しないため連続量産に適しており、また膜形成に高温を
要せず安定な配向制御膜が得られることから、基板にプ
ラスチックフィルムを用いた液晶表示パネルも容易に作
ることができる様になった。
又、スペーサ部材5は、感光性樹脂、例えば感光性ポリ
イミドの被膜を形成した後.所定のホトエツチングによ
り得られる。
本発明で用いるスメクティック液晶としては、強誘電性
を示すものが好ましく、例えばSmC木,S,mH木,
SmI*,SmJ* 。
S m K 木, S m F ”やS mGE”など
のカイラルスメクテイツク相を有する液晶組成物を用い
ることができる。
未発°明の液晶素子に用いるカイラルスメクテイツク相
を示す液晶を下記に示す。
Cl0H210eH=NヤトH= CH=COOCH2
CHC2H5本 P−デシロキシベンジリデン−P′−アミノ−2−−メ
チルブチルシンナメート(DOBAMBC)SmH本 
63℃ P−へキシロキシベンジリデン−P′−アミノ−2−一
クロルプロビルシンナメート(HOBACPC)47℃
     本  70℃ SmC 27℃    本  38℃ SmC (7)  CH3 CH30 −COOCH2CHC2H5 木 4.4′−7ゾキシシンナミツクアシツドービス(2−
メチルブチル)エステル H これらの液晶は、単独又は2種以上を混合してもよく、
あるいは他のスメクテイツク液晶やコレステリック(カ
イラルネマチック)液晶と混合してもよい。
第2図は、強誘電性液晶の動作説明の為に。
セルの例を模式的に描いたものである。11と、11’
は、In2O3,3n02あるいはITO(Indiu
m  Tin  0xide)等の薄膜からなる透明電
極で被覆された基板(ガラス板)であり、その間に液晶
分子fi12がガラス面に垂直になるよう配向したSm
C”。
SmH本、SmF本、SmI*SmG本などのカイラル
スメクティツク相の液晶が封入されている。太線で示し
た線13が液晶分子を表わしており、この液晶分子13
はその分子に直交した方向に双極子モーメン)CP上)
14を有している。基板11とl l’上の電極間に一
定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子13のらせ
ん構造がほどけ、双極子モーメント(P上)14がすべ
て電界方向に向くよう、液晶分子l3は配向方向を変え
ることができる。液晶分子13は、細長い形状を有して
おり、その長袖方向と短軸方向でh15折mA方性を示
し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコル
の偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変
わる液晶光学資XA素子となることは、容易に理解され
る。
本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを充分に薄く(例えば1o1.L以下)すること
ができる、このように液晶層が薄くなることにしたがい
、第3図に示すように電界を印加していない状態でも液
晶分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、そ
の双極子モーメン)PまたはP′は上向き(24)又は
下向&、(24j)のどちらかの状態をとる。
このようなセルに、第3図に示す如く一定の閾値以上の
極性の異る電界E又はE′を電圧印加手段21と21’
により付与すると、双極子モー1、        7
1 y )は・電界8又は8′の電界6クトル1対応し
て上向き24又は下向!!24′と向さを変え、それに
応じて液晶分子は、第1の安定状態23かあるいは第2
の安定状態23′の何れか一方に配向する。
このような強誘電性を光学液晶素子として用いることの
利点は、先にも述べたが2つある。
その第1は、応答速度が極めて速いことである。第2は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第2の
点を11例えば第2図によって更に説明すると、電界E
を印加すると液晶分子は第1の安定状態23に配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向き
の電界E′を印加すると、液晶分子は第2の安定状態2
3′に配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界
を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界Eが
一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にやは
り維持されている。このような応答速度の速さと、双安
定性が有効に実現されるにはセルとしては出来るだけ薄
い方が好ましい、−。
この様な強誘電性を有する液晶で素子を形成するに当た
って最も問題となるのは、先にも述べたように、SmC
木、SmI本、SmF木。
SmI本、SmG木 などのカイラルスメクティツク相
を11する層が基板面に対して垂直に配列し且つ液晶分
子が基板面に略平行に配向した、モノドメイン性の高い
セルを形成することが困難なことであり、この点に解決
を与えることが本発明の主要な目的である。
第4図(A)と(B)は本発明の液晶素子の一実施例を
示している。第4図(A)は、本発明の液晶素子の平面
図で、第4図CB)はそのA−A−断面図である。
第4図で示すセル構造体looは、一対のガラス板やプ
ラスチック板基板101とl OL’(片側のみをプラ
スチック基板としてもよい)をスペーサ104で所定の
間隔に保持され、この一対の基板をシーリングするため
に接着剤106で接着したセル構造を有しており、さら
に基板101の上には複数の透明電極102からなる電
極群(例えば、マトリクス電極構造のうちの走査電圧印
加用を極群)が例えば帯状パターンなどの所定パターン
で形成されている。
基板101’の上には前述の透明電極102と交差させ
た複数の透明電極102’からなる電極群(例えば、マ
トリクス電極構造のうちの信号電圧印加用電極群)が形
成されている。
この基板lotとioi’の上には、それぞれ前述の有
機タンタル化合物と有機樹脂を含有する塗布液から形成
した配向制御11105が設けられている。
第4図に示すセル構造体100の中の液晶層103は、
SmC木、SmI木、 S m F * 。
SmJ本、SmK本、SmI”、SmG木などのカイラ
ルスメクティック相とすることができる。
第5図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わしてい
る。第5図で示す液晶素子は、一対のプラスチック基板
101と101’の間に複数のスペーサ部材201が配
置されている。
このスペーサ部材201は、例えば配向制御膜105が
設けられていない基板101′の上にSiO,5i02
.Al2O2,TiO2などの無機化合物あるいはポリ
ビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポ
リエステルイミド ポリバラキシリレン、ポリエステル
ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビ
ニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セ
ルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹
脂やフォトレジスト樹脂などの樹脂類を適当な方法で被
膜形成した後に、所定の位置にスペーサ部材201が配
置される様にエツチングすることによって得ることがで
きる。
この様なセルa造体100は、基板101と101’の
両側にはクロスニコル状態又はパラレルニコル状態とし
た偏光子107と108がそれぞれ配置されて、電極1
02と102′の間に電圧を印加した時に光学変調を生
じることにな1         る。
以下に本発明を実施例に基づさ詳細に説明するが、本発
明はその要旨を越えない限り 以下の実施例に限定され
るものではない。
実施例1 1004mのポリエチレンテレフタレートフィルムに酸
化インジウムを主成分とする透明導電膜を低温スパッタ
装置でフィルム表面温度を120℃以下に抑えて形成し
たプラスチック基板に、以下の組成の溶液(溶液組成(
1))を塗布し、120℃30分乾燥して薄膜を形成し
た。
症1」口(エユ) TIL  (OC2H5)5           1
g(Ta203で換X) ポリエステル樹脂(東洋紡;バイロン30p)0.5g テトラヒドロフラン        10m文酢酸エチ
ル            90m文次に、loog/
crn’の押圧下で一方向にラビングし、このラビング
した一対のプラスチック基板を上ドのラビング方向が平
行となる様に改ね合せ 注、入口となる個所を除いたそ
の周辺をシーリングした。この時の一対のプラスチック
基板の間隔は 1ルであった。
次にP−デンロキンベンジリデンーP゛−7ミノー2−
メチルブチルシンナメート AMBC)100屯!.)部に対して、コレステリルノ
ナネートを5毛量部加えて液晶組成物を調整した。
この液晶組成物を加熱して等方相とし、上記で作製して
セル内に減圧下で注入口から注入し,その1]−人口を
封目した.このセルを徐冷によって降1μさせ 温度を
約70℃で維持させた状t.!+で−・対の偏光f−を
クロスニコル状態で設けてから顕嚢鏡観察したところ、
モノドメインのJlらせん構造のS mC”が形成させ
ている1Sが確認できた。
〜(5)のlid !l+ 液を用いたほかは、実施例
1と同様の方法で液晶素子を作成した。
m遣      ・ 2(実施例2) Ta (OC2H5)5         1 gイン
シアネート樹脂        0.5g(日本ポリウ
レタン、コロネールL)(固形分)テトラヒドロフラン
        10m文酢酸エチル        
    90m文3(実施例3) Ta (OC2H5)5         1gポリア
ミド樹脂          0.5g(東し,0M4
000) イソプロピルアルコール      l Omi酢酸エ
チル            90m文4(実施例4) Ta (OC2H5)5         1gエポキ
シ樹脂           0.5g(シェル化学.
二ビニ−)836) テトラヒドロフテン        10m文酢酸エチ
ル            90m交5(実施例5) Ta  (OC2)(5)5            
 J  gポリビニルアルコール樹脂     0.5
gインプロピルアルコール      20mMテトラ
ヒドロフラン        50m文酢酸エチル  
          30mMこれらの液晶セルについ
て実施例1と同様の方法で測定したところ、同様に均一
なモノドメインの非らせん構造が観察された。
実施例6 ピッチloOpmで輻62.54 mのストライプ状の
ITO膜を電極として設けたガラス板の上に下記溶液組
成(6)の塗布液をスピンナー塗布した。
溶液組成(,6) Ta (OC2H5)5        1gポリイミ
ドの前駆体であるピロメリット酸無水物と4,4′−ジ
アミノジフェニルエーテルとの縮合生成物(ポリアミド
I!1)     0.5g(固形分) イソプロピルアール        50m文酢酸エチ
ル            50m見この溶液組成(6
)を塗布したガラス板を230℃で約1時間の加熱によ
る脱水閉環反応によりポリイミド膜を形成した。
次に、100g/crn’の押圧下で一方向にラビング
し、このラビングした一対のガラス板を上下のラビング
方向が平行となる様に重ね合せ、注入口となる個所を除
いたその周辺をシーリングした。この時の一対のガラス
基板の間隔は、l鉢であった0次いで、実施例12同様
の方法で液晶セルを作成し、Il!察したところ、モノ
ドメイの非らせん構造のSmC木が形成されていた。
実施例7〜8 実施例6で用いたポリイミドの前駆体である縮合生成物
に代えて、ポリエステルイミドの前駆体であるトリメリ
ット酸とヒドロキノンとから得た芳香族ジカルボン酸無
水物と4.4′−::。
ジアミノジフェニルエーテルとの縮合生成物(ポリアミ
ド酸)(実施例8)、ポリアミドイミドの「iJ駆体で
あるN、N’−ビス(3−アこノフェニル)イソフタル
アミドとピロメリット酸無水物との縮合生成物(ポリア
ミド酸)(実施例9)を用いたほかは実施例7と同様の
j1法で液晶セルを作成し、観察したところ、同様の結
果が得られた。
実施例9 実施例6で用いた有機タンタル化合物に代えて、Ta 
(0−iC3H7)5e用イタホカは、実施例6と同様
の方法で液晶素子を作成したところ、非らせん構造のS
mC木が形成されていた。
4、  図面(7) fl?I rD−な説明第1図は
、本発明の液晶素子の一実施例を表わす断面図である。
第2図および第3図は、本発明で用いる液晶セルを表わ
す斜視図である。第4図(A)は未発1111の液晶、
EY−を表わすモ面図で、第4図CB)はそのA−A 
 断面図である。第5図は、木発の液晶素子の別の具体
例を表わす断面図である。
l ; プラスチック基板 2 ; 透明導電膜の電極 3 ; 配向制御膜 4 ; シール部材 5 ; スペーサ部材 6 ; スメクティック液晶 100  、  セル構造体 lot、101’  、  基板 102.102’  、  電極 103 ; 液晶層 104.201  ;  スペーサ部材105 ; 配
向制御膜 106 : 接着剤(シール部材) 107.108  ;  偏光子 109 ; 発熱体 特許出願人   キャノン株式会社 E4 taZ    庭  105 手続補正盲動式) 昭和60年 3月18日 昭和59年特許願第229782号 2、発明の名称 液晶素子 3、補正をする者 事件との関係     特許出願人 住所 東京都大田区下丸子3−30−2名称 (100
)キャノン株式会社 キャノン株式会社内(電話758−2111)5、補正
命令の日付 昭和60年2月26日(発送日) 6、補正の対象 明  細  書 7、補正の内容 (1)明細書第3頁第9行〜第13行のr ”Appl
ied−−−−−Crystal ” Jを「“°アプ
ライド・フィジックス・レターズ°°ボリューム18.
ナンバー4(1971,2,15)、ページ127〜1
2 g (”AppliedPhysics  Let
ters” Vol、l 8 、 No、 4 (19
71,2゜15)、P l 27〜128)の°“ボル
テージ−ディペンダント・オプティカル・アクティビテ
ィ−・オブ・ア・ツィステッド舎ネマチック・リキッド
φクリスタル”  (”Voltage−Depend
ent  0pticalActivity  o′f
  a  Twisted  Nematic  Li
quidCrystal ” ) Jと訂正する。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電極を設けた一対の基板の間にスメクテイツク液
    晶を封入したセル構造を有する液晶素子において、前記
    一対の基板のうち少なくとも一方の基板が有機タンタル
    化合物と有機樹脂を含有する組成物から形成した配向制
    御膜を有することを特徴とする液晶素子。
  2. (2)前記スメクテイツク液晶が強誘電性液晶である特
    許請求の範囲第1項記載の液晶素子。
  3. (3)前記強誘電性液晶がカイラルスメクテイツク液晶
    である特許請求の範囲第2項記載の液晶素子。
  4. (4)前記カイラルスメクテイツク液晶が非らせん構造
    の相を形成している特許請求の範囲第3項記載の液晶素
    子。
  5. (5)前記カイラルスメクテイツク液晶がC相、H相、
    I相、J相、K相、F相又はG相である特許請求の範囲
    第3項又は第4項記載の液晶素子。
  6. (6)前記有機樹脂がポリエステル樹脂、イソシアネー
    ト樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステ
    ルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂及
    びポリビニルアルコール樹脂からなる樹脂類から少なく
    とも1種を選択した樹脂である特許請求の範囲第1項記
    載の液晶素子。
  7. (7)前記一対の基板のうち、少なくとも一方がプラス
    チツク基板である特許請求の範囲第1項記載の液晶素子
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