JPS637024B2 - - Google Patents
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- JPS637024B2 JPS637024B2 JP57132428A JP13242882A JPS637024B2 JP S637024 B2 JPS637024 B2 JP S637024B2 JP 57132428 A JP57132428 A JP 57132428A JP 13242882 A JP13242882 A JP 13242882A JP S637024 B2 JPS637024 B2 JP S637024B2
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- Japan
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- signal
- deflection
- blanking
- circuit
- scanning
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子ビーム描画装置の改良に関す
る。
る。
近時、半導体ウエーハやマスク等の試料に微細
パターンを形成するものとして、各種の電子ビー
ム描画装置が開発されている。この装置では、電
子ビームの寸法がある有限の値より小さいため、
与えられた図形を描画するためには有限寸法のビ
ームで順次シヨツトしていくか、或いはラスタ走
査を行うようにしている。電子ビームのプロフア
イルは第１図ａ，ｂに示す如く有限の傾斜を持つ
ており（通常この幅は10〔％〕−90〔％〕で0.2〜
0.5〔μｍ〕程度）、試料上のドーズ分布傾斜とし
て現われる。なお、第１図ａは単一ビームのプロ
フアイル、同図ｂは可変寸法ビームのプロフアイ
ルを示している。
パターンを形成するものとして、各種の電子ビー
ム描画装置が開発されている。この装置では、電
子ビームの寸法がある有限の値より小さいため、
与えられた図形を描画するためには有限寸法のビ
ームで順次シヨツトしていくか、或いはラスタ走
査を行うようにしている。電子ビームのプロフア
イルは第１図ａ，ｂに示す如く有限の傾斜を持つ
ており（通常この幅は10〔％〕−90〔％〕で0.2〜
0.5〔μｍ〕程度）、試料上のドーズ分布傾斜とし
て現われる。なお、第１図ａは単一ビームのプロ
フアイル、同図ｂは可変寸法ビームのプロフアイ
ルを示している。
ところで、このようなビーム、例えば第１図ａ
に示すビーム１を用い第２図に示す如く矩形のパ
ターン２を描画した場合、ビームの走査方向とこ
れに直交する方向とでは異つたドーズプロフアイ
ルが得られる。すなわち、ビームの走査方向と直
交する方向（図中A1−A2方向）では上記ビーム
１と略同様なドーズプロフアイルＡとなる。ま
た、ビームの走査方向（図中B1−B2方向）では
非常に緩やかな傾斜を持つドーズプロフアイルＢ
となる。このため、プロセス変動、レジスト膜厚
変動及びビーム電流変動等による影響が、走査方
向とそれに直交する方向とで異つてくる。したが
つて、現像条件による寸法制御が不可能となり、
描画精度の低下を招くと共に分解能が制約される
等の問題があつた。また、このような問題は前記
第１図ｂに示す如き可変寸法ビームを用いる場合
にあつても同様に云えることである。
に示すビーム１を用い第２図に示す如く矩形のパ
ターン２を描画した場合、ビームの走査方向とこ
れに直交する方向とでは異つたドーズプロフアイ
ルが得られる。すなわち、ビームの走査方向と直
交する方向（図中A1−A2方向）では上記ビーム
１と略同様なドーズプロフアイルＡとなる。ま
た、ビームの走査方向（図中B1−B2方向）では
非常に緩やかな傾斜を持つドーズプロフアイルＢ
となる。このため、プロセス変動、レジスト膜厚
変動及びビーム電流変動等による影響が、走査方
向とそれに直交する方向とで異つてくる。したが
つて、現像条件による寸法制御が不可能となり、
描画精度の低下を招くと共に分解能が制約される
等の問題があつた。また、このような問題は前記
第１図ｂに示す如き可変寸法ビームを用いる場合
にあつても同様に云えることである。
本発明の目的は、構成の複雑化を招くことな
く、走査の始点および終点におけるドーズプロフ
アイルを急峻化でき、走査方向とこれに直交する
方向とのドーズ量分布を略等しくすることがで
き、もつて描画精度の向上をはかり得る電子ビー
ム描画装置を提供することにある。
く、走査の始点および終点におけるドーズプロフ
アイルを急峻化でき、走査方向とこれに直交する
方向とのドーズ量分布を略等しくすることがで
き、もつて描画精度の向上をはかり得る電子ビー
ム描画装置を提供することにある。
本発明の骨子は、走査の始点及び終点における
ビームの偏向走査速度を制御し、これらの点にお
けるドーズプロフアイルを急峻なものとすること
にある。
ビームの偏向走査速度を制御し、これらの点にお
けるドーズプロフアイルを急峻なものとすること
にある。
すなわち本発明は、電子ビームをブランキング
する機能及び偏向走査する機能を備え試料上に所
望パターンを描画する電子ビーム描画装置におい
て、ブランキング情報から描画の始点及び終点を
求め、これらの点におけるビームの偏向走査を制
御し、ビームの走査方向とそれに直交する方向と
のドーズ量分布が略等しくなるようにしたもので
ある。
する機能及び偏向走査する機能を備え試料上に所
望パターンを描画する電子ビーム描画装置におい
て、ブランキング情報から描画の始点及び終点を
求め、これらの点におけるビームの偏向走査を制
御し、ビームの走査方向とそれに直交する方向と
のドーズ量分布が略等しくなるようにしたもので
ある。
本発明によれば、ビームの走査方向とこれに直
交する方向との描画パターン端部におけるドーズ
プロフアイルを略等しくすることができるので、
描画寸法の制御が容易となり、描画精度の向上を
はかり得る。また、走査方向のドーズプロフアイ
ルが急峻となるので、実用分解能を向上させるこ
とができる。つまり、より微細なパターンの描画
が可能となる。また、ブランキング情報から描画
の始点と終点とを検出し、これに基いて偏向走査
を制御するようにしているので、描画の始点およ
び終点に対する同期が取り易く、したがつて装置
の複雑化を招くようなこともない。
交する方向との描画パターン端部におけるドーズ
プロフアイルを略等しくすることができるので、
描画寸法の制御が容易となり、描画精度の向上を
はかり得る。また、走査方向のドーズプロフアイ
ルが急峻となるので、実用分解能を向上させるこ
とができる。つまり、より微細なパターンの描画
が可能となる。また、ブランキング情報から描画
の始点と終点とを検出し、これに基いて偏向走査
を制御するようにしているので、描画の始点およ
び終点に対する同期が取り易く、したがつて装置
の複雑化を招くようなこともない。
第３図は電子ビーム描画装置の標準構成から本
発明に関連する部分を描出して示す概略構成図で
ある。図中１は電子銃、２はブランキング板、３
は偏向板、４は試料、５は試料ステージであり、
６は制御回路、７はブランキング回路、８は偏向
走査回路を示している。この装置では描画すべき
パターン情報に応じて制御回路６からブランキン
グ回路７及び偏向走査回路８にそれぞれブランキ
ング情報及び偏向情報が与えられる。そして、電
子銃１から発射された電子ビームは偏向走査回路
８及び偏向板３により上記パターン情報に応じて
偏向され、試料４に照射される。また、上記電子
ビームはブランキング回路７及びブランキング板
２によりパターン情報に応じてブランキングされ
るものとなつている。
発明に関連する部分を描出して示す概略構成図で
ある。図中１は電子銃、２はブランキング板、３
は偏向板、４は試料、５は試料ステージであり、
６は制御回路、７はブランキング回路、８は偏向
走査回路を示している。この装置では描画すべき
パターン情報に応じて制御回路６からブランキン
グ回路７及び偏向走査回路８にそれぞれブランキ
ング情報及び偏向情報が与えられる。そして、電
子銃１から発射された電子ビームは偏向走査回路
８及び偏向板３により上記パターン情報に応じて
偏向され、試料４に照射される。また、上記電子
ビームはブランキング回路７及びブランキング板
２によりパターン情報に応じてブランキングされ
るものとなつている。
第４図は本発明の一実施例に係わる電子ビーム
描画装置の要部を示す概略構成図である。なお、
第３図と同一部分には同一符号を付して、その詳
しい説明は省略する。この実施例装置が第３図の
装置と異なる点は、光学鏡筒内に補正用偏向板１
１を設け、走査の始点及び終点において偏向板３
による主偏向方向と逆方向にビームを偏向走査す
るようにしたことである。すなわち、前記制御回
路６からのブランキング情報は遅延回路DL１２
を介してブランキング回路７に供給されると共
に、補正回路１３に供給される。補正回路１３は
第５図に示す如く微分回路１３ａ、フイルタ１３
ｂ、位相補正回路１３ｃおよび整流加算増幅回路
１３ｄからなるもので、上記ブランキング情報か
らビーム走査の始点及び終点を求め、これらの点
における走査速度を制御するための補正用偏向情
報を得ている。そして、この偏向情報が補正用偏
向回路１４に与えられ前記補正用偏向板１１によ
る偏向走査がなされるものとなつている。なお、
前記DL１２は補正回路１３及び補正用偏向回路
１４による偏向走査とブランキング回路７による
ブランキングとの位相を合わせるためのものであ
る。
描画装置の要部を示す概略構成図である。なお、
第３図と同一部分には同一符号を付して、その詳
しい説明は省略する。この実施例装置が第３図の
装置と異なる点は、光学鏡筒内に補正用偏向板１
１を設け、走査の始点及び終点において偏向板３
による主偏向方向と逆方向にビームを偏向走査す
るようにしたことである。すなわち、前記制御回
路６からのブランキング情報は遅延回路DL１２
を介してブランキング回路７に供給されると共
に、補正回路１３に供給される。補正回路１３は
第５図に示す如く微分回路１３ａ、フイルタ１３
ｂ、位相補正回路１３ｃおよび整流加算増幅回路
１３ｄからなるもので、上記ブランキング情報か
らビーム走査の始点及び終点を求め、これらの点
における走査速度を制御するための補正用偏向情
報を得ている。そして、この偏向情報が補正用偏
向回路１４に与えられ前記補正用偏向板１１によ
る偏向走査がなされるものとなつている。なお、
前記DL１２は補正回路１３及び補正用偏向回路
１４による偏向走査とブランキング回路７による
ブランキングとの位相を合わせるためのものであ
る。
このように構成された本装置の作用を第６図を
参照して説明する。まず、ビームのブランキング
信号S1（ブランキング情報）が補正回路１３に供
給されると、補正回路１３ではその微分回路１３
ａにより微分信号S2が出力される。この微分信号
S2はフイルタ１３ｂを介して信号S3となり位相補
正回路１３ｃに供給される。位相補正回路１３ｃ
では、ビーム走査の始点に対応する信号S4及び終
点に対応する信号5と前記ブランキング信号S1と
の位相が補正される。すなわち、信号S4はブラン
キング信号S1を遅延時間t1だけ遅らせた信号
S1′の始点から時間t2だけ遅延され、信号S5は上
記信号S1′の終点から時間t3だけ進められる。位
相補正回路１３ｃの出力信号S4，S5は整流加算増
幅回路１３ｄにより波形整形され、補正用偏向信
号S6として出力される。この出力信号S6、つまり
補正回路１３の出力に応じて補正用偏向回路１４
が補正用偏向板１１に偏向電圧（補正用偏向電
圧）を印加する。これにより、偏向板３及び補正
用偏向板１１によるビームの偏向走査波形S7は、
第６図の最下段に示す如く所望の偏向領域Ｐ内で
走査の始点Q1及び終点Q2において傾きが略零と
なる。すなわち、ビーム走査の始点Q1及び終点
Q2における偏向走査速度が略零となり、これに
より上記各点におけるドーズプロフアイルが急峻
なものとなる。
参照して説明する。まず、ビームのブランキング
信号S1（ブランキング情報）が補正回路１３に供
給されると、補正回路１３ではその微分回路１３
ａにより微分信号S2が出力される。この微分信号
S2はフイルタ１３ｂを介して信号S3となり位相補
正回路１３ｃに供給される。位相補正回路１３ｃ
では、ビーム走査の始点に対応する信号S4及び終
点に対応する信号5と前記ブランキング信号S1と
の位相が補正される。すなわち、信号S4はブラン
キング信号S1を遅延時間t1だけ遅らせた信号
S1′の始点から時間t2だけ遅延され、信号S5は上
記信号S1′の終点から時間t3だけ進められる。位
相補正回路１３ｃの出力信号S4，S5は整流加算増
幅回路１３ｄにより波形整形され、補正用偏向信
号S6として出力される。この出力信号S6、つまり
補正回路１３の出力に応じて補正用偏向回路１４
が補正用偏向板１１に偏向電圧（補正用偏向電
圧）を印加する。これにより、偏向板３及び補正
用偏向板１１によるビームの偏向走査波形S7は、
第６図の最下段に示す如く所望の偏向領域Ｐ内で
走査の始点Q1及び終点Q2において傾きが略零と
なる。すなわち、ビーム走査の始点Q1及び終点
Q2における偏向走査速度が略零となり、これに
より上記各点におけるドーズプロフアイルが急峻
なものとなる。
かくして本装置によれば、ブランキング情報に
基づいてビーム走査の始点及び終点における偏向
走査速度を制御することにより、走査方向及びこ
れに直交する方向とのドーズ量分布を略等しいも
のとすることができる。このため、描画寸法の制
御が容易となり、描画精度の大幅な向上をはかる
ことができる。しかも、ブランキング情報に基い
てビーム走査の始点および終点を検出し、この検
出信号に基いて補正用偏向電圧の形成および印加
を行なうようにしているので、非常に簡単な回路
構成で実現でき、技術的な困難が伴うようなこと
もない。したがつて、装置全体が複雑化するのを
抑制した状態で、なおかつ上述した効果を発揮さ
せることができる。なお、この実施例では、ビー
ム走査の始点及び終点における偏向制御のために
補正用偏向板１１を格別に設けているので、この
偏向板１１として応答性の良いものを用いること
ができ、これにより上記偏向制御を応答性良く正
確に行い得る等の利点がある。
基づいてビーム走査の始点及び終点における偏向
走査速度を制御することにより、走査方向及びこ
れに直交する方向とのドーズ量分布を略等しいも
のとすることができる。このため、描画寸法の制
御が容易となり、描画精度の大幅な向上をはかる
ことができる。しかも、ブランキング情報に基い
てビーム走査の始点および終点を検出し、この検
出信号に基いて補正用偏向電圧の形成および印加
を行なうようにしているので、非常に簡単な回路
構成で実現でき、技術的な困難が伴うようなこと
もない。したがつて、装置全体が複雑化するのを
抑制した状態で、なおかつ上述した効果を発揮さ
せることができる。なお、この実施例では、ビー
ム走査の始点及び終点における偏向制御のために
補正用偏向板１１を格別に設けているので、この
偏向板１１として応答性の良いものを用いること
ができ、これにより上記偏向制御を応答性良く正
確に行い得る等の利点がある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるも
のではない。例えば、前記偏向板３の周波数応答
性に余裕があれば、前記補正用偏向板１１を設け
る必要はなく、第７図に示す如く補正回路１３の
出力信号である補正用偏向信号を偏向走査回路８
による偏向信号に重畳するようにしてもよい。ま
た、スポツトビームに限らず可変整形ビームに適
用することも可能であり、ベクタ走査型であつて
もその中でパターンの描画にラスタ走査方式を用
いているものに適用することが可能である。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形
して実施することができる。
のではない。例えば、前記偏向板３の周波数応答
性に余裕があれば、前記補正用偏向板１１を設け
る必要はなく、第７図に示す如く補正回路１３の
出力信号である補正用偏向信号を偏向走査回路８
による偏向信号に重畳するようにしてもよい。ま
た、スポツトビームに限らず可変整形ビームに適
用することも可能であり、ベクタ走査型であつて
もその中でパターンの描画にラスタ走査方式を用
いているものに適用することが可能である。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形
して実施することができる。
第１図ａ，ｂは電子ビームのプロフアイルを示
す模式図、第２図はパターンの描画方法及びその
断面におけるドーズプロフアイルを示す模式図、
第３図は従来装置の要部概略構成図、第４図は本
発明の一実施例に係わる電子ビーム描画装置の要
部を示す概略構成図、第５図は上記実施例の補正
回路部を示すブロツク図、第６図は上記実施例の
作用を説明するための信号波形図、第７図は変形
例を示す概略構成図である。 １……電子銃、２……ブランキング板、３……
偏向板、４……試料、５……試料ステージ、６…
…制御回路、７……ブランキング回路、８……偏
向走査回路、１１……補正用偏向板、１２……遅
延回路、１３……補正回路、１４……補正用偏向
回路、１３ａ……微分回路、１３ｂ……フイル
タ、１３ｃ……位相補正回路、１３ｄ……整流加
算増幅回路。
す模式図、第２図はパターンの描画方法及びその
断面におけるドーズプロフアイルを示す模式図、
第３図は従来装置の要部概略構成図、第４図は本
発明の一実施例に係わる電子ビーム描画装置の要
部を示す概略構成図、第５図は上記実施例の補正
回路部を示すブロツク図、第６図は上記実施例の
作用を説明するための信号波形図、第７図は変形
例を示す概略構成図である。 １……電子銃、２……ブランキング板、３……
偏向板、４……試料、５……試料ステージ、６…
…制御回路、７……ブランキング回路、８……偏
向走査回路、１１……補正用偏向板、１２……遅
延回路、１３……補正回路、１４……補正用偏向
回路、１３ａ……微分回路、１３ｂ……フイル
タ、１３ｃ……位相補正回路、１３ｄ……整流加
算増幅回路。
Claims (1)
- １ 電子ビームをブランキングおよび偏向制御し
てラスタ走査方式で試料上に所望のパターンを描
画する電子ビーム描画装置において、ブランキン
グ信号を一定時間遅延させてブランキング板を制
御する手段と、遅延前のブランキング信号を導入
して上記ブランキング信号上にビーム照射始点お
よびビーム照射終点として現われる信号変化を微
分する微分回路と、この微分回路で得られた微分
信号に基いて遅延された前記ブランキング信号の
ビーム照射始点から所定だけピーク点が遅れた始
点側補正偏向信号とビーム照射終点より所定だけ
ピーク点が進んだ終点側補正偏向信号とを得る手
段と、実質的に前記手段で得られた始点側補正偏
向信号分を偏向電圧から差し引くとともに終点側
補正偏向信号を偏向電圧に加算して現実のビーム
照射の始点および終点での偏向走査速度をほぼ零
にする手段とを具備してなることを特徴とする電
子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57132428A JPS5922325A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 電子ビ−ム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57132428A JPS5922325A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 電子ビ−ム描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922325A JPS5922325A (ja) | 1984-02-04 |
| JPS637024B2 true JPS637024B2 (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=15081141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57132428A Granted JPS5922325A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 電子ビ−ム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922325A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3379333A2 (en) | 2017-03-24 | 2018-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Detection apparatus, pattern forming apparatus, obtaining method, detection method, and article manufacturing method |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0732110B2 (ja) * | 1984-05-18 | 1995-04-10 | 株式会社日立製作所 | 電子線露光装置 |
| JPS6159827A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方式 |
| JPH0744145B2 (ja) * | 1989-12-12 | 1995-05-15 | 株式会社東芝 | 電子ビーム露光方法及びその装置 |
| JP2009038706A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ブランキング回路 |
| JP5927067B2 (ja) * | 2012-07-06 | 2016-05-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 計測検査装置、及び計測検査方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642343A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Jeol Ltd | Exposing method of electron beam |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP57132428A patent/JPS5922325A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3379333A2 (en) | 2017-03-24 | 2018-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Detection apparatus, pattern forming apparatus, obtaining method, detection method, and article manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5922325A (ja) | 1984-02-04 |
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