JPS61124561A - 化合物薄膜の製造方法 - Google Patents
化合物薄膜の製造方法Info
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- JPS61124561A JPS61124561A JP23552284A JP23552284A JPS61124561A JP S61124561 A JPS61124561 A JP S61124561A JP 23552284 A JP23552284 A JP 23552284A JP 23552284 A JP23552284 A JP 23552284A JP S61124561 A JPS61124561 A JP S61124561A
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- C23C14/221—Ion beam deposition
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、化合物薄膜を制御性良く安定に得るための製
造方法に関する。
造方法に関する。
従来の技術
化合物薄膜は従来反応性ガスを導入した熱蒸着や反応性
スパッタ法等により形成されている（例えば、「薄膜の
基本技術ｊ金原榮、東京大学出版会（１９７６））。
スパッタ法等により形成されている（例えば、「薄膜の
基本技術ｊ金原榮、東京大学出版会（１９７６））。
発明が解決しようとする問題点
これらの方法においては膜の形成物質と反応性ガスとの
反応により化合物薄膜が形成されるが、上記反応が不十
分であったり、反応により膜中にひずみが起こり膜が不
安定となったり等、制御性。
反応により化合物薄膜が形成されるが、上記反応が不十
分であったり、反応により膜中にひずみが起こり膜が不
安定となったり等、制御性。
安定性に問題があった。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため本発明では、イオンビームス
パッタ装置において、反応性ガスを含むイオンビームを
用い、上記イオンビームが照射される場所に基板を置く
ことにより、ターゲット物質と反応性ガスからなる化合
物薄膜を制御性、安定性良く製造する方法を提供する。
パッタ装置において、反応性ガスを含むイオンビームを
用い、上記イオンビームが照射される場所に基板を置く
ことにより、ターゲット物質と反応性ガスからなる化合
物薄膜を制御性、安定性良く製造する方法を提供する。
作 用
イオン化されてエネルギーを与えられてイオンビームと
なった反応性ガスは、気体状態にある場合に比べて反応
性が非常に高いため、ターゲット物質との反応が十分に
進んだ膜が形成される。また、膜中のひずみ等もこのイ
オン化されてエネルギーを与えられた反応性ガスの照射
によって緩和されて、安定な膜が形成できる。これらの
効果は反応性ガスのイオンビームが基板に照射される場
合に起こるが、本発明においては１つの反応性ガスを含
むイオンビームを用いて、このイオンビームがターゲッ
トのスパッタを行うと同時に基板へも反応性ガスのイオ
ンを照射する。複数のイオンビームを使用する場合に比
べて装置が簡単となる。
なった反応性ガスは、気体状態にある場合に比べて反応
性が非常に高いため、ターゲット物質との反応が十分に
進んだ膜が形成される。また、膜中のひずみ等もこのイ
オン化されてエネルギーを与えられた反応性ガスの照射
によって緩和されて、安定な膜が形成できる。これらの
効果は反応性ガスのイオンビームが基板に照射される場
合に起こるが、本発明においては１つの反応性ガスを含
むイオンビームを用いて、このイオンビームがターゲッ
トのスパッタを行うと同時に基板へも反応性ガスのイオ
ンを照射する。複数のイオンビームを使用する場合に比
べて装置が簡単となる。
実施例
第１図に本発明の化合物薄膜の製造方法に用いたイオン
ビームスパッタ装置の一実施例を示す。
ビームスパッタ装置の一実施例を示す。
イオンソース１から反応性ガスを含むイオンビーム２が
照射され、ターゲット３に当たる。基板４は図のように
基板表面５がイオンビームに対してほぼ平行となるよう
に置く。イオンビーム２はある程度の拡がりを持つため
基板表面６にその一部が当たることとなり、反応性ガス
とターゲット物質の化合物が得られる。反応性ガスの量
及びエネルギーは任意に設定できるため制御性に富み、
ターゲット３の近くに基板４を置いているため蒸着レー
トが高くなり、高速蒸着が可能である。
照射され、ターゲット３に当たる。基板４は図のように
基板表面５がイオンビームに対してほぼ平行となるよう
に置く。イオンビーム２はある程度の拡がりを持つため
基板表面６にその一部が当たることとなり、反応性ガス
とターゲット物質の化合物が得られる。反応性ガスの量
及びエネルギーは任意に設定できるため制御性に富み、
ターゲット３の近くに基板４を置いているため蒸着レー
トが高くなり、高速蒸着が可能である。
（実施例１）
反応性ガスとして窒素を用い、イオンビーム２としては
アルゴンと窒素の混合気体を用いる。Ｎｂのターゲット
３をスパッタして溶融石英基板４上に蒸着すると、安定
なＮｂＮ 膜が得られた。この場合、イオンビーム２
が照射されない位置（例えば第１図の６）に基板を置〈
従来の膜形成によると膜は第３図の写真に示すように荒
れ７が認められた。本発明の製造方法により膜が安定化
されたと考えられ、第２図のような荒れは見られなく、
第３図の写真のように平滑な表面となる。
アルゴンと窒素の混合気体を用いる。Ｎｂのターゲット
３をスパッタして溶融石英基板４上に蒸着すると、安定
なＮｂＮ 膜が得られた。この場合、イオンビーム２
が照射されない位置（例えば第１図の６）に基板を置〈
従来の膜形成によると膜は第３図の写真に示すように荒
れ７が認められた。本発明の製造方法により膜が安定化
されたと考えられ、第２図のような荒れは見られなく、
第３図の写真のように平滑な表面となる。
（実施例２）
反応性ガスとして水素を用い、イオンビーム２としては
アルゴンと水素の混合気体を用いる。炭素のターゲット
３をスパッタしてａ −Ｃ： Ｈ（水素化アモルファス
炭素膜）を作製すると、ダイヤモンドライクな硬質な高
絶縁の（ｉ−Ｃと呼ばれている）膜が得られた。この場
合、イオンビーム２としてアルゴンのみの気体を用い、
水素をガスとして導入した場合には、水素の反応性が弱
くなり、このようなｉ−Ｃと云える様な高絶縁の膜は得
られなかった。
アルゴンと水素の混合気体を用いる。炭素のターゲット
３をスパッタしてａ −Ｃ： Ｈ（水素化アモルファス
炭素膜）を作製すると、ダイヤモンドライクな硬質な高
絶縁の（ｉ−Ｃと呼ばれている）膜が得られた。この場
合、イオンビーム２としてアルゴンのみの気体を用い、
水素をガスとして導入した場合には、水素の反応性が弱
くなり、このようなｉ−Ｃと云える様な高絶縁の膜は得
られなかった。
ここでは窒素と水素についてＮｂと炭素との化合物につ
いてそれぞれ述べたが、他の物質との化合物でも同様の
効果を示し、酸素との化合物でも同様である。また、こ
れ以外の反応性ガスについても有効である。
いてそれぞれ述べたが、他の物質との化合物でも同様の
効果を示し、酸素との化合物でも同様である。また、こ
れ以外の反応性ガスについても有効である。
発明の効果
本発明の製造方法は、イオンビームスパッタ装置におい
て、反応性ガスを含むイオンビームを用いることにより
、イオン化されエネルギーを持った反応性ガスを基板に
照射しつつ膜形成を行わせることにより、制御性良く安
定性の良い化合物薄膜を形成可能とするものであり、本
発明の工業的価値は高い。
て、反応性ガスを含むイオンビームを用いることにより
、イオン化されエネルギーを持った反応性ガスを基板に
照射しつつ膜形成を行わせることにより、制御性良く安
定性の良い化合物薄膜を形成可能とするものであり、本
発明の工業的価値は高い。
第１図は本発明の製造方法に用いたイオンビームスパッ
タ装置、第２図は本発明の製造方法によるＮｂＮ 薄膜
の表面顕微鏡写真、第３図は従来の製造方法によるＮｂ
Ｎ 薄膜の荒れた表面を示す電子顕微鏡写真である。 １・・・・・・イオンソース、２・・・・・・イオンビ
ーム、３・・・・・・ターゲット、４・・・・・・基板
、６・・・・・基板表面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 手続補正書（方式） ％式％ １事件の表示 嘴駄昭和６９年特許
願第２３５５２２す ２発明の名称 化合物薄膜の製造方法 ３補正をする者 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ６補正命令の日刊 ７、補正の内容 （１）明細書第６ページ第２０行目〜第６ページ第３行
目の「第２図は〜である。」を「第２図は本発明の製造
方法によるＮｂＮ薄膜の表面状態を示す図、第３図は従
来の製造方法によるＮｂＮ薄膜の荒れた表面状態を示す
図である。」と補正します。 （２）図面の第２図、第３図を別紙の通り補正します。
タ装置、第２図は本発明の製造方法によるＮｂＮ 薄膜
の表面顕微鏡写真、第３図は従来の製造方法によるＮｂ
Ｎ 薄膜の荒れた表面を示す電子顕微鏡写真である。 １・・・・・・イオンソース、２・・・・・・イオンビ
ーム、３・・・・・・ターゲット、４・・・・・・基板
、６・・・・・基板表面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 手続補正書（方式） ％式％ １事件の表示 嘴駄昭和６９年特許
願第２３５５２２す ２発明の名称 化合物薄膜の製造方法 ３補正をする者 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ６補正命令の日刊 ７、補正の内容 （１）明細書第６ページ第２０行目〜第６ページ第３行
目の「第２図は〜である。」を「第２図は本発明の製造
方法によるＮｂＮ薄膜の表面状態を示す図、第３図は従
来の製造方法によるＮｂＮ薄膜の荒れた表面状態を示す
図である。」と補正します。 （２）図面の第２図、第３図を別紙の通り補正します。
Claims (2)
- （１）イオンビームスパッタ装置において反応性ガスを
含む１つのイオンビームを用い、上記イオンビームが照
射される場所に基板を置くことにより、ターゲット物質
と上記反応性ガスからなる化合物薄膜を得ることを特徴
とする化合物薄膜の製造方法。 - （２）反応性ガスとして酸素、水素又は窒素を用いるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化合物薄膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23552284A JPS61124561A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 化合物薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23552284A JPS61124561A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 化合物薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61124561A true JPS61124561A (ja) | 1986-06-12 |
| JPS6315346B2 JPS6315346B2 (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16987219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23552284A Granted JPS61124561A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 化合物薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61124561A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61190065A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 耐摩耗部品およびその製造方法 |
| WO2006040613A1 (en) * | 2004-10-13 | 2006-04-20 | Xenocs | Method of deposition with reduction of contaminants in an ion assist beam and associated apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0266745U (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-21 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57174459A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-27 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | Formation of thin film |
-
1984
- 1984-11-08 JP JP23552284A patent/JPS61124561A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57174459A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-27 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | Formation of thin film |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61190065A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 耐摩耗部品およびその製造方法 |
| WO2006040613A1 (en) * | 2004-10-13 | 2006-04-20 | Xenocs | Method of deposition with reduction of contaminants in an ion assist beam and associated apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6315346B2 (ja) | 1988-04-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |