JPS61128541A - 半導体装置の信頼性試験方法 - Google Patents
半導体装置の信頼性試験方法Info
- Publication number
- JPS61128541A JPS61128541A JP59251013A JP25101384A JPS61128541A JP S61128541 A JPS61128541 A JP S61128541A JP 59251013 A JP59251013 A JP 59251013A JP 25101384 A JP25101384 A JP 25101384A JP S61128541 A JPS61128541 A JP S61128541A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- test
- semiconductor device
- semiconductor element
- semiconductor
- testing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は複数の半導体素子を直流電源装置に接続した
状態で試験槽に投入して一括して電流を流して試験を行
なう半導体装置の信頼性試験方法に関する。
状態で試験槽に投入して一括して電流を流して試験を行
なう半導体装置の信頼性試験方法に関する。
第２図は従来の半導体装置の信頼性試験方法を示す図で
１図において、（１）は試験される半導体素子、（２）
はこの半導体素子（１）複数個を装着したエージング基
板、（３）は直流電圧源、（４）はリード線、（５）は
恒温槽である試験槽である。
１図において、（１）は試験される半導体素子、（２）
はこの半導体素子（１）複数個を装着したエージング基
板、（３）は直流電圧源、（４）はリード線、（５）は
恒温槽である試験槽である。
次に、−ｔ″の試４験方法を連続動作寿命試験について
説明する。まず、複数の半導体素子（１）を、すでに所
定のバイアス印加条件で作成されたエージング基板（２
）に装着する。ついで、このエージング基板（２）と直
流電圧源（３）をリード線（４）で結び、所定の一定電
圧を印加した状態で所定温度の恒温槽である試験槽（５
）に投入する。このようにして試験槽（５）の中の所定
の環境状態の許で複数の半導体素子（１）に一括して試
験電流を流し続ける。その後不良の発生の有無を調べる
ために、半導体素子（１）とエージング基板（２）とを
試験槽（５）より取出し、常温の中で放置し冷却する。
説明する。まず、複数の半導体素子（１）を、すでに所
定のバイアス印加条件で作成されたエージング基板（２
）に装着する。ついで、このエージング基板（２）と直
流電圧源（３）をリード線（４）で結び、所定の一定電
圧を印加した状態で所定温度の恒温槽である試験槽（５
）に投入する。このようにして試験槽（５）の中の所定
の環境状態の許で複数の半導体素子（１）に一括して試
験電流を流し続ける。その後不良の発生の有無を調べる
ために、半導体素子（１）とエージング基板（２）とを
試験槽（５）より取出し、常温の中で放置し冷却する。
半導体素子（１１が常温になった後直流電圧源（３）の
電圧をＯｖまで下げ、半導体素子（１）をエージング基
板（２）から取シ外し、ＩＣテスタで個々に不良の有無
を検査する。その後更に試験を継続する場合は上述の内
容を繰返す。
電圧をＯｖまで下げ、半導体素子（１）をエージング基
板（２）から取シ外し、ＩＣテスタで個々に不良の有無
を検査する。その後更に試験を継続する場合は上述の内
容を繰返す。
従来の試験方法は以上のようになされているので、不良
半導体素子の有無等を検査するために。
半導体素子の有無等を検査するために。
所定時間毎に一旦試験を中断しなければならず。
試験を再開する迄に数時間必要であった。特に短時間で
不良が発生するような半導体素子の試験では、この試験
、中断検査、再開の作業を頻繁に繰返さねばならず、試
験が繁雑で非常に長時間を要し、−！た不良にいたった
正確な時間が観測できないなどの問題点があった。
不良が発生するような半導体素子の試験では、この試験
、中断検査、再開の作業を頻繁に繰返さねばならず、試
験が繁雑で非常に長時間を要し、−！た不良にいたった
正確な時間が観測できないなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、試験を中断することなく、試験状態のま＼で
、不良半導体素子の発生を検出できるとともに、不良に
いたった正確な時間が観測できる半導体装置の信頼性試
験方法を提供することを目的とする。
たもので、試験を中断することなく、試験状態のま＼で
、不良半導体素子の発生を検出できるとともに、不良に
いたった正確な時間が観測できる半導体装置の信頼性試
験方法を提供することを目的とする。
この発明にかかる半導体装置の信頼性試験方法は、直流
電源装置から半導体素子への一括供給電流の時間的経過
を記録する記録器を、上記半導体素子及び直流電源に接
続した状態で、半導体素子を試験槽に投入し試験を行な
うようにしたものである。
電源装置から半導体素子への一括供給電流の時間的経過
を記録する記録器を、上記半導体素子及び直流電源に接
続した状態で、半導体素子を試験槽に投入し試験を行な
うようにしたものである。
この発明における半導体装置の信頼性試験方法は、半導
体素子への一括供給電流の変化を記録器に記録させてお
き、その記録を観測することＫより、一括供給電流の変
化時点、変化回数で半導体素子の不良発生時点２個数な
どを知ることができる。
体素子への一括供給電流の変化を記録器に記録させてお
き、その記録を観測することＫより、一括供給電流の変
化時点、変化回数で半導体素子の不良発生時点２個数な
どを知ることができる。
それで試験の途中で一々半導体素子を試験槽から取出し
検査しなくても、半導体素子の不良発生時点２個数を観
測することが可能となった。
検査しなくても、半導体素子の不良発生時点２個数を観
測することが可能となった。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を説明するだめの図で９図
において、（１）〜（５）は第２図の同一符号と同一部
分を示し、（６）は直流電源装置（３）からエージング
基板（２）に供給される半導体素子一括試験電流を検出
するための抵抗器、（７）はこの抵抗器（６）の電圧降
下の時間的経過を記録する記録器である。
において、（１）〜（５）は第２図の同一符号と同一部
分を示し、（６）は直流電源装置（３）からエージング
基板（２）に供給される半導体素子一括試験電流を検出
するための抵抗器、（７）はこの抵抗器（６）の電圧降
下の時間的経過を記録する記録器である。
次に、この実施例による試験方法を説明する。
まず、複数の半導体素子（１）をエージング基板（２）
に装着し、このエージング基板（２）と直流電圧源（３
）とを抵抗器（６）を介してリード線（４）で接続し、
半導体素子（１）に一括して所定電圧を印加した状態で
、高温の恒温槽である試験槽（５）に投入する。その後
。
に装着し、このエージング基板（２）と直流電圧源（３
）とを抵抗器（６）を介してリード線（４）で接続し、
半導体素子（１）に一括して所定電圧を印加した状態で
、高温の恒温槽である試験槽（５）に投入する。その後
。
半導体素子（１）を含めた試験装置が安定したら、抵抗
器（６）の両端を記録器（７）に接続し抵抗器（６）で
の電圧降下を記録していく。このようにして、試験槽（
５）内での半導体素子（１）への一括試験電流の時間的
経過が記録器（７）によって記録される。それである半
導体素子（１）が不良となると、その素子への電源電流
の増加、或いは入出力のリーク電流の増加をきたすため
、その分生導体素子（１）への一括供給電流は増加する
。それが抵抗器（６）の電圧降下の増加となり記録器（
７）に記録される。これによって半導体素子（１）の不
良にい之った時間が観測できる。その後他の半導体素子
１１Ｊ ｄｉ不良となると抵抗器（６）の電圧降下はさ
らに大きくなるため、その変化の数により不良半導体素
子の奴が観測できる。
器（６）の両端を記録器（７）に接続し抵抗器（６）で
の電圧降下を記録していく。このようにして、試験槽（
５）内での半導体素子（１）への一括試験電流の時間的
経過が記録器（７）によって記録される。それである半
導体素子（１）が不良となると、その素子への電源電流
の増加、或いは入出力のリーク電流の増加をきたすため
、その分生導体素子（１）への一括供給電流は増加する
。それが抵抗器（６）の電圧降下の増加となり記録器（
７）に記録される。これによって半導体素子（１）の不
良にい之った時間が観測できる。その後他の半導体素子
１１Ｊ ｄｉ不良となると抵抗器（６）の電圧降下はさ
らに大きくなるため、その変化の数により不良半導体素
子の奴が観測できる。
なお、上記実施例では高温連続動作試験について示した
が、その他バイアスを印加する信頼性試験においても適
用できる。
が、その他バイアスを印加する信頼性試験においても適
用できる。
〔発明の効果〕
以上のようにこの祐明によれば半導体素子への一括供給
’に流の時間的経過ケ把録する記録器を接続した状態で
半導体素子を試験槽に投入して試験ケ行なうようにし友
ので、半導体素子を横歪するために中断することなく、
不良半導体素子の発生が、演出でき、不良にい之った正
確な時間が観測できる効果なＭしているＱそのため試験
時間の短媚がはかれる利点をも有して・ハる。
’に流の時間的経過ケ把録する記録器を接続した状態で
半導体素子を試験槽に投入して試験ケ行なうようにし友
ので、半導体素子を横歪するために中断することなく、
不良半導体素子の発生が、演出でき、不良にい之った正
確な時間が観測できる効果なＭしているＱそのため試験
時間の短媚がはかれる利点をも有して・ハる。
第１図はこの発明の一実踊例を祝胸するたのの図、第２
図は従来の半畳体装置の信頓性試戚方法を説明するため
の図である。 図において、（１）は半導体素子、（２１はエージング
基板、（３）は直流電圧源、（旬はリード線、（５）は
試験槽、（６）は抵抗器、（７）は記録器である。 図中同一符号は同−或は相当部分を示す。
図は従来の半畳体装置の信頓性試戚方法を説明するため
の図である。 図において、（１）は半導体素子、（２１はエージング
基板、（３）は直流電圧源、（旬はリード線、（５）は
試験槽、（６）は抵抗器、（７）は記録器である。 図中同一符号は同−或は相当部分を示す。
Claims (1)
- 複数の半導体素子をこれに直流電源装置を接続して所
定電圧を印加した状態で試験槽に投入し、その中で所定
のバイアス電圧印加状態で上記半導体素子に一括して試
験電流を流し、その後試験槽から取出し、上記半導体素
子を個別に検査するようにした半導体装置の信頼性試験
方法において、上記直流電源装置から上記半導体素子へ
の一括供給電流の時間的経過を記録する記録器を上記半
導体素子及び直流電源に接続した状態で上記半導体素子
を上記試験槽に投入し試験を行なうようにしたことを特
徴とする半導体装置の信頼性試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251013A JPS61128541A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 半導体装置の信頼性試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251013A JPS61128541A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 半導体装置の信頼性試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128541A true JPS61128541A (ja) | 1986-06-16 |
Family
ID=17216335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59251013A Pending JPS61128541A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 半導体装置の信頼性試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61128541A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0724579U (ja) * | 1992-08-20 | 1995-05-09 | 株式会社ワンウイル | 真空吸着パット |
| KR100332133B1 (ko) * | 1995-03-14 | 2002-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 고온 테스트 방법 |
| JP2006278816A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Jfe Steel Kk | 半導体素子特性改善方法 |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP59251013A patent/JPS61128541A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0724579U (ja) * | 1992-08-20 | 1995-05-09 | 株式会社ワンウイル | 真空吸着パット |
| KR100332133B1 (ko) * | 1995-03-14 | 2002-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 고온 테스트 방법 |
| JP2006278816A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Jfe Steel Kk | 半導体素子特性改善方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0407029A2 (en) | Method for a below a minute burn-in | |
| KR100296184B1 (ko) | 금속배선의 신뢰성 평가방법 및 금속배선의 신뢰성 평가장치 | |
| KR970706506A (ko) | 자동 웨이퍼 레벨 검사 및 신뢰도 데이터 분석을 위한 방법 및 장치(method and apparatus for automated wafer level testing and reliability data analysis) | |
| KR20080113987A (ko) | 실시간으로 반도체 소자의 불량 여부를 검사할 수 있는고온 역바이어스 테스트 장비 | |
| JPS63274885A (ja) | 半導体集積回路をバ−ン・イン中に試験する方法及び回路基板 | |
| JP2008203077A (ja) | 回路検査装置及び回路検査方法 | |
| US6429677B1 (en) | Method and apparatus for characterization of gate dielectrics | |
| JPS61128541A (ja) | 半導体装置の信頼性試験方法 | |
| US5502390A (en) | Adiabatic conductor analyzer method and system | |
| JP2001330644A (ja) | スクリーニング方法、スクリーニング装置及び記録媒体 | |
| US6693434B2 (en) | Automated system for estimating ring oscillator reliability and testing AC response and method of operation thereof | |
| US6230293B1 (en) | Method for quality and reliability assurance testing of integrated circuits using differential Iddq screening in lieu of burn-in | |
| JP2001015563A (ja) | 検査結果表示方法、検査結果表示装置及び記録媒体 | |
| JPH03246472A (ja) | モータ用巻線コイルの巻装異常検出装置 | |
| JP2966185B2 (ja) | 故障検出方法 | |
| JPS6111465B2 (ja) | ||
| JPS6217376B2 (ja) | ||
| JP3147855B2 (ja) | 実装基板の不良検査方法 | |
| JP3040233B2 (ja) | 半導体装置の検査方法 | |
| CN112731073A (zh) | 用于经时击穿测试的探针卡及经时击穿测试方法 | |
| JPH07321174A (ja) | 半導体検査装置 | |
| JP2526252B2 (ja) | 半導体素子の信頼性試験方法 | |
| JP2006189340A (ja) | 半導体デバイスの検査システムおよび検査方法 | |
| JP3305632B2 (ja) | 半導体素子の並列検査方法 | |
| KR0177987B1 (ko) | 복수 개의 반도체 칩 테스트 방법 |