JPS6162023A - 液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、液晶表示素子や液晶−光シャッタ等で用いる
液晶素子、特にプラスチック基板を用いた液晶素子に関
し、更に詳しくは液晶分子の初期配向状態を改善するこ
とにより、表示並ひに駆動特性を改善した液晶素子に関
するものである。

これまでの液晶素子は、主にＭ、５ＣｈａｄｔとＷ、Ｈ
ｅＩｔｒｉＣｈ著”Ａｐｐｌｉｅｄ　ＰｈｙｓｊｃｓＬ
ｅｔｔｅｒｓ”　　Ｖｏｌ、１８．Ｎｏ、４（１９７１
，２，１５）。

Ｐ、１２７〜１２８　（７）　”Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｄｅ
ｐｅｎｄｅｎｔＯｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　
　ｏｆ　　ａ　ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｅ　Ｌｉｑ
ｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ”に記載されている様なＴＮ（
Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）方式が採用されてお
り、このＴＮ方式の配向制御を効率的に保障する方法と
してネマチック液晶の接する基板界面を斜方蒸着によっ
て形成したＳｉＯ又は５ｉ０２や一方にラビング処理し
た有機樹脂、例えばポリイミド、ポリアミドで形成する
方法が知られている。

このＴＮ方式を用いた表示パネルは、ＴＮ方式自体に高
速応答性とメモリー効果を持っていないため、高密度画
素の表示パネルを設計する」−で、例えば薄膜トランジ
スタ（ＴＰＴ）を７レイ状に配置したアクティブマトリ
クス基板を必要としている。しかし、この様なＴＮ液晶
を用いたアクティブマトリクス駆動方式の表示パネルで
は、使用するＴＰＴが複雑な構造を有しているため、製
造Ｔ程数が多く、高い製造コストがネックとなっている
」−に、ＴＰＴを構成している薄膜半導体（例えば、ポ
リシリコン、アモルファスシリコン）を広い面積に亘っ
て被膜形成することが難しいなどの問題点がある。

これらの問題点を解決するものとして、Ｎ、Ａ、Ｃ１ａ
ｒｋ　　　　と　　　Ｓ　　、Ｔ、　　Ｌａｇｅ　　ｒ
ｗａ　　ｌ　　１の米国＃許第４３６７９２４号明細書
で提案されている強誘電性液晶素子が知られている。

しかし、強誘電性液晶はカイラルスメクテイツク相でそ
の挙動を現わすが、一般にスメクテイツク相の液晶はネ
マチック相の液晶に較べ配向制御性や配向安定性が悪い
欠点がある。本発明者らの実験では、従来のＴＮ方式て
知られている様な配向制御性をスメクテイツク相の形成
に単に転用するだけでは、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイツク相を形成できないが、下達する特
定の配向制御膜を用いることによって、均一なモノドメ
インのスメクテイツク相を形成できることが判明した。

従って、本発明の目的は、全面に亘って均一なモノドメ
インのスメクテイツク相、特に強誘電性を示すカイラル
スメクテイツクＣ相（ＳｍＣ＊）　。

Ｈ相（ＳｍＨ＊）、Ｉ相（ＳｍＩ本）、Ｆ相（ＳｍＦ＊
）　　や　Ｇ相（３ｍ６本）を示す液晶を形成する配向
制御膜を提供することにある。

又、本発明の別の目的は、プラスチック基板を用いたス
メクテイツク液晶素子に適した配向制御膜を提供するこ
とにある。

本発明のかかる目的は、電極を設けた一対の基板の間に
スメクテイツク液晶を封入したセル構造を有する液晶素
子において、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基
板が前記有機チタン化合物と有機樹脂を含有する組成物
から形成した配向制御膜を有する液晶素子によって達成
される。

以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明による液晶素子の一実施態様を示すもの
で、図中、ｌはプラスチック基板。

２は該基板上に設けられた透明導電膜より成る電極、３
は配向制御膜、４はシール部材、５はスペーサ部材、６
はスメクテイツク液晶物質を示す。プラスチック基板ｌ
としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレン
テレフタレート、ポリエーテルスルフォン、ポリカーボ
ネート、三酢酸セルローズ、ポリオールやポリエーテル
サルホンなどのプラスチックが使用され、これらに蒸着
、低温スパッタ、ＣＶＤ、などの公知の手段により酸化
スズ、酸化インジウムやＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　　Ｔｉ
ｎ　　Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電ＩＩ＠２が設けられる
。

成分とする組成物より成る配向制御膜３が形成ｙれる。

４１機チタン化合物としては、一般式Ｔｉ（ＯＲ）４　
（但し、ＯＲはヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキ
シ基を表わす）が好ましく、具体的には、テトラ−イン
プロポキシチタン、テトラ−ノルマルブトキシチタン、
テトラビス（２−エチルヘキソキシ）チタン、テトラス
テアロキシチタン、ジイソプロポキシ−ビス（アセチル
アセトナート）チタン、ジ−ノルマルブトキシ−ビス（
トシリエタノールアミナート）チタンなどが挙げられる
。

有機樹脂としては、各種のものを用いることができるが
、特にポリエステル樹脂、インシアネート樹脂、ポリア
ミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、
ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂及びポリビニルア
ルコール樹脂などからなる樹脂類より選釈したものを用
いることができる。

ポリエステル樹脂とは線状飽和ポリエステルであり、テ
レフタル酸、イソフタル酸、アジピン酸、セパシン酸、
無水トリメット酸などの飽和多価カルボン酸とエチレン
グリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリ
コールなどの飽和多価アルコール及びスチレンモノマー
、メタクリル酸メチル、ジアリルフタレートなどの千ツ
マ−に種々の触媒や促進剤によって合成された飽和ポリ
エステル又はその共重合体で、特にテレフタル酸を主体
とし、融点Ｔｍが６０’＜Ｔｍ＜１５０°Ｃであること
が配向制御膜形成ｌ二、耐熱性、反応性の点から好まし
い。

イソシアネ−１・樹脂とは樹脂中にインシアネーＩ・基
（−ＮＧＯ）含有化合物を単独あるいはヒドロキシル基
（−ＯＨ）、アミノ基（−Ｎｌ２）、カルボキシル（−
ＣＯＯＨ）を含むインシアネートと反応しやすい物質と
混合されたものを指し、インシアネート−＞１の高い極
性と反応性が特徴となっている。例としてトリフェニル
メタントリインシアネート（商品名Ｄｅｓｍｏｄｕｒ　
　　　　Ｒ）、　　　　ト　　リ　　ス　　（４−フェ
ニルイソシアネーＩ・）チオフォスフニーｉ・（商品名
　Ｄｅｓｍｏｄｕｒ　　ＲＦ）、ＴＤに量体（商品名　
Ｄｅｓｍｏｄｕｒ　　ＴＴ）、ＴＩ）Ｉ三量体（商品名
　ＤｅｓｍｏｄｕｒＩＬ）、２，４．４’−ジフェニル
エーテルトリイソシアネート（商品名　Ｈｙｌｏｎ　　
ＤＭ）、ＭＤＩ（商品名　Ｃｏｒｏｎａｔｅ　　ＡＰ）
、他にポリイソシアネートとしてＴＤＩとトリメチロー
ルプロパンとの反応生成物（商品名Ｃｏｒｏｎａｔｅ　
　Ｌ）などが挙げられ、毒性や取扱いの容易性、貯蔵安
定性及び配向制御膜形成時の反応性の点からポリイソシ
アネートが好ましい。

ポリアミド樹脂は、一般にナイロンで称ごれているもの
で、その原料としては、例えばナイロン６の原料である
カプロラクタム、ないし６−アミノカプロン酸、ナイロ
ン６６、ナイロン６１０の原料であるヘキサメチレンジ
アミンとアジピン酸、セパシン酸などのジカルボン酸、
ナイロン１１の原料である１１−アミノウンデカン酸、
ナイロン１２の原料であるＷ−ラウロラクタムなどが挙
げられ、さらに、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メ
タン、メタキシクレンジアミン、もしくはこの水素化物
、ピペラジン、２．５−ジメチルピペラジン、トリメチ
ルへキサメチレンジアミンなどのジアミンも挙げられる
。特に、ナイロン６／６６、ナイロン６／ことから好ま
しいものである。

薔ポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ、４，
４′−ジヒドロキシビフェニル、２゜２′−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）メタンやトリヒドロキシジフェニ
ルジメチルメタンなどノ多価フェノールとエピハロヒド
リン（エピクロルヒドリン）やエピハロヒドリンへ誘導
され得る化合物（ジクロロヒドリンの如きジハロヒドリ
ノ）とを塩基性あるいは酸性触媒下で反応させ、脱ハロ
ゲン化反応により？ｌることができる。その他に、例え
ば、「エポキシ樹脂」　（合成樹脂工業技術９、清野繁
夫著、誠文堂新光社発行）や「エポキシ樹脂の製造と応
用コ　（垣内弘偏、高分子化学刊行会発行）に記載され
たエポキシ樹脂を用いることができる。

本発明で用いるポリイミド、ポリエステルイミドとポリ
アミドイミドは、その前駆体であるポリアミド酸を溶媒
に溶解し、基板−Ｌに塗布した後に加熱処理により脱水
閉環して得られる。

ポリアミドイミドの前駆体であるポリアミド酸は過剰の
ジアミンから得られるポリゴジミンとジカルボン酸の無
水物との縮合により合成される。ポリエステルイミドの
前駆体であるポリアミド酸はエステル基を有するジカル
ボン酸無水物とジアミンとの縮合により合成される。こ
のエステル基を４１するジカルボン酸無水物はトリメリ
ット酸とジオールから得られる。又、ポリイミドの前駆
体であるポリアミド酸は、ジカルボン酸無水物とジアミ
ンの縮合によって得られる。これらの代表的なジカルボ
ン酸無水物及びジアミンとしては、例えば米国特許第３
１７９６３４号公報に記載されたものを用いることがで
きる。具体的には、ジアミンとしてはｍ又はｐ−フェニ
レンジアミン、ｍ又はｐ−キシレンシアミン、４，４′
−ジアミノジフェニルエーテルや４．４′−ジアミンジ
フェニルメタンが挙げられ、又ジオールとしてはヒドロ
キノン、ビスフェノールＡ、ジクロルビスフェノールＡ
、テトラクロロビスフェノールＡが挙げられる。ジカル
ボン酸無水物としては、ピロメリット酸無水物、２，３
，６．７−ナフタレンテトラかレボン酸無水物などが使
用される。

有機チタンとイＪ機横脂を含有する塗布液を用いて配向
制御膜３を形成する際、その塗布液中の有機チタンと有
機樹脂の濃度が低すぎては配向性能が充分得られず、又
高すぎた場合では成膜のうねり、屈折率から来る反射光
の干渉色及び透明導電膜上の抵抗値の増大が生ずるため
１〜１０ｗｔ％が好ましい。

塗布液を作成する当って、使用する溶媒としてはメタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタメー
ルなどのアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケ
トンなどのアセトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ンなどの環式エーテル類や酢酸メチル、酢酸エチルなど
のエステル類が挙げられる。

これらの塗布液は、基板、特にプラスチック基板の−に
にスピンナー塗布法やスクリーン印刷法により塗布した
後、６０℃〜１５０°Ｃで加熱して膜とすることができ
る。

膜形成後、綿布環テ２０〜２００　ｇ　／　ｃ　ｒｎ’
、好ましくは１００　ｇ　／　ｃ　ｍ’付近の静圧下で
ラビングすることで配向制御膜とし、基板間に液晶物質
を充填することにより液晶表示パネルが得られる。

この配向制御膜３の一般的な膜厚は、ｌＯＯ入〜１ｐＬ
、好ましくは５００人〜２０００人とすることがてきる
。

本発明の液晶表示パネルの配向制御膜成形は浸漬法や吹
き付は法などで行なうことが容易で、真空工程やパター
ニング（現象エツチング、ハクリ）工程や印刷工程を要
しないため連続量産に適しており、また膜形成に高温を
要せず安定な配向制御膜が得られることから、基板にプ
ラスチックフィルムを用いた液晶表示パネルも容易に作
ることができる様になった。

又、スペーサ部材５は、感光性樹脂、例えば感光性ポリ
イミドの被膜を形成した後、所定のホトエツチングによ
り得られる。

本発明で用いるスメクテイツク液晶としては、強誘電性
を示すものが好ましく、例えばＳｍＣ木、ＳｍＨ＊　、
ＳｍＦ＊、ＳｍＦ木やＳｍＧ＊などのカイラルスメクテ
イツク相を有する液晶組成物を用いることができる。

本発明の液晶素子に用いるカイラルスメクテイツク相を
示す液晶を下記に示す。

（１）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　ＣＨ３−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢ
Ｃ）−クロルプロピルシンナメ−１−（）（ＯＢＡＣＰ
Ｃ）−メチルブチル−α−シアノシンナメーＩ・（ＤＯ
ＢＡＭＢＣＣ）／　Ｕ　Ｕ　　３　ｍＨ不／　Ｄ　’Ｕ
一メチルブチルーα−シアノシンナメート（ＴＤＯＢＡ
ＭＢＣＣ）−メチルブチル−α−クロロシンナメート（
ＯＯＢＡＭＢＣＣ）−メチルブチルーα−メチルシンナ
メートＣＨ３０ −Ｃ００ＣＨ２ＣＨＣ２Ｈ５ ネ ４．４′−アゾキシシンナミックアシッド−ビス（２−
メチルブチル）エステル Ｈ ４−０−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−４′
−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ　　８） これらの液晶は、単独又は２種以上を混合してもよく、
あるいは他のスメクテイツク液晶やコレステリック（カ
イラルネマチック）液晶と４昆合してもよい。

第２図は、強誘電性液晶の動作説明の為に、セルの例を
模式的に描いたものである。１１と、１１’は、Ｉ　ｎ
２０３．５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　　Ｔ
ｉｎ　　Ｏｘｉ　ｄｅ）等の薄膜からなる透明電極で被
覆Ｓれた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子層
１２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ’。

ＳｍＨ、ＳｍＦ　　、ＳｍＩ＊ＳｍＧ’などの木　　　
　　　　　木 カイラルスメクティック相の液晶が封入されている。太
線で示した線１３が液晶分子を表わしており、この液晶
分子１３はその分子に直交した方向に双極子モーメン）
　（Ｐ土）１４を有している。基板１１と１１’−）：
の電極間に一定の閾値以」二の電圧を印加すると、液晶
分子１３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ
±）１４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子１３は
配向方向を変えることができる。液晶分子１３は、細長
い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折率
異方性を示し、従って例えばガラス面の上下にＷいにク
ロスニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光
学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易に
理解される。

本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを充分に薄く（例えば１０゜以下）することがで
きる。このように液晶層が薄くなることにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、その双
極子モーメン）ＰまたはＰ′は上向き（２４）又は下向
き（２４’）のどちらかの状態をとる。このようなセル
に、第３図に示す如く一定の闇値以上の極性の異る電界
Ｅ又はＥ′を電圧印加手段２１と２１’により付榮する
と、双極子モーメンＩ・は、電界Ｅ又はＥ′の電界ベク
トルに対応して−１−向き２４又は下向き２４′と向き
を変え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態２３
かあるいは第２の安定状態２３′の何れか一方に配向す
る。

このような強誘電性を液晶素子として用いることの利点
は、先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第２図によって更に説明すると、電界Ｅを
印加すると液晶分子は第１の安定状態２３に配向するが
、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向きの
電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状態２３
′に配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界を
切ってもこの状態に留っている。

又、ケーえる電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それ
ぞれの配向状態にやはり維持ｙれている。このような応
答速度の速さと、双安定性が有効に実現されるにはセル
としては出来るだけ薄い方が好ましい。

この様な強誘電性を有する液晶で素子を形成するに当た
って最も問題となるのは、先にも述べたように、ＳｍＣ
、ＳｍＨ木、ＳｍＦ木。

本 木　　　　　　　　木 ＳｍＩ　　、ＳｍＧ　　　などのカイラルスメクティッ
ク相を有する層が基板面に対して垂直に配列し■つ液晶
分子が基板面に略平行に配向した、モノドメイン性の高
いセルを形成することが困難なことであり、この点に解
決を与えることが本発明の主要な目的である。

第４図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の液晶素子の一実施例を
示している。第４図（Ａ）は、本発明の液晶素子の平面
図で、第４図ＣＢ）はそのＡ−Ａ’断面図である。

第４図で示すセル構造体１００は、一対のガラス板やプ
ラスチック板基板１０１とｌ　Ｏｌ’ＬＨ側のみをプラ
スチック基板としてもよい）をスペーサ１０４で所定の
間隔に保持され、この一対の基板をシーリングするため
に接着剤１０６で接着したセル構造を有しており、さら
に基板ｌＯ１の上には複数の透明電極１０２からなる電
極群（例えば、マトリクス電極構造のうちの走査電圧印
加用電極群）が例えば帯状パターンなどの所定パターン
で形成されている。

基板１０１’の」−には前述の透明電極１０２と交差さ
せた複数の透明電極１０２’からなる電極群（例えば、
マトリクス電極構造のうちの信号電圧印加用電極群）が
形成されている。

この基板１０１とｔ　ｏ　ｔ’の−Ｉｎには、それぞれ
前述の有機チタン化合物と有機樹脂を含有する塗布液か
ら形成した配向制御膜１０５が設けられている。

第４図に示すセル構造体１００の中の液晶層＊　　　　
＊ １０３は、ＳｍＣ、ＳｍＨ、ＳｍＦ木。

ＳｍＩ　　、ＳｍＣ木などのカイラルスメクティ本 ツク相とすることができる。

第５図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わしてい
る。第５図で示す液晶素子は、一対のプラスチック基板
１０１と１０１’の間に複数のスペーサ部材２０１が配
置されている。

このスペーサ部材２０１は、例えば配向制御膜１０５が
設けられていない基板１０１’の上にＳｉＯ，５ｉ０２
．Ａ文２０３　、　Ｔ　ｉＯ２などの無機化合物あるい
はポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミ
ド、ポリエステルイミド、ポリパラギシリレン、ポリエ
ステル、ポリカーボネ−１・、ポリビニルアセタール、
ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリス
チレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、
アクリル樹脂やフォトレジスト樹脂などの樹脂類を適当
な方法で被膜形成した後に、所定の位置にスペーサ部材
２０３が配置される様にエツチングすることによって得
ることができる。

この様なセル構造体ｌＯＯは、基板ｌｏｔと１０１’の
両側にはクロスニコル状態又はパラレルニコル状態とし
た偏光子１０７と１０８がそれぞれ配置されて、電極１
０２と１０２′の間に電圧を印加した時に光学変調を生
じることになる。

以下に本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発
明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定Ｓれ
るものではない。

実施例１ ｌ１００ｐＬのポリエチレンテレフタレートフィルムに
酸化インジウムを主成分とする透明導電膜を低温スパッ
タ装置でフィルム表面温度を１２０６Ｃ以下に抑えて形
成したプラスチック基板に、以下の組成の溶液（溶液組
成（１））を塗布し、１２０°Ｃ３０分乾燥して薄膜を
形成した。

溶」Ｌ１誠Ｕ） テトラ−イソプロポキシチタン　　　　１ｇポリエステ
ル樹脂（東洋紡；バイロン３０ｐ）０．５ｇ テトラヒドロフラン　　　　　　　　１０ｍ文メチルエ
チルケトン　　　　　　　　９０ｍ文エタノール　　　
　　　　　　　　　　２０ｍ文次に、１００ｇ／ｃｒｎ
’の押圧下で一方向にラビングし、このラビングした一
対のプラスチツり基板を」ユ下のラビング方向が平行と
なる様に重ね合せ、注入口となる個所を除いたその周辺
をシーリングした。この時の一対のプラスチック基板の
間隔は、１−であった。

次にＰ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）１００重
量部に対して、コレステリルノナネートを５重駄部加え
て液晶組成物を調整した。

この液晶組成物を加熱して等吉相とし、上記で作製して
セル内に減圧下で注入口から注入し、その注入口を封目
した。このセルを徐冷によって降温させ、温度を約７０
′Ｃで維持させた状態で一対の偏光子をクロスニコル状
態で設けてから顕微鏡観察したところ、モノドメインの
非らせん構造のＳｉｎＣ＊が形成させている事が確認で
きた。

実施例２〜５ 実施例１で用いた下記に示す溶液組成（２）〜（５）の
塗布液を用いたほかは、実施例１と同様の方法で液晶素
子を作成した。

症痰■誠 ２（実施例２） テトラ−イソプロポキシチタン　　　　１ｇインシアネ
ート樹脂　　　　　　　　０，５ｇ（日本ポリウレタン
、コロネールＬ）（固形分）テトラヒドロフラン　　　
　　　　　１０ｍ文メチルエチルケトン　　　　　　　
　９０ｍ文酢酸エチル　　　　　　　　　　　　　７ｍ
文エタノール　　　　　　　　　　　　　２０ｍ文３（
実施例３） テトラ−インプロポキシチタン　　　　１ｇポリアミド
樹脂　　　　　　　　　　０．５ｇ（東し、０Ｍ４００
０） イソプロピルアルコール　　　　　　１０ｍＭメチルエ
チルケトン　　　　　　　　９０ｍ文エタノール　　　
　　　　　　　　　２０ｍ文４（実施例４） テトラーインプロボギシチタン　　　　Ｉｇエボネシ樹
脂　　　　　　　　　　　０．５ｇ（シェル化学、エピ
コー１−８３６　）テトラヒドロフラン　　　　　　　
　ｌｏｍ文メチルエチルケト７　　　　　　　９０ｍ文
エタノール　　　　　　　　　　　　２０ｍ文５（実施
例５） テトラ−インプロポキシチタン　　　　１ｇポリビニル
アルコール樹脂　　　　　０．５ｇイソプロピルアルコ
ール　　　　　　２０ｍＭテトラヒドロフラン　　　　
　　　　５０ｍ文メチルエチルケトン　　　　　　　　
３０ｍＭエタノール　　　　　　　　　　　　　２０ｍ
文これらの液晶セルについて実施例１と同様の方法で測
定したところ、同様に均一なモノドメインの非らせん構
造が観察された。

実施例６〜ｉ。

実施例１で用いた有機チタン化合物に代えて、テトラ−
ノルマルブトキシチタン（実施例６）、テトラビス（２
−エチルヘキソキシチタン（実施例７）、テトラステア
ロキシチタン（実施例８）、ジイソプロポキシ−ビス（
アセチルアセトナート）チタン（実施例９）、ジ−ノル
マルブトキシ−ビス（トリエタノールアミナート）チタ
ン（実施例１０） 実施例１１ ピッチ１１００ｐで幅６２．５ｇｍのストライプ状のＩ
ＴＯ膜を電極として設けたガラス板の上に下記溶液組成
（６）の塗布液をスピンナー塗布した。

溶液組成（６） テトラ−イソプロポキシチタン　　　　１ｇポリイミド
の前駆体であるピロノ リット酸無水物と４．４′−ジアミ ノジフェニルエーテルとの縮合生　　０．５ｇ成物（ポ
リアミド酸）　　　　　　（固形分）イソプロピルアー
ル　　　　　　　　５０ｍ文エタノール　　　　　　　
　　　　　５０ｍ文メチルエチルケトン　　　　　　　
　１０ｍ文この溶液組成（６）を塗布したガラス板を２
３０°Ｃで約１時間の加熱による脱水閉環反応によりポ
リイミド膜を形成した。

次に、ｌｏｎｇ／ｃｒｎ”の押圧下で一方向にラビング
し、このラビングした一対のガラス板を」−下のラビン
グ方向が平行となる様に重ね合せ、注入口となる個所を
除いたその周辺をシーリングした。この時の一対のガラ
ス基板の間隔は、１＝であった。次いで、実施例１と同
様の方法で液晶セルを作成し、観察したところ、モノド
メイの非らせん構造のＳｍＣ＊が形成されていた。

実施例１２〜１３ 実施例１１で用いたポリイミドの前駆体である縮合生成
物に代えて、ポリエステルイミドの前駆体であるトリメ
リット酸とヒドロキノンとから得た芳香族ジカルボン酸
無水物と４．４’−ジアミノジフェニルエーテルとの縮
合成物（ポリアミド酸）（実施例１２）、ポリアミドイ
ミドの前駆体であるＮ、Ｎ′−ビス（３−アミノフェニ
ル）インフタルアミドとピロメリット酸無水物と縮合生
成物（ポリアミド酸）（実施例１３）を用いたほかは実
施例１１と同様の方法で液晶セルを作成し、観察したと
ころ、同様の結果が得られた。

実施例１４ 実施例１１で用いた有機チタン化合物に代えて、テトラ
−ノルマルブトキシチタンを用いたほかは、実施例１１
と同様の方法で液晶素子を作成したところ、非らせん構
造のＳ　ｍ　Ｃ＊が形成されていた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の液晶素子の一実施例を表わす断面図
である。 第２図および第３図は、本発明で用いる液晶セルを表わ
す斜視図である。第４図（Ａ）は本発明の液晶素子を表
わす平面図で、第４図（Ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図であ
る。第５図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わす
断面図である。 ｌ　；　プラスチック基板 ２　；　透明導電膜の電極 ３　；　配向制御膜 ４　；　シール部材 ５　；　スペーサ部材 ６　；　スメクテイツク液晶 １００　　、　　セル構造体 １０１．１０１’　　、　　基板 １０２．１０２’　　、　　電極 １０３　　、　　液晶層 １０４．２０１　　、　　スペーサ部材１０５　　、　
　配向制御膜 １０６　　、　　接着剤（シール部材）１０７．１０８
　　；　　偏光子 １０９　　、　　発熱体 夕　　　　　　　　　　７

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）電極を設けた一対の基板の間にスメクテイツク液
   晶を封入したセル構造を有する液晶素子において、前記
   一対の基板のうち少なくとも一方の基板が有機チタン化
   合物と有機樹脂を含有する組成物から形成した配向制御
   膜を有することを特徴とする液晶素子。
2. （２）前記スメクテイツク液晶が強誘電性液晶である特
   許請求の範囲第１項記載の液晶素子。
3. （３）前記強誘電性液晶がカイラルスメクテイツク液晶
   である特許請求の範囲第２項記載の液晶素子。
4. （４）前記カイラルスメクテイツク液晶が非らせん構造
   の相を形成している特許請求の範囲第３項記載の液晶素
   子。
5. （５）前記カイラルスメクテイツク液晶がＣ相、Ｈ相、
   Ｉ相、Ｆ相又はＧ相である特許請求の範囲第３項又は第
   ４項記載の液晶素子。
6. （６）前記有機樹脂がポリエステル樹脂、イソシアネー
   ト樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステ
   ルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂及
   びポリビニルアルコール樹脂からなる樹脂類から少なく
   とも１種を選択した樹脂である特許請求の範囲第１項記
   載の液晶素子。
7. （７）前記一対の基板のうち、少なくとも一方の基板が
   プラスチック基板である特許請求の範囲第１項記載の液
   晶素子。