JPH0480070U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0480070U JPH0480070U JP12499690U JP12499690U JPH0480070U JP H0480070 U JPH0480070 U JP H0480070U JP 12499690 U JP12499690 U JP 12499690U JP 12499690 U JP12499690 U JP 12499690U JP H0480070 U JPH0480070 U JP H0480070U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal detection
- conductivity type
- junctions
- detection electrodes
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- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
第１図は本案の一実施例の平面図、第２図はそ
のＡ−Ａ′断面図、第３図は他の実施例の平面図
、第４図はその他の実施例の断面図、第５図は従
来の一例の平面図、第６図はそのＤ−Ｄ′断面図
である。 １……Ｎ型シリコン基板、２，２０，２１……
Ｐ型拡散層、３……ポリシリコン層、４……酸化
膜、５……チヤネルストツパー、６，６−１……
信号検出用電極、７……裏面電極。
のＡ−Ａ′断面図、第３図は他の実施例の平面図
、第４図はその他の実施例の断面図、第５図は従
来の一例の平面図、第６図はそのＤ−Ｄ′断面図
である。 １……Ｎ型シリコン基板、２，２０，２１……
Ｐ型拡散層、３……ポリシリコン層、４……酸化
膜、５……チヤネルストツパー、６，６−１……
信号検出用電極、７……裏面電極。
Claims (1)
- 第一の導電型の半導体基板の表面の両端に形成
された信号検出用電極と、それらの間に形成され
た複数のＰＮ接合と、これらのＰＮ接合の一方の
第二の導電型の拡散層間及びそれらの両端を信号
検出用電極に接続するポリシリコン層とよりなる
光点位置検出用半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12499690U JPH0480070U (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12499690U JPH0480070U (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0480070U true JPH0480070U (ja) | 1992-07-13 |
Family
ID=31872621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12499690U Pending JPH0480070U (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0480070U (ja) |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP12499690U patent/JPH0480070U/ja active Pending