JPS61109049A - 新規なフオトレジスト組成物 - Google Patents
新規なフオトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPS61109049A JPS61109049A JP23098984A JP23098984A JPS61109049A JP S61109049 A JPS61109049 A JP S61109049A JP 23098984 A JP23098984 A JP 23098984A JP 23098984 A JP23098984 A JP 23098984A JP S61109049 A JPS61109049 A JP S61109049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist composition
- formulas
- photoabsorbent
- aryl group
- baking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の分野」
本発明はフォトレジストに添加する化合物及びそれを含
有してなるフォトレジスト組成物に関するものであシ、
更に詳しくは高温下でのブリベーキングやポストベーキ
ングによってもその性能を維持する新規なフォトレジス
ト組成物に関する。
有してなるフォトレジスト組成物に関するものであシ、
更に詳しくは高温下でのブリベーキングやポストベーキ
ングによってもその性能を維持する新規なフォトレジス
ト組成物に関する。
「従来の技術」
半導体、ＩＣ，ＬＳＩの電子部品は光学的手段によって
任意の回路パターンを描画しであるマスクを介してレジ
ストに露光し、現像してその基板をエツチングする方法
で製造されている。近年、集積回路の高集積化に伴い、
パターンの微細化が進められてきた。そのためにレジス
トには微細パターンを精度よく形成することが望まれて
いる。
任意の回路パターンを描画しであるマスクを介してレジ
ストに露光し、現像してその基板をエツチングする方法
で製造されている。近年、集積回路の高集積化に伴い、
パターンの微細化が進められてきた。そのためにレジス
トには微細パターンを精度よく形成することが望まれて
いる。
しかしながら上記の方法では露光する光の回折や、下層
のシリコン基板の表面からの光の散乱や反射によって、
レジスト像の解像力は著しるしく影響をうける。特にシ
リコンウェハーの表面にアルミニュウムを蒸着した基板
を用いる場合はアルミニウム表面の光の反射率が高く、
従ってハレーション光も大きくなるので表面の平坦な部
分ばかりでなく基板に段差がある場合にはその部分で乱
反射がおこシ数μｍの細い線幅パターンを正確に再現す
ることが困難になるという欠点がめった。
のシリコン基板の表面からの光の散乱や反射によって、
レジスト像の解像力は著しるしく影響をうける。特にシ
リコンウェハーの表面にアルミニュウムを蒸着した基板
を用いる場合はアルミニウム表面の光の反射率が高く、
従ってハレーション光も大きくなるので表面の平坦な部
分ばかりでなく基板に段差がある場合にはその部分で乱
反射がおこシ数μｍの細い線幅パターンを正確に再現す
ることが困難になるという欠点がめった。
このハレーションを防止する方法として特公昭ｊ１−３
７６４２号のようにレジスト中に光吸収性材料を添加す
る技術が知られている。
７６４２号のようにレジスト中に光吸収性材料を添加す
る技術が知られている。
しかしながら溶剤型のレジストを用いる場合塗布したレ
ジストをブリベーキングして残留溶剤をなくす必要があ
るが吸光剤によってはブリベーキング中に昇華して濃度
が下シ満足な光吸収能が得られなかったシ、保存中に吸
光剤が析出したシして効果にバラツキを生じるという欠
点があった。
ジストをブリベーキングして残留溶剤をなくす必要があ
るが吸光剤によってはブリベーキング中に昇華して濃度
が下シ満足な光吸収能が得られなかったシ、保存中に吸
光剤が析出したシして効果にバラツキを生じるという欠
点があった。
更にこれらの欠点を改良する目的で吸光剤の検討が行わ
れ、特開昭Ｊ−３−３６７３７号や同！？−／７４ｔ？
４ｔ／号に見られるようなフェニルアゾベンゼン誘導体
が提唱されている。若干の効果がみられるもののこれら
の化合物はブリベーキングやポストベーキングの温度を
上げたりすると耐昇華性の点では不充分であることや保
存中に吸光剤が析出するという欠点がを、つた。
れ、特開昭Ｊ−３−３６７３７号や同！？−／７４ｔ？
４ｔ／号に見られるようなフェニルアゾベンゼン誘導体
が提唱されている。若干の効果がみられるもののこれら
の化合物はブリベーキングやポストベーキングの温度を
上げたりすると耐昇華性の点では不充分であることや保
存中に吸光剤が析出するという欠点がを、つた。
本発明者らは上記した従来技術の欠点を克服すべく検討
した結果本発明を完成するに至った。
した結果本発明を完成するに至った。
「発明が解決しようとする問題点」
本発明の目的は高温下でのブリベーキングやポストベー
キングによっても昇華せず、溶剤も含まない微細加工用
のフォトレジスト組成物を提供することにある。
キングによっても昇華せず、溶剤も含まない微細加工用
のフォトレジスト組成物を提供することにある。
また本発明の目的はレジストと相溶性がよく、吸光剤が
保存中に析出しない微細加工用フォトレジスト組成物を
提供することにある。
保存中に析出しない微細加工用フォトレジスト組成物を
提供することにある。
「問題点を解決するための手段」
本発明は下記一般式〔Ｉ〕で示される化合物の少くとも
一種をフォトレジスト中に含有することによシ達成され
た。
一種をフォトレジスト中に含有することによシ達成され
た。
式中、ＲＩＲ２は水素原子、炭素数７〜２０の置換もし
くは未置換のアルキル基、炭素数ｄ−２０の置換もしく
は未置換のアリール基であ’）、Ｒ１とＲ２で環（例え
ばピペリジン環、モルホリン環、など）を形成してもよ
い。但し、ＲＩ Ｒ２がともに水素原子であることはな
い。Ｒ３、Ｒ４はジアジ、Ｒ５Ｎ Ｒ６は炭素数／〜コ
Ｏの置換もしくは未置換のアルキル基、炭素数６〜．２
０の置換もしくは未置換のアリール基を表わす。またＲ
３とＲ４で！ないし乙員環（例えばジメゾン、バルビッ
ルａ、’ ＋ ２−ジアザ−３、ｊ−ジオキサシクロペ
ンタンなど）を形成してもよい。ｎは／またはコでｎ＝
コのとき、ＲＩ Ｒ２Ｒ５のいずれかがアルキレンかア
リーレンでビス体を形成する。
くは未置換のアルキル基、炭素数ｄ−２０の置換もしく
は未置換のアリール基であ’）、Ｒ１とＲ２で環（例え
ばピペリジン環、モルホリン環、など）を形成してもよ
い。但し、ＲＩ Ｒ２がともに水素原子であることはな
い。Ｒ３、Ｒ４はジアジ、Ｒ５Ｎ Ｒ６は炭素数／〜コ
Ｏの置換もしくは未置換のアルキル基、炭素数６〜．２
０の置換もしくは未置換のアリール基を表わす。またＲ
３とＲ４で！ないし乙員環（例えばジメゾン、バルビッ
ルａ、’ ＋ ２−ジアザ−３、ｊ−ジオキサシクロペ
ンタンなど）を形成してもよい。ｎは／またはコでｎ＝
コのとき、ＲＩ Ｒ２Ｒ５のいずれかがアルキレンかア
リーレンでビス体を形成する。
次に本発明に用いられる化合物の具体例を示すが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
明はこれらに限定されるものではない。
λｍａｘ（ｎｍ）
Ｊ ７ｊ （ＭｅＯＨ）
Ｊ？ｊ （ＭｅＯＨ）
３４９ （ＡｃＱＥｔ）
３ｙｒ （ＭｅＱＨ）
ＪｊｒＯ（ｋｃＱＢｔ）
３／ｌ（λｃ ＯＲｔ ）
３♂タ （ＡｃＯＥｔ）
３７４ｔ（ＭｅＯＨ）
３ｖｙ （ＭｅＯＨ）
３♂ｒ （ＭｅＯＨ）
Ｃ２Ｈ５
３り４ｔ （ＡｃＯＢｔ）
３１１ （ＡｃＯＢｔ）
本発明の化合物は特公昭！？−λ４０／４号、同！７−
／り７４／号等に記載された方法で容易に合成されるる
。
／り７４／号等に記載された方法で容易に合成されるる
。
上記一般式〔Ｉ〕で表わされる本発明の化合物はフォト
レジスト組成物中に０．／−一０重量％添加することが
できる更に好ましくはθ、ｊ−／！重量％添加すること
が望ましいＯまた添加方法はフォトレジスト組成物中に
直接添加してもよいし、フォトレジストの溶剤中にあら
かじめ溶解したのちフォトレジスト組成物中へ添加して
もよいＯ本発明に用いられるフォトレジスト組成物の基
材となるフォトレジストとしては環化ゴムとビスアジド
を主成分とするゴム系フォトレジスト、フェノール及び
、またはクレゾールノボラック樹脂と少くとも７個の０
−キノンジアジド化合物を含ムホジ型レジスト、あるい
はポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプロペ
ニルケトン、ポリグリシジルメタクリレートを主成分と
するディープＵＶレジストなどがあげられる。
レジスト組成物中に０．／−一０重量％添加することが
できる更に好ましくはθ、ｊ−／！重量％添加すること
が望ましいＯまた添加方法はフォトレジスト組成物中に
直接添加してもよいし、フォトレジストの溶剤中にあら
かじめ溶解したのちフォトレジスト組成物中へ添加して
もよいＯ本発明に用いられるフォトレジスト組成物の基
材となるフォトレジストとしては環化ゴムとビスアジド
を主成分とするゴム系フォトレジスト、フェノール及び
、またはクレゾールノボラック樹脂と少くとも７個の０
−キノンジアジド化合物を含ムホジ型レジスト、あるい
はポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプロペ
ニルケトン、ポリグリシジルメタクリレートを主成分と
するディープＵＶレジストなどがあげられる。
本発明の化合物はキシレン、エチルセロソルブ、シクロ
ヘキサノン、セロソルブアセテート、ブチ・ルアセテー
ト等の有機溶剤に容易に溶解し、ゴム系フォトレジスト
、ポジ型フォトレジスト、ディープＵＶレジストに対す
る相溶性もよく更に高温下のベーキングによっても昇華
性を示さないので、これらを添加した場合、優れたハレ
ーション防止効果によって、再現性よく微細パターンを
得ることができる。従って本発明の化合物を用いればプ
リベーキングによって溶剤を完全に除去できるので、残
留溶剤によるレジスト被膜の均一性をそこなうこともな
いし、プリベーキング後に長時間保存しても化合物の析
出がなく被膜の不均一化をさけることができる０ 「実施例」 次に本発明の実施例をあげて詳細に説明するが、本発明
はこれらに限定されるものではないＯ。
ヘキサノン、セロソルブアセテート、ブチ・ルアセテー
ト等の有機溶剤に容易に溶解し、ゴム系フォトレジスト
、ポジ型フォトレジスト、ディープＵＶレジストに対す
る相溶性もよく更に高温下のベーキングによっても昇華
性を示さないので、これらを添加した場合、優れたハレ
ーション防止効果によって、再現性よく微細パターンを
得ることができる。従って本発明の化合物を用いればプ
リベーキングによって溶剤を完全に除去できるので、残
留溶剤によるレジスト被膜の均一性をそこなうこともな
いし、プリベーキング後に長時間保存しても化合物の析
出がなく被膜の不均一化をさけることができる０ 「実施例」 次に本発明の実施例をあげて詳細に説明するが、本発明
はこれらに限定されるものではないＯ。
実施例／
ノボラック樹脂と少なくとも１個の０−キノンジアジド
を含むポジ型フォトレジストＨＰＲ−一〇４ｔ（商品名
、フィリップ、人、）１ント社製、固型分割合一２７
、 ／ｆＥ量Ｘ）Ｋ固型分割合に対してん一重景％の本
発明の吸光剤の具体例／とダを吸光剤として添加した２
種の７オトレジストを調整した。これをアルミ蒸着をし
た７インチシリコンウェハーに膜厚が７．０μｍになる
ようにスピナーで回転塗布（２ｏｏｏ ｒ、ｐ、ｍ、ａ
ｏ秒）Ｉ。
を含むポジ型フォトレジストＨＰＲ−一〇４ｔ（商品名
、フィリップ、人、）１ント社製、固型分割合一２７
、 ／ｆＥ量Ｘ）Ｋ固型分割合に対してん一重景％の本
発明の吸光剤の具体例／とダを吸光剤として添加した２
種の７オトレジストを調整した。これをアルミ蒸着をし
た７インチシリコンウェハーに膜厚が７．０μｍになる
ようにスピナーで回転塗布（２ｏｏｏ ｒ、ｐ、ｍ、ａ
ｏ秒）Ｉ。
Ｎ２気流下り０ ’Ｃ１３ｏ分プレベーキングｔ−行な
った。これを解像カテストノリーンを介し、光強度４’
７ Ｗ ／ ｍ ２の超高圧水銀灯を用いて露光した
後Ｐｏ５ｉｔｉｖｅ ＬＳＩ Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ
Ｍｅｔａｌ Ｉｏｎ Ｆｒｅｅ （商品名、フィリ
ップ。
った。これを解像カテストノリーンを介し、光強度４’
７ Ｗ ／ ｍ ２の超高圧水銀灯を用いて露光した
後Ｐｏ５ｉｔｉｖｅ ＬＳＩ Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ
Ｍｅｔａｌ Ｉｏｎ Ｆｒｅｅ （商品名、フィリ
ップ。
人、ハント社製）２倍希釈にＪｊＯ（’の温度で７分間
浸し現像した０形成されたノリーンは。、ｔμｆ１ｔま
でシャープに解像されておシ、またパターン側面の定在
波によるギザギザもなく、アルミ表面からのハレーショ
ン防止効果に優れていることがわかった。
浸し現像した０形成されたノリーンは。、ｔμｆ１ｔま
でシャープに解像されておシ、またパターン側面の定在
波によるギザギザもなく、アルミ表面からのハレーショ
ン防止効果に優れていることがわかった。
更に、プリベーキングの温度を変えてＵＶ−可視スペク
トロメーターを用いて吸光度を測定し吸光度比の変化を
調べた結果を第１図に示すが、変化が小さく優れたしの
であった・ 比較例１ 前記吸光剤を添加せず、他は実施例１と同様に行なった
。得られた最小パターンの線巾は０．２μｍではあるが
反射光によって生じる定在波によるものと思われる）に
ターン側面のギザギザが見られた。
トロメーターを用いて吸光度を測定し吸光度比の変化を
調べた結果を第１図に示すが、変化が小さく優れたしの
であった・ 比較例１ 前記吸光剤を添加せず、他は実施例１と同様に行なった
。得られた最小パターンの線巾は０．２μｍではあるが
反射光によって生じる定在波によるものと思われる）に
ターン側面のギザギザが見られた。
比較例２
実施例１の本“発明の化合物の代り−こｏｉｌｙｅｌｌ
ｏｗ （商品名、 同様にしてフォトレジ２）を調整し、実施例！と同様に
プリベーキングの温度を変えたときの吸光゛度比の変化
を第１図に示す。第７図から明らかな様に、プリベーキ
ングの温度が高いと吸光度比の低下が大きかった＠ 実施例２ クレゾール−ホルマリンノボラック樹脂（ｍ−クレゾー
ル／ｐ−クレゾール比＝ｊ夕／４ｔｊ）の２−エトキシ
エチルエーテル溶液（固型分割合３２゜０重量％）に固
型分に対して／、１重量％のｏｉｌ−ｙｅ ｌ ｌ ｏ
ｗと本発明の具体例／４ｔの吸光剤をそれぞれ添加し、
青板ガラス基板に回転塗布（ａｏｏ。
ｏｗ （商品名、 同様にしてフォトレジ２）を調整し、実施例！と同様に
プリベーキングの温度を変えたときの吸光゛度比の変化
を第１図に示す。第７図から明らかな様に、プリベーキ
ングの温度が高いと吸光度比の低下が大きかった＠ 実施例２ クレゾール−ホルマリンノボラック樹脂（ｍ−クレゾー
ル／ｐ−クレゾール比＝ｊ夕／４ｔｊ）の２−エトキシ
エチルエーテル溶液（固型分割合３２゜０重量％）に固
型分に対して／、１重量％のｏｉｌ−ｙｅ ｌ ｌ ｏ
ｗと本発明の具体例／４ｔの吸光剤をそれぞれ添加し、
青板ガラス基板に回転塗布（ａｏｏ。
ｒ −ｐ ＊ ｒｒｌ ｅ Ｊ ０秒、／、！Ａｍ）を
した。これらをＮｚ気流下／ＪＯ’Ｃでベーキングし、
ＵＶ−可視スにクトロメーターを用いて、吸光度比の経
時変化を測定した。その結果を第２図に示す〇本発明の
化合物は７．２０分間のベーキングでもほとんど昇華が
おこらず従来品であるｏｉｌ ｙｅｌｌ −ＯＷと比較
して明らかに耐昇華性に優れている０゛不発明の化合物
はブレベーキング（通常りＯ。
した。これらをＮｚ気流下／ＪＯ’Ｃでベーキングし、
ＵＶ−可視スにクトロメーターを用いて、吸光度比の経
時変化を測定した。その結果を第２図に示す〇本発明の
化合物は７．２０分間のベーキングでもほとんど昇華が
おこらず従来品であるｏｉｌ ｙｅｌｌ −ＯＷと比較
して明らかに耐昇華性に優れている０゛不発明の化合物
はブレベーキング（通常りＯ。
Ｃ，３０分）において吸光剤の昇華によるノ・レーショ
ン防由効果の低下及びばらつきがなくきわめて安定性に
優れている。またパターン形成後のポストベーキング（
通常／３０”Ｃ，３０分）においても昇華はほとんどな
くノ署ターンへの悪影響もなかった・ 実施例３ 実施例２の方法において、吸光剤を変える他は実施例２
と同様にして種々の吸光剤をテストした・その結果を第
１表に示す＠ 第１表 この結果より明らかなように本発明の吸光剤は比較例（
ｏｉｌ ｙｅｌｌｏｗ）に比べて格段に耐昇華性に於
いてすぐわている・
ン防由効果の低下及びばらつきがなくきわめて安定性に
優れている。またパターン形成後のポストベーキング（
通常／３０”Ｃ，３０分）においても昇華はほとんどな
くノ署ターンへの悪影響もなかった・ 実施例３ 実施例２の方法において、吸光剤を変える他は実施例２
と同様にして種々の吸光剤をテストした・その結果を第
１表に示す＠ 第１表 この結果より明らかなように本発明の吸光剤は比較例（
ｏｉｌ ｙｅｌｌｏｗ）に比べて格段に耐昇華性に於
いてすぐわている・
第１図はベーキング時間３０分における、ベーキング温
度と吸光度比の関係を示す。 第２図はベーキング温度／３０°Ｃにおける、ベーキン
グ時間と吸光度比の関係を示す。 第１図にぢいて、Ｏは化合物例／、Δは化合物例４、口
はｏｉｌ ｙｅｌｌｏｗを示し、第２図において・は
化合物例／グ、ｎはｏｉｌ ｙｅｌｌｏｗを示す〇特
許出願人 富士写真フィルム株式会社第１図 ベールシブ″”４ｊｔ＜’ｂ＞ 第２図 に−〜シワ“ｌＩ奇＾ｊ（カ） 手続補正書 昭和ｊり年り２月／’７日
度と吸光度比の関係を示す。 第２図はベーキング温度／３０°Ｃにおける、ベーキン
グ時間と吸光度比の関係を示す。 第１図にぢいて、Ｏは化合物例／、Δは化合物例４、口
はｏｉｌ ｙｅｌｌｏｗを示し、第２図において・は
化合物例／グ、ｎはｏｉｌ ｙｅｌｌｏｗを示す〇特
許出願人 富士写真フィルム株式会社第１図 ベールシブ″”４ｊｔ＜’ｂ＞ 第２図 に−〜シワ“ｌＩ奇＾ｊ（カ） 手続補正書 昭和ｊり年り２月／’７日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式〔 I 〕の化合物を少くとも一種含有することを
特徴とするフォトレジスト組成物。 一般式〔 I 〕▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２は水素原子、炭素数１〜２０の置
換もしくは未置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換
もしくは未置換のアリール基でＲ＿１とＲ＿２で環を形
成してもよい。但しＲ＿１Ｒ＿２がともに水素原子であ
ることはない。Ｒ＿３、Ｒ＿４はシアノ基、▲数式、化
学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
ます▼、−ＳＯ＿２Ｒ＿５、▲数式、化学式、表等があ
ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼で表わさ
れる基であり、 Ｒ＿５、Ｒ＿６は炭素数１〜２０の置換もしくは未置換
のアルキル基、炭素数６〜２０の置換もしくは未置換の
アリール基を表わす。Ｒ＿３、Ｒ＿４で５ないし６員環
を形成してもよい。ｎは１または２でｎ＝２のときＲ＿
１、Ｒ＿２、Ｒ＿５のいずれかがアルキレンかアリーレ
ンでビス体を形成する。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23098984A JPS61109049A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 新規なフオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23098984A JPS61109049A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 新規なフオトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61109049A true JPS61109049A (ja) | 1986-05-27 |
Family
ID=16916487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23098984A Pending JPS61109049A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 新規なフオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61109049A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1306410A1 (en) | 2001-10-25 | 2003-05-02 | Eastman Kodak Company | Laser thermal imaging process, dye, and thermal recording element |
| JP2009265642A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Fujifilm Corp | 感光性透明樹脂組成物、カラーフィルタの製造方法及びカラーフィルター |
-
1984
- 1984-11-01 JP JP23098984A patent/JPS61109049A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1306410A1 (en) | 2001-10-25 | 2003-05-02 | Eastman Kodak Company | Laser thermal imaging process, dye, and thermal recording element |
| JP2009265642A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Fujifilm Corp | 感光性透明樹脂組成物、カラーフィルタの製造方法及びカラーフィルター |
| US8883376B2 (en) | 2008-03-31 | 2014-11-11 | Fujifilm Corporation | Photosensitive transparent resin composition, production method of color filter, and color filter |
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