JPS61124144A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
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- JPS61124144A JPS61124144A JP59245449A JP24544984A JPS61124144A JP S61124144 A JPS61124144 A JP S61124144A JP 59245449 A JP59245449 A JP 59245449A JP 24544984 A JP24544984 A JP 24544984A JP S61124144 A JPS61124144 A JP S61124144A
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- JP
- Japan
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- hybrid integrated
- integrated circuit
- substrate
- pads
- metal substrate
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0284—Details of three-dimensional rigid printed circuit boards
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/053—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an inorganic insulating layer
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5525—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising copper [Cu]
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は混成集積回路、特に高密度集積化に適した混成
集積回路の改良に関する。
集積回路の改良に関する。
師)従来の技術
従来の混成集積回路は第4図に示す如く、金属基板(1
)の−主面に絶縁薄層を設けて所望の導電路(2)を設
け、導電路(2)上に半導体集積回路、チップ抵抗ある
いはチップコンデンサー等の回路素子(3)を固着して
、第5図の如く外部リード(4)のみを残して全体を樹
脂(5)でモールドして形成していた。
)の−主面に絶縁薄層を設けて所望の導電路(2)を設
け、導電路(2)上に半導体集積回路、チップ抵抗ある
いはチップコンデンサー等の回路素子(3)を固着して
、第5図の如く外部リード(4)のみを残して全体を樹
脂(5)でモールドして形成していた。
斯る混成集積回路は金属基板(1)の−主面に形成され
るため、ある程度の集積度を確保するには高さが必要と
なり、電子機器の薄型化設計の難点となっていた。この
原因は主として外部リード(4)の固着パッド(6)に
かなりの面積が必要となるためである。
るため、ある程度の集積度を確保するには高さが必要と
なり、電子機器の薄型化設計の難点となっていた。この
原因は主として外部リード(4)の固着パッド(6)に
かなりの面積が必要となるためである。
本発明者は斯上の欠点を除去するために第6図および第
7図に示す混成集積回路を考えた。この混成集積回路は
2枚の金属基板f111fl′Aと、基板(11012
1を接続する絶縁フィルム03)と、フィルム03)上
に設けた導電路04)と、導電路(14)上に固着した
半導体集積回路、チップ抵抗あるいはチップコンデンサ
ー等の複数の回路素子051とを具備し、基板的)(1
2の離間部分で絶縁フィルム(131を折り曲げて第7
図の如くプリント基板(田に実装される。この構造に依
れば従来と同じ集積度を有する混成集積回路を約半分の
高さにできる利点を有する。
7図に示す混成集積回路を考えた。この混成集積回路は
2枚の金属基板f111fl′Aと、基板(11012
1を接続する絶縁フィルム03)と、フィルム03)上
に設けた導電路04)と、導電路(14)上に固着した
半導体集積回路、チップ抵抗あるいはチップコンデンサ
ー等の複数の回路素子051とを具備し、基板的)(1
2の離間部分で絶縁フィルム(131を折り曲げて第7
図の如くプリント基板(田に実装される。この構造に依
れば従来と同じ集積度を有する混成集積回路を約半分の
高さにできる利点を有する。
しかし折曲部分がフレキシブルな絶縁フィルムa鵠であ
るので、折曲角度等の形状を定型化できず自動挿入を行
なえず、また絶縁フィルムOJでの破断も発生するおそ
れがあった。
るので、折曲角度等の形状を定型化できず自動挿入を行
なえず、また絶縁フィルムOJでの破断も発生するおそ
れがあった。
更に本発明者は斯上した欠点を除去するために第8図、
第9図および第10図に示す混成集積回路を考えた。こ
の混成集積回路は金属基板(21+と、金属基根因1の
折曲部分l2I)となる中央部に設けた細長い切欠孔(
22と、金属基板(211の折曲部分α1の両端に金属
基板Clをそのまま残存させて設けた連結体e渇と、金
属基板(J11表面に付着した絶縁フィルムf24)と
、絶縁フィルムCa上に設けた導電路I25)と、導電
路e9上に固着した複数の回路素子体とを具備し、絶縁
フィルムc24)を連結体0階部分で切欠いている。
第9図および第10図に示す混成集積回路を考えた。こ
の混成集積回路は金属基板(21+と、金属基根因1の
折曲部分l2I)となる中央部に設けた細長い切欠孔(
22と、金属基板(211の折曲部分α1の両端に金属
基板Clをそのまま残存させて設けた連結体e渇と、金
属基板(J11表面に付着した絶縁フィルムf24)と
、絶縁フィルムCa上に設けた導電路I25)と、導電
路e9上に固着した複数の回路素子体とを具備し、絶縁
フィルムc24)を連結体0階部分で切欠いている。
斯る混成集積回路は金属基板(211を折曲部分で曲折
しても、第9図の如く連結体(ハ)が単に曲折されてい
るだけで、絶縁フィルム(24)のある曲折部分では第
10図の如く切欠孔のにより絶縁フィルムC14)が引
き伸ばされることなく基板(Julを曲折できる。
しても、第9図の如く連結体(ハ)が単に曲折されてい
るだけで、絶縁フィルム(24)のある曲折部分では第
10図の如く切欠孔のにより絶縁フィルムC14)が引
き伸ばされることなく基板(Julを曲折できる。
(/→ 発明が解決しようとする問題点しかしながら上
述した混成集積回路はいずれも絶縁フィルムを不可欠と
しており、絶縁フィルム(1韓→は高価なポリイミド等
を用いている。このために混成集積回路は高価とならざ
るを得ない欠点があった。
述した混成集積回路はいずれも絶縁フィルムを不可欠と
しており、絶縁フィルム(1韓→は高価なポリイミド等
を用いている。このために混成集積回路は高価とならざ
るを得ない欠点があった。
(ハ)問題点を解決するための手段
本発明は断点に鑑みてなされ、絶縁被覆した導線を用い
て接続を行うこと罠より絶縁フィルムを不要とした混成
集積回路を実現するものである。
て接続を行うこと罠より絶縁フィルムを不要とした混成
集積回路を実現するものである。
(ホ)作用
本発明では絶縁被覆した導線が直接導電路に超音波ボン
ディング行なえる点に着目し、絶縁被覆した導線で電極
パッド間を接続している。
ディング行なえる点に着目し、絶縁被覆した導線で電極
パッド間を接続している。
(へ)実施例
本発明の一実施例を第1図乃至第3図を参照して詳述す
る。
る。
金属基板(21)は0.5〜1.0 Im厚の良熱伝導
性のアルミニウムで形成され、その表面は酸化アルミニ
ウム膜で被覆されている。金属基板01)の折曲部分(
至)となる中央部にはプレス打抜きで設けた細長い切欠
孔02と金属基板01)をそのまま残存させた複数本の
連結体(ハ)を設ける。連結体(2)は金属基板t3σ
を一体的に支持し、折曲げても定型を保持する働きを有
する。
性のアルミニウムで形成され、その表面は酸化アルミニ
ウム膜で被覆されている。金属基板01)の折曲部分(
至)となる中央部にはプレス打抜きで設けた細長い切欠
孔02と金属基板01)をそのまま残存させた複数本の
連結体(ハ)を設ける。連結体(2)は金属基板t3σ
を一体的に支持し、折曲げても定型を保持する働きを有
する。
金属基板01)の酸化アルミニウム膜表面には導電路C
34)となる銅箔を貼着しておき、との銅箔を選択的に
エツチングして所望形状の導電路(財)を形成する。導
電路04)は第1図から明らかな様に両端に実装するプ
リント基板の電極に半田付けするパッド6鴇を複数個配
列し、パッド651から導電路(ロ)を酸化アルミニウ
ム膜上を所望パターンに延在させる。
34)となる銅箔を貼着しておき、との銅箔を選択的に
エツチングして所望形状の導電路(財)を形成する。導
電路04)は第1図から明らかな様に両端に実装するプ
リント基板の電極に半田付けするパッド6鴇を複数個配
列し、パッド651から導電路(ロ)を酸化アルミニウ
ム膜上を所望パターンに延在させる。
また切欠孔C321の対向する側面には電極パッド(至
)を設けており、対応する電極パッド(至)との接続を
行う。
)を設けており、対応する電極パッド(至)との接続を
行う。
回路素子(37)は所望の導電路C34)上に半田付け
される。回路素子07)が固着される導電路(34)の
部分は基板t31)全体に位置する様に設計し、基板C
31)の折曲部分を除いて半導体集積回路、チップ抵抗
あるいはチップコンデンサー等の複数の回路素子を組み
込む。
される。回路素子07)が固着される導電路(34)の
部分は基板t31)全体に位置する様に設計し、基板C
31)の折曲部分を除いて半導体集積回路、チップ抵抗
あるいはチップコンデンサー等の複数の回路素子を組み
込む。
本発明の特徴は切欠孔02)の両側に設けた電極パッド
(36)を絶縁被覆した導#(至)で接続することにあ
る。本発明に用いる導線は第3図に示す如り、50〜2
00μ戸の銅細線O1とその表面を被覆するウレタンあ
るいは弗化エチレンより成る絶縁被膜(41で形成され
ている。絶縁被膜(41は銅細線OIをウレタンあるい
は弗化エチレン溶液中を通して10〜50μ厚(平均的
には20μ厚)に付着したものである。斯る導線□□□
は超音波ボンディング装置を用いて電極パッド国に超音
波振動により固着する。導線(至)は断面円形の銅細線
を用いているので、導電路(財)との接点に超音波振動
のエネルギーが集中して絶縁被膜(40が破れて銅細線
が露出される。
(36)を絶縁被覆した導#(至)で接続することにあ
る。本発明に用いる導線は第3図に示す如り、50〜2
00μ戸の銅細線O1とその表面を被覆するウレタンあ
るいは弗化エチレンより成る絶縁被膜(41で形成され
ている。絶縁被膜(41は銅細線OIをウレタンあるい
は弗化エチレン溶液中を通して10〜50μ厚(平均的
には20μ厚)に付着したものである。斯る導線□□□
は超音波ボンディング装置を用いて電極パッド国に超音
波振動により固着する。導線(至)は断面円形の銅細線
を用いているので、導電路(財)との接点に超音波振動
のエネルギーが集中して絶縁被膜(40が破れて銅細線
が露出される。
そして銅細線と銅の導電路04)との同一材料の結合に
より超音波ボンディングできる。
より超音波ボンディングできる。
斯上した本発明による混成集積回路では電極パッド(ト
)間を接続する導線(至)は絶縁被膜(41で覆われて
いるので、導線弼同志が短絡するおそれもなくまた基板
01)とも短絡するおそれがない。この結果従来用いて
いた高価な絶縁フィルムを廃止でき、安価なボンディン
グワイヤを利用できる。そして超音波ボンディング装置
を利用することにより自動ボンディングも可能である。
)間を接続する導線(至)は絶縁被膜(41で覆われて
いるので、導線弼同志が短絡するおそれもなくまた基板
01)とも短絡するおそれがない。この結果従来用いて
いた高価な絶縁フィルムを廃止でき、安価なボンディン
グワイヤを利用できる。そして超音波ボンディング装置
を利用することにより自動ボンディングも可能である。
第2図は本発明による混成集積回路をプリント基板に実
装した断面を示している。図面から明らかな様に、切欠
孔曽で基板01)を折曲げて、プリント基板へ半田付け
している。導線(至)は基板C3])の折曲げに応じて
変形し且つ絶縁被傍しているので短絡のおそれもない。
装した断面を示している。図面から明らかな様に、切欠
孔曽で基板01)を折曲げて、プリント基板へ半田付け
している。導線(至)は基板C3])の折曲げに応じて
変形し且つ絶縁被傍しているので短絡のおそれもない。
(ト1 発明の効果
本発明に依れば、従来と同じ集積度を有する混成集積回
路を約半分の高さで実現でき且つ高価なフレキシブルな
絶縁フィルムを用いる必要もなくなる。
路を約半分の高さで実現でき且つ高価なフレキシブルな
絶縁フィルムを用いる必要もなくなる。
更に絶縁被覆した導線(至)を用いるので超音波ボンデ
ィングでき極めて容易に電極パッド(ト)間の接続を行
なえる。
ィングでき極めて容易に電極パッド(ト)間の接続を行
なえる。
第1図は本発明の混成集積回路を説明する平面図、第2
図は本発明の混成集積回路を実装した側面断面図、第3
図は本発明に用いる絶縁被覆した導線を説明する断面図
、第4図は従来の混成集積回路を説明する平面図、第5
図は第4図の側面断面図、第6図は従来の改良した混成
集積回路を説明する平面図、第7図は第6図の混成集積
回路を実装した側面断面図、第8図は更に改良をした従
来の混成集積回路を説明する平面図、第9図および第1
0図は第8図の混成集積回路の側面断面図である。 主な図番の説明 01)は金属基板、 62は切欠孔、 (ハ)は連結体
、(ホ))は導電路、 (至)は電極パッド、 6Dは
回路素子、(至)は導線である。 出願人 三洋電機株式会社 外1名 代理人 弁理士 佐 野 靜 夫 第2図 第3図 第5図 第7図 第9図 第10図
図は本発明の混成集積回路を実装した側面断面図、第3
図は本発明に用いる絶縁被覆した導線を説明する断面図
、第4図は従来の混成集積回路を説明する平面図、第5
図は第4図の側面断面図、第6図は従来の改良した混成
集積回路を説明する平面図、第7図は第6図の混成集積
回路を実装した側面断面図、第8図は更に改良をした従
来の混成集積回路を説明する平面図、第9図および第1
0図は第8図の混成集積回路の側面断面図である。 主な図番の説明 01)は金属基板、 62は切欠孔、 (ハ)は連結体
、(ホ))は導電路、 (至)は電極パッド、 6Dは
回路素子、(至)は導線である。 出願人 三洋電機株式会社 外1名 代理人 弁理士 佐 野 靜 夫 第2図 第3図 第5図 第7図 第9図 第10図
Claims (1)
- 1、金属基板と、該金属基板の折曲部分に設けた切欠孔
と前記基板を一体化する連結体と、前記金属基板表面上
の絶縁薄層上に設けた所望の導電路と、該導電路上に固
着された複数の回路素子とを具備し、前記切欠孔の両側
に対向して電極パッドを設け、該電極パッドを絶縁被覆
した導線で接続することを特徴とする混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59245449A JPS61124144A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59245449A JPS61124144A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61124144A true JPS61124144A (ja) | 1986-06-11 |
| JPH0556658B2 JPH0556658B2 (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=17133825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59245449A Granted JPS61124144A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61124144A (ja) |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP59245449A patent/JPS61124144A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0556658B2 (ja) | 1993-08-20 |
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