JPS61131233A - 磁性薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁性薄膜の製造方法に関し、詳しくは、軟磁気
特性に優れた磁性薄膜の製造方法に関する。

［従来技術］ 近年の情報層の増加に伴い高密度記録への要求が高くな
っている。磁気記録の分野においては、磁気記録層に水
平方向の磁化による記録が一般的に行なわれているが、
この水平磁化による記録の場合、記録信号が短波長にな
るにつれ、即ち記録密度を増加していくにつれ、磁気記
録媒体内の反磁界が増加して残留磁化の減衰と回転を生
じ、再生出力が著しく減少する。

これに対し、磁気記録媒体の磁気記録層の厚さ方向の磁
化、いわゆる垂直磁化による記録を行なうときは、短波
長になるにつれ、減磁界が小さくなり、この短波長域の
記録においては、上記従来の水平磁化による記録より、
垂直磁化による記録のほうが有利であると言われている
。

上記垂直磁化による利点を充分に発揮させ、高密度記録
を能率よく行なう磁気記録媒体としては、第１図に示す
如く、非磁性支持体１上に裏打ち層としての軟磁性層２
と垂直磁気異方性を有する磁気記録１３とを組み合わせ
た二層膜構造の磁気記録媒体を用いることが提案されて
いる。この二層膜構造の磁気記録媒体においては、記録
した垂直磁化を安定に保つだけでなく、記録、再生の感
度が、第２図に示す単層膜構造の磁気記録媒体に比較し
て、１０倍近く向上する。

上記効果では特に軟磁性層２が重要な役割を果たし、記
録過程においては、軟磁性層内にヘッドの影像磁化が生
じ、ヘッドから発生する磁界を強める作用をし、また、
この軟磁性層２によってＣ０−Ｃｒ等からなる磁気記録
層３の裏面の磁気回路を部分的に閉じ、減磁作用を軽減
し、残留磁化を強める働きをすることにより、記録感度
、再生感度を大幅に向上させるものである。

上記の如き役割を有する軟磁性層としては、一般にパー
マロイ等の鉄−ニッケル系の軟磁性合金薄膜が用いられ
ているが、この軟磁性層は透磁率が高いほうが、磁気記
録媒体の記録密度等を高めることができる。

そして上記透磁率等の軟磁気特性を改良するために、基
板に負バイアスをかけたり、製膜後、真空状態を維持し
たまま熱処理を施す等の方法が行なわれているが、未だ
満足すべき結果が得られていない。

また、軟磁性薄膜形成時において、薄膜が形成される支
持体上の温度は低いほうが高透磁率化された磁性薄膜が
形成されることが知られており、例えば、急冷法等の支
持体を冷却する方法が知られているが、真空蒸着におけ
る蒸発源からの輻射熱や潜熱、スパッタリングにおける
プラズマ等により支持体表面の過熱は避けられず、支持
体を冷却して高透磁率の軟磁性層を得る方法にも限界が
あった。

［発明の目的］ 本発明は上記の事情に鑑みなされたものであり、本発明
の目的は軟磁気特性、特に高透磁率特性に優れた磁性薄
膜の製造方法を提供することである。

［発明の構成］ 本発明の上記目的は、高分子樹脂支持体上に軟磁性層を
形成する磁性薄膜の製造方法において、前記高分子樹脂
支持体を５０℃〜該高分子樹脂のガラス転移温度以下で
熱処理を施した後、この高分子樹脂支持体上に軟磁性層
を形成する磁性薄膜の製造方法により達成される。

［発明の具体的構成］ 本発明の製造方法の支持体に用いられる高分子樹脂とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンー２
．６−ナフタレート等のポリエステル樹脂、ポリプロピ
レン等のポリオレフィン樹脂、セルローストリアセテー
ト等のセルロースアセテート樹脂、ポリイミド−樹脂、
アラミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルサルホ
ン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエーテルエーテ
ルケトン樹脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられる。

これらの高分子樹脂のうち好ましく用いられるものをさ
らに具体的にそのガラス転移温度と共に示すと、ポリエ
チレンテレフタレート（ガラス移転温度９０℃）、ポリ
パラバン酸樹脂（２９０℃）、ポリエーテルサルホン樹
脂［例えばスミライト１”　Ｓ−１３００（住友ベーク
ライト社製）、２３０℃］、ポリサルホン樹脂［例えば
スミライトｌ”　Ｓ−１２００（住友ベークライト社製
）、１９０℃］、ポリエーテルエーテルケトン樹脂［例
えばスミライトＦＳ−１１００（住友ベークライト社製
）、３３４℃コ、ポリイミド樹脂（３５０℃）等である
。

本発明に用いられる高分子樹脂支持体は磁性薄膜の責途
に応じて、椀えばフィルム状、ディスク−４＝ 状、ドラム状等その形状は任意のものが用いられる。

高分子樹脂支持体の熱処理に用いられる加熱手段として
は任意の手段、例えばハロゲンランプ、赤外線ランプ等
による加熱、温風吹きつけによる加熱、抵抗加熱板によ
る加熱、高周波加熱等が挙げられるが、好ましくは軟磁
性層形成前の真空槽内で加熱を行える方法、例えばハロ
ゲンランプ、赤外線ランプ等によるｈｉ熱が好ましい。

また、加熱処理は、真空槽内で減圧下、例えば５×１０
　〜１　ｘ　１０’　Ｔ　ｏｒｒでアルゴン等の希ガス
の存在下で行うのが好ましい。

さらに、加熱時間は、熱処理温度、支持体の形状、その
厚さ等により”異なるが、概ね１分〜１０分が好ましい
。

高分子樹脂ρ特休として、例えば重囲平均分子［２０，
０００〜３０，０００のポリエチレンテレフタレート（
ガラス転移温度約９０℃）をｉ厚５０μｍのフィルムと
して用いた場合、熱処理温度は５’Ｏ〜９０℃、好まし
くは６０〜８０℃−であり、加熱時間は２〜５分が好ま
しい。

本発明の製造方法においては、高分子樹脂支持体に上記
の如く熱処理を茄した後、該支持体上に軟磁性層を形成
する。軟磁性層の形成手段は任意であり、例えば真空蒸
着、スパッタリング、イオンブレーティング等の方法が
挙げられる。

本発明の軟磁性層に用いられる磁性金属材料としては、
純鉄（不純物０．５重量％以下）、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、
Ｆｅ−Ｎ１−Ｍ０系合金、Ａｐ−８１−Ｆｅ系合金、Ｍ
ｎ−ＺｎフェライトとしてＭｎ　ｏ−ｚｎ　ｏ−Ｆｅ２
ｏ、　　、Ｎｉ　−Ｚｎ　７ｍ−フィトとしＴＮｉ　０
−Ｚｎ　０−Ｆｅ２Ｏ３、Ｑｕ　−Ｚｎフェライトとし
てｃｕ　ｏ−ｚｎ〇−Ｆｅ２ｏ３　、Ｃｏ系アモルファ
スとしてＣｏ　−Ｆｅ　−Ｎｂ　。

Ｇｏ　−Ｍｎ　−Ｎｂ　’、　Ｃｏ　−Ｆｅ　−Ｍｎ　
−Ｎｂ　１Ｃｏ　−Ｎｂ　−Ｔｉ　、　Ｇｏ　−Ｎｂ　
−Ｚｒ　、　Ｃｏ　−Ｎｂ等が挙げられる。

本発明の製造方法で得られた磁性薄膜は、例えば、垂直
磁気記録用の二層膜構造の磁気記録媒体の軟磁性層に適
用してその効果を発揮する。また、磁気ヘッド等にも適
用することができる。

［発明の具体的効果コ 本発明の製造方法では、高分子樹脂支持体を５０℃〜該
高分子樹脂のガラス転移温度以下で熱処理を施した後、
この高分子樹脂支持体上に軟磁性層を形成したので、軟
磁気特性、特に高透磁率特性に優れた磁性薄膜を得るこ
とができた。

［発明の具体的実施例］ 以下本発明を実施例により具体的に示すが、本発明の実
施の態様がこれに限定されるものではない。

実施例１ 膜厚５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（
ガラス転移１１１９０℃）を真空槽中３×１０　　Ｔｏ
ｒｒ以下、アルゴンガＩＩ力１．５Ｘ１０’Ｔ　ｏｒｒ
の存在下、ハロゲンランプにより７０℃で２分間加熱処
理した後、該支持体上に連続的に公知の対向ターゲット
スパッタ装置でパーマロイ層の軟磁性層を０．４μｍの
膜厚で形成した。以下にスパッタリング条件を示す。

ターゲットサイズ　　　　１００Ｘ　３００ｍｍアルゴ
ンガス圧力　　　　　３ｘ　１０’　Ｔ　ｏｒｒ投入電
力　　　　　　　　　４ｋｗ 上記で得た磁性薄膜を試料１とする。

磁性薄膜試料１において、高分子樹脂をポリイミドに代
え、加熱処理温度を３００℃に代えた以外は同様にして
試料２を得た。

比較として、それぞれ上記試料１．２の高分子樹脂支持
体に加熱処理を加えないものを用いた以外はそれぞれ試
料１．２と同様にして比較試料１．２を得た。

ざらに、比較試料１において、磁性薄膜形成後、真空状
態を維持したまま加熱処理（加熱温度７０℃）を施し比
較試料３を得た。結果をそれぞれ表１に示す。

以下余白 表１ 表１より明らかな様に、本発明の方法による軟磁性薄膜
は、透磁率が大きく、軟磁気特性に優れていることがわ
かる。

【図面の簡単な説明】

第１図は二層膜構造の磁気記録媒体の説明図、第２図は
単層膜構造の磁気記録媒体の説明図である。 １・・・支持体、　　　　　２・・・軟磁性層、３・・
・磁気記録層 特許出願人　　小西六写真工業株式会社第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 高分子樹脂支持体上に軟磁性層を形成する磁性薄膜の製
   造方法において、前記高分子樹脂支持体を５０℃〜該高
   分子樹脂のガラス転移温度以下で熱処理を施した後、こ
   の高分子樹脂支持体上に軟磁性層を形成することを特徴
   とする磁性薄膜の製造方法。