JPS61114449A - 電子銃 - Google Patents
電子銃Info
- Publication number
- JPS61114449A JPS61114449A JP59235831A JP23583184A JPS61114449A JP S61114449 A JPS61114449 A JP S61114449A JP 59235831 A JP59235831 A JP 59235831A JP 23583184 A JP23583184 A JP 23583184A JP S61114449 A JPS61114449 A JP S61114449A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- electron beam
- annealing
- target
- wehnelt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
- H01J37/065—Construction of guns or parts thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は均一なアニールを行なうのに適した電子ビーム
アニール用電子銃に関する。
アニール用電子銃に関する。
［従来の技術］
素子を積層して高速、高密度或いは多機能を有する三次
元回路素子等の実現に絶縁膜上に堆積された多結晶物質
（例、多結晶シリコン）の結晶粒子径の増大成いは多結
晶物質の単結晶化が最も重要視されている。最近、この
様な結晶粒子径の増大化や単結晶化に最も有効な技術と
して、電子線アニールが注目されている。該電子線アニ
ールとは、一般的には、電子線を、例えば、多結晶シリ
コン上で集束させると同時に該シリコン上で走査させア
ニールを行なうものである。さて、この様な電子アニー
ルで使用する電子線として断面形状がスポット状のもの
を使用すると、アニールの能率が著しく悪い等の理由か
ら、断面形状がライン状に近い長方形状のものが使用さ
れている。
元回路素子等の実現に絶縁膜上に堆積された多結晶物質
（例、多結晶シリコン）の結晶粒子径の増大成いは多結
晶物質の単結晶化が最も重要視されている。最近、この
様な結晶粒子径の増大化や単結晶化に最も有効な技術と
して、電子線アニールが注目されている。該電子線アニ
ールとは、一般的には、電子線を、例えば、多結晶シリ
コン上で集束させると同時に該シリコン上で走査させア
ニールを行なうものである。さて、この様な電子アニー
ルで使用する電子線として断面形状がスポット状のもの
を使用すると、アニールの能率が著しく悪い等の理由か
ら、断面形状がライン状に近い長方形状のものが使用さ
れている。
第４図（ａ ）は断面形状がライン状長方形の電子線を
発生する電子銃を示したものである。図中１はカソード
で、例えば、タングステン線をコの字状に形成し、両端
部を端子電極２ａ、２ｂに取付けたものでる。３はウェ
ネルトで、第４図（ｂ）に示す様に、前記カソードの電
子放出面の形状に合せて、略長方形状の電子線通過０３
日が開けられている。４はアノードである。この様な電
子銃において、前記電極に電流を流すとカソード１の電
子放出面から電子が発生する。この時、該カソードとウ
ェネルト３の間には負の直流バイアス電圧が、該カソー
ドとアノード４の間には負の直流高電圧が夫々印加され
ると、前記電子放出面から第５図に示すように、その長
手方向に沿って一様な分布で電子線が発生し、該発生し
た電子線がターゲット（図示せず）方向に向う。
発生する電子銃を示したものである。図中１はカソード
で、例えば、タングステン線をコの字状に形成し、両端
部を端子電極２ａ、２ｂに取付けたものでる。３はウェ
ネルトで、第４図（ｂ）に示す様に、前記カソードの電
子放出面の形状に合せて、略長方形状の電子線通過０３
日が開けられている。４はアノードである。この様な電
子銃において、前記電極に電流を流すとカソード１の電
子放出面から電子が発生する。この時、該カソードとウ
ェネルト３の間には負の直流バイアス電圧が、該カソー
ドとアノード４の間には負の直流高電圧が夫々印加され
ると、前記電子放出面から第５図に示すように、その長
手方向に沿って一様な分布で電子線が発生し、該発生し
た電子線がターゲット（図示せず）方向に向う。
［発明が解決しようとする問題点］
さて、この様な電子銃から発生された断面が長方形状の
電子線を、例えば、多結晶シリコンに照射すると、実際
に７ニールされた部分は電子線が照射された部分より狭
い。
電子線を、例えば、多結晶シリコンに照射すると、実際
に７ニールされた部分は電子線が照射された部分より狭
い。
本発明はこの様な問題を解決する事を目的としたもので
、新規な電子銃を提供するものである。
、新規な電子銃を提供するものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、長方形状の電子放出部を有する電子銃におい
て、前記長方形状電子放出部の長手方向の端の部分に対
向した部分を他の部分より広くした通過部を有するウェ
ネルトを設けたものである。
て、前記長方形状電子放出部の長手方向の端の部分に対
向した部分を他の部分より広くした通過部を有するウェ
ネルトを設けたものである。
［作用］
前記従来の電子銃によるアニールの問題を考察してみる
と、次の事が分った。ターゲット上に長方形状の電子線
が当った時、該長方形断面の周辺部から熱伝導により熱
がターゲットの他の部分へ少し逃げる。特に、該長方形
状の長手方向のエッチ部からの逃げが多い。従って、タ
ーゲット上に当った電子線の周辺部の特に長手方向のエ
ッチ部の温度が他の部分に比べ温度が低くなり、その部
分のターゲットが充分に加熱されない。この為、該ター
ゲットが多結晶の場合、その部分が・充分のアニールさ
れない。
と、次の事が分った。ターゲット上に長方形状の電子線
が当った時、該長方形断面の周辺部から熱伝導により熱
がターゲットの他の部分へ少し逃げる。特に、該長方形
状の長手方向のエッチ部からの逃げが多い。従って、タ
ーゲット上に当った電子線の周辺部の特に長手方向のエ
ッチ部の温度が他の部分に比べ温度が低くなり、その部
分のターゲットが充分に加熱されない。この為、該ター
ゲットが多結晶の場合、その部分が・充分のアニールさ
れない。
そこで、電子線断面の長手方向のエッチ部の電子線強度
が他の部分より大きくなるような電子線をターゲット上
に当てるようにすれば、長手方向れるので、この様な問
題は解決される。この解決策として、長方形状電子放出
部の長手方向の端の部分に対向したウェネルトの電子線
通過口の部分を適宜広くすれば、この端部に入り込む電
気力線が該広くしだ分増加するので、該電子銃から第６
図に示す如き電子線強度分布の電子線がターゲット上に
得られる。
が他の部分より大きくなるような電子線をターゲット上
に当てるようにすれば、長手方向れるので、この様な問
題は解決される。この解決策として、長方形状電子放出
部の長手方向の端の部分に対向したウェネルトの電子線
通過口の部分を適宜広くすれば、この端部に入り込む電
気力線が該広くしだ分増加するので、該電子銃から第６
図に示す如き電子線強度分布の電子線がターゲット上に
得られる。
［実施例］
第１図（ａ ）は本発明の一実施例を示した電子銃で、
該電子銃のウェネルト３−の電子線通過口３Ｈ”は第１
図（ｂ）に示す様に、長方形状の力ンード電子線放出部
１Ｇの長手方向の端の部分に対向した部分が適宜広げら
れている。この広げ方は、実験により、ターゲットで得
られる電子線強度分布を観察し乍ら適宜に決められる。
該電子銃のウェネルト３−の電子線通過口３Ｈ”は第１
図（ｂ）に示す様に、長方形状の力ンード電子線放出部
１Ｇの長手方向の端の部分に対向した部分が適宜広げら
れている。この広げ方は、実験により、ターゲットで得
られる電子線強度分布を観察し乍ら適宜に決められる。
特に、長方形断面の電子線長手方向のエッチ部によるタ
ーゲット部の温度が電子線の他の部分によるターゲット
部の温度と同一になる様な電子線強度分布になるように
ウェネルトのエッチ部の広がりが決められる。 。
ーゲット部の温度が電子線の他の部分によるターゲット
部の温度と同一になる様な電子線強度分布になるように
ウェネルトのエッチ部の広がりが決められる。 。
第３図はこの様な電子銃を使用した電子アニール装置の
概略図で、５は集束レンズ、６は偏向器、７は多結晶シ
リコンである。この様な装置において、電子銃から発生
した第６図に示す如き電子線強度分布の長方形断面を有
する電子線が、集束レンズ５によって多結晶シリコン７
上に集束される。
概略図で、５は集束レンズ、６は偏向器、７は多結晶シ
リコンである。この様な装置において、電子銃から発生
した第６図に示す如き電子線強度分布の長方形断面を有
する電子線が、集束レンズ５によって多結晶シリコン７
上に集束される。
同時に、該電子線は偏向器６により、該多結晶シリコン
７上を走査するので、該シリコンの該電子線で走査され
た部分がアニールされる。
７上を走査するので、該シリコンの該電子線で走査され
た部分がアニールされる。
前記実施例では、ウェネルトの電子線通過口のエッチ部
を適宜広くするようにしたが、第２図に示す様に、ウェ
ネルトを２つの部分３ａ 、３ｂから構成し、該２つの
部分の間を電子線を通過させるようにし、該２つの部分
の間の形状をエッチ部で適宜開くように成してもよい。
を適宜広くするようにしたが、第２図に示す様に、ウェ
ネルトを２つの部分３ａ 、３ｂから構成し、該２つの
部分の間を電子線を通過させるようにし、該２つの部分
の間の形状をエッチ部で適宜開くように成してもよい。
［効果］
本発明の如き電子銃を電子アニール装置に使用すれば、
電子線断面の端部の電流密度を大きく出来、それにより
、ラインン状電子線照射部の端部の放熱を補う事が出来
る為、ターゲット上の電子線照射部分がその侭充分アニ
ールされる。
電子線断面の端部の電流密度を大きく出来、それにより
、ラインン状電子線照射部の端部の放熱を補う事が出来
る為、ターゲット上の電子線照射部分がその侭充分アニ
ールされる。
第１図＜ａ ）は本発明の一実施例を示した電子銃、第
１図（ｂ ）は該電子銃のウェネルトの一実施例図、第
２図は本発明の電子銃のウェネルトの他の実施例図、第
３図は電子アニール装置の概略図、第４図（ａ ）は従
来の電子銃の概略図、第４図（ｂ）は該電子銃のウェネ
ルトの概略図、第５図は従来の電子銃による電子線強度
分布図、第６図は本発明の電子銃による電子線強度分布
図である。 １：カソード ３′：ウェネルト ４ニアノード
１図（ｂ ）は該電子銃のウェネルトの一実施例図、第
２図は本発明の電子銃のウェネルトの他の実施例図、第
３図は電子アニール装置の概略図、第４図（ａ ）は従
来の電子銃の概略図、第４図（ｂ）は該電子銃のウェネ
ルトの概略図、第５図は従来の電子銃による電子線強度
分布図、第６図は本発明の電子銃による電子線強度分布
図である。 １：カソード ３′：ウェネルト ４ニアノード
Claims (1)
- 長方形状の電子放出部を有する電子銃において、前記長
方形状電子放出部の長手方向の端の部分に対向した部分
を他の部分より広くした通過部を有するウエネルトを設
けた事を特徴とする電子銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235831A JPS61114449A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235831A JPS61114449A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 電子銃 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61114449A true JPS61114449A (ja) | 1986-06-02 |
| JPH0212376B2 JPH0212376B2 (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=16991903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59235831A Granted JPS61114449A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61114449A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0422053A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-27 | Hitachi Ltd | リニアフィラメント型電子銃 |
| US8304743B2 (en) | 2008-05-20 | 2012-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electron beam focusing electrode and electron gun using the same |
-
1984
- 1984-11-08 JP JP59235831A patent/JPS61114449A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0422053A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-27 | Hitachi Ltd | リニアフィラメント型電子銃 |
| US8304743B2 (en) | 2008-05-20 | 2012-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electron beam focusing electrode and electron gun using the same |
| US8912505B2 (en) | 2008-05-20 | 2014-12-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electron beam focusing electrode and electron gun using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0212376B2 (ja) | 1990-03-20 |
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