JPS61107626A - 双安定リレ−を用いたスイツチ回路 - Google Patents
双安定リレ−を用いたスイツチ回路Info
- Publication number
- JPS61107626A JPS61107626A JP27120484A JP27120484A JPS61107626A JP S61107626 A JPS61107626 A JP S61107626A JP 27120484 A JP27120484 A JP 27120484A JP 27120484 A JP27120484 A JP 27120484A JP S61107626 A JPS61107626 A JP S61107626A
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- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 45
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Relay Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、双安定リレーの励磁コイルがコンデンサと直
列接続されるとともに、これに半導体スイッチを並列接
続し、励磁電圧の印加によりコンデンサを充電するとと
もに双安定リレーを作動位置に駆動し、また励磁電圧の
切断により半導体スイッチが前記直列回路を短絡しコン
デンサの電荷を放電させて双安定リレーを常規位置に復
帰駆動せしめる双安定リレーを用いたスイッチ回路に関
する。
列接続されるとともに、これに半導体スイッチを並列接
続し、励磁電圧の印加によりコンデンサを充電するとと
もに双安定リレーを作動位置に駆動し、また励磁電圧の
切断により半導体スイッチが前記直列回路を短絡しコン
デンサの電荷を放電させて双安定リレーを常規位置に復
帰駆動せしめる双安定リレーを用いたスイッチ回路に関
する。
[背景技術]
この種のスイッチ回路、つまり双安定リレーを半導体ス
イッチにより切り換え駆動するものは公知である。
イッチにより切り換え駆動するものは公知である。
例えば、ハンス・サワー、小林郁共著オーム社”リレー
の選び方・使い方”昭和51年発行の第12頁9図1・
16に示されるものである。
の選び方・使い方”昭和51年発行の第12頁9図1・
16に示されるものである。
このものは、励磁電圧が加えられた場合には、双安定リ
レーの励磁コイルとコンデンサに直列に接続されている
第2のトランジスタT2が導通状態になり、従ってコン
デンサが充電されるとともに双安定リレーは作動位置に
駆動される。次いで、第1のトランジスタT1の入力側
に1の値の制御信号が加えられた場合には、第2のトラ
ンジスタT2は阻止状態になり、励磁コイルとコンデン
サとに並列に接続されている第3のトランジスタT3は
導通状態になり、従ってコンデンサが放電し、双安定リ
レーは常規位置に復帰駆動せしめられる。この状態で、
制御信号がOの値に変わった場合には、第1のトランジ
スタT1及び第3のトランジスタT3は再び阻止状態に
、第2のトランジスタT2は導通状態になり、従って再
びコンデンサが充電されるとともに双安定リレーは再び
作動位置に駆動される。
レーの励磁コイルとコンデンサに直列に接続されている
第2のトランジスタT2が導通状態になり、従ってコン
デンサが充電されるとともに双安定リレーは作動位置に
駆動される。次いで、第1のトランジスタT1の入力側
に1の値の制御信号が加えられた場合には、第2のトラ
ンジスタT2は阻止状態になり、励磁コイルとコンデン
サとに並列に接続されている第3のトランジスタT3は
導通状態になり、従ってコンデンサが放電し、双安定リ
レーは常規位置に復帰駆動せしめられる。この状態で、
制御信号がOの値に変わった場合には、第1のトランジ
スタT1及び第3のトランジスタT3は再び阻止状態に
、第2のトランジスタT2は導通状態になり、従って再
びコンデンサが充電されるとともに双安定リレーは再び
作動位置に駆動される。
かかるスイッチ回路は、励磁電圧の極性が変わらない場
合に適しているものであるが、制御信号源を要し、従っ
て3端子駆動となる。
合に適しているものであるが、制御信号源を要し、従っ
て3端子駆動となる。
また、ドイツ公告明細書第2624913号に示される
如く、単安定リレーのように働き、従って、励磁電圧が
なくなった場合に、自動的に常規位置に切り換え駆動さ
れるような、双安定リレーを制御するためのスイッチ回
路も公知となっている。
如く、単安定リレーのように働き、従って、励磁電圧が
なくなった場合に、自動的に常規位置に切り換え駆動さ
れるような、双安定リレーを制御するためのスイッチ回
路も公知となっている。
このものは、励磁コイル及びコンデンサの結合点と半導
体スイッチの制御端子との間に半導体スイッチが接続さ
れ、この半導体スイッチを励磁電圧がある場合には阻止
状態に、それが無い場合には導通状態にするところの、
励磁電圧を供給する評価回路が接続されることによって
達成される。
体スイッチの制御端子との間に半導体スイッチが接続さ
れ、この半導体スイッチを励磁電圧がある場合には阻止
状態に、それが無い場合には導通状態にするところの、
励磁電圧を供給する評価回路が接続されることによって
達成される。
そして、電流路に設けた直列抵抗は、半導体スイッチの
短絡保護のために、あるいは適当な設計の場合には一定
の電圧降下を得るためにも働き、これによって、経済的
に製造可能な低電圧コイルを有するリレーが高電圧、例
えば商用電源で、しかも2端子で駆動することができる
。
短絡保護のために、あるいは適当な設計の場合には一定
の電圧降下を得るためにも働き、これによって、経済的
に製造可能な低電圧コイルを有するリレーが高電圧、例
えば商用電源で、しかも2端子で駆動することができる
。
しかしながらこのものは、双安定リレーの小安定スイッ
チ動作を得るための高価な評価回路を必要とする。
チ動作を得るための高価な評価回路を必要とする。
[発明の目的]
本発明は、上記の点に鑑みてなしたものでありその目的
とするところは、制御信号源や複雑な評 1価
回路を不要とし、しかも誤動作が起こりにくい双安定リ
レーを用いたスイ・ノチ回路を提供することにある。
とするところは、制御信号源や複雑な評 1価
回路を不要とし、しかも誤動作が起こりにくい双安定リ
レーを用いたスイ・ノチ回路を提供することにある。
し発明の開示]
本発明の双安定リレーを用いたスイッチ回路は、双安定
リレーの励磁コイルをコンデンサと抵抗エレメントを介
して励磁電源に直列接続し、第1の半導体スイッチを前
記励磁コイルとコンデンサの直列回路に並列接続し、前
記抵抗エレメントの前段に前記第1の半導体スイッチに
対しその動作において相補的な第2の半導体スイッチを
介挿し、抵抗とシュミット−トリガの出力回路からなる
分圧器を前記励磁電源に並列接続し、しかも該シュミッ
ト−トリガの入力側には双安定リレーの動作電圧を決定
する比較電圧が与えられ、前記第1、第2の半導体スイ
ッチの制御端子が前記分圧器の接続点に接続したことを
特徴とする。
リレーの励磁コイルをコンデンサと抵抗エレメントを介
して励磁電源に直列接続し、第1の半導体スイッチを前
記励磁コイルとコンデンサの直列回路に並列接続し、前
記抵抗エレメントの前段に前記第1の半導体スイッチに
対しその動作において相補的な第2の半導体スイッチを
介挿し、抵抗とシュミット−トリガの出力回路からなる
分圧器を前記励磁電源に並列接続し、しかも該シュミッ
ト−トリガの入力側には双安定リレーの動作電圧を決定
する比較電圧が与えられ、前記第1、第2の半導体スイ
ッチの制御端子が前記分圧器の接続点に接続したことを
特徴とする。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を第1図を参照して説明する。
Rlsは双安定リレーの励磁コイルで、コンデンサci
、m抗エレメントであるダイオードD1及びスイッチS
を介して励磁電源Uに直列接続されている。なお、励磁
コイルRISにより駆動される双安定リレーの接点部は
省略しである。
、m抗エレメントであるダイオードD1及びスイッチS
を介して励磁電源Uに直列接続されている。なお、励磁
コイルRISにより駆動される双安定リレーの接点部は
省略しである。
T8は第1の半導体スイッチであるnpn)ランジスタ
で、励磁コイルR1sとコンデンサC1の直列回路の両
端にそれぞれ接続しである。
で、励磁コイルR1sとコンデンサC1の直列回路の両
端にそれぞれ接続しである。
T9はダイオードD1の前段に介挿された第2の半導体
スイッチであるpnp)ランジスタで、第1の半導体ス
イッチT8に対しその動作において相補的に接続されて
いる。また、後述する2個の分圧素子からなる分圧器が
励磁電源Uに並列に接続されており、その接続点に各ト
ランジスタT8、T9の制御端子であるベースが接続さ
れている。前述のその動作において相補的にとは、励磁
電源Uの電圧が双安定リレーの動作電圧以上になったと
き、第2のトランジスタT9が導通状態に、第1のトラ
ンジスタT8が阻止状態になってコンデンサC1の充電
電流が励磁コイルR1sを流れ、一方励磁電源Uの電圧
が双安定リレーの動作電圧以下になったとき1、第2の
トランジスタT9が阻止状態に、第1のトランジスタT
8が導通状態になってコンデンサC1の放電電流が逆方
向に励磁コイルR1sを流れるように動作することで、
その動作を保証するべく分圧器の接続点の電位が選定さ
れる。R8,R9は、各トランジスタT8、T9のベー
スと分圧器の接続点に接続されるベース抵抗である。
スイッチであるpnp)ランジスタで、第1の半導体ス
イッチT8に対しその動作において相補的に接続されて
いる。また、後述する2個の分圧素子からなる分圧器が
励磁電源Uに並列に接続されており、その接続点に各ト
ランジスタT8、T9の制御端子であるベースが接続さ
れている。前述のその動作において相補的にとは、励磁
電源Uの電圧が双安定リレーの動作電圧以上になったと
き、第2のトランジスタT9が導通状態に、第1のトラ
ンジスタT8が阻止状態になってコンデンサC1の充電
電流が励磁コイルR1sを流れ、一方励磁電源Uの電圧
が双安定リレーの動作電圧以下になったとき1、第2の
トランジスタT9が阻止状態に、第1のトランジスタT
8が導通状態になってコンデンサC1の放電電流が逆方
向に励磁コイルR1sを流れるように動作することで、
その動作を保証するべく分圧器の接続点の電位が選定さ
れる。R8,R9は、各トランジスタT8、T9のベー
スと分圧器の接続点に接続されるベース抵抗である。
分圧器は、その分圧素子が抵抗10と2個のトランジス
タT7.TIOを含むシュミット−トリガの出力回路に
て構成される。このシュミット−トリガの入力側には双
安定リレーの動作電圧を決定する比較電圧が与えられる
。すなわち、抵抗15とツェナーダイオードZD3が励
磁電源Uに並列接続°され、その接続点にトランジスタ
T7のベースが接続されることにより、ツェナーダイオ
ードZD3のしきい値が比較電圧となる。R11゜R1
2,R13及びR14は抵抗、C3は励磁電圧の激しい
変化があってもシュミット−トリガが誤動作しないよう
、励磁電源Uに並列接続されたコンデンサである。D3
はコンデンサCIが不本意に充電されるのを防ぐための
、D4.D5はトランジスタTIOが導通状態になった
場合にトランジスタT8を確実に阻止状態であるように
するためのダイオードである。
タT7.TIOを含むシュミット−トリガの出力回路に
て構成される。このシュミット−トリガの入力側には双
安定リレーの動作電圧を決定する比較電圧が与えられる
。すなわち、抵抗15とツェナーダイオードZD3が励
磁電源Uに並列接続°され、その接続点にトランジスタ
T7のベースが接続されることにより、ツェナーダイオ
ードZD3のしきい値が比較電圧となる。R11゜R1
2,R13及びR14は抵抗、C3は励磁電圧の激しい
変化があってもシュミット−トリガが誤動作しないよう
、励磁電源Uに並列接続されたコンデンサである。D3
はコンデンサCIが不本意に充電されるのを防ぐための
、D4.D5はトランジスタTIOが導通状態になった
場合にトランジスタT8を確実に阻止状態であるように
するためのダイオードである。
(動作)
図の状態では、スイッチSが開き励磁電源Uが切断され
ているので、励磁コイルR13は励磁されす、従って双
安定リレーは常規位置にある。
ているので、励磁コイルR13は励磁されす、従って双
安定リレーは常規位置にある。
この状態でスイッチSを閉じそして励磁電圧が上昇し、
トランジスタT7のベース−エミッタ間の電圧降下と抵
抗R14の電圧降下の和がツェナーダイオードZD3の
しきい値を越えると、ツェナーダイオードZD3が導通
状態になってトランジ、lT7のベース電流がバイパス
され、従ってトランジスタT7は阻止状態に、トランジ
スタT10は導通状態になる。このシュミット−トリガ
の第1の切り換え点において、分圧器の接続点はトラン
ジスタT8.T9のエミ・ツタより負の方向
・:に高い電位をもつ。このことにより、トランジスタ
T9は導通状態に、トランジスタT8は阻止状態になり
、その結果電流はトランジスタT9及びダイオードD1
を介し励磁コイルR13及びコンデンサC1に流れ、従
って、コンデンサC1の充電電流により励磁コイルR1
sが励磁されて双安定リレーは作動位置に駆動される。
トランジスタT7のベース−エミッタ間の電圧降下と抵
抗R14の電圧降下の和がツェナーダイオードZD3の
しきい値を越えると、ツェナーダイオードZD3が導通
状態になってトランジ、lT7のベース電流がバイパス
され、従ってトランジスタT7は阻止状態に、トランジ
スタT10は導通状態になる。このシュミット−トリガ
の第1の切り換え点において、分圧器の接続点はトラン
ジスタT8.T9のエミ・ツタより負の方向
・:に高い電位をもつ。このことにより、トランジスタ
T9は導通状態に、トランジスタT8は阻止状態になり
、その結果電流はトランジスタT9及びダイオードD1
を介し励磁コイルR13及びコンデンサC1に流れ、従
って、コンデンサC1の充電電流により励磁コイルR1
sが励磁されて双安定リレーは作動位置に駆動される。
この状態でスイッチSを開いて励磁電源Uを切断するか
あるいは励磁電圧が低下し、トランジスタT7のベース
−エミッタ間の電圧降下と抵抗R14の電圧降下の和が
ツェナーダイオードZD3のしきい値より低くなった場
合には第2の切り換え点が得られる。それにより、再び
トランジスタT7は導通状態に、トランジスタTIOは
阻止状態になり、このことによりトランジスタT9は阻
止状態に、トランジスタT8は導通状態になり、その結
果コンデンサC1に充電されていた電荷が放電電流とし
て励磁コイルR1s、ダイオードD3、トランジスタT
8及びダイオードD4.D5に流れ、従って、励磁コイ
ルR1sが逆方向に励磁され、双安定リレーが常規位置
に復帰駆動せしめられる。
あるいは励磁電圧が低下し、トランジスタT7のベース
−エミッタ間の電圧降下と抵抗R14の電圧降下の和が
ツェナーダイオードZD3のしきい値より低くなった場
合には第2の切り換え点が得られる。それにより、再び
トランジスタT7は導通状態に、トランジスタTIOは
阻止状態になり、このことによりトランジスタT9は阻
止状態に、トランジスタT8は導通状態になり、その結
果コンデンサC1に充電されていた電荷が放電電流とし
て励磁コイルR1s、ダイオードD3、トランジスタT
8及びダイオードD4.D5に流れ、従って、励磁コイ
ルR1sが逆方向に励磁され、双安定リレーが常規位置
に復帰駆動せしめられる。
かかるスイッチ回路にあっては、双安定リレーが作動位
置に駆動されているとき、すなわちトランジスタT8が
阻止状態にあるときに、励磁電源Uにパルス状のノイズ
が混入したとしても、トランジスタT7が極く短時間導
通状態になるものの、ノイズの消滅とともに直ちに阻止
状態に戻るので、これによって双安定リレーが常規位置
に復帰駆動するには至らない。
置に駆動されているとき、すなわちトランジスタT8が
阻止状態にあるときに、励磁電源Uにパルス状のノイズ
が混入したとしても、トランジスタT7が極く短時間導
通状態になるものの、ノイズの消滅とともに直ちに阻止
状態に戻るので、これによって双安定リレーが常規位置
に復帰駆動するには至らない。
また、励磁電源Uの電圧波形が勾配を有するもの、例え
ば台形波であっても、ツェナーダイオードZD3のしき
い値によってシュミット−トリガが制御されるので、こ
のしきい値より低い電圧による励磁コイルR1sを駆動
し得ない電流でコンデンサC1を充電することがない。
ば台形波であっても、ツェナーダイオードZD3のしき
い値によってシュミット−トリガが制御されるので、こ
のしきい値より低い電圧による励磁コイルR1sを駆動
し得ない電流でコンデンサC1を充電することがない。
従って、レヘルセンサの検出電圧を励磁電圧とすること
もできる。
もできる。
なお、ダイオードD1の替わりに抵抗エレメントとして
抵抗を使用することもできる。しかしながら、この場合
若干電圧降下の影響を受けるのでダイオードDIの方が
望ましい。
抵抗を使用することもできる。しかしながら、この場合
若干電圧降下の影響を受けるのでダイオードDIの方が
望ましい。
[発明の効果]
本発明によれば、制御信号源や複雑な評価回路を不要と
し、しかも誤動作が起こりにくく、そのうえ励磁電源の
電圧波形が勾配を有するものであっても確実なリレー動
作を行う双安定リレーを用いたスイッチ回路が得られる
。
し、しかも誤動作が起こりにくく、そのうえ励磁電源の
電圧波形が勾配を有するものであっても確実なリレー動
作を行う双安定リレーを用いたスイッチ回路が得られる
。
第1図は、本発明の一実施例を示す回路図である。
R15−・−励磁コイル、01−コンデンサ、Dl。
−・−ダイオード(抵抗エレメント)、T8、T9−
トランジスタ(第1.第2の半導体スイッチ) 、T7
.Tl 0−)−ランジスタ(シェミットートリガ)、
RIO−分圧器の一方の抵抗、ZD3−ツェナーダイオ
ード、U−励磁電源、S−m−スイッチ。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹光 敏丸 (ほか2名) 第1図
トランジスタ(第1.第2の半導体スイッチ) 、T7
.Tl 0−)−ランジスタ(シェミットートリガ)、
RIO−分圧器の一方の抵抗、ZD3−ツェナーダイオ
ード、U−励磁電源、S−m−スイッチ。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹光 敏丸 (ほか2名) 第1図
Claims (1)
- (1)双安定リレーの励磁コイルをコンデンサと抵抗エ
レメントを介して励磁電源に直列接続し、第1の半導体
スイッチを前記励磁コイルとコンデンサの直列回路に並
列接続し、前記抵抗エレメントの前段に前記第1の半導
体スイッチに対しその動作において相補的な第2の半導
体スイッチを介挿し、抵抗とシュミット−トリガの出力
回路からなる分圧器を前記励磁電源に並列接続し、しか
も該シュミット−トリガの入力側には双安定リレーの動
作電圧を決定する比較電圧が与えられ、前記第1、第2
の半導体スイッチの制御端子が前記分圧器の接続点に接
続されてなる双安定リレーを用いたスイッチ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27120484A JPS61107626A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 双安定リレ−を用いたスイツチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27120484A JPS61107626A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 双安定リレ−を用いたスイツチ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61107626A true JPS61107626A (ja) | 1986-05-26 |
| JPH0317337B2 JPH0317337B2 (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=17496795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27120484A Granted JPS61107626A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 双安定リレ−を用いたスイツチ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61107626A (ja) |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP27120484A patent/JPS61107626A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0317337B2 (ja) | 1991-03-07 |
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