JPS6111747A - シ−スル−マスク - Google Patents
シ−スル−マスクInfo
- Publication number
- JPS6111747A JPS6111747A JP59132348A JP13234884A JPS6111747A JP S6111747 A JPS6111747 A JP S6111747A JP 59132348 A JP59132348 A JP 59132348A JP 13234884 A JP13234884 A JP 13234884A JP S6111747 A JPS6111747 A JP S6111747A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- see
- silicide layer
- amorphous silicon
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、耐薬品性に優れたシースルーマスクに関する
。
。
ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置の製造々ど、種々の広範な
用途に用いられているフォトマスクの中で、マスク・そ
ターンを半透明層で形成したシマスルーマスクと呼ばれ
るものがある。このシースルーマスクは、通常の遮光・
母ターンを有するマスクツ！ターンによっては、遮光／
４’ターンと位置合せマークとが重なった場合に位置合
せが困難となることから、遮光・母ターンとして、可視
光を通すがレジストを硬化させる近紫外線は通さない半
透明層を用いたものである。
用途に用いられているフォトマスクの中で、マスク・そ
ターンを半透明層で形成したシマスルーマスクと呼ばれ
るものがある。このシースルーマスクは、通常の遮光・
母ターンを有するマスクツ！ターンによっては、遮光／
４’ターンと位置合せマークとが重なった場合に位置合
せが困難となることから、遮光・母ターンとして、可視
光を通すがレジストを硬化させる近紫外線は通さない半
透明層を用いたものである。
従来のシースルーマスクの半透明パターンは、材料とし
て酸化膜やシリコンダルマニウム合金を用い、これらの
膜をフォトエツチングすることによシ形成されていた。
て酸化膜やシリコンダルマニウム合金を用い、これらの
膜をフォトエツチングすることによシ形成されていた。
これらの膜のエツチングは、通常、酸化鉄の場合に塩酸
、或いは塩酸と塩化第二鉄水溶液、シリコンダルマニウ
ム合金の場合にアルカリ水溶液等を用いて行なわり れる。従って、これら従来のジースルマス七は、酸やア
ルカリに弱く、耐薬品性に劣るものであった。
、或いは塩酸と塩化第二鉄水溶液、シリコンダルマニウ
ム合金の場合にアルカリ水溶液等を用いて行なわり れる。従って、これら従来のジースルマス七は、酸やア
ルカリに弱く、耐薬品性に劣るものであった。
本発明は、上記事情の下になされたものであって、耐薬
品性に優れたシースルーマスクヲ提供することを目的と
する。
品性に優れたシースルーマスクヲ提供することを目的と
する。
即ち、本発明のシースルーマスクは、光透過性基板と、
この基板上に形成されたアモルファスシリコンからなる
半透明パターンと、この半透明パターンの表面に形成さ
れた金属シリサイド層とからなることを特徴とする。
この基板上に形成されたアモルファスシリコンからなる
半透明パターンと、この半透明パターンの表面に形成さ
れた金属シリサイド層とからなることを特徴とする。
前記金属シリサイド層は、Ｃｒ’、Ｗ 、 Ｍｏ 、Ｎ
ｉ。
ｉ。
ｐｔ 等の金属のシリサイドからなるのがよく、特に
クロムシリサイドが好ましい。金属シリサイド層の厚さ
は５０〜１５０Ｘであるのが好ましい。
クロムシリサイドが好ましい。金属シリサイド層の厚さ
は５０〜１５０Ｘであるのが好ましい。
この金属シリサイド層は極めて耐食性が優れ、ＨＦ水溶
液以外のほとんどの酸やアルカリに侵されることがない
。従って、このような金属シリサイド層によりマスクパ
ターンの表面が覆われたシースルーマスクは、極めて耐
薬品性に優れている。
液以外のほとんどの酸やアルカリに侵されることがない
。従って、このような金属シリサイド層によりマスクパ
ターンの表面が覆われたシースルーマスクは、極めて耐
薬品性に優れている。
次に、本発明のシースルーマスクの製造方法について説
明する。
明する。
まず、光透過性基板例えばガラス基板上にアモルファス
シリコンを被着する。被着方法としては、スノ（ツタ法
、ＣｖＤ１真空蒸着等がある。
シリコンを被着する。被着方法としては、スノ（ツタ法
、ＣｖＤ１真空蒸着等がある。
次にアモルファスシリコン膜上にレノストツヤターンを
形成した後、このレゾスト・リーンをマスクとして用い
てアモルファスシリコン膜をエツチングして半透明ツク
ターンを形成する。その彼、レノストパターンを除去し
た後、全面に金属例えばクロムをス・母ツタ法等により
被着する。
形成した後、このレゾスト・リーンをマスクとして用い
てアモルファスシリコン膜をエツチングして半透明ツク
ターンを形成する。その彼、レノストパターンを除去し
た後、全面に金属例えばクロムをス・母ツタ法等により
被着する。
被着金属は、シリコンと反応してシリサイドを形成し得
るものであり、Ｃｒ ＸＷ、 Ｍｏ、Ｎｌ 、 Ｐｔ等
がある。アモルファスシリコン膜の厚さ４紫外線遮光性
をもたせるため０．２〜２μｍ程度が適当であシ、金属
膜の厚さは５０〜１０００Ｘでよい。
るものであり、Ｃｒ ＸＷ、 Ｍｏ、Ｎｌ 、 Ｐｔ等
がある。アモルファスシリコン膜の厚さ４紫外線遮光性
をもたせるため０．２〜２μｍ程度が適当であシ、金属
膜の厚さは５０〜１０００Ｘでよい。
金属膜の被着後、２００〜３００℃で３０分間程度の熱
処理を施すと、半透明・やターンを構成するアモルファ
スシリコンと金属とが反応して金属シリサイドが形成さ
れる。その後、未反応の金属をエツチングによシ除去す
ると、半透明・卆ターンの表面が金属シリサイド層で覆
われたシースルーマスクが得られる。
処理を施すと、半透明・やターンを構成するアモルファ
スシリコンと金属とが反応して金属シリサイドが形成さ
れる。その後、未反応の金属をエツチングによシ除去す
ると、半透明・卆ターンの表面が金属シリサイド層で覆
われたシースルーマスクが得られる。
以上説明した本発明のシースルーマスクは、耐薬品性に
難点のあるアモルファスシリコンからなる半透明・母タ
ーンの表面が、極めて耐薬品性の優れた金属シリサイド
層で覆われているため、耐薬品性が極めて高い。また、
表面に金属シリサイドが形成された半透明／’Ｐターン
は、露光に用いられる近紫外線を遮蔽するが、マスクの
位置合せを妨げない程度の透明性を有しているため、シ
ースルーマスクのマスク・臂ターンとして十分使用可能
である。
難点のあるアモルファスシリコンからなる半透明・母タ
ーンの表面が、極めて耐薬品性の優れた金属シリサイド
層で覆われているため、耐薬品性が極めて高い。また、
表面に金属シリサイドが形成された半透明／’Ｐターン
は、露光に用いられる近紫外線を遮蔽するが、マスクの
位置合せを妨げない程度の透明性を有しているため、シ
ースルーマスクのマスク・臂ターンとして十分使用可能
である。
以下に、本発明のシースルーマスクの製造に係る実施例
を示す。
を示す。
実施例
第１図に示すフォトマスク用ソーダライムガラスからな
る基板１をクロム酸混液に浸漬し、流水によシ洗浄し、
純水の流水によシこすシ洗いした後、スピナーによシ水
切りを行なった。
る基板１をクロム酸混液に浸漬し、流水によシ洗浄し、
純水の流水によシこすシ洗いした後、スピナーによシ水
切りを行なった。
その後、クリーンオーブン中で１００℃で３０分間乾燥
し、次いでＲＦマグネトロンス・母ツタ装置のチャンバ
ー内に装入し、第２図に示すように、ガラス基板１の全
面にアモルファスシリコン膜２を被着した。ターグツト
としては、５インチ径、厚さ６ｆｉの金属グレード（〜
９８チ）ノＳｌヲ用いた。アモルファスシリコンのスノ
クツタに際しては、まずチャン・ぐ−内を４ｘｔｏ−’
Ｔｏｒｒ以下に排気した後、純度５Ｎのアルゴンがス
を導入してチャンバー内のガス圧をＩ Ｘ １０−２Ｔ
ｏｒｒとした。１腑の電力で１０分間プレスパツタを行
なった彼、シャッターを開いてガラス基板１上にアモル
ファスシリコン膜２をスＡ’ツタシタ。
し、次いでＲＦマグネトロンス・母ツタ装置のチャンバ
ー内に装入し、第２図に示すように、ガラス基板１の全
面にアモルファスシリコン膜２を被着した。ターグツト
としては、５インチ径、厚さ６ｆｉの金属グレード（〜
９８チ）ノＳｌヲ用いた。アモルファスシリコンのスノ
クツタに際しては、まずチャン・ぐ−内を４ｘｔｏ−’
Ｔｏｒｒ以下に排気した後、純度５Ｎのアルゴンがス
を導入してチャンバー内のガス圧をＩ Ｘ １０−２Ｔ
ｏｒｒとした。１腑の電力で１０分間プレスパツタを行
なった彼、シャッターを開いてガラス基板１上にアモル
ファスシリコン膜２をスＡ’ツタシタ。
なお、基板温度は２００℃、基板−ターダット間距離は
約５ｍに設定された。約５Ｘ／ｘの成膜速度で１０分間
スパッタを行ない、約３０００λノ膜厚のアモルファス
シリフン膜が得うレタ。
約５ｍに設定された。約５Ｘ／ｘの成膜速度で１０分間
スパッタを行ない、約３０００λノ膜厚のアモルファス
シリフン膜が得うレタ。
このアモルファスシリコン膜２の分光透過率は、ＦｅＯ
膜と同等であった。
膜と同等であった。
次ニ、アモルファスシリコン膜２０表面ヲクロム酸混液
で洗浄した後、レノス） （ＡＺ−１３５０）を約１μ
ｍの膜厚にスピンコードした。このしシスト膜を通常の
フォトリソグラフィによ＃）パターニングして、第３図
に示すようにレジスト・やターン３を形成した。このレ
ノストノ母ターン３をマスクとして用いてアモルファス
シリコン膜２をエツチングし、第４図に示すように、ア
モルファスシリコン膜ツクターン２′ヲ形成シタ。
で洗浄した後、レノス） （ＡＺ−１３５０）を約１μ
ｍの膜厚にスピンコードした。このしシスト膜を通常の
フォトリソグラフィによ＃）パターニングして、第３図
に示すようにレジスト・やターン３を形成した。このレ
ノストノ母ターン３をマスクとして用いてアモルファス
シリコン膜２をエツチングし、第４図に示すように、ア
モルファスシリコン膜ツクターン２′ヲ形成シタ。
エツチングは、４チのＯ！を含むＣＦ４がスをエッチャ
ントとして用い九ノ４−レル型のプラズマエツチング装
置によ、９．１００Ｗの放電電力で５分間行なった。
ントとして用い九ノ４−レル型のプラズマエツチング装
置によ、９．１００Ｗの放電電力で５分間行なった。
次いで、Ｏ，プラズマを用いて２００Ｗの放電電力で１
０分間処理してレジストノ母ターン３を剥離した後、第
５図に示すように、全面にＣｒ膜４を約５００１スパツ
タした。その後、２００°Ｃで３０分間Ｎ、雰囲気中で
熱処理を行なった。
０分間処理してレジストノ母ターン３を剥離した後、第
５図に示すように、全面にＣｒ膜４を約５００１スパツ
タした。その後、２００°Ｃで３０分間Ｎ、雰囲気中で
熱処理を行なった。
このトキ、アモルファスシリコンツクターン２′トＣｒ
膜４の界面において両者が反応し、クロムシリサイドが
形成された。次いで、Ｃｒのエツｔンダ液（硝酸第２セ
リウムアンモニウムの水溶液に過塩素酸を加えたもの）
を用いて未反応のＣｒを除去し、第６図に示すように１
表面がクロムシリサイドで覆われたアモルファスシリコ
ンからなる遮光膜パターンが得られた。この遮光膜ツク
ターンは、アモルファスシリコン単層とほぼ同一の分光
特性を示した。
膜４の界面において両者が反応し、クロムシリサイドが
形成された。次いで、Ｃｒのエツｔンダ液（硝酸第２セ
リウムアンモニウムの水溶液に過塩素酸を加えたもの）
を用いて未反応のＣｒを除去し、第６図に示すように１
表面がクロムシリサイドで覆われたアモルファスシリコ
ンからなる遮光膜パターンが得られた。この遮光膜ツク
ターンは、アモルファスシリコン単層とほぼ同一の分光
特性を示した。
以上のようにして製造されたシースルーマスクを、クロ
ム酸混液、濃硫酸、濃−硝酸、濃塩酸、およびこれらの
希釈水溶液にそれぞれ１時間および１０時間づつ浸漬し
たが、腐食、膜厚の減少は認められなかった。また、３
０％のＮａＯＨ水溶液にもそれぞれ１時間および１０時
間づつ浸漬したが、同様に変化は認められなかった。
ム酸混液、濃硫酸、濃−硝酸、濃塩酸、およびこれらの
希釈水溶液にそれぞれ１時間および１０時間づつ浸漬し
たが、腐食、膜厚の減少は認められなかった。また、３
０％のＮａＯＨ水溶液にもそれぞれ１時間および１０時
間づつ浸漬したが、同様に変化は認められなかった。
第１図〜第６図は、本発明のシースルーマスクの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
Claims (3)
- （１）光透過性基板と、この基板上に形成されたアモル
ファスシリコンからなる半透明パターンと、この半透明
パターンの表面に形成された金属シリサイド層とからな
るシースルーマスク。 - （２）前記金属シリサイド層の厚さは５０〜１５０Åで
ある特許請求の範囲第１項記載のシースルーマスク。 - （３）前記金属シリサイド層は、クロムシリサイドから
なる特許請求の範囲第１項記載のシースルーマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132348A JPS6111747A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | シ−スル−マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132348A JPS6111747A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | シ−スル−マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6111747A true JPS6111747A (ja) | 1986-01-20 |
Family
ID=15079247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59132348A Pending JPS6111747A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | シ−スル−マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6111747A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252551A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
-
1984
- 1984-06-27 JP JP59132348A patent/JPS6111747A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252551A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
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