JPS61129662A - 画像情報記録装置 - Google Patents
画像情報記録装置Info
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- JPS61129662A JPS61129662A JP59252685A JP25268584A JPS61129662A JP S61129662 A JPS61129662 A JP S61129662A JP 59252685 A JP59252685 A JP 59252685A JP 25268584 A JP25268584 A JP 25268584A JP S61129662 A JPS61129662 A JP S61129662A
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- JP
- Japan
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- wavelength
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/04—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
- G03G15/04036—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors
- G03G15/04045—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers
- G03G15/04072—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers by laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、可視光の画像情報のみならず、Ｘ線や紫外線
、赤外線のような不可視光線の画像情報の記録装置に関
し、特に電子写真のプロセスを用いたプリンタに応用で
きる静電潜像や、撮像装置の電荷パターンの形成装置に
関する。
、赤外線のような不可視光線の画像情報の記録装置に関
し、特に電子写真のプロセスを用いたプリンタに応用で
きる静電潜像や、撮像装置の電荷パターンの形成装置に
関する。
従来の技術
蓄積型の光導電体は、電子写真感光体や、撮像管等に用
いられ、一定期間電荷パターンを保持する目的のため、
比抵抗が１０ Ωｃｍ以上の高抵抗であることが必要
条件とされている。これほど高抵抗であるためには、禁
止帯幅が広い半導体材料の方が有利であり、赤外線に感
度を持たせることが困難である。又、基板材料等の制限
から短波長における感度が低下する。一般にこの目的を
満足するものは可視光領域に感度が限定されているもの
が多い。しかし、一方では可視光線以外の赤外線や紫外
線、Ｘ線等の電磁放射波の像を測定する要請がある。こ
の光導電体の感度と光源の波長領域の相違を解決するた
めに従来、光導電体に色々の改良が加えられている。具
体的な例として、電子写真感光体について現状を説明す
る。
いられ、一定期間電荷パターンを保持する目的のため、
比抵抗が１０ Ωｃｍ以上の高抵抗であることが必要
条件とされている。これほど高抵抗であるためには、禁
止帯幅が広い半導体材料の方が有利であり、赤外線に感
度を持たせることが困難である。又、基板材料等の制限
から短波長における感度が低下する。一般にこの目的を
満足するものは可視光領域に感度が限定されているもの
が多い。しかし、一方では可視光線以外の赤外線や紫外
線、Ｘ線等の電磁放射波の像を測定する要請がある。こ
の光導電体の感度と光源の波長領域の相違を解決するた
めに従来、光導電体に色々の改良が加えられている。具
体的な例として、電子写真感光体について現状を説明す
る。
電子写真のプロセスを用いたプリンタとしては、レーザ
プリンタ、ＬＥＤプリンタ等の発光光源を用いるものや
、液晶プリンタに代表される光シヤツタアレイを用いた
ものが研究されている。
プリンタ、ＬＥＤプリンタ等の発光光源を用いるものや
、液晶プリンタに代表される光シヤツタアレイを用いた
ものが研究されている。
この光源の選択は、相手となる電子写真感光体の感度領
域と一致させる必要がある。一般に電子写真感光体は、
帯電に必要なように高抵抗であることが要請されている
。この高抵抗であることが必要なため、一般に電子写真
感光体には、禁止帯幅の広い材料、例えば、Ｓｅ、 Ｃ
ｔｉＳ 、Ａｓ２Ｓｅ３．ａ Ｓｉ ：Ｈ等が用いられ
ている。第６図に主な電子写真感光体の分光感度特性を
示す。これに対して実用化されている半導体レーザは、
波長が７８０〜８２０ｎｍであり、これらの感光体との
一致が良いレーザは、気体レーザであるが、装置が大型
となる欠点がある。一方、ＬＥＤは８３０ｎｍ付近に中
心波長を持ち、ａＳｉ：Ｈ発光体との一致が良いが、Ｌ
ＥＤアレイの均一性、歩留り等の点から装置が高価格と
なる。又、液晶の光シャッタを用いる方法は、電気的な
スイー、チングで光をオン、オフするので光源として任
意のものを選べるが、液晶の応答スピードに問題がある
。このように電子写真プロセスを用いたプリンタにおい
て効率良く静電潜像を形成する為の光源の波長と電子写
真感光体の感度の波長を一致させることが必要であり、
これが一致するものでも従来のものでは色々の欠点があ
る。従って実用化されている半導体レーザの発振波長で
ある７ＢＯｎ＋＋＋から８２０ｎｍに感度を有する電子
写真感光体が色々研究されており、具体的には、有機半
導体、ａ ５ｉ７−ｘ Ｇｅ、ｃ二Ｈ、５ｅ７−ｙ Ｔ
ｅｙ等が検討されている。しかし、禁止帯幅の小さい材
料を用いて長波長感度を増加させることは、帯電の点か
らは不利である。従って長波長感度を持ち且つ帯電電位
が高いという相反する特性をいかにして解決するかが重
要な問題となっている。
域と一致させる必要がある。一般に電子写真感光体は、
帯電に必要なように高抵抗であることが要請されている
。この高抵抗であることが必要なため、一般に電子写真
感光体には、禁止帯幅の広い材料、例えば、Ｓｅ、 Ｃ
ｔｉＳ 、Ａｓ２Ｓｅ３．ａ Ｓｉ ：Ｈ等が用いられ
ている。第６図に主な電子写真感光体の分光感度特性を
示す。これに対して実用化されている半導体レーザは、
波長が７８０〜８２０ｎｍであり、これらの感光体との
一致が良いレーザは、気体レーザであるが、装置が大型
となる欠点がある。一方、ＬＥＤは８３０ｎｍ付近に中
心波長を持ち、ａＳｉ：Ｈ発光体との一致が良いが、Ｌ
ＥＤアレイの均一性、歩留り等の点から装置が高価格と
なる。又、液晶の光シャッタを用いる方法は、電気的な
スイー、チングで光をオン、オフするので光源として任
意のものを選べるが、液晶の応答スピードに問題がある
。このように電子写真プロセスを用いたプリンタにおい
て効率良く静電潜像を形成する為の光源の波長と電子写
真感光体の感度の波長を一致させることが必要であり、
これが一致するものでも従来のものでは色々の欠点があ
る。従って実用化されている半導体レーザの発振波長で
ある７ＢＯｎ＋＋＋から８２０ｎｍに感度を有する電子
写真感光体が色々研究されており、具体的には、有機半
導体、ａ ５ｉ７−ｘ Ｇｅ、ｃ二Ｈ、５ｅ７−ｙ Ｔ
ｅｙ等が検討されている。しかし、禁止帯幅の小さい材
料を用いて長波長感度を増加させることは、帯電の点か
らは不利である。従って長波長感度を持ち且つ帯電電位
が高いという相反する特性をいかにして解決するかが重
要な問題となっている。
発明が解決すべき問題点
このように感光体及び光源の選択幅を広げることが現下
の重要な問題であり、これによって電子写真プロセスを
用いた装置、撮像装置の利用範囲を広げることができる
。
の重要な問題であり、これによって電子写真プロセスを
用いた装置、撮像装置の利用範囲を広げることができる
。
本発明は特に、電子写真プロセスに適した帯電電位が高
く、可視光線の領域に感度を持つ従来の感光体をそのま
ま用いて広範囲の波長帯域の画像に対応した静電潜像を
形成する装置を提供することを目的とするものである。
く、可視光線の領域に感度を持つ従来の感光体をそのま
ま用いて広範囲の波長帯域の画像に対応した静電潜像を
形成する装置を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明は１画像パターンを形成する光源の波長を感光体
に感度を有する波長に変換して、これを感光体に照射し
て電荷パターンを形成するもので、その構成として、光
導電性を有する感光体を帯電させる手段と、記録すべき
画像情報を持つ第１の光の波長を波長変換装置により前
記感光体に感度を有する第２の光に変換する手段と、前
記第２の光を感光体に照射して感光体上に前記第１の光
の持つ画像情報に対応する電荷像を形成する手段とより
構成される。
に感度を有する波長に変換して、これを感光体に照射し
て電荷パターンを形成するもので、その構成として、光
導電性を有する感光体を帯電させる手段と、記録すべき
画像情報を持つ第１の光の波長を波長変換装置により前
記感光体に感度を有する第２の光に変換する手段と、前
記第２の光を感光体に照射して感光体上に前記第１の光
の持つ画像情報に対応する電荷像を形成する手段とより
構成される。
ここで波長変換装置には、ＬｊＮｂＯ等の２次高調波発
生素子、ＩＩ−Ｖｌ化合物半導体等のホトルミネセンス
材料、Ｂ ｉ）２ Ｓ ｉ ０２０等の光導電性とボッ
ケル効果の両方の特性を持つ画像変換素子、特願昭５９
−１２９８６１号にある光導電素子とＰＬＺＴ等を組合
わせた光シャッタ等がある。即ち、第１の光の持つ画像
情報に対応して第１の光とは波長の異なる第２の光を発
生させるものであればよい。
生素子、ＩＩ−Ｖｌ化合物半導体等のホトルミネセンス
材料、Ｂ ｉ）２ Ｓ ｉ ０２０等の光導電性とボッ
ケル効果の両方の特性を持つ画像変換素子、特願昭５９
−１２９８６１号にある光導電素子とＰＬＺＴ等を組合
わせた光シャッタ等がある。即ち、第１の光の持つ画像
情報に対応して第１の光とは波長の異なる第２の光を発
生させるものであればよい。
作 用
第１図は本発明の基本原理を示す図である。まず、同図
（ａ）に示すように、基体１上に形成された感光体２を
電圧印加又はコロトロンによって帯電処理を行なう。次
に同図（ｂ）のように、画像情報を持つ第１の光３を波
長変換装置４により第１の光３の持つ画像情報を有して
第１の光３とは波長の異なる第２の光５に変換する。こ
の第２の光５を感光体２上に照射して、感光体２に第１
の光３に対応した静電潜像を得るものである。
（ａ）に示すように、基体１上に形成された感光体２を
電圧印加又はコロトロンによって帯電処理を行なう。次
に同図（ｂ）のように、画像情報を持つ第１の光３を波
長変換装置４により第１の光３の持つ画像情報を有して
第１の光３とは波長の異なる第２の光５に変換する。こ
の第２の光５を感光体２上に照射して、感光体２に第１
の光３に対応した静電潜像を得るものである。
実施例
５Ｓ２図は従来からあるレーザプリンタに２次高調波発
生器を付加した本発明の第１の実施例である。
生器を付加した本発明の第１の実施例である。
図において、１１はＧａＡ文Ａｓ等の半導体レーザ装置
で・波長８２０ｎｗの出力２０ｍＷのレーザ光１２を発
生し、 ＫＮｂＯ３で構成される２次高調波発生器１３
に照射する。２次高調波発生器１３では、８２０ｎｍの
レーザ光を ４１０ｎｍ、２１のレーザ光１４に変換す
る。この変換されたレーザ光１４は、ポリゴンミラー１
５で反射され、ｆＯレンズ１６を経て、あらがじめ１０
トロン１７で表面電位が−４００Ｖに帯電すれている非
晶質水素化シリコンを母体とする感光ドラム１８に照射
される。４１０ｎ−のレーザ光１４により照射された部
分は表面電位がＯｖ近くになり、静電潜像が感光ドラム
１８上に形成される。１８は現像器である。
で・波長８２０ｎｗの出力２０ｍＷのレーザ光１２を発
生し、 ＫＮｂＯ３で構成される２次高調波発生器１３
に照射する。２次高調波発生器１３では、８２０ｎｍの
レーザ光を ４１０ｎｍ、２１のレーザ光１４に変換す
る。この変換されたレーザ光１４は、ポリゴンミラー１
５で反射され、ｆＯレンズ１６を経て、あらがじめ１０
トロン１７で表面電位が−４００Ｖに帯電すれている非
晶質水素化シリコンを母体とする感光ドラム１８に照射
される。４１０ｎ−のレーザ光１４により照射された部
分は表面電位がＯｖ近くになり、静電潜像が感光ドラム
１８上に形成される。１８は現像器である。
ここで用いられた非晶質水素化シリコンは、反応性スパ
ッタ法により形成されるものであり、光の半＃、露光量
の逆数で示す分光感度特性は、第３図に示すとおりであ
る。又、感光ドラム１８は、 ８２０ｎｍのレーザ光に
はほとんど感度を有しないが、４１０ｎｍには十分に感
度がある。このようにして小型の半導体レーザ装置を用
いることが可能となる。又、２次高調波発生器としては
上述のＫ Ｎ ｂｔ０３のほかにＬｉＮｂＯ３、Ｚｎ５
ｅ、 ＧａＰ等を使用することができる。
ッタ法により形成されるものであり、光の半＃、露光量
の逆数で示す分光感度特性は、第３図に示すとおりであ
る。又、感光ドラム１８は、 ８２０ｎｍのレーザ光に
はほとんど感度を有しないが、４１０ｎｍには十分に感
度がある。このようにして小型の半導体レーザ装置を用
いることが可能となる。又、２次高調波発生器としては
上述のＫ Ｎ ｂｔ０３のほかにＬｉＮｂＯ３、Ｚｎ５
ｅ、 ＧａＰ等を使用することができる。
第４図は、特願昭５９−１２９８６１号に記載された画
像情報変換装置を用いた本発明の第２の実施例である。
像情報変換装置を用いた本発明の第２の実施例である。
この実施例は、半導体レーザの持つ画像情報を、蛍光灯
の緑色光の画像情報に変換し、感光ドラム上に潜像を形
成するものである。即ち、半導体レーザ２１から出た波
長７８（ｌｎｍのレーザ光２２は、ポリゴンミラー２３
によって反射され、波長変換素子２４中の光導電層に吸
収される。それによって波長変換素子２４に照射された
蛍光灯２５から出た緑色の光２６は、レーザ光２２に応
じてオン、オフされ、厚さθＯＪＬｍのＳｅから成る感
光体２８上に照射される。
の緑色光の画像情報に変換し、感光ドラム上に潜像を形
成するものである。即ち、半導体レーザ２１から出た波
長７８（ｌｎｍのレーザ光２２は、ポリゴンミラー２３
によって反射され、波長変換素子２４中の光導電層に吸
収される。それによって波長変換素子２４に照射された
蛍光灯２５から出た緑色の光２６は、レーザ光２２に応
じてオン、オフされ、厚さθＯＪＬｍのＳｅから成る感
光体２８上に照射される。
第５図は、特願昭５ｉ９−１２９８８１号に示した波長
変換素子の一例の構成を示す側面図（ａ）と前面図（ｂ
）である。図において、３１は電気光学効果を持つＰＬ
ＺＴ、３２は７８０ｎａ＋に感度のあるＺｎ５ｅ −Ｃ
Ｃｄｔ−ｘ−ＺｎｘＴｅ）１−ｙ （ＩｎＬＴｅ３）７
のへテロ接合光導電体であり、電極ａ３．３４に一
定電圧を印加しておき、 ７８０ｎｍのレーザ光３５を
走査しＰＩ、ＺＴ３１に印加される電圧配分の変化によ
り、蛍光灯３６からの緑色光３７の光をオン、オフする
ものである。
変換素子の一例の構成を示す側面図（ａ）と前面図（ｂ
）である。図において、３１は電気光学効果を持つＰＬ
ＺＴ、３２は７８０ｎａ＋に感度のあるＺｎ５ｅ −Ｃ
Ｃｄｔ−ｘ−ＺｎｘＴｅ）１−ｙ （ＩｎＬＴｅ３）７
のへテロ接合光導電体であり、電極ａ３．３４に一
定電圧を印加しておき、 ７８０ｎｍのレーザ光３５を
走査しＰＩ、ＺＴ３１に印加される電圧配分の変化によ
り、蛍光灯３６からの緑色光３７の光をオン、オフする
ものである。
第４図では、このような波長変換素子２４によって半導
体レーザの画像信号情報が、′それに対応した蛍光灯の
緑色に変換され、コロトロン２７であらかじめ＋８００
Ｖに帯電された感光体２８上に照射され、静電潜像を
形成する。
体レーザの画像信号情報が、′それに対応した蛍光灯の
緑色に変換され、コロトロン２７であらかじめ＋８００
Ｖに帯電された感光体２８上に照射され、静電潜像を
形成する。
なお、上述の実施例では、波長変換素子としてＰＬＺＴ
を用いた例を示したけれども、感光体に感度のある波長
の光に変換できるものであれば、特願昭５９−１２９８
０１号に示した他の構成であっても、よい。
を用いた例を示したけれども、感光体に感度のある波長
の光に変換できるものであれば、特願昭５９−１２９８
０１号に示した他の構成であっても、よい。
発明の詳細
な説明したように本発明は、記録すべき画像情報を持つ
第１の光の波長を、感光体に感度を有する第２の光に変
換し、この第２の光を感光体に照射して、感光体上に第
１の光の持つ画像情報に対応した電荷像を形成するもの
であるので、電子写真感光体や撮像装置等の感光体と光
源の組合せの選択幅が広くなり、電子写真や撮像装置の
特性を改善してその利用範囲を拡大することができる。
第１の光の波長を、感光体に感度を有する第２の光に変
換し、この第２の光を感光体に照射して、感光体上に第
１の光の持つ画像情報に対応した電荷像を形成するもの
であるので、電子写真感光体や撮像装置等の感光体と光
源の組合せの選択幅が広くなり、電子写真や撮像装置の
特性を改善してその利用範囲を拡大することができる。
第１図は本発明の基本的構成を示す図、第２図は本発明
の第１の実施例を示す図、第３図は第２図の実施例で用
いられた非晶質水素化シリコン電子写真感光体の分光感
度特性、第４図は本発明の第２の実施例を示す図、第５
図は第４図の実施例に用いられた波長変換装置の一構成
例の側面図（ａ）と前面図（ｂ）、第６図は従来の電子
写真感光体の分光感度特性である。 １・・・基体 ２・・・感光体 ３・・・第１の光
４・・・波長変換装置 ５・・・第２の光 １１．
２１・・・半導体レーザ装置、 １３・・・２次高調
波発生器１５．２３・・・ポリゴンミラー １８・・
・感光ドラム２４・・・波長変換素子。 代理人の氏名 弁理士 吉 崎 悦 治第１図 第２図 第３図 皮表［九ｍ〕 第４図 第５図 （Ｑ） （ｂ） 第６図 襄ＬＬ九ｍ１
の第１の実施例を示す図、第３図は第２図の実施例で用
いられた非晶質水素化シリコン電子写真感光体の分光感
度特性、第４図は本発明の第２の実施例を示す図、第５
図は第４図の実施例に用いられた波長変換装置の一構成
例の側面図（ａ）と前面図（ｂ）、第６図は従来の電子
写真感光体の分光感度特性である。 １・・・基体 ２・・・感光体 ３・・・第１の光
４・・・波長変換装置 ５・・・第２の光 １１．
２１・・・半導体レーザ装置、 １３・・・２次高調
波発生器１５．２３・・・ポリゴンミラー １８・・
・感光ドラム２４・・・波長変換素子。 代理人の氏名 弁理士 吉 崎 悦 治第１図 第２図 第３図 皮表［九ｍ〕 第４図 第５図 （Ｑ） （ｂ） 第６図 襄ＬＬ九ｍ１
Claims (1)
- 光導電性を有する感光体を帯電する手段と、記録すべき
画像情報を持つ第１の光の波長を波長変換装置により前
記感光体に感度を有する第２の光の波長に変換する手段
と、前記第２の光を前記感光体に照射して感光体上に前
記第１の光の持つ画像情報に対応する電荷像を形成する
手段を有することを特徴とする画像情報記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59252685A JPS61129662A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 画像情報記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59252685A JPS61129662A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 画像情報記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61129662A true JPS61129662A (ja) | 1986-06-17 |
Family
ID=17240813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59252685A Pending JPS61129662A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 画像情報記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61129662A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63146062A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-18 | Canon Inc | 画像記録装置 |
| US4905037A (en) * | 1986-03-13 | 1990-02-27 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image transfer system |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5028266A (ja) * | 1973-07-11 | 1975-03-22 | ||
| JPS56143465A (en) * | 1980-04-09 | 1981-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Image recording copier |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP59252685A patent/JPS61129662A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5028266A (ja) * | 1973-07-11 | 1975-03-22 | ||
| JPS56143465A (en) * | 1980-04-09 | 1981-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Image recording copier |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4905037A (en) * | 1986-03-13 | 1990-02-27 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image transfer system |
| JPS63146062A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-18 | Canon Inc | 画像記録装置 |
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