JPS61119367U - - Google Patents

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JPS61119367U
JPS61119367U JP1985001530U JP153085U JPS61119367U JP S61119367 U JPS61119367 U JP S61119367U JP 1985001530 U JP1985001530 U JP 1985001530U JP 153085 U JP153085 U JP 153085U JP S61119367 U JPS61119367 U JP S61119367U
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JP
Japan
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semiconductor substrate
insulating layer
bonding pads
gaas
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Pending
Application number
JP1985001530U
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English (en)
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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の第１実施例によるＧａＡｓシ
ヨツトキーダイオードを示す平面図、第２図及び
第３図は第１図に示すＧａＡｓシヨツトキーダイ
オードの製造に用いるフオトマスクを示す平面図
、第４図は本考案の第２実施例によるＧａＡｓシ
ヨツトキーダイオードを示す平面図、第５図及び
第６図は第４図に示すＧａＡｓシヨツトキーダイ
オードの製造に用いるフオトマスクを示す平面図
、第７図は本考案の第３実施例によるＧａＡｓシ
ヨツトキーダイオードを示す平面図、第８図及び
第９図は第７図に示すＧａＡｓシヨツトキーダイ
オードの製造を用いるフオトマスクを示す平面図
、第１０図は本考案の変形例による表面二電極型
シヨツトキーダイオードを示す平面図、第１１図
〜第１４図は第１０図に示す表面二電極型シヨツ
トキーダイオードの製造に用いるフオトマスクを
示す平面図、第１５図は従来のｐｎ接合ダイオー
ドを示す断面図、第１６図は従来のシヨツトキー
ダイオードを示す断面図、第１７図は従来の表面
二電極型シヨツトキーダイオードを示す断面図で
ある。 なお図面に用いた符号において、４，５……オ
ーミツク電極、６……ｐｎ接合、７……シヨツト
キー電極、８……シヨツトキー接合、９……Ｇａ
Ａｓチツプ、１０，１５……ボンデイング・パツ
ド、１１〜１４……フオトマスクである。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板と、この半導体基板上に設けられて
    いる絶縁層と、上記半導体基板の複数の接合形成
    領域に対応して上記絶縁層に設けられかつ互いに
    大きさの異なる複数の開口と、上記絶縁層上に設
    けられているボンデイング・パツドとをそれぞれ
    具備し、上記ボンデイング・パツドと上記半導体
    基板の上記複数の接合形成領域のうちのいずれか
    一つの接合形成領域とを必要に応じて接続するこ
    とにより、接合面積を所要の大きさとし得るよう
    に構成したことを特徴とするダイオード。
JP1985001530U 1985-01-10 1985-01-10 Pending JPS61119367U (ja)

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JP1985001530U JPS61119367U (ja) 1985-01-10 1985-01-10
KR2019850013898U KR910004592Y1 (ko) 1985-01-10 1985-10-23 다이오우드

Applications Claiming Priority (1)

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JP1985001530U JPS61119367U (ja) 1985-01-10 1985-01-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61119367U true JPS61119367U (ja) 1986-07-28

Family

ID=30474363

Family Applications (1)

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JP1985001530U Pending JPS61119367U (ja) 1985-01-10 1985-01-10

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JP (1) JPS61119367U (ja)
KR (1) KR910004592Y1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013058232A1 (ja) * 2011-10-17 2013-04-25 ローム株式会社 チップダイオードおよびダイオードパッケージ

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WO2013058232A1 (ja) * 2011-10-17 2013-04-25 ローム株式会社 チップダイオードおよびダイオードパッケージ
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US9659875B2 (en) 2011-10-17 2017-05-23 Rohm Co., Ltd. Chip part and method of making the same
US9773925B2 (en) 2011-10-17 2017-09-26 Rohm Co., Ltd. Chip part and method of making the same
US10164125B2 (en) 2011-10-17 2018-12-25 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device having first and second electrode layers electrically disconnected from each other by a slit
US10593814B2 (en) 2011-10-17 2020-03-17 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device having first and second electrode layers electrically disconnected from each other by a slit

Also Published As

Publication number Publication date
KR910004592Y1 (ko) 1991-06-29
KR860010108U (ko) 1986-08-16

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