JPS61116332A - 偏光膜一体型透明導電性フイルム - Google Patents
偏光膜一体型透明導電性フイルムInfo
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- JPS61116332A JPS61116332A JP59236783A JP23678384A JPS61116332A JP S61116332 A JPS61116332 A JP S61116332A JP 59236783 A JP59236783 A JP 59236783A JP 23678384 A JP23678384 A JP 23678384A JP S61116332 A JPS61116332 A JP S61116332A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＴＮ （ツイストネマティック）型液晶表示
素子として用いるべく、ポリビニルアルコール（以下Ｐ
ＶＡと略記する）糸偏光膜の少なくとも片面の支持層と
してポリサルフォン系フィルムを用いた偏光膜一体型透
明導電性フィルムに関するものである。
素子として用いるべく、ポリビニルアルコール（以下Ｐ
ＶＡと略記する）糸偏光膜の少なくとも片面の支持層と
してポリサルフォン系フィルムを用いた偏光膜一体型透
明導電性フィルムに関するものである。
従来よｊ５ＴＮ型液晶表示素子の製造工程を簡略化し、
コストダウンをはかる目的で、偏光膜の支持層として有
機高分子フィルムを用い、その表面に透明導電性を有す
る被膜を設け、偏光膜と透明導電性フィルムとを一体穫
にすることが検討されてきた。偏光膜の支持層としては
、従来よりアセテート系、例エバトリアセテートセルロ
ースフィルム（ＴＡＣフィルム）が用いられてきたが、
一体型を考える場合、ＴＡＣフィルムは耐熱性が低いた
め高品質の透明導電性被膜を形成させるためのスパッタ
リングや真空蒸着条件、また液晶表示素子の組み立て条
件に耐えられないという欠点を有していた。また耐熱性
が低いということは、偏光膜の支持層という面からも適
当ではない。
コストダウンをはかる目的で、偏光膜の支持層として有
機高分子フィルムを用い、その表面に透明導電性を有す
る被膜を設け、偏光膜と透明導電性フィルムとを一体穫
にすることが検討されてきた。偏光膜の支持層としては
、従来よりアセテート系、例エバトリアセテートセルロ
ースフィルム（ＴＡＣフィルム）が用いられてきたが、
一体型を考える場合、ＴＡＣフィルムは耐熱性が低いた
め高品質の透明導電性被膜を形成させるためのスパッタ
リングや真空蒸着条件、また液晶表示素子の組み立て条
件に耐えられないという欠点を有していた。また耐熱性
が低いということは、偏光膜の支持層という面からも適
当ではない。
また従来、透明導電性フィルムとして検討されているポ
リエステルなどのフィルムは、その高分子特性を引き出
すために延伸配向がなされており、そのため光学異方性
を有する。この光学異方性は、光の偏光を利用している
ＴＮ型液晶表示素子には致命的欠陥となっていた。
リエステルなどのフィルムは、その高分子特性を引き出
すために延伸配向がなされており、そのため光学異方性
を有する。この光学異方性は、光の偏光を利用している
ＴＮ型液晶表示素子には致命的欠陥となっていた。
本発明者らは、従来達成することが困難でありた偏光膜
と透明導電性フィルムとを一体型にすることにより、ｍ
型液晶表示素子の製造工程の簡略化をはかり、コストを
下げることを目的として、耐熱性に優れ、かつ光学的に
等方な高分子フィルムを偏光膜の支持層として用い、そ
の表面に、透明性を有する絶縁層、および透明導電層を
順次積層することにより、ガスバリアー性、水蒸気ノ＜
リアー性およびイオンバリアー性の優れた筒型液晶表示
素子材料として用い得る偏光膜一体型透明導電性フィル
ムを提供すべく鋭意検討の結果、本発明に到達した。
と透明導電性フィルムとを一体型にすることにより、ｍ
型液晶表示素子の製造工程の簡略化をはかり、コストを
下げることを目的として、耐熱性に優れ、かつ光学的に
等方な高分子フィルムを偏光膜の支持層として用い、そ
の表面に、透明性を有する絶縁層、および透明導電層を
順次積層することにより、ガスバリアー性、水蒸気ノ＜
リアー性およびイオンバリアー性の優れた筒型液晶表示
素子材料として用い得る偏光膜一体型透明導電性フィル
ムを提供すべく鋭意検討の結果、本発明に到達した。
本発明はＰＶＡ系偏光膜の少なくとも片面に支持層とし
て、ポリサルフォン系フィルムを積層し、該積層フィル
ムのいずれか一方の表面に透明性を有する絶縁層、およ
び透明導電性を有する被膜を順次積層したことを特徴と
する偏光膜一体型透明導電性フィルムである。
て、ポリサルフォン系フィルムを積層し、該積層フィル
ムのいずれか一方の表面に透明性を有する絶縁層、およ
び透明導電性を有する被膜を順次積層したことを特徴と
する偏光膜一体型透明導電性フィルムである。
本発明で使用するＰＶＡ系偏光膜は例えば米国特許第２
３０６１０８号、第２４５４５１５号又は第２５４４６
５９号明細書に記載された方法で得られたものであシ、
少なくとも１２０℃×２時間以上の耐熱性を有する２色
性染料で染色されたものである。
３０６１０８号、第２４５４５１５号又は第２５４４６
５９号明細書に記載された方法で得られたものであシ、
少なくとも１２０℃×２時間以上の耐熱性を有する２色
性染料で染色されたものである。
偏光膜の支持層としては、透明性が良く、光学的に等方
性であり、且耐熱性に優れた、更に、詳しくは複屈折が
位相差にして４０度以内であり、星光弾性常数が２．
Ｏｔｒａｎ ／ ｋｇ以下であり、更に２００℃におけ
る熱収縮率が５チ以下である高分子フィルムが適してお
シ、具体的には、ポリサルフォン、ポリアリルサル７オ
ン、ポリアリルサル７オン等のポリサルフォン系フィル
ムを用いることによシ一体型にできる。特に、その特性
に優れたポリアリルサル７オン（以下ＰＥＳと略記する
）フィルムを用いることが望ましい。ポリサルフォン系
フィルムはｍ型液晶表示素子用透明電極として必要な透
明性、機械的強度、耐エツチング性、および耐溶剤性を
備えている。またガラス転移点Ｔｇ＝１５０℃以上と高
いため、ＰＶＡ （Ｔｇ＝ １００ ’Ｃ以下）偏光膜
の少なくとも片面に貼ることにより、偏光性能の劣化防
止となる。
性であり、且耐熱性に優れた、更に、詳しくは複屈折が
位相差にして４０度以内であり、星光弾性常数が２．
Ｏｔｒａｎ ／ ｋｇ以下であり、更に２００℃におけ
る熱収縮率が５チ以下である高分子フィルムが適してお
シ、具体的には、ポリサルフォン、ポリアリルサル７オ
ン、ポリアリルサル７オン等のポリサルフォン系フィル
ムを用いることによシ一体型にできる。特に、その特性
に優れたポリアリルサル７オン（以下ＰＥＳと略記する
）フィルムを用いることが望ましい。ポリサルフォン系
フィルムはｍ型液晶表示素子用透明電極として必要な透
明性、機械的強度、耐エツチング性、および耐溶剤性を
備えている。またガラス転移点Ｔｇ＝１５０℃以上と高
いため、ＰＶＡ （Ｔｇ＝ １００ ’Ｃ以下）偏光膜
の少なくとも片面に貼ることにより、偏光性能の劣化防
止となる。
ポリサルフォン系フィルムを用いた液晶表示素子の欠点
として、水蒸気透過性が大きい、イオン物質が移行する
或いは耐候性が不充分であるといった問題があるが、フ
ィルム表面に透明性を有する絶縁層ｔ−積層することに
よシ改善できる。その絶縁層としては、５１０ｘ （ｘ
＝ １〜２ ） 、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｍ２Ｏ３、
Ｔａ２０５、Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＯ２、ＺｎＯの透明金属
酸化物群から少なくとも一種が選ばれる。これらの金属
酸化物層の厚さは特に限定しないが１００〜へ０００人
の範囲が好ましい。厚さが１００λ未満では連続的な膜
を形成しＫ〈＼、水蒸気透過の防止、イオン物質移行の
防止及び充分な耐候性の付与は行ない難い。又、５ｏｏ
ｏ人を越えた厚さでは金属酸化物層にクラックが入った
りして好ましくない。
として、水蒸気透過性が大きい、イオン物質が移行する
或いは耐候性が不充分であるといった問題があるが、フ
ィルム表面に透明性を有する絶縁層ｔ−積層することに
よシ改善できる。その絶縁層としては、５１０ｘ （ｘ
＝ １〜２ ） 、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｍ２Ｏ３、
Ｔａ２０５、Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＯ２、ＺｎＯの透明金属
酸化物群から少なくとも一種が選ばれる。これらの金属
酸化物層の厚さは特に限定しないが１００〜へ０００人
の範囲が好ましい。厚さが１００λ未満では連続的な膜
を形成しＫ〈＼、水蒸気透過の防止、イオン物質移行の
防止及び充分な耐候性の付与は行ない難い。又、５ｏｏ
ｏ人を越えた厚さでは金属酸化物層にクラックが入った
りして好ましくない。
尚、特公昭５３−１２９５３号公報で珪素化合物の透明
薄膜層を設けた耐透気性と耐透湿性を有する透明フレキ
シブルプラスチックフィルムが報告されているが、本発
明の偏光膜一体型透明導電性フィルムとはその目的及び
構成が全く異なるものである上、珪素酸化物の取扱いに
ついても本発明では単なるガスバリヤ−性を与えるため
だけでなく、支持体側から後述する導電層側へのイオン
物質の移行を防止し又、耐候性を付与するために設けて
いるのである。さらに、偏光膜として、高ガスバリアー
性を有するＰＶＡ系のものを用いることによシ、ガスバ
リアー性の優れた一体型フィルムが得られる。
薄膜層を設けた耐透気性と耐透湿性を有する透明フレキ
シブルプラスチックフィルムが報告されているが、本発
明の偏光膜一体型透明導電性フィルムとはその目的及び
構成が全く異なるものである上、珪素酸化物の取扱いに
ついても本発明では単なるガスバリヤ−性を与えるため
だけでなく、支持体側から後述する導電層側へのイオン
物質の移行を防止し又、耐候性を付与するために設けて
いるのである。さらに、偏光膜として、高ガスバリアー
性を有するＰＶＡ系のものを用いることによシ、ガスバ
リアー性の優れた一体型フィルムが得られる。
絶縁層に積層される透明導電性物質としては金、パラジ
ウムなどの貴金属や、酸化スズ、酸化インジウム、など
の金属酸化物が選ばれるが、一般にｉｔ、ＩＴＯ（イン
ジウム魯ティンＳオキサイド）と称される５〜１５重ｔ
Ｓの酸化スズを含む酸化インジウムを主体とする複合酸
化物が用いられる。
ウムなどの貴金属や、酸化スズ、酸化インジウム、など
の金属酸化物が選ばれるが、一般にｉｔ、ＩＴＯ（イン
ジウム魯ティンＳオキサイド）と称される５〜１５重ｔ
Ｓの酸化スズを含む酸化インジウムを主体とする複合酸
化物が用いられる。
絶縁層、および透明導電層を積層する方法としては真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法、
プラズマＣＶＤ法など一般的な薄膜形成技術が利用でき
る。特にスパッタリング法が適している。なおＰＶＡ系
偏光膜にポリサルフォン系フィルムを積層する場合、充
分な密着強度を得るためにウレタン樹脂系、エポキシ樹
脂、シリコン樹脂或いは合成ゴム系の接着剤で、少なく
とも１２０℃×２時間以上の耐熱性を有する接着剤を用
いることが望ましい。又ボリサルフォン系フィルム面に
透明な絶縁層を積層する場合、エポキシアクリレート、
ウレタンアクリレート等をベースにした紫外線硬化可能
な樹脂組成物をアンダーコート剤として使用することで
より安定表品質が得られる。更に本発明の偏光膜一体型
透明導電性フィルムの導電層の反対側Ｋ ＴＡＣフィル
ム等の保護層を必要によシ接着剤を用いて設けても良い
。此の保護層は耐候性の向上、耐薬品性の向上及び／又
は耐水蒸気透過性の向上を目的として設けられるもので
ｓｂ、あらかじめ紫外線吸収剤を練シ込んだ状態で用い
られることが多い。充分な耐候性を付与するために、組
立てた液晶表示素子の最外層（紫外線に最初に当たる層
）に用いるＰＥＳにあらかじめ紫外線吸収剤を練シ込ん
でおく事も勿論可能である。
蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法、
プラズマＣＶＤ法など一般的な薄膜形成技術が利用でき
る。特にスパッタリング法が適している。なおＰＶＡ系
偏光膜にポリサルフォン系フィルムを積層する場合、充
分な密着強度を得るためにウレタン樹脂系、エポキシ樹
脂、シリコン樹脂或いは合成ゴム系の接着剤で、少なく
とも１２０℃×２時間以上の耐熱性を有する接着剤を用
いることが望ましい。又ボリサルフォン系フィルム面に
透明な絶縁層を積層する場合、エポキシアクリレート、
ウレタンアクリレート等をベースにした紫外線硬化可能
な樹脂組成物をアンダーコート剤として使用することで
より安定表品質が得られる。更に本発明の偏光膜一体型
透明導電性フィルムの導電層の反対側Ｋ ＴＡＣフィル
ム等の保護層を必要によシ接着剤を用いて設けても良い
。此の保護層は耐候性の向上、耐薬品性の向上及び／又
は耐水蒸気透過性の向上を目的として設けられるもので
ｓｂ、あらかじめ紫外線吸収剤を練シ込んだ状態で用い
られることが多い。充分な耐候性を付与するために、組
立てた液晶表示素子の最外層（紫外線に最初に当たる層
）に用いるＰＥＳにあらかじめ紫外線吸収剤を練シ込ん
でおく事も勿論可能である。
本発明による偏光膜一体型透明導電性フィルムを用いる
ことにより、従来、ガラス基材の透明導電膜では不可能
であった長尺物によるリール・ツー・リールの連続加工
が可能となシ、且、液晶表示素子組立て工程に於ける偏
光膜組み込みの手間が完全に省かれるため、ｍ型液晶表
示素子の製造工程並びに展進工数を飛開的に簡略化、低
減でき、大巾なコストダウンが可能となる。更に、透明
導電層積層時、および液晶表示素子組み立て時に必要な
高耐熱性、ＴＮ歴液晶素子として必要な光学等方性を有
し、従来ポリサルフォン系フィルム液晶表示素子では不
充分であったガスバリアー性、水蒸気バリアー性、イオ
ンバリアー性及び耐候性も改善できるので１型液晶表示
素子用として好適である。
ことにより、従来、ガラス基材の透明導電膜では不可能
であった長尺物によるリール・ツー・リールの連続加工
が可能となシ、且、液晶表示素子組立て工程に於ける偏
光膜組み込みの手間が完全に省かれるため、ｍ型液晶表
示素子の製造工程並びに展進工数を飛開的に簡略化、低
減でき、大巾なコストダウンが可能となる。更に、透明
導電層積層時、および液晶表示素子組み立て時に必要な
高耐熱性、ＴＮ歴液晶素子として必要な光学等方性を有
し、従来ポリサルフォン系フィルム液晶表示素子では不
充分であったガスバリアー性、水蒸気バリアー性、イオ
ンバリアー性及び耐候性も改善できるので１型液晶表示
素子用として好適である。
ＰＶＡフィルムはポリビニルアルコール水溶液から溶液
流延法によシ製膜した。次いで縦方向延伸装置を用い一
軸方向に３〜４倍に延伸した。得られたＰＶＡ フィル
ムに染料分子を吸着させ、染料系偏光膜を作成した。こ
の偏光膜の片面に支持層として５０μ厚ＰＥＳフィルム
を、もう一方の面に保護層としてＵ、 Ｖ、吸収剤を含
む５０μ厚のＴＡＣフィルムをそれぞれウレタン系接着
剤で貼シ合わせた。得られた偏光膜の光学特性をフォト
・スペクトロメーターを用いて測定したところ、３８０
〜７８０ｎｍにおいて単体透過率４５％、偏光度９゜チ
であった。
流延法によシ製膜した。次いで縦方向延伸装置を用い一
軸方向に３〜４倍に延伸した。得られたＰＶＡ フィル
ムに染料分子を吸着させ、染料系偏光膜を作成した。こ
の偏光膜の片面に支持層として５０μ厚ＰＥＳフィルム
を、もう一方の面に保護層としてＵ、 Ｖ、吸収剤を含
む５０μ厚のＴＡＣフィルムをそれぞれウレタン系接着
剤で貼シ合わせた。得られた偏光膜の光学特性をフォト
・スペクトロメーターを用いて測定したところ、３８０
〜７８０ｎｍにおいて単体透過率４５％、偏光度９゜チ
であった。
上記の偏光フィルムのＰＥＳ側にアンダーコート処理を
行ない、高周波マグネトロンスパッタリング装置の基板
ホルダーに固定し、透明絶縁層としてＳｉＯ□ｔ−５０
０Ｘ厚に形成し、次いで酸化スズを７．５重ｔ％含む酸
化インジウムから成る夕〜ゲットを用いて５Ｘ１０Ｔｏ
ｒｒのアルゴンプラズマ中で３００Ｘ厚に透明導電性被
膜を形成した。
行ない、高周波マグネトロンスパッタリング装置の基板
ホルダーに固定し、透明絶縁層としてＳｉＯ□ｔ−５０
０Ｘ厚に形成し、次いで酸化スズを７．５重ｔ％含む酸
化インジウムから成る夕〜ゲットを用いて５Ｘ１０Ｔｏ
ｒｒのアルゴンプラズマ中で３００Ｘ厚に透明導電性被
膜を形成した。
得られた偏光膜一体型透明導電フィルムを用いて次に示
す方法でｍ型液晶表示素子を作成した。
す方法でｍ型液晶表示素子を作成した。
フィルムの透明導電膜面にポジ型フォトレジストをホイ
ラーで塗布、８０℃２０分間プリベークを行なった後Ｕ
、Ｖ、第Ｖ。行なった。次に現象を行ない８０℃２０分
間ポストベークし、６ＮＨＣ１水溶液に浸漬しエツチン
グ後、レジストをはく離した。
ラーで塗布、８０℃２０分間プリベークを行なった後Ｕ
、Ｖ、第Ｖ。行なった。次に現象を行ない８０℃２０分
間ポストベークし、６ＮＨＣ１水溶液に浸漬しエツチン
グ後、レジストをはく離した。
電極のパターニングを終えたフィルムの一方の電極側に
ホットメルト接着剤をシールパターンの形に切シ載せ、
もう一方の電極側に柱径的１０μｍのガラスファイバー
の細片をスペーサ〜として散布し、両フィルムを重ね１
４０℃に加熱し、接着剤を溶解させ、セルを組み立てた
。
ホットメルト接着剤をシールパターンの形に切シ載せ、
もう一方の電極側に柱径的１０μｍのガラスファイバー
の細片をスペーサ〜として散布し、両フィルムを重ね１
４０℃に加熱し、接着剤を溶解させ、セルを組み立てた
。
次に真空注入法により、あらかじめ設けておいた開口部
よシネマチック型液晶を注入し、開口部を接着剤で封止
した。
よシネマチック型液晶を注入し、開口部を接着剤で封止
した。
偏光膜一体型でない場合はこの後偏光方向の軸合せを行
ない偏光板を貼シ合せなければならないが一体型の場合
、この工程を省略できるので、工程の簡略化となシ、コ
ストを下げることができる。
ない偏光板を貼シ合せなければならないが一体型の場合
、この工程を省略できるので、工程の簡略化となシ、コ
ストを下げることができる。
Claims (1)
- ポリビニルアルコール系偏光膜の少なくとも片面に支持
層としてポリサルフォン系フィルムを積層し、該積層フ
ィルムのいずれか一方の表面に透明性を有する絶縁層、
および透明導電性を有する被膜を順次積層したことを特
徴とする偏光膜一体型透明導電性フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59236783A JPS61116332A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 偏光膜一体型透明導電性フイルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59236783A JPS61116332A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 偏光膜一体型透明導電性フイルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61116332A true JPS61116332A (ja) | 1986-06-03 |
Family
ID=17005725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59236783A Pending JPS61116332A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 偏光膜一体型透明導電性フイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61116332A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1986007639A1 (fr) * | 1985-06-19 | 1986-12-31 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Film transparent conducteur a membrane de polarisation integree |
| JPH01132005A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Oike Ind Co Ltd | 透明導電性フイルム |
| JPH01140512U (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-26 | ||
| WO1994023332A1 (fr) * | 1993-03-29 | 1994-10-13 | Toray Industries, Inc. | Article optique en plastique et son procede de production |
| EP0724024A1 (de) * | 1995-01-30 | 1996-07-31 | Bayer Ag | Thermostabile Polarisatoren |
| US6825904B2 (en) | 2000-07-14 | 2004-11-30 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, color filter substrate with vapor deposited metal oxide insulating layer under transparent conductor, method for manufacturing liquid crystal device, and method for manufacturing color filter substrate |
| JP2018205497A (ja) * | 2017-06-02 | 2018-12-27 | 日東電工株式会社 | 光学積層体、偏光フィルムおよび画像表示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5565926A (en) * | 1978-11-13 | 1980-05-17 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal panel |
| JPS55114563A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-03 | Suwa Seikosha Kk | High molecular film |
-
1984
- 1984-11-12 JP JP59236783A patent/JPS61116332A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6825904B2 (en) | 2000-07-14 | 2004-11-30 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, color filter substrate with vapor deposited metal oxide insulating layer under transparent conductor, method for manufacturing liquid crystal device, and method for manufacturing color filter substrate |
| JP2018205497A (ja) * | 2017-06-02 | 2018-12-27 | 日東電工株式会社 | 光学積層体、偏光フィルムおよび画像表示装置 |
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