JPH01173718A - フォトマスクおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体の製造等に用いられるフォトマスクお
よびその製造方法に関する。

（従来の技術〕 半導体製造等に用いられるフォトマスク用ブランク仮ｌ
は、第７図に示すように、ガラス等の透明基板２上に遮
光性膜３を形成し、さらにその上層に反射防止膜４を形
成するものや、第８図に示すように複数の反射防止膜４
ａ、４ｂを形成するものが知られている。

ところで、フォトマスクを製造する場合、ブランク板上
にレジストにパターンを形成する工程では、光露光装置
を用いる場合と電子線露光装置を用いる場合があるが、
そのうち電子線露光装置に採用されるブランク仮１は、
前記遮光性膜３として、電気（氏抗値が小さい導電性の
材料を用い、かつ、感光性樹脂の感光波長領域を遮断す
る材料であり、例えばＣｒ、Ｔａ、Ｓ　ｔ、ｗ、Ｍｏ、
ＣｒＳｉ、ＴａＳｉ、ＭｏＳｉ等の金属材料を用い、ま
た、反射防止膜４としては絶縁性の酸化膜或いは窒化膜
を用いて表面反射防止の機能を持たせている。

第９図は、電子線露光装置を用いてブランク板上にレジ
ストパターンを形成する工程を示している。ブランク＋
Ｎ　１の表面層４にレジスト層５を形成し、電子線によ
ってレジスト層５を露光させる。

このとき、レジスト層５に到達した電子は、レジストを
露光させながらレジストＦ！５を透過してハードマスク
基板１の表面１１４に達する。これらの電子がハードマ
スク基板上にそのまま帯電した場合電位降下を引き起こ
すと共に、引き続き入射する電子の到達を妨げるように
なり、レジスト膜に対する露光量の低下、不安定化をま
ねき、レジスト膜に形成されるパターンに露光のムラが
発生し高精度の微細パターンの形成が困難になる。従っ
て、このようなレジスト膜を現像し、ハードマスク基板
ｌをエツチングして最終的に得られるフォトマスクにお
いても、高精度の微細パターンの形成が困難であるとい
う問題を有している。

この問題を防止するために、従来の電子線露光装置は、
ブランク板ｌの表面層４に導通ピン６を接地することに
より導通を取り、ブランク板１の帯電を防止している。

一方、従来のブランク板は、遮光性膜３を薄着、スパッ
タ等により形成するために、第１０図に示すように、遮
光性膜３が透明基板２の周辺部７にまで形成されてしま
い、透明基板２の周囲には面取り加工が施されているた
めに、周辺部７、面取り面８および端面９に微細なマイ
クロクラックが存在する。そして、透明基板２の周辺部
７、面取り面８および端面９にかかる部分の遮光性ｎ９
．３は、その特質として、透明基板２の中央部の４光性
腺と比較して、透明基板２に対する付着力が弱く、フォ
トマスク作成工程や使用中において、微細なパーティク
ルとなって２ＩＩＭシ、フォトマスクのパターン部ｌＯ
に付着し欠陥となったり、パターン部１０を…傷させる
場合があるという欠点を有している。

この欠点を解消するために、実開昭６０−３９０４７号
公幸旧こおいて、透明基板の周辺部を除いて遮光性膜を
形成するようにした提案がされている。これを第１１図
および第１２図により説明すると、真空室内で蒸発源も
しくはターゲット１２と対向して設置される透明基板２
を、その周辺部を蒸発源もしくはターゲット１２がら遮
蔽するようなホルダー１３にて保持し、この状態で蒸着
或いはスパッタリングにて遮光膜材料を透明基板２に対
して飛翔させて、第１２図に示すように、透明基板２の
周辺部１５を除いて遮光性膜３を形成するようにしたも
のである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、第９図で説明した従来の電子線露光装置
を用いてブランク板上にレジストパターンを形成する工
程においては、反射防止膜である表面層４の電気抵抗が
大きい為、電子線露光装置を用いた露光の際、基板表面
に到達した電子が表面層４を移動することができず導通
ピン６に到達することができないと共に、表面層４から
電子が自由に移動することのできる下層の遮光性膜３に
移動しても表面層４が障壁となり導通ピン６に到達する
ことができないという問題を有している。

その結果として従来の導通方法では、この様な構成のハ
ードマスク基板の電子線露光時の帯電を防ぐことができ
ない、また、ブランク板の表面に導電ピン６を接地する
ために、レジスト層５に傷ヲつけてしまうという問題も
有している。

従来、これを解決する手段とし°ζ表面層４の電気抵抗
を小さくした改良基板が考案されているが、これは基板
本来の目的である表面反射防止の機能がｔ員なわれてい
る。実際には通常、低反射基板の反射率が４３６ｎｍで
１０％前後であるのに対し、改良基板では反射率が４３
６　ｎｍで３０％前後と反射率が上昇する。従って、こ
のような方法は従来技術の問題点を本質的に解決するに
到っていない。

また、第１１図および第１２図により説明した従来のハ
ードマスク基板においては、前述と同様に表面層が障壁
となり電子線露光時の帯電を防ぐことができないことに
加えて、透明基板２の周辺部１５に新たな帯電が生じる
場合があるという問題を有している。

本発明は上記種々の問題を解決するものであって、電子
線露光時におけるブランク板への帯電を防止すると共に
、ブランク板の周辺部、面取り部および端面の遮光性膜
の剥離の問題を解消し、高精度で微細パターンのフォト
マスクを提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

そのために本発明のフォトマスクは、電子露光装置によ
りブランク板にパターニングを形成したフォトマスクに
おいて、該ブランク板には透明基板の片側に導電性遮光
膜および反射防止膜が形成されると共に、透明基板周辺
部に少なくとも１つの前記導電性遮光膜の露出部を設け
、該露出部を除く透明基板周辺部以外に前記導電性遮光
膜を形成することを特徴とし、さらに、その製造方法は
、電子露光装置によりブランク板にパターニングを形成
するフォトマスクの製造方法において、該ブランク板に
は透明基板の片側に導電性遮光膜および反射防止膜を形
成すると共に、透明基板周辺部に少なくとも１つの前記
導電性遮光膜の露出部を設け、該露出部を除く透明基板
周辺部以外に前記導電性遮光膜を形成し、電子露光装置
によりブランク板にパターニングを形成した後、前記露
出部を除去することを特徴とするものである。

〔作用〕

本発明においては例えば第２図に示すように、電子露光
装置によりブランク板にパターニングする工程において
、ブランク板ｌの透明基板２の表面に、下層の電気抵抗
の小さい金属薄膜３の露出部２２が形成されているため
、電子露光の際、照射された電子はレジスト層５を透過
し、表面層４の電気抵抗の大きな層に到達後、瞬時に、
より電気抵抗の小さい下層の金属薄膜３から導通ピン６
に容易に移動可能にしている。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。な
お、ブランク板の層構造自体については、第５図および
第６図と同様であるので説明を省略する。

先ず、第３図および第４図により本発明のブラフ　り＋
Ｈの製造方法について説明スる。

第３図において、透明基板２は遮蔽部２０を有するホル
ダー１３にて支持される。該支持は通常はホルダー１３
の４隅で支持される。また、遮蔽板２０には、第４図に
示すように、複数の切欠部１６が形成されている。そし
て、透明基板２は、真空室内で蒸発源もしくはターゲッ
ト１２と対向して設置され、透明基板２の周辺部を蒸発
源もしくはターゲット１２から４蔽し、蒸着或いは、ス
パッタリング法にて遮光性膜を成膜する。

第１図は上記方法に製造されたブランク板ｌを示してい
る。ブランク板１の透明基板２の表面に、下層の電気抵
抗の小さい金属ｙＪ膜３の露出部２２が形成されている
ため、電子露光の際、第２図に示すように、照射された
電子はレジストＮ５を透過し、表面層４の電気抵抗の大
きな層に到達後、瞬時に、より電気抵抗の小さい下層の
金属薄膜３から導通ピン６に容易に移動可能な構造とな
っている。

そして、上記ブランク板を電子露光装置により、パター
ニングして不要な箇所をエツチングにより除去して、第
５図および第６図のフォトマスク２３が得られる。第５
図においてはネガ型の感光材料を用いた場合で露出部２
２が残り、第６図においてはポジ型の感光材料を用いた
場合で露出部２２が除去される例である。

なお、本発明は、上記実施例に限定されるものでなく種
々の変更が可能である。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、電子線露光時におけるブ
ランク板への帯電を防止すると共に、ブランク板の周辺
部、面取り部および端面の遮光性膜の剥離の問題を解消
し、高精度で微細パターンのフォトマスクを提供するこ
とができる。すなわち、透明基板周辺部に形成された露
出部の端部に導通ピンを漬地し帯電を防止することによ
り、容易にブランク板の帯電を防ぐ事ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に適用されるブランク板の１実施例を示
す平面図、第２図は本発明のフォトマスクの電子露光時
の作用を説明するための図、第３図および第４図は本発
明に適用されるブランク板の製造方法を説明するための
図で、第３図は断面図、第４図は第３図を底面から見た
図、第５図および第６図は本発明のフォトマスクの実施
例を示す図、第７図および第８図はブランク板の一般的
な構成を示す断面図、第９図は従来のブランク板を用い
た電子露光を説明するための図、第１０図は従来のブラ
ンク板の問題点を説明するための図、第１１図および第
１２図は従来のブランク板を説明するための図である。 １・・・ブランク板、２・・・透明基板、３・・・導電
性遮光膜、４・・・反射防止膜、５・・・レジスト、６
・・・導電ピン、１３・・・ホルダー、１６・・・切欠
、２０・・・遮蔽部、２２・・・露出部、２３・・・フ
ォトマスク。 第１図 第２図 第３図 第４図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）電子露光装置によりブランク板にパターニングを
   形成したフォトマスクにおいて、該ブランク板には透明
   基板の片側に導電性遮光膜および反射防止膜が形成され
   ると共に、透明基板周辺部に少なくとも１つの前記導電
   性遮光膜の露出部を設け、該露出部を除く透明基板周辺
   部以外に前記導電性遮光膜を形成することを特徴とする
   フォトマスク。
2. （２）電子露光装置によりブランク板にパターニングを
   形成するフォトマスクの製造方法において、該ブランク
   板には透明基板の片側に導電性遮光膜および反射防止膜
   を形成すると共に、透明基板周辺部に少なくとも１つの
   前記導電性遮光膜の露出部を設け、該露出部を除く透明
   基板周辺部以外に前記導電性遮光膜を形成し、電子露光
   装置によりブランク板にパターニングを形成した後、前
   記露出部を除去することを特徴とするフォトマスクの製
   造方法。