JPS6112364B2 - - Google Patents
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- JPS6112364B2 JPS6112364B2 JP54044811A JP4481179A JPS6112364B2 JP S6112364 B2 JPS6112364 B2 JP S6112364B2 JP 54044811 A JP54044811 A JP 54044811A JP 4481179 A JP4481179 A JP 4481179A JP S6112364 B2 JPS6112364 B2 JP S6112364B2
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- coil
- output
- voltage
- transformer
- rectifier circuit
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F29/00—Variable transformers or inductances not covered by group H01F21/00
- H01F29/14—Variable transformers or inductances not covered by group H01F21/00 with variable magnetic bias
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/12—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is AC
- G05F1/32—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is AC using magnetic devices having a controllable degree of saturation as final control devices
- G05F1/325—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is AC using magnetic devices having a controllable degree of saturation as final control devices with specific core structure, e.g. gap, aperture, slot, permanent magnet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F29/00—Variable transformers or inductances not covered by group H01F21/00
- H01F29/14—Variable transformers or inductances not covered by group H01F21/00 with variable magnetic bias
- H01F2029/143—Variable transformers or inductances not covered by group H01F21/00 with variable magnetic bias with control winding for generating magnetic bias
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Automation & Control Theory (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Television Receiver Circuits (AREA)
- Details Of Television Scanning (AREA)
Description
一定の直流出力電圧を取り出す定電圧電源装置
において、その電源トランスとして可飽和トラン
スを使用すると共に、出力電圧に応じてその可飽
和トランスの制御電流を制御することにより、出
力を安定に閉ループ制御するようにした電源装置
が従来からよく知られている。 しかしながら、このトランスの入力コイルに商
用交流電圧を供給した場合、その周波数は50〜
60Hzで低いためトランスが極めて大型で重くな
り、また、トランスからのリケージフラツクスが
他の部品に悪影響をおよぼすなどの欠点があり、
テレビ受像機などの電子機器では実用化されてい
ない。 この発明は、以上の点にかんがみ、スイツチン
グレギユレータと、磁束制御型トランスにより新
規な電源装置を提供しようとするものである。 まず、この発明に使用できるトランスの一例に
ついて説明しよう。 第１図において、１０はそのトランスを全体と
して示し、１１，１２はその１対の磁気コアで、
これらコア１１，１２は、例えば正方形の板状の
コア基部１０Ｅと、その四偶から直交する方向に
延長され、かつ、互いに等しい断面積の磁脚１０
Ａ〜１０Ｄとを有し、コア１１，１２は磁脚１０
Ａ〜１０Ｄと１０Ａ〜10Dとが端部をもつて互い
に接するように対向され、従つて、全体として立
方体ないし長方体となるように組み立てられてい
る。なお、コア１１，１２は例えばフエライト
材、例えばFE−３により形成される。 さらに、コア１１の磁脚１０Ｂ，１０Ｄにまた
がつて励磁コイルN1が巻回され、コア１１の磁
脚１０Ａ，１０Ｃにまたがつて出力コイルN2が
巻回されると共に、コア１２の磁脚１０Ａ，１０
Ｂにまたがつて制御コイルＮCが巻回されてい
る。従つて、この場合、コイルN1とN2とはトラ
ンス結合となり、コイルN1，N2とＮCとは直交結
合となるが、このときのコイルN1とN2との結合
係数は0.5〜0.6程度とされている。なお、ＥCは
制御電圧源である。 このようなトランス１０によれば、例えば第２
図に示す極性の磁束分布状態となる。すなわち、
コイルN1の励磁電流をI1、コイルN2の共振電流を
I2、コイルN2から取り出される負荷電流をＩL、
各コイルN1，N2の巻数をN1，N2とすれば、この
トランス１０の全起磁力NIは、 NI＝N1I1＋N2I2−N2IL となる。そして、この起磁力NIにより出力電圧
Eoの正の半サイクル期間に生じる磁束を＋φｓ
（第２図Ａ）、負の半サイクル期間に生じる磁束を
−φｓ（第２図Ｂ）とし、また、制御コイルＮC
と、これに流れる制御電流ＩCによつて生じる磁
束をφｃとすれば、正の半サイクル期間（第２図
Ａ）には、磁脚１０Ｂ，１０Ｄにおいて磁束φｓ
とφｃとが減じ合い、磁脚１０Ｂ，１０Ｃにおい
ては磁束φｓとφｃとが加え合い、負の半サイク
ル期間（第２図Ｂ）には逆の関係となる。 従つて、第３図のＢ−Ｈ特性（磁化特性）にお
いて、正の半サイクル期間のピーク時点における
磁脚１０Ａ，１０Ｄの動作点は点となり、磁脚
１０Ｂ，１０Ｃの動作点は点となり、負の半サ
イクル期間のピーク時点における磁脚１０Ｂ，１
０Ｃの動作点は点となり、磁脚１０Ａ，１０Ｄ
の動作点は点となる。従つて、磁脚１０Ａ，１
０Ｄの動作領域は矢印１Ａの区間となり、磁脚１
０Ｂ，１０Ｃの動作領域は矢印１Ｂの区間とな
り、正の半サイクル期間の出力電圧Eoは、点
の磁脚１０Ａ，１０Ｄの磁束密度＋Bsで決り、
負の半サイクル期間の出力電圧Eoは、点の磁
脚１０Ｂ，１０Ｃの磁束密度−Bsで決まること
になる。 そして、点，は磁束φｃにより変化し、磁
束φｃは制御電流ＩCで変化するので、電流ＩCを
制御すれば、出力電圧Eoを制御できることにな
る。 第４図はこのトランス１０の等価回路を示すも
ので出力電圧Eo（ｔ）は、 Eo（ｔ）＝ｄ／ｄｔφ（ｔ）＝ｄ／ｄｔ｛Ｌ2i（ｔ）｝ ＝L2ｄｉ（ｔ）／ｄｔ＋ｉ（ｔ）ｄＬ／ｄｔ ＝N2ｄφ（ｔ）／ｄｔ＋ｉ（ｔ）ｄＬ／ｄｔ ただし、L2i（ｔ）＝N2Φ となり第１項はトランス結合により誘起する電
圧、第２項はパラメトリツク結合により誘起する
電圧である。すなわち、出力電圧Eo（ｔ）には
トランス結合による電圧と、パラメトリツク共振
による電圧とが含まれている（両電圧の割り合い
はコイルN1とN2の結合係数、すなわち、コアの
形状及びコイルの巻装方法により異なる）。 従つて、第５図に示すように、Ic＝０のときの
磁束をφ１、加え合つたときの磁束をφ２、減じ
合つたときの磁束をφ３、磁束φ１とφ２、φ３
との変化分をΔφ２，Δφ３とすると、Ic＝０の
場合の出力電圧eoは、 eo＝N2ｄ（φ１＋φ２）／ｄｔ＋Ｎ２／Ｌ２（φ１＋φ
１）ｄＬ／ｄｔ ＝２φ１（KN2f＋Ｎ２／Ｌ２ ｄＬ／ｄｔ となる。また、Ic≠０で磁束φ３が非線形領域に
ある場合の出力電圧ｅOSは、 ｅOS＝N2ｄ（φ２＋φ３）／ｄｔ＋Ｎ２／Ｌ２（φ２＋
φ３）ｄＬ／ｄｔ ＝｛２φ１−（Δφ３−Δφ２）｝ （KN2f＋Ｎ２／Ｌ２ ｄＬ／ｄｔ｝ となる。 そして、Ｂ−Ｈ特性の非線形性のため、 Δφ３＞Δφ２ であるから、 eo−ｅOS＝（Δφ３−Δφ２）（KN2f＋Ｎ２／Ｌ２
ｄＬ／ｄｔ｝ となり、さらに、点，が飽和領域にあるとす
れば、 Δφ２〓０ となるので、 eo−ｅOS＝Δφ３（KN2f＋Ｎ２／Ｌ２ ｄＬ／ｄｔ
） となる。従つて、この式によれば、制御電流ＩC
によつて磁束の変化分Δφ３を制御すれば、出力
電圧Eoを制御できることがわかる。 そして、この場合、制御感度（Δφ３／ΔＩ
C）を高くするには、 、コア１１，１２として角形ヒステリシス特
性の磁性材を使用する 、コア１１，１２の磁気抵抗を小さくする
（例えばコア１１，１２間のギヤツプをな
くす、高透磁率の磁性材とする、磁路長を
短くする、断面積を大きくするなど） などの方法を採ればよく、必要な制御感度を得る
ことができる。 以上の説明のように、励磁コイルN1及び出力
コイルN2に対して直交結合となる制御コイルＮC
を設け、これに流れる制御電流ＩCを変更すれ
ば、トランス１０の最大磁束密度ＢSが制御さ
れ、結果として出力電圧Eoを制御できる。そし
て、最大磁束密度ＢSの温度変化、入力電圧の変
動、負荷変動などを制御電流ＩCに帰還すれば、
その出力電圧Eoを安定化できる。 次に、制御電流ＩCによる制御範囲について考
察する。 コア１１，１２としてフエライト材を使用した
場合には、発熱により最大磁束密度ＢSが大幅に
変化し、例えば第６図に示すように、温度Ｔの０
℃から100℃の変化に対してΔφ１＝30％程度減
少する。従つて、許容温度を０℃〜100℃とすれ
ば、動作点〜はＴ＝100℃におけるＢ−Ｈ曲
線上に設定する必要がある。 また、入力電圧の変動及び負荷の変動に対して
も定電圧特性を得るには、動作点において、 NI＝ＮCＩC＝一定 ≡NIo であればよい。 従つて、
において、その電源トランスとして可飽和トラン
スを使用すると共に、出力電圧に応じてその可飽
和トランスの制御電流を制御することにより、出
力を安定に閉ループ制御するようにした電源装置
が従来からよく知られている。 しかしながら、このトランスの入力コイルに商
用交流電圧を供給した場合、その周波数は50〜
60Hzで低いためトランスが極めて大型で重くな
り、また、トランスからのリケージフラツクスが
他の部品に悪影響をおよぼすなどの欠点があり、
テレビ受像機などの電子機器では実用化されてい
ない。 この発明は、以上の点にかんがみ、スイツチン
グレギユレータと、磁束制御型トランスにより新
規な電源装置を提供しようとするものである。 まず、この発明に使用できるトランスの一例に
ついて説明しよう。 第１図において、１０はそのトランスを全体と
して示し、１１，１２はその１対の磁気コアで、
これらコア１１，１２は、例えば正方形の板状の
コア基部１０Ｅと、その四偶から直交する方向に
延長され、かつ、互いに等しい断面積の磁脚１０
Ａ〜１０Ｄとを有し、コア１１，１２は磁脚１０
Ａ〜１０Ｄと１０Ａ〜10Dとが端部をもつて互い
に接するように対向され、従つて、全体として立
方体ないし長方体となるように組み立てられてい
る。なお、コア１１，１２は例えばフエライト
材、例えばFE−３により形成される。 さらに、コア１１の磁脚１０Ｂ，１０Ｄにまた
がつて励磁コイルN1が巻回され、コア１１の磁
脚１０Ａ，１０Ｃにまたがつて出力コイルN2が
巻回されると共に、コア１２の磁脚１０Ａ，１０
Ｂにまたがつて制御コイルＮCが巻回されてい
る。従つて、この場合、コイルN1とN2とはトラ
ンス結合となり、コイルN1，N2とＮCとは直交結
合となるが、このときのコイルN1とN2との結合
係数は0.5〜0.6程度とされている。なお、ＥCは
制御電圧源である。 このようなトランス１０によれば、例えば第２
図に示す極性の磁束分布状態となる。すなわち、
コイルN1の励磁電流をI1、コイルN2の共振電流を
I2、コイルN2から取り出される負荷電流をＩL、
各コイルN1，N2の巻数をN1，N2とすれば、この
トランス１０の全起磁力NIは、 NI＝N1I1＋N2I2−N2IL となる。そして、この起磁力NIにより出力電圧
Eoの正の半サイクル期間に生じる磁束を＋φｓ
（第２図Ａ）、負の半サイクル期間に生じる磁束を
−φｓ（第２図Ｂ）とし、また、制御コイルＮC
と、これに流れる制御電流ＩCによつて生じる磁
束をφｃとすれば、正の半サイクル期間（第２図
Ａ）には、磁脚１０Ｂ，１０Ｄにおいて磁束φｓ
とφｃとが減じ合い、磁脚１０Ｂ，１０Ｃにおい
ては磁束φｓとφｃとが加え合い、負の半サイク
ル期間（第２図Ｂ）には逆の関係となる。 従つて、第３図のＢ−Ｈ特性（磁化特性）にお
いて、正の半サイクル期間のピーク時点における
磁脚１０Ａ，１０Ｄの動作点は点となり、磁脚
１０Ｂ，１０Ｃの動作点は点となり、負の半サ
イクル期間のピーク時点における磁脚１０Ｂ，１
０Ｃの動作点は点となり、磁脚１０Ａ，１０Ｄ
の動作点は点となる。従つて、磁脚１０Ａ，１
０Ｄの動作領域は矢印１Ａの区間となり、磁脚１
０Ｂ，１０Ｃの動作領域は矢印１Ｂの区間とな
り、正の半サイクル期間の出力電圧Eoは、点
の磁脚１０Ａ，１０Ｄの磁束密度＋Bsで決り、
負の半サイクル期間の出力電圧Eoは、点の磁
脚１０Ｂ，１０Ｃの磁束密度−Bsで決まること
になる。 そして、点，は磁束φｃにより変化し、磁
束φｃは制御電流ＩCで変化するので、電流ＩCを
制御すれば、出力電圧Eoを制御できることにな
る。 第４図はこのトランス１０の等価回路を示すも
ので出力電圧Eo（ｔ）は、 Eo（ｔ）＝ｄ／ｄｔφ（ｔ）＝ｄ／ｄｔ｛Ｌ2i（ｔ）｝ ＝L2ｄｉ（ｔ）／ｄｔ＋ｉ（ｔ）ｄＬ／ｄｔ ＝N2ｄφ（ｔ）／ｄｔ＋ｉ（ｔ）ｄＬ／ｄｔ ただし、L2i（ｔ）＝N2Φ となり第１項はトランス結合により誘起する電
圧、第２項はパラメトリツク結合により誘起する
電圧である。すなわち、出力電圧Eo（ｔ）には
トランス結合による電圧と、パラメトリツク共振
による電圧とが含まれている（両電圧の割り合い
はコイルN1とN2の結合係数、すなわち、コアの
形状及びコイルの巻装方法により異なる）。 従つて、第５図に示すように、Ic＝０のときの
磁束をφ１、加え合つたときの磁束をφ２、減じ
合つたときの磁束をφ３、磁束φ１とφ２、φ３
との変化分をΔφ２，Δφ３とすると、Ic＝０の
場合の出力電圧eoは、 eo＝N2ｄ（φ１＋φ２）／ｄｔ＋Ｎ２／Ｌ２（φ１＋φ
１）ｄＬ／ｄｔ ＝２φ１（KN2f＋Ｎ２／Ｌ２ ｄＬ／ｄｔ となる。また、Ic≠０で磁束φ３が非線形領域に
ある場合の出力電圧ｅOSは、 ｅOS＝N2ｄ（φ２＋φ３）／ｄｔ＋Ｎ２／Ｌ２（φ２＋
φ３）ｄＬ／ｄｔ ＝｛２φ１−（Δφ３−Δφ２）｝ （KN2f＋Ｎ２／Ｌ２ ｄＬ／ｄｔ｝ となる。 そして、Ｂ−Ｈ特性の非線形性のため、 Δφ３＞Δφ２ であるから、 eo−ｅOS＝（Δφ３−Δφ２）（KN2f＋Ｎ２／Ｌ２
ｄＬ／ｄｔ｝ となり、さらに、点，が飽和領域にあるとす
れば、 Δφ２〓０ となるので、 eo−ｅOS＝Δφ３（KN2f＋Ｎ２／Ｌ２ ｄＬ／ｄｔ
） となる。従つて、この式によれば、制御電流ＩC
によつて磁束の変化分Δφ３を制御すれば、出力
電圧Eoを制御できることがわかる。 そして、この場合、制御感度（Δφ３／ΔＩ
C）を高くするには、 、コア１１，１２として角形ヒステリシス特
性の磁性材を使用する 、コア１１，１２の磁気抵抗を小さくする
（例えばコア１１，１２間のギヤツプをな
くす、高透磁率の磁性材とする、磁路長を
短くする、断面積を大きくするなど） などの方法を採ればよく、必要な制御感度を得る
ことができる。 以上の説明のように、励磁コイルN1及び出力
コイルN2に対して直交結合となる制御コイルＮC
を設け、これに流れる制御電流ＩCを変更すれ
ば、トランス１０の最大磁束密度ＢSが制御さ
れ、結果として出力電圧Eoを制御できる。そし
て、最大磁束密度ＢSの温度変化、入力電圧の変
動、負荷変動などを制御電流ＩCに帰還すれば、
その出力電圧Eoを安定化できる。 次に、制御電流ＩCによる制御範囲について考
察する。 コア１１，１２としてフエライト材を使用した
場合には、発熱により最大磁束密度ＢSが大幅に
変化し、例えば第６図に示すように、温度Ｔの０
℃から100℃の変化に対してΔφ１＝30％程度減
少する。従つて、許容温度を０℃〜100℃とすれ
ば、動作点〜はＴ＝100℃におけるＢ−Ｈ曲
線上に設定する必要がある。 また、入力電圧の変動及び負荷の変動に対して
も定電圧特性を得るには、動作点において、 NI＝ＮCＩC＝一定 ≡NIo であればよい。 従つて、
【表】
とすれば、上式から
ＩC＝Ｎ／ＮＣ｛（I1＋ＩL）＋I2−Ｉ）｝
【表】
となり、これを図示すると、第７図のようにな
る。 従つて、温度による最大磁束密度ＢSの変化を
考慮して点で最大入力電圧・最大負荷となり、
点で最小入力電圧・最大負荷となるように制御
電流ＩCによる制御範囲を設定すればよい。 この発明は、以上の点を考慮して電源装置を構
成するものである。 以下その一例について説明しよう。 第８図において、２１は例えば100Vの商用交
流電源、２２はその交流電圧の整流回路を示し、
この整流回路２２の出力端に、安定化用のチヨー
クコイルＬS及びコンデンサＣSの並列共振回路
と、トランス１０の励振コイルN1と、スイツチ
ング用のトランジスタＱdのコレクタ・エミツタ
間が直列接続されると共に、トランジスタＱdの
コレクタ・エミツタ間にスイツチング用のダイオ
ードＤdと共振用のコンデンサＣdとが並列接続さ
れる。 また、トランジスタＱa，Ｑbにより非安定マル
チバイブレータ２３が構されて周波数が例えば
15kHz〜20kHz程度のパルスが形成され、このパ
ルスがドライブ用のトランジスタＱCを通じてト
ランジスタＱdのベースに供給される。 さらに、トランス１０の発振コイルN2に共振
用のコンデンサＣが接続されると共に、整流回路
２４が接続され、その出力端に負荷ＲLが接続さ
れる。 また、３０は出力電圧Eoの大きさを検出して
制御電流ＩCとする整流回路を示し、トランス１
０にコイルN2と同様に検出コイルN3が巻回さ
れ、これに整流回路２５が接続される。そして、
整流回路２５の整流出力が、整流回路３０に動作
電圧として供給されると共に、可変抵抗器Ｒaに
供給され、その分圧出力と定電圧ダイオードＤZ
に得られる基準電圧とがトランジスタＱeにより
比較され、その比較出力がトランジスタＱfを通
じてトランジスタＱgに供給される。そして、ト
ランジスタＱgのコレクタには、トランス１０の
制御電流ＮCが接続される。 なお、下記にトランス１０の具体的な数値例を
示す。
る。 従つて、温度による最大磁束密度ＢSの変化を
考慮して点で最大入力電圧・最大負荷となり、
点で最小入力電圧・最大負荷となるように制御
電流ＩCによる制御範囲を設定すればよい。 この発明は、以上の点を考慮して電源装置を構
成するものである。 以下その一例について説明しよう。 第８図において、２１は例えば100Vの商用交
流電源、２２はその交流電圧の整流回路を示し、
この整流回路２２の出力端に、安定化用のチヨー
クコイルＬS及びコンデンサＣSの並列共振回路
と、トランス１０の励振コイルN1と、スイツチ
ング用のトランジスタＱdのコレクタ・エミツタ
間が直列接続されると共に、トランジスタＱdの
コレクタ・エミツタ間にスイツチング用のダイオ
ードＤdと共振用のコンデンサＣdとが並列接続さ
れる。 また、トランジスタＱa，Ｑbにより非安定マル
チバイブレータ２３が構されて周波数が例えば
15kHz〜20kHz程度のパルスが形成され、このパ
ルスがドライブ用のトランジスタＱCを通じてト
ランジスタＱdのベースに供給される。 さらに、トランス１０の発振コイルN2に共振
用のコンデンサＣが接続されると共に、整流回路
２４が接続され、その出力端に負荷ＲLが接続さ
れる。 また、３０は出力電圧Eoの大きさを検出して
制御電流ＩCとする整流回路を示し、トランス１
０にコイルN2と同様に検出コイルN3が巻回さ
れ、これに整流回路２５が接続される。そして、
整流回路２５の整流出力が、整流回路３０に動作
電圧として供給されると共に、可変抵抗器Ｒaに
供給され、その分圧出力と定電圧ダイオードＤZ
に得られる基準電圧とがトランジスタＱeにより
比較され、その比較出力がトランジスタＱfを通
じてトランジスタＱgに供給される。そして、ト
ランジスタＱgのコレクタには、トランス１０の
制御電流ＮCが接続される。 なお、下記にトランス１０の具体的な数値例を
示す。
【表】
このような構成によれば、マルチバイブレータ
２３の出力パルスによつてトランジスタＱdがス
イツチングされるので、テレビ受像機の水平偏向
回路と同様の動作が行われ、トランジスタＱdの
コレクタ電圧は、第９図Ａに示すように変化する
と共に、トランス１０の励磁コイルN1には第９
図Ｂに示すような励磁電流I1が流れる。なお、こ
の場合、コイルＬSは、トランジスタＱdのオン期
間のコレクタ電流を制限してそのスイツチング動
作を安定化するものであり、また、コンデンサＣ
Sは、コイルＬSと共に励振周波数に共振した共振
回路を構成してトランジスタＱdのコレクタ電圧
の成分が出力電圧Eoに影響を与えないようにす
るものである。 そして、トランス１０は、電流I1により励磁さ
れるので、コイルN2及びコンデンサＣの並列回
路には、第９図Ｃ，Ｄに示す波形の出力電圧Eo
及び共振電流I2が得られ、この電圧Eoが整流回路
２４に供給される負荷ＲLには例えば115Vの直流
電圧が供給される。 なお、第９図Ｅは、トランス１０のコイルN2
の中点タツプに流れる電流を示し、これは、電流
I1が正の半サイクル期間と負の半サイクル期間と
で不平衡なため不平衡となる。 そして、この場合、コイルN3に生じる電圧に
よつて整流回路２５は例えば18Vの直流電圧が取
り出され、この電圧の変動がトランジスタＱeに
より検出され、その検出出力がトランス１０のコ
イルＮCに制御電流として流れる。すなわち、整
流回路２５の出力電圧が高くなれば、トランジス
タＱfのコレクタ電流が増加してトランジスタＱg
のコレクタ電流が増加し、従つて、コイルＮCの
制御電流ＩCが大きくなつて最大磁束密度ＢSが小
さくなるので、出力電圧Eoは低くなり、整流回
路２５の出力電圧が低くなれば、逆に電流ＩCが
小さくなつて磁束密度ＢSが大きくなり、出力電
圧Eoは高くなる。従つて、出力電圧Eoは一定に
安定化される。 そして、上述した数値例の場合、入力電圧Ei
が90V〜120V、負荷電力ＰLが30W〜70Wの変動
に対して制御電流ＩCを15mA〜60mAとすれば、
出力電圧Eoは115Vで安定であつた。また、Ei＝
100V、ＰL＝70Wで一定とした場合、整流回路２
２を除いたDC−DC変換効率ηは81％であり、負
荷ＲLにおける電源リツプル成分は50mV（リツ
プル抑圧比50dB）であつた。因みに、整流回路
３０をはずすと、リツプル成分は200mVであつ
た。 こうして、この発明によれば、安定な電圧変換
を行うことができると共に、トランス１０を著し
く小型軽量化でき、従つて、装置を小型軽量化で
きる。 さらに、例えば負荷ＲLがシヨートしてもチヨ
ークコイルＬSがトランジスタＱdの負荷となるの
で、過負荷に対してトランジスタＱdは自動的に
保護される。また、トランス１０のコア１１，１
２にギヤツプを設ける必要がないので、リケージ
フラツクスがほとんどなくなり、他の回路に悪影
響を与えることがない。 さらに、上述の場合には、出力の約90％がトラ
ンス結合により取り出され、残りがパラメトリツ
ク共振により取り出されるが、コア１１，１２の
形状及びコイルN1，N2の巻装方法を変更すれ
ば、すべてをトランス結合により取り出すことも
できる。
２３の出力パルスによつてトランジスタＱdがス
イツチングされるので、テレビ受像機の水平偏向
回路と同様の動作が行われ、トランジスタＱdの
コレクタ電圧は、第９図Ａに示すように変化する
と共に、トランス１０の励磁コイルN1には第９
図Ｂに示すような励磁電流I1が流れる。なお、こ
の場合、コイルＬSは、トランジスタＱdのオン期
間のコレクタ電流を制限してそのスイツチング動
作を安定化するものであり、また、コンデンサＣ
Sは、コイルＬSと共に励振周波数に共振した共振
回路を構成してトランジスタＱdのコレクタ電圧
の成分が出力電圧Eoに影響を与えないようにす
るものである。 そして、トランス１０は、電流I1により励磁さ
れるので、コイルN2及びコンデンサＣの並列回
路には、第９図Ｃ，Ｄに示す波形の出力電圧Eo
及び共振電流I2が得られ、この電圧Eoが整流回路
２４に供給される負荷ＲLには例えば115Vの直流
電圧が供給される。 なお、第９図Ｅは、トランス１０のコイルN2
の中点タツプに流れる電流を示し、これは、電流
I1が正の半サイクル期間と負の半サイクル期間と
で不平衡なため不平衡となる。 そして、この場合、コイルN3に生じる電圧に
よつて整流回路２５は例えば18Vの直流電圧が取
り出され、この電圧の変動がトランジスタＱeに
より検出され、その検出出力がトランス１０のコ
イルＮCに制御電流として流れる。すなわち、整
流回路２５の出力電圧が高くなれば、トランジス
タＱfのコレクタ電流が増加してトランジスタＱg
のコレクタ電流が増加し、従つて、コイルＮCの
制御電流ＩCが大きくなつて最大磁束密度ＢSが小
さくなるので、出力電圧Eoは低くなり、整流回
路２５の出力電圧が低くなれば、逆に電流ＩCが
小さくなつて磁束密度ＢSが大きくなり、出力電
圧Eoは高くなる。従つて、出力電圧Eoは一定に
安定化される。 そして、上述した数値例の場合、入力電圧Ei
が90V〜120V、負荷電力ＰLが30W〜70Wの変動
に対して制御電流ＩCを15mA〜60mAとすれば、
出力電圧Eoは115Vで安定であつた。また、Ei＝
100V、ＰL＝70Wで一定とした場合、整流回路２
２を除いたDC−DC変換効率ηは81％であり、負
荷ＲLにおける電源リツプル成分は50mV（リツ
プル抑圧比50dB）であつた。因みに、整流回路
３０をはずすと、リツプル成分は200mVであつ
た。 こうして、この発明によれば、安定な電圧変換
を行うことができると共に、トランス１０を著し
く小型軽量化でき、従つて、装置を小型軽量化で
きる。 さらに、例えば負荷ＲLがシヨートしてもチヨ
ークコイルＬSがトランジスタＱdの負荷となるの
で、過負荷に対してトランジスタＱdは自動的に
保護される。また、トランス１０のコア１１，１
２にギヤツプを設ける必要がないので、リケージ
フラツクスがほとんどなくなり、他の回路に悪影
響を与えることがない。 さらに、上述の場合には、出力の約90％がトラ
ンス結合により取り出され、残りがパラメトリツ
ク共振により取り出されるが、コア１１，１２の
形状及びコイルN1，N2の巻装方法を変更すれ
ば、すべてをトランス結合により取り出すことも
できる。
第１図〜第７図、第９図はこの発明を説明する
ための図、第８図はこの発明の一例の接続図であ
る。 １０はトランス、１１，１２はそのコアであ
る。
ための図、第８図はこの発明の一例の接続図であ
る。 １０はトランス、１１，１２はそのコアであ
る。
Claims (1)
- １ 非線形領域を有する磁気コアに対して、励磁
コイル及び出力コイルが互いにトランス結合とな
るように巻装されると共に、上記励磁コイル及び
出力コイルに対して直交結合となるように制御コ
イルが巻装されたトランスと、商用交流電圧を整
流する整流回路と、高周波の励振パルスを形成す
る発振回路と、上記励振パルスにより制御される
スイツチング素子と、このスイツチング素子に並
列に接続されたコンデンサとを有し、上記出力コ
イルに整流回路が接続され、この整流回路と上記
制御コイルとの間に制御回路が接続され、上記商
用交流電圧を整流する整流回路の出力が上記スイ
ツチング素子により断続されて上記励磁コイルに
高周波の励磁電流が供給され、上記出力コイルの
出力が上記整流回路により整流されて直流電圧が
出力として取り出されると共に、その直流電圧の
大きさが上記制御回路により検出され、その検出
出力が上記制御コイルに供給され、この検出出力
及び上記制御コイルによる磁束により、上記磁気
コアの動作点が制御されて上記直流電圧が所定値
に制御されるようにした電源装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4481179A JPS55138215A (en) | 1979-04-12 | 1979-04-12 | Power supply device |
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| AU57275/80A AU533522B2 (en) | 1979-04-12 | 1980-04-09 | Voltage regulator using saturable transformer |
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| DE19803014153 DE3014153A1 (de) | 1979-04-12 | 1980-04-12 | Spannungsregler |
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|---|---|---|---|
| JP4481179A JPS55138215A (en) | 1979-04-12 | 1979-04-12 | Power supply device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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Family
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Family Applications (1)
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| JP (1) | JPS55138215A (ja) |
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-
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