JPS61128251A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS61128251A JPS61128251A JP59251212A JP25121284A JPS61128251A JP S61128251 A JPS61128251 A JP S61128251A JP 59251212 A JP59251212 A JP 59251212A JP 25121284 A JP25121284 A JP 25121284A JP S61128251 A JPS61128251 A JP S61128251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- substrate
- visible light
- ray exposure
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体集積回路装置の製造などの微細パター
ンの形成に用いるＸＩＲ露光用マスクに関するものであ
る。
ンの形成に用いるＸＩＲ露光用マスクに関するものであ
る。
従来、Ｘ！Ｉ！光用マスクとしては、ポリイミド、窒化
シ・リコン、窒化ホウ素などの基板上にＸＩＷ吸収体パ
ターンとなる金（Ａ、）膜を形成するのが通例であった
。
シ・リコン、窒化ホウ素などの基板上にＸＩＷ吸収体パ
ターンとなる金（Ａ、）膜を形成するのが通例であった
。
第２図は従来のＸ線露光用マスクの構成例を示す断面図
で、（１）はポリイミドの基板、（２）けその上に形成
されＸ＠吸収体を構成するＡｕパターン、（３）けＡｕ
パターン（２）の基板（１）への接着を強化する接着強
化用ＩＩＩ膜である。Ａｕパターン（２）は基板（１〉
のポリイミドとの接着性が悪いので、このような接着強
化用薄膜（３）が必要である。そして、従来はこの接着
強化用薄膜（３）にクロム（Ｏｒ）、チタン（Ｔ１）、
タンタル（Ｔ＆）のうちいずれかを用いていた。ところ
で、このマスクを実際に使用するに当って、半導体ウェ
ーハ上のマスク合わせパターンにマスク合わせするとき
に用いるヘリウム−ネオンレーザ光に対して、この接着
強化用薄膜＋３３の材料が透過性を有しないので、Ａｕ
パターン（２）直下部分以外は除失されていた。
で、（１）はポリイミドの基板、（２）けその上に形成
されＸ＠吸収体を構成するＡｕパターン、（３）けＡｕ
パターン（２）の基板（１）への接着を強化する接着強
化用ＩＩＩ膜である。Ａｕパターン（２）は基板（１〉
のポリイミドとの接着性が悪いので、このような接着強
化用薄膜（３）が必要である。そして、従来はこの接着
強化用薄膜（３）にクロム（Ｏｒ）、チタン（Ｔ１）、
タンタル（Ｔ＆）のうちいずれかを用いていた。ところ
で、このマスクを実際に使用するに当って、半導体ウェ
ーハ上のマスク合わせパターンにマスク合わせするとき
に用いるヘリウム−ネオンレーザ光に対して、この接着
強化用薄膜＋３３の材料が透過性を有しないので、Ａｕ
パターン（２）直下部分以外は除失されていた。
Ｘ＠露光用マスクの製造工程ではＸ＠吸収体パターンの
寸法制御が重要であり、その寸法測定にはサブミクロン
領域に有効な走査電子顕微鏡（ｓｍＭ）が用いられる。
寸法制御が重要であり、その寸法測定にはサブミクロン
領域に有効な走査電子顕微鏡（ｓｍＭ）が用いられる。
ＳＬＣＭを用いた寸法測定ではＸ＠露光用マスク上を電
子ビームで走査し、基板材料と吸収体材料とで強度の異
なる二次電子信号をとらえ、これらの信号を処理するこ
とによってパターン寸法の測定を行っている。ところが
、第２図の従来のＸｌｌ５１ｍ光用マスクでは基板材料
の絶縁材料であり、Ａｕパターンのない部分は基板が直
接露出しているので、上記電子ビームの走査によって、
この部分の基板中に電子が蓄積し、負に帯電する。
子ビームで走査し、基板材料と吸収体材料とで強度の異
なる二次電子信号をとらえ、これらの信号を処理するこ
とによってパターン寸法の測定を行っている。ところが
、第２図の従来のＸｌｌ５１ｍ光用マスクでは基板材料
の絶縁材料であり、Ａｕパターンのない部分は基板が直
接露出しているので、上記電子ビームの走査によって、
この部分の基板中に電子が蓄積し、負に帯電する。
このような状態になると、入射電子ビームは反発され、
ｘｌｌｉｌｌ用マスクからの二次電子の放射が困−にな
る。その結果、正確な寸法測定値が得られないという問
題点があった。
ｘｌｌｉｌｌ用マスクからの二次電子の放射が困−にな
る。その結果、正確な寸法測定値が得られないという問
題点があった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、ＳｌＣＭでのマスク検査で寸法測定が正確に行なえ
るｘＩ！露光用マスクを得ることを目的としている。
で、ＳｌＣＭでのマスク検査で寸法測定が正確に行なえ
るｘＩ！露光用マスクを得ることを目的としている。
この発明に係るＸ線露光用マスクでは、基板上に導電性
を有し、かつ可視光透過性のある膜を形成し、その上に
ｘｆｊｌ吸収体パターンを形成したものである。
を有し、かつ可視光透過性のある膜を形成し、その上に
ｘｆｊｌ吸収体パターンを形成したものである。
この発明では、ＸＭ吸収体パターンの直下に接着強化用
薄膜を形成するとともに、この薄膜をＸ線吸収体パター
ン形成部位以外にも形成し、しかもこの薄膜は可視光透
過性をもつので、半導体ウェーハとのマスク位置合わせ
が可能であり、導電性をもつので、ＳＩＣＭによるマス
ク検査にも支障がない。
薄膜を形成するとともに、この薄膜をＸ線吸収体パター
ン形成部位以外にも形成し、しかもこの薄膜は可視光透
過性をもつので、半導体ウェーハとのマスク位置合わせ
が可能であり、導電性をもつので、ＳＩＣＭによるマス
ク検査にも支障がない。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図で、ポ
リイミドからなる基板（１）の一方の主面上全面に酸化
インジウムまたは酸化スズからなる可視光透過性導電膜
（４）を形成し、更にその上に、ＡｕからなるＸＭ吸収
体パターン（２）が形成されている。
リイミドからなる基板（１）の一方の主面上全面に酸化
インジウムまたは酸化スズからなる可視光透過性導電膜
（４）を形成し、更にその上に、ＡｕからなるＸＭ吸収
体パターン（２）が形成されている。
このような可視光透過性導電膜Ｌ膜（４）は数１００Ω
／口〜数にΩ／口の導電性を有しており、膜厚は数１Ｏ
Ａ−数１０ＯＡ の範囲であるのでｘｇ通過には減衰を
与えない。可視光透過性を有しているので、このｘ、Ｉ
！ｓ出用マスクの光学系を利用した半導体ウェーハ上へ
のアライメントも十分に可能である。
／口〜数にΩ／口の導電性を有しており、膜厚は数１Ｏ
Ａ−数１０ＯＡ の範囲であるのでｘｇ通過には減衰を
与えない。可視光透過性を有しているので、このｘ、Ｉ
！ｓ出用マスクの光学系を利用した半導体ウェーハ上へ
のアライメントも十分に可能である。
さらに、この膜Ｃ４）を接地端子に接触させておけばＳ
ＩＭによるマスク検査の際にも基板（１）のチャージア
ップは防止され、正確なパターン寸法の測定が可能であ
る。なお、従来例におけるＯｒ、 ＴｉまたけＴａから
なる接着強化用薄膜のようにエツチング除去する必要が
ないので、マスク製作の工程か簡単になる。
ＩＭによるマスク検査の際にも基板（１）のチャージア
ップは防止され、正確なパターン寸法の測定が可能であ
る。なお、従来例におけるＯｒ、 ＴｉまたけＴａから
なる接着強化用薄膜のようにエツチング除去する必要が
ないので、マスク製作の工程か簡単になる。
なお、上記実施例では可視光透過性ａｔ膜を基板上全面
に形成したが、ＳＫＭで電子ビーム走査する領域のみ形
成するようにしてもよい。また、基板にはポリイミドを
用いたが可視光及びｘｌｌＡを透過する材料であれば他
のものでもよい。更にＸＳ吸収体もＡｕに限るものでは
ないことも勿論である。
に形成したが、ＳＫＭで電子ビーム走査する領域のみ形
成するようにしてもよい。また、基板にはポリイミドを
用いたが可視光及びｘｌｌＡを透過する材料であれば他
のものでもよい。更にＸＳ吸収体もＡｕに限るものでは
ないことも勿論である。
以上説明したように、この発明に係るｘｉｔｓｖｘ光用
マスクでは、ＳＩＭで寸法検査をする際の電子ビーム走
査領域はＸ線吸収体パターンのない部分にも基板上に導
電膜があるので、基板のチャージアップを生ぜず正確な
寸法測定ができ、しかもその導電膜が透光性を有するの
で、当該マスクのマスクアライメントを可視光を用いて
行うことができる。
マスクでは、ＳＩＭで寸法検査をする際の電子ビーム走
査領域はＸ線吸収体パターンのない部分にも基板上に導
電膜があるので、基板のチャージアップを生ぜず正確な
寸法測定ができ、しかもその導電膜が透光性を有するの
で、当該マスクのマスクアライメントを可視光を用いて
行うことができる。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図、第２
図は従来のＸ１１ｍ！充用マスクの構成例を示す断面図
である。 図において、（１）は基板、（２）はＸ線吸収体パター
ン、（４）は可視光透過性導電膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
図は従来のＸ１１ｍ！充用マスクの構成例を示す断面図
である。 図において、（１）は基板、（２）はＸ線吸収体パター
ン、（４）は可視光透過性導電膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）マスク用基板の一主面上の所要領域に可視光透過
性導電膜を形成し、更にその上にＸ線吸収体パターンを
形成してなることを特徴とするＸ線露光用マスク。 - （２）可視光透過性導電膜が酸化インジウムからなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線露光用
マスク。 - （３）可視光透過性導電膜が酸化スズからなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線露光用マスク
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251212A JPS61128251A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251212A JPS61128251A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128251A true JPS61128251A (ja) | 1986-06-16 |
Family
ID=17219363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59251212A Pending JPS61128251A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61128251A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166226A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPH02310A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれを用いた露光方法 |
| JPH02309A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれをを用いた露光方法 |
| US5126220A (en) * | 1990-02-01 | 1992-06-30 | Fujitsu Limited | Reticle for photolithographic patterning |
| FR2894690A1 (fr) * | 2005-12-13 | 2007-06-15 | Commissariat Energie Atomique | Masque de lithographie en reflexion et procede de fabrication du masque |
-
1984
- 1984-11-26 JP JP59251212A patent/JPS61128251A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166226A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPH02310A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれを用いた露光方法 |
| JPH02309A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれをを用いた露光方法 |
| US5126220A (en) * | 1990-02-01 | 1992-06-30 | Fujitsu Limited | Reticle for photolithographic patterning |
| FR2894690A1 (fr) * | 2005-12-13 | 2007-06-15 | Commissariat Energie Atomique | Masque de lithographie en reflexion et procede de fabrication du masque |
| WO2007068614A1 (fr) * | 2005-12-13 | 2007-06-21 | Commissariat A L'energie Atomique | Masque de lithographie en reflexion et procede de fabrication du masque |
| US7972751B2 (en) | 2005-12-13 | 2011-07-05 | Commissariat A L'energie Atmoique | Reflection photolithography mask, and process for fabricating this mask |
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