JPS61128406A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS61128406A JPS61128406A JP59250799A JP25079984A JPS61128406A JP S61128406 A JPS61128406 A JP S61128406A JP 59250799 A JP59250799 A JP 59250799A JP 25079984 A JP25079984 A JP 25079984A JP S61128406 A JPS61128406 A JP S61128406A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、誘4軍が6000以上と高く、かつその焼
石温度が850〜950’Cと低いことを特徴とする誘
電体磁器組成物に関する。
石温度が850〜950’Cと低いことを特徴とする誘
電体磁器組成物に関する。
(従来の技術)
積層セラミックコンデンサは小型で大容量であること、
高周波特性にすぐれていること、耐熱性にすぐれ、かつ
量産性に富むなど、の特徴を有している。したがって、
産業用電子機器、民生用電子機器の軽薄短小、高品質、
高周波設計などの要求に合致することから近年その需要
は増加の一途をたどっている。
高周波特性にすぐれていること、耐熱性にすぐれ、かつ
量産性に富むなど、の特徴を有している。したがって、
産業用電子機器、民生用電子機器の軽薄短小、高品質、
高周波設計などの要求に合致することから近年その需要
は増加の一途をたどっている。
従来の積層セラミックコンデンサは、内部電極としてム
u、Pt、Piなど、高価な貴金属を用いるのが一般的
であった。
u、Pt、Piなど、高価な貴金属を用いるのが一般的
であった。
(発明が解決しようとする問題)
しかしながら、上記した貴金属を内部電極とする積層セ
ラミックコンデンサでは、生産コストの過半が電極材料
費となシ、全体のコストを低減することに限度があった
。
ラミックコンデンサでは、生産コストの過半が電極材料
費となシ、全体のコストを低減することに限度があった
。
このため、チタン酸バリウムを主体とする高誘電率系の
磁器組成物に、ホウ素、ビスマス、鉛などの酸化物よシ
なるガラス成分を添加し、焼成温度を従前の1500〜
1350cから1100〜1150′cに低下させ、比
較的安価な銀−パラジウム系合金を内部電極とする、低
温焼結可能な積層セラミックコンデンサが開発されるに
至った。
磁器組成物に、ホウ素、ビスマス、鉛などの酸化物よシ
なるガラス成分を添加し、焼成温度を従前の1500〜
1350cから1100〜1150′cに低下させ、比
較的安価な銀−パラジウム系合金を内部電極とする、低
温焼結可能な積層セラミックコンデンサが開発されるに
至った。
しかし、ガラス成分を添加するととくよ)、本来チタン
酸バリウム母体組成が有する誘電率を低減させ、積層セ
ラミックコンデンサの寸法としCは逆に犬きくなシ、電
極材料のコストの低下を打ち消してしまうという欠点が
見られた。
酸バリウム母体組成が有する誘電率を低減させ、積層セ
ラミックコンデンサの寸法としCは逆に犬きくなシ、電
極材料のコストの低下を打ち消してしまうという欠点が
見られた。
(発明の目的)
したがって、この発明は、上記した従来技術のように誘
電率の低下をもたらすことなく、りま)誘電率の値が6
000以上を示し、かつその焼結温度が850〜95(
lと低い誘電体磁器組成物を提供することを目的とする
。
電率の低下をもたらすことなく、りま)誘電率の値が6
000以上を示し、かつその焼結温度が850〜95(
lと低い誘電体磁器組成物を提供することを目的とする
。
また、この発明は、焼結IjL&が低いことを利用し゛
C1比較的安価な銀−パラジウム系合金を内部!極とす
る積層セラミックコンデンサを構成する誘電体材料とし
゛C利用可能な誘電体磁器組成物を提供することを目的
とする。
C1比較的安価な銀−パラジウム系合金を内部!極とす
る積層セラミックコンデンサを構成する誘電体材料とし
゛C利用可能な誘電体磁器組成物を提供することを目的
とする。
(発明の構成)
この発明にかかる誘電体磁器組成物は、pb(ye%l
r b3A) Os 、 A (Cu % T IL
374 ) Osを主成分とするものである。
r b3A) Os 、 A (Cu % T IL
374 ) Osを主成分とするものである。
また、この発明にかかる誘電体磁器組成物は、上記した
主成分に対し、副成分とし゛Cマンガンを添加含有した
ものである。
主成分に対し、副成分とし゛Cマンガンを添加含有した
ものである。
上記した主成分は次のような組成範囲からなるものであ
る。
る。
つまシ、Pb(Fe%Nb%)O,、A(Cu%Taz
、4)O。
、4)O。
を一般式
%式%)
で表わしたとき、X=α01〜α12の範−にある。
ここで、ム(Cu%Ta14 )01のムはBB、 8
r、 C4のいずれか1種を意味する。
r、 C4のいずれか1種を意味する。
また、主成分に対する副成分の添加含有範囲はα00悟
モル以下である0 (組成範囲の限定理由) 主成分の組成範囲を上記したようKpit定したのは、
Xが’101未満では焼成温度が1100t:と高くな
9、誘4率が6000未満となシ、誘電正接も2.5チ
以上大きくなる。一方、Xがα12を越えると誘電率が
6000未満となシ、比抵抗も1011a、為未満とな
る。
モル以下である0 (組成範囲の限定理由) 主成分の組成範囲を上記したようKpit定したのは、
Xが’101未満では焼成温度が1100t:と高くな
9、誘4率が6000未満となシ、誘電正接も2.5チ
以上大きくなる。一方、Xがα12を越えると誘電率が
6000未満となシ、比抵抗も1011a、為未満とな
る。
また、主成分に対して副成分であるマンガンをMnO,
に換算してct、 o 頭騰G以下としたのは、rJ、
C05・モルを、越えると、比抵抗が101Ω、1未満
となるからである。
に換算してct、 o 頭騰G以下としたのは、rJ、
C05・モルを、越えると、比抵抗が101Ω、1未満
となるからである。
(効 果)
この発明にかかる誘電体磁器組成物は、次のような効果
を有する。
を有する。
(0誘電率(ε)が6000以上の値を示す。
■ 誘電正接(tanδ)がZS*以下である。
■ 室温での比抵抗が10”11.01以上である。
■ 焼結温度が850〜950Cと低い。
■ マンガンを含有させることによ)、比抵抗が改善さ
れる。
れる。
したかつ・〔、この発明にかかる誘電体磁器組成物は一
般の磁器コンデンサのみならず、積層セラミックコンデ
ンサの誘電体材料として使用可能なものである。特に積
層セラミックコンデンナを製造する場合、焼結温度が低
いことに起因し゛C1内部電極とし゛C銀−パラジウム
系材料を用いることができ、小塵、大容量のものを工業
的に生産することができる。
般の磁器コンデンサのみならず、積層セラミックコンデ
ンサの誘電体材料として使用可能なものである。特に積
層セラミックコンデンナを製造する場合、焼結温度が低
いことに起因し゛C1内部電極とし゛C銀−パラジウム
系材料を用いることができ、小塵、大容量のものを工業
的に生産することができる。
(実強例)
以下、この発明を実施例に従つ゛C詳細に説明する。
純度99.94以上の、PbO,Fa、O,、kib!
O,。
O,。
Cu O、B tl COB 、 C& CO3、8r
CO3e T a! 01@ 2よびMnO!を出発
原料とし、第1表に示す組成比の磁器組成物がIk終的
に得られるように各原料を秤量した。各秤量原料を10
0gとし、ポリエチレン製ポットにメノウ玉石とともに
入れ、10R間湿式混合した。混合物スラリーを脱水、
乾燥し、アルミナ質の匣に入れ、650〜750でで2
時間保持し′C仮焼し、−次反応粉末(仮焼粉末)を得
た。
CO3e T a! 01@ 2よびMnO!を出発
原料とし、第1表に示す組成比の磁器組成物がIk終的
に得られるように各原料を秤量した。各秤量原料を10
0gとし、ポリエチレン製ポットにメノウ玉石とともに
入れ、10R間湿式混合した。混合物スラリーを脱水、
乾燥し、アルミナ質の匣に入れ、650〜750でで2
時間保持し′C仮焼し、−次反応粉末(仮焼粉末)を得
た。
仮焼粉末をららかじめ徂粉砕し、バインダーとし・Cポ
リビニルアルコールを3重量%加え°C再び1式混合粉
砕を行った。得られたスラリーを、芝燥したのち、50
メツシユの篩を通し”C成形月差粒粉末とした。次いで
オイルダンスで2000々/iの圧力で1径12U1厚
与t2wの円板状に成形加工した。成形円板をジルコニ
ア質の匣に入れ、適度の鉛雰囲気に設定した電気炉内で
、800〜11001:の温度で2時間焼成した。
リビニルアルコールを3重量%加え°C再び1式混合粉
砕を行った。得られたスラリーを、芝燥したのち、50
メツシユの篩を通し”C成形月差粒粉末とした。次いで
オイルダンスで2000々/iの圧力で1径12U1厚
与t2wの円板状に成形加工した。成形円板をジルコニ
ア質の匣に入れ、適度の鉛雰囲気に設定した電気炉内で
、800〜11001:の温度で2時間焼成した。
得られた磁器円板の両面に、硼硅酸鉛ガスフリットを含
む銀ペーストを塗布し、750cで10分間焼き付けて
電極を形成し、測定用の試料とした。
む銀ペーストを塗布し、750cで10分間焼き付けて
電極を形成し、測定用の試料とした。
各試料につき、静電容量(す、誘電上a(tanδ)を
YHP裏LCRメータ4274を用い゛C温度251:
、1KHz、lYrmaの条件で測定した。 また、絶
鷹抵抗(工R)はタケダ浬研製メグオームメータTR8
601t−用い、温度25′cで、直光500v印加2
分後の値を測定した。、・ 試料の4務、電極の直五寸
法を測定し、誘1率(ε)および比抵抗ψ)を計算し、
その結果を第1表に示した。
YHP裏LCRメータ4274を用い゛C温度251:
、1KHz、lYrmaの条件で測定した。 また、絶
鷹抵抗(工R)はタケダ浬研製メグオームメータTR8
601t−用い、温度25′cで、直光500v印加2
分後の値を測定した。、・ 試料の4務、電極の直五寸
法を測定し、誘1率(ε)および比抵抗ψ)を計算し、
その結果を第1表に示した。
さらに%各試料の焼成温度を第1表に示した。
なお、講1表中秦印を付したものはこの発明範囲外のも
のであり、それ以外のものはこの発明範囲内のものであ
る。
のであり、それ以外のものはこの発明範囲内のものであ
る。
Claims (2)
- (1)Pb(Fe_1_/_2Nb_1_/_2)O_
3、A(Cu_1_/_3Ta_2_/_3)O_3か
らなり、これを一般式 (1−x)Pb(Fe_1_/_2Nb_1_/_2)
O_3−xA(Cu_1_/_3Ta_2_/_3)O
_3で表わしたとき、x=0.01〜0.12の範囲に
あることを特徴とする誘電体磁器組成物。 ただし、A(Cu_1_/_2Ta_2_/_3)O_
3のAはBa、Sr、Caのいずれか1種。 - (2)前記Pb(Fe_1_/_2Nb_1_/_2)
O_3、A(Cu_1_/_3Ta_2_/_3)O_
3からなる主成分に対し、副成分としてマンガンをMn
O_2に換算して0.005モル%以下を含有する、こ
とを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の誘電体
磁器組成吻。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250799A JPS61128406A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250799A JPS61128406A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128406A true JPS61128406A (ja) | 1986-06-16 |
Family
ID=17213218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59250799A Pending JPS61128406A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61128406A (ja) |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP59250799A patent/JPS61128406A/ja active Pending
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