JPS6112332B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6112332B2
JPS6112332B2 JP53088024A JP8802478A JPS6112332B2 JP S6112332 B2 JPS6112332 B2 JP S6112332B2 JP 53088024 A JP53088024 A JP 53088024A JP 8802478 A JP8802478 A JP 8802478A JP S6112332 B2 JPS6112332 B2 JP S6112332B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
backscattered
axis
backscattered electron
electron beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP53088024A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5514683A (en
Inventor
Masaji Kikuchi
Hidehiko Sekiguchi
Osamu Manabe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Nihon Denshi KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Nihon Denshi KK filed Critical Nihon Denshi KK
Priority to JP8802478A priority Critical patent/JPS5514683A/ja
Publication of JPS5514683A publication Critical patent/JPS5514683A/ja
Publication of JPS6112332B2 publication Critical patent/JPS6112332B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は走査電子顕微鏡等における反射電子検
出装置の改良に関する。
試料表面の凹凸や組成物質の分布は二次元的に
観察する有力な装置として走査電子顕微鏡が用い
られている。この走査電子顕微鏡は試料に微小径
を有する電子ビームを照射し、該照射によつて試
料から発生する反射電子、2次電子等を電子線検
出器で検出して得られる信号を前記電子ビームの
試料面上における走査と同期したブラウン管の輝
度変調信号として用いることによつて凹凸像を得
るものである。ところで近時走査電子顕微鏡にお
いては試料室内に磁性物質を装填し、その磁区構
造を反射電子像によつて観察することが行なわれ
ている。この場合磁区コントラストは反射電子検
出器より試料上の電子線照射点に見込む立体角
(以下単に立体角と称す)に依存している。しか
るに従来装置においては反射電子検出器は試料室
内壁等に直接固定されているため、前述した立体
角は一定であり、従つて最適な磁区コントラスト
でもつて磁区構造の観察を行うことができない。
本発明は斯様な欠点を解除するために、立体角
及び反射電子の検出角度を独立に、かつ任意に調
整することのできる装置を提供するもので、以下
図面に基づき詳説する。
第1図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第
2図は第1図のA方向から見た図であり、1は走
査電子顕微鏡の試料室側壁である。2は該側壁1
の内側に水平移動可能におかれた試料ステージ
で、上面に試料3を保持した試料ホルダー4が載
置される。5は前記側壁1をOリングパツキング
6によつて気密を保つて貫通した回転筒で、該回
転筒の軸心は電子ビームの光軸と交叉するように
おかれており、又該回転筒の軸心と光軸との交点
に試料3の表面がおかれる。前記回転筒5の内側
にはOリングパツキング7を介して軸8が同芯的
に且つ移動可能に挿入されており、又該回転筒5
の一端(真空側)には案内体9が固定され、他端
(大気側)にはつまみ部10と雄ネジ部11とが
形成されている。前記案内体9には移動体12が
前記回転筒5の軸心に対して直交する方向に移動
可能に取付けられている。該移動体12と前記軸
8との間には前記案内体9に回転可能に取付けら
れたテコ体13が介在されており、又該移動体1
2はスプリング14によつて常にテコ体13と係
合するように押圧されている。前記回転筒5に形
成した雄ネジ部11には袋ナツト15が螺合され
ており、該袋ナツトはビス16を介して前記軸8
の端部に固定されている。17は前記移動体12
に固定された検出器保持板で、該保持板の先端下
面つまり、試料3と対向する面には例えばPN接
合半導体の如き反射電子検出器18が取付けられ
ている。該反射電子検出器18は電子線照射に基
づき試料から発生する反射電子Eを検出し、その
検出信号が図示外の増巾器を介して増巾された後
ブラウン管の輝度変調グリツドに供給される。
しかして今、袋ナツト15を例えば時計方向に
回転させると軸8が前進(第1図中矢印B方向)
し、その移動がテコ体13を介して移動体12に
伝達されるため、移動体12つまり保持板17が
第1図中点線aで示すように上方に移動する。こ
れにより反射電子検出器18は試料3から遠ざけ
られるため、立体角は小さくなる。又、袋ナツト
15は前述とは逆の方向(反時計方向)に回転す
れば、移動体12(保持板17)は下降し、反電
子検出器18は前述とは逆に試料3に接近するた
め、立体角は大きくなる。従つて袋ナツト15を
任意に操作することによりある反射電子の取出角
において立体角を任意に選択することができる。
一方、つまみ部10により回転筒5を時計或い
は反時計方向に回転させると案内体9、移動体1
2及び保持板17を介して反射電子検出器18が
試料3上の電子線照射点を中心にして回転するた
め、反射電子の検出角を変えることができる。
以上詳説したよに本発明によれば、反射電子検
出器を試料上の電子線照射点を中心にして回転あ
るいは試料に対して接近、離間させることができ
るため、反射電子の検出角度を任意に設定できる
と共に、その設定角度において、立体角を任意に
調整することができる。従つて、常に最適なコン
トラストでもつて磁区構造の観察を行うことがで
きる。
又、試料の走査像を高分解能でもつて観察する
場合、試料照射用電子線は非常に細く絞られるた
め、ビーム電流は非常に少なくなり、反射電子検
出器からの出力信号が低下してSN比も低下する
わけであるが、本発明では反射電子検出器を試料
に対して接近させることができるため、反射電子
検出器への反射電子の量を増大させることがで
き、SN比の向上をはかることができる等、実用
性大なる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第
2図は第1図をA方向より見た図である。 図において、1は試料室側壁、2は試料ステー
ジ、3は試料、4は試料ホルダー、5は回転筒、
6及び7はOリングパツキング、8は軸、9は案
内体、10はつまみ部、11は雄ネジ部、12は
移動体、13はテコ体、14はスプリング、15
は袋ナツト、16はビス、17は検出器保持板、
18は反射電子検出器である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 軸心が電子ビームの光軸と直交するように試
    料室壁を貫通して取付けられた筒状の回転体と、
    該回転体の軸心と電子ビームの光軸とが交叉する
    点に表面が一致するように配置された試料と、前
    記試料室側において前記回転体に固定された案内
    体と、該案内体に移動できるように取付けられた
    移動体と、前記試料と対向するように配置され、
    かつ前記移動体に取付けられた反射電子検出器と
    を備え、前記移動体の前記案内に沿う移動方向は
    前記反射電子検出器の検出面に垂直で、かつ前記
    回転体の軸心にも垂直であることを特徴とする走
    査電子顕微鏡における反射電子検出装置。
JP8802478A 1978-07-19 1978-07-19 Reflected electron detector for scan electronic microscope Granted JPS5514683A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8802478A JPS5514683A (en) 1978-07-19 1978-07-19 Reflected electron detector for scan electronic microscope

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8802478A JPS5514683A (en) 1978-07-19 1978-07-19 Reflected electron detector for scan electronic microscope

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5514683A JPS5514683A (en) 1980-02-01
JPS6112332B2 true JPS6112332B2 (ja) 1986-04-08

Family

ID=13931250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8802478A Granted JPS5514683A (en) 1978-07-19 1978-07-19 Reflected electron detector for scan electronic microscope

Country Status (1)

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JP (1) JPS5514683A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS584657U (ja) * 1981-06-30 1983-01-12 株式会社コンポジツトシステム研究所 メツキ用電極材
JPS613662U (ja) * 1984-06-12 1986-01-10 日本電子株式会社 2次電子検出装置
JPS6248658U (ja) * 1985-09-12 1987-03-25

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5514683A (en) 1980-02-01

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