JPS61120347A - 磁気記録媒体の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録媒体の製法、特に基体上に磁性金属も
しくは合金を蒸着して磁性層を形成するようにしたいわ
ゆる金属Ｗｔ膜梨型磁気記録媒体製法に係わる。

〔従来の技術〕

従来一般に普及されている磁気記録媒体は針状の磁性粉
と高分子結合剤とを主体とする磁性塗料を非磁性基体上
に塗布して磁性層を形成した塗布型の磁気記録媒体であ
る。

これに比し、Ｃｏ＋　Ｆｅ、　Ｍｌ等の磁性金属、或い
はこれらの合金を真空蒸着のようなペーパーデボジシラ
ン技術によって非磁性基体上に形成する金属薄膜型の磁
気記録媒体は、その磁性層中に非磁性の結合剤が混入さ
れていないために著しく高い残留磁束密度を得ることが
できること、また磁性層を極めて薄く形成することがで
きるために高出力且つ短波長応答性に優れているという
利点を有する。

しかしながら、この種の薄膜型の磁気記録媒体において
、そのＣＯ等の磁性金属を単に非磁性基体上に蒸着した
だけでは充分高い抗磁力Ｈｃを有する磁性層を得ること
は困難である。このような薄膜型磁気記録媒体において
高い抗磁力Ｈｃを有する磁性層を得る方法としては非磁
性基体に対して上述の磁性金属の蒸着粒子を斜めに入射
させる斜め蒸着法が提案されている。しかしながら、こ
のような斜め蒸着法による場合においても必ずしも安定
して充分高い抗磁力Ｈｃが得られるものではない。

このような点に鑑み非磁性基体上にＢｉ等の低融点の非
磁性下地層を被着し、これの上に蒸着によって金属磁性
薄膜を形成したものが提案された。

このような下地層糸形成された金属薄膜型の磁気記録媒
体の形成は、例えば第２図に示す下地金属例えばＢｉま
たはその合金の蒸着源（１）と、磁性金属例えばＣｏま
たはＧｏの合金の蒸着源（２）とを有する蒸着装置によ
って形成される。同図において（３）は、磁気記録媒体
を構成する基体、例えば高分子フィルムで、下地金属の
蒸着源（１）の前方から磁性金属の蒸着源（２）の前方
を通過するように、その供給ロール（４）から巻取りロ
ール（５）に矢印ａに示すように移行される。すなわち
、基体（３）は、その一方の面に蒸着源（１）の前方を
通過することによってこれからの所要の立体角をもって
飛翔する下地金属の蒸気流にさらされ、続いて蒸着源（
２）の前方を通過することによって、同様に所要の立体
角をもって飛翔する磁性金属の蒸気流、すなわち、基体
（３）の面に対して垂直成分を含んだ蒸気流にさらされ
て下地金属層上に磁性金属層を形成するようにしている
。

このようにして得た記録媒体は、高い保磁力Ｈｃが得ら
れる。これはＢｉの如き低融点の非磁性材がＧｏまたは
Ｇｏ合金金より成る磁性金属層下に形成されたことによ
って、この磁性金属粒間に非磁性金属が拡散して、磁性
金属粒相互の磁気的相互作用を断ち切る効果を有するこ
とによって保磁力Ｈｃが高くなるものを考えられる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが上述した方法によって得た磁気記録媒体は、高
い保磁力Ｈｃが得られるものの磁化特性の角型比Ｓ１及
びＳｏに劣るという問題点がある、すなわち、今、第３
図に磁性体の一般的磁化曲線を示すと、磁化の角型比Ｓ
は、Ｓ　＝　Ｍｒ／　Ｍｓで与えられ、保磁力の角形比
Ｓ″は、Ｓ　”　ｍ　Ｈｒ／　Ｈｅで与えられ、Ｓ及び
Ｓｏの何れもその値が１に近いことが望まれる。ここに
Ｍｓは飽和磁化、訃は残留磁化、Ｈｃは保磁力、Ｈｒは
Ｈｃにおける磁化曲線の接線がＭｓの値をとるときの磁
界の強さを示す。

このような角型比Ｓ及びＳｏが比較的小さい上述した金
属Ｗｌｌ梨型磁気記録媒体、アナログ或いはデジタル記
録再生特性において、再生出力の低下、遷移領域の広が
りによる記録密度の低下などの欠点を招来する。

本発明は上述した下地金属層と磁性金属層の連続蒸着に
よる磁気記録媒体における角形比の低い問題点を改善し
、記録再生出力の向上、記録密度の向上をはかり、更に
飽和磁束密度の向上、Ｓ／Ｈの向上をはかることのでき
る磁気記録媒体の製法を提供するものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、上述の従来方法によって得た磁気記録媒体の
角型比Ｓ及びＳ“の低下の原因が磁性金属層の膜構造に
起因するものであることを究明したことに基いてなされ
たものである。

すなわち、本発明において上述の従来方法によって得た
磁性層の断面構造において、その強磁性金属の柱状構造
が明瞭になっているものほど角形比が低くなっているこ
との究明に基いて、この柱状構造の生成を回避する。

これがため、本発明においては、基体上に、融点が３０
０℃以下の非磁性金属もしくは合金より成る下地金属層
と、磁性金属もしくは合金より成る磁性金属層とを連続
蒸着によって形成し、磁性金属もしくは合金の蒸着に際
して、基体に垂直に入射する成分を除くようにする。

下地金属としては、Ｂｉ＋　Ｇａ＋　Ｉｎ、　Ｓｎ、　
Ｐｂ＋　Ｔｅ＋ＴＩ等の単体金属、或いはＢ１−Ｐｂ＋
　Ｇａ　−Ｉｎ、　Ｇａ−＾ｇ。

Ｇａ−５ｎ、　Ｇａ−３ｎ−Ｚｎ等の合金金属を用いる
。

また、磁性金属としては、Ｇｏ、　Ｐａ、　Ｎｉ或いは
これらの合金例えばＮｌが４０原子％以下のＧｏ−Ｎｉ
合金等によって構成し得る。

また、非磁性基体は、下地金属層及び磁性金属層の蒸着
時の基体加熱温度に耐えるポリアミド、ポリイミド等の
高分子フィルム、或いはガラスセラミック、表面酸化し
た金属板等より構成する。

〔作用〕

上述した本発明製法によって得た磁気記録媒体は、融点
が３００℃以下の低融点の非磁性金属層を下地層とした
ことによって、これの上に蒸着生成された磁性金属粒間
に、この非磁性金属が拡散することによって磁性金属粒
相互の磁気的相互作用を断ち切る効果を得て高い保磁力
Ｈｅを呈するようにすることができるものである。加え
て、本発明においては、その磁性金属の蒸着に際して、
基体に垂直に入射する成分を除くようにしたことによっ
て、得られた磁性金属層には、基体表面に対して垂直方
向に延びるような垂直柱状粒の発生は殆どみられず一様
な膜構造となった。これがため、磁性金属層における磁
性金属の充填密度は１００％近くになり、これによって
飽和磁束密度が大となり、また、磁性金属微粒子間の結
合が密になったことによって角型比Ｓ及びＳ′が向上し
た。

〔実施例〕

第１図は本発明製法を実施する蒸着装置の一例で第２図
に対応する部分には同一符号を付す、すなわち、この装
置においても、下地金属の蒸着源（１）と、磁性金属の
蒸着源（２）とを、磁気記録媒体を構成する基体（３）
、例えば高分子フィルムの移行途上に対向して、両蒸着
源（１）及び（支））を基体（３）の移行方向に沿って
順次配列する。（６）は両蒸着源（１）及び（２）から
の蒸気流間を遮断する遮蔽板で、両蒸着源（１）及び（
２）からの金属気体の混合を回避するためのものであり
、（７）は、下地金属及び磁性金属の基体（３）に対す
る蒸着部分を規制するための遮蔽板を示す。

尚、各蒸着源（１１及び（２）は、通常のように下地金
属（８）及び磁性金属（９）を収容したるつぼを抵抗加
熱、高周波加熱等によって夫々加熱蒸発させるようにな
される。

そして、特に磁性金属の蒸着源（２）の前方の基体（３
）との間に、蒸着源（２）よりの蒸気流の一部、特に基
体（３）に対しほぼ垂直、すなわちθ；０で、入射する
蒸気流を遮蔽する垂直入射遮蔽体αｌを設ける。

このようにして両蒸着源（１）及び（２）の前方に、基
体（３）を矢印ａの方向に移行させることによって基体
（３）上に、下地金属層を被着し、続いてこれの上に磁
性金属層を蒸着する。

実施例１ 第１図の装置を用いて磁気記録媒体を作製した。

この場合、下地金属（８）として８１を用い、磁性金属
（９）としてＣｏを用いた。基体（３）の加熱温度は１
５０℃とした。このようにして基体（３）の一方の面に
Ｂｉによる厚さ　１００人の下地金属層を形成し、これ
の上にＧｏによる厚さ３５０人の磁性金属層を形成した
。

このようにして得た磁気記録媒体を試料番号１とした。

比較例１ 実施例１と同様に基体（３）上に、厚さ１００人のＢｉ
の下地層を形成し、これの上に厚さ３５０人のＣｏの磁
性金属層を形成したが、その作製に当たって第２図で説
明した装置を用い、磁性金属層の形成を垂直方向（θ＝
０）と斜め方向（θ≠０）とを混在させて行った。この
ようにして得た磁気記録媒体を試料番号２とした。

比較例２ 実施例１と同様に基体（３）上に、厚さ　１００人のＢ
ｌの下地層を形成し、これの上に厚さ３５０人のＧｏの
磁性金属層を形成したが、その作製に当たって磁性金属
層の形成を垂直方向（θＥＯ＞のみとし、斜め方向（θ
≠Ｏ）の入射を回避して行った。このようにして得た磁
気記録媒体を試料番号３とした。

このようにして得た各磁気記録媒体（試料番号１〜３）
の各磁気的特性、すなわち保磁力Ｈｃ、角形比Ｓ及びＳ
′、飽和磁束密度ＢｓとＳ／Ｎの各測定結果を表１に示
す。

表１ これより明らかなように試料番号１の本発明製法によっ
て得た磁気記録媒体は、角形比にすぐれ、高い飽和磁束
密度を有し高いＳ／Ｎを示した。尚、ここにＳ／Ｈの測
定は、ギヤ、プ長０．２μ−のセンダストによる磁気ヘ
ッドを用い、キャリア周波数を４Ｍｌ１ｚ、周波数変位
Δｆ　−ＩＭＨｚ、磁気媒体との相対速度を２．ｈ／秒
として行った。

因みに各媒体（試料番号１〜３）に関してその磁性層の
膜構造を観察したところ、試料番号２の媒体については
、基体（３）の面に対して垂直をなす柱状粒子の発生が
若干認められ、試料番号３については完全な柱状粒子の
生成が認められたのに比し、試料番号１の本発明製法に
よる磁気記録媒体では垂直柱状粒子の発生は認められず
緻密な膜構造をなしていた。

〔発明の効果〕

上述したように本発明製法においては、磁性金属層の薄
着形成に当たって、垂直成分を回避したことによって、
柱状粒子の発生を回避したものであり、これによっ′て
角型比Ｓ及びＳにの向上と、緻密な、すなわち磁性金属
の充填密度の高い磁性層を得ることができたものであり
、このように角形比Ｓの向上によって再生出力の向上が
はかられ、角形比Ｓ及びＳ′の向上によって記録密度が
高められ充填密度の向上によって飽和磁束密度Ｂｓの向
上とＳ／Ｎの向上をはかり得た。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明製法を実施する蒸着装置の一例を示す
路線的構成図、第２図は従来製法における蒸着装置の路
線的構成図、第３図は磁化特性曲線図である。 （１）は下地金属の蒸着源、（２）は磁性金属の蒸着源
、（３）は基体、αｌは垂直入射遮蔽体である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基体上に、融点が３００℃以下の非磁性金属もしくは合
   金より成る下地金属層と、磁性金属もしくは合金より成
   る磁性金属層とを連続蒸着によって形成し、上記磁性金
   属もしくは合金の蒸着に際して、上記基体に垂直に入射
   する成分を除くようにしたことを特徴とする磁気記録媒
   体の製法。