JPS6112675Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6112675Y2 JPS6112675Y2 JP12375879U JP12375879U JPS6112675Y2 JP S6112675 Y2 JPS6112675 Y2 JP S6112675Y2 JP 12375879 U JP12375879 U JP 12375879U JP 12375879 U JP12375879 U JP 12375879U JP S6112675 Y2 JPS6112675 Y2 JP S6112675Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- blanking
- circuit
- electron beam
- electrode
- voltage
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 16
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001934 delay Effects 0.000 claims 1
- 101100425949 Mus musculus Tnfrsf13c gene Proteins 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
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- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は電子ビーム露光装置に係り特に同露光
装置を構成している電子ビームのブランキング装
置に関する。
装置を構成している電子ビームのブランキング装
置に関する。
電子ビーム露光装置において電子ビームを高速
でON,OFFするのに第1図に示される方法が提
案されている。すなわち同図において電子ビーム
EBの光路をはさんで配設された1対のブランキ
ング電極BPと電子ビームEBの通過する小孔OPN
を形成した遮蔽板SPが図示の如く配設され前記
ブランキング電極BPに対しブランキング回路
BCRTからブランキング用の印加電圧Vが与えら
れるようになつている。同回路BCRTは又、図示
しない描画回路からのブランキング指令信号
BCMDに従つてブランキング電圧V(例えば
40Volt)をON,OFFせしめるようになつてい
る。
でON,OFFするのに第1図に示される方法が提
案されている。すなわち同図において電子ビーム
EBの光路をはさんで配設された1対のブランキ
ング電極BPと電子ビームEBの通過する小孔OPN
を形成した遮蔽板SPが図示の如く配設され前記
ブランキング電極BPに対しブランキング回路
BCRTからブランキング用の印加電圧Vが与えら
れるようになつている。同回路BCRTは又、図示
しない描画回路からのブランキング指令信号
BCMDに従つてブランキング電圧V(例えば
40Volt)をON,OFFせしめるようになつてい
る。
このON,OFFのスイツチングのためには有限
な遷移時間を要し例えば10ns〜20nsの時間であ
る。この間の電子ビームの振るまいを調べると描
画面上に供給されるビーム電流はブランキング電
圧と共に急激に減少するが注意すべきは描画面上
のビーム位置が0.5μm/20voltで移動すること
である。
な遷移時間を要し例えば10ns〜20nsの時間であ
る。この間の電子ビームの振るまいを調べると描
画面上に供給されるビーム電流はブランキング電
圧と共に急激に減少するが注意すべきは描画面上
のビーム位置が0.5μm/20voltで移動すること
である。
走査型電子ビーム露光装置では電子ビームを描
画面上に走査しながら描画パターンに従つてビー
ムをブランキングする。描画面での電子のDOSE
量Q(r)は Q(r)=∫(r,R(t))・ 1/υdR〔C/cm2〕 で与えられる。
画面上に走査しながら描画パターンに従つてビー
ムをブランキングする。描画面での電子のDOSE
量Q(r)は Q(r)=∫(r,R(t))・ 1/υdR〔C/cm2〕 で与えられる。
ここでυは描画面上のビーム中心の移動速度、
(r,R)〔A/cm2〕はビームのプロフアイル
を表わす関数でビーム中心Rの時の点rでのビー
ム電流密度を示す。積分はビーム中心R(t)の
軌道に沿つて積分する。
(r,R)〔A/cm2〕はビームのプロフアイル
を表わす関数でビーム中心Rの時の点rでのビー
ム電流密度を示す。積分はビーム中心R(t)の
軌道に沿つて積分する。
上式よりDOSE量は描画面上のビームの移動速
度υに反比例することがわかる。今走査速度が10
μm/μsで与えられるとする。ところが上記ブ
ランキング電圧によつてビーム位置の移動する速
さは (0.5μm/20V)(40V〜10〜20ns) =100〜50μm/μs となる。従つてブランキング電圧が立上り始める
とビームは走査速度10μm/μsの5〜10倍の速
さで移動し、DOSE量は1/5〜1/10に低下する。
度υに反比例することがわかる。今走査速度が10
μm/μsで与えられるとする。ところが上記ブ
ランキング電圧によつてビーム位置の移動する速
さは (0.5μm/20V)(40V〜10〜20ns) =100〜50μm/μs となる。従つてブランキング電圧が立上り始める
とビームは走査速度10μm/μsの5〜10倍の速
さで移動し、DOSE量は1/5〜1/10に低下する。
更にビーム電流の減少も含めると電子ビーム
EBは実質的にはブランキング電圧に立上り点で
ブランキングされることになる。ブランキング電
圧の立下りについても同様にブランキング電圧が
OV近くなつて始めてアンブランクの状態とな
る。このため第2図イ,ロ,ハに示すように実際
に描画されたパターンは描画回路からのブランキ
ング信号BCMDで与えられる値よりも露光部分が
0.1〜0.2μm短く非露光部分が逆に0.1〜0.2μm
長くなるという問題があつた。
EBは実質的にはブランキング電圧に立上り点で
ブランキングされることになる。ブランキング電
圧の立下りについても同様にブランキング電圧が
OV近くなつて始めてアンブランクの状態とな
る。このため第2図イ,ロ,ハに示すように実際
に描画されたパターンは描画回路からのブランキ
ング信号BCMDで与えられる値よりも露光部分が
0.1〜0.2μm短く非露光部分が逆に0.1〜0.2μm
長くなるという問題があつた。
本考案は上述した問題を解決せんとするもので
そのため本考案においてはブランキング電圧の立
上り部のみを一定時間(ブランキング電圧の立下
り時間)だけ遅延させるようにするものであり、
この方法により従来の静電ブランキング法に起因
する描画誤差を補正せんとするものである。
そのため本考案においてはブランキング電圧の立
上り部のみを一定時間(ブランキング電圧の立下
り時間)だけ遅延させるようにするものであり、
この方法により従来の静電ブランキング法に起因
する描画誤差を補正せんとするものである。
以下実施例の要部を第3図、第4図にて説明す
る。第3図においてブランキング回路BCRTへの
入力部分として遅延回路DCRTを設ける。同回路
DCRTは遅延素子DおよびAND回路で構成され
ている。
る。第3図においてブランキング回路BCRTへの
入力部分として遅延回路DCRTを設ける。同回路
DCRTは遅延素子DおよびAND回路で構成され
ている。
従つて同図のAND回路と遅延素子とからなる
遅延回路DCRTによりブランキング信号BCMDの
立上り部のみが遅延されることになり第4図イ,
ロ,ハ,ニに示される如くブランキング信号
BCMDで与えられる時間幅TW1(TW2)と同
じ時間幅だけ電子ビームがブランクされることに
なる。従つて正確な描画パターンを得ることが可
能となる。
遅延回路DCRTによりブランキング信号BCMDの
立上り部のみが遅延されることになり第4図イ,
ロ,ハ,ニに示される如くブランキング信号
BCMDで与えられる時間幅TW1(TW2)と同
じ時間幅だけ電子ビームがブランクされることに
なる。従つて正確な描画パターンを得ることが可
能となる。
第1図は従来のブランキング装置の要部を示す
図、第2図イ,ロ,ハは第1図の装置で得られる
露光すなわち描画の不均一さを示すタイムチャー
ト、第3図は本考案による遅延回路を備えたブラ
ンキング装置の要部を示す図、第4図イ,ロ,
ハ,ニは第3図の装置によつて得られる補正され
たブランキング電圧波形及び関連する波形を示す
タイムチャートである。 BP……ブランキング電極、SP……遮蔽板、
OPN……開口部、BCRT……ブランキング回路、
BCMD……ブランキング信号、EB……電子ビー
ム、DCRT……遅延回路。
図、第2図イ,ロ,ハは第1図の装置で得られる
露光すなわち描画の不均一さを示すタイムチャー
ト、第3図は本考案による遅延回路を備えたブラ
ンキング装置の要部を示す図、第4図イ,ロ,
ハ,ニは第3図の装置によつて得られる補正され
たブランキング電圧波形及び関連する波形を示す
タイムチャートである。 BP……ブランキング電極、SP……遮蔽板、
OPN……開口部、BCRT……ブランキング回路、
BCMD……ブランキング信号、EB……電子ビー
ム、DCRT……遅延回路。
Claims (1)
- 電子ビームを偏光させるブランキング電極と、
前記ブランキング電極により偏向された電子ビー
ムを遮蔽すると共に偏向されない場合前記電子ビ
ームを通過せしめる開口部を形成した遮蔽板と、
前記ブランキング電極に電圧を印加せしめるブラ
ンキング回路と、前記ブランキング信号を供給す
る描画回路と、前記描画回路とブランキング回路
との間に設けられ、前記ブランキング信号の立上
りのみを遅延せしめる遅延回路とからなり、前記
ブランキング電極に印加する印加電圧の立上り部
のみを一定時間前記遅延回路により遅延させるこ
とを特徴とする電子ビームブランキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12375879U JPS6112675Y2 (ja) | 1979-09-07 | 1979-09-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12375879U JPS6112675Y2 (ja) | 1979-09-07 | 1979-09-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5640659U JPS5640659U (ja) | 1981-04-15 |
| JPS6112675Y2 true JPS6112675Y2 (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=29355686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12375879U Expired JPS6112675Y2 (ja) | 1979-09-07 | 1979-09-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6112675Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010232035A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Fujifilm Corp | 電子ビーム描画方法、電子ビーム描画装置、モールドの製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 |
-
1979
- 1979-09-07 JP JP12375879U patent/JPS6112675Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5640659U (ja) | 1981-04-15 |
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