JPS61233427A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS61233427A JPS61233427A JP7341585A JP7341585A JPS61233427A JP S61233427 A JPS61233427 A JP S61233427A JP 7341585 A JP7341585 A JP 7341585A JP 7341585 A JP7341585 A JP 7341585A JP S61233427 A JPS61233427 A JP S61233427A
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- magnetic
- temperature
- protective film
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- Pending
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の属する技術分野）
この発明は、磁気ディスク、磁気カード、磁気テープ等
の磁気記録媒体に関するものであり、とりわけ強磁性金
属層を磁気記録層とする媒体の製造方法の改良に関する
。
の磁気記録媒体に関するものであり、とりわけ強磁性金
属層を磁気記録層とする媒体の製造方法の改良に関する
。
（発明の技術的背景）
近年、従来の塗布型磁気記録媒体とは異なり、蒸着、ス
パッタリング法や湿式めっき法のように、非磁性基体上
に直接、強磁性層を形成する方法により、磁気記録媒体
を製造する方法が検討されている。このようにして得ら
れた磁気記録媒体は。
パッタリング法や湿式めっき法のように、非磁性基体上
に直接、強磁性層を形成する方法により、磁気記録媒体
を製造する方法が検討されている。このようにして得ら
れた磁気記録媒体は。
従来の塗布型のものに比べて、極めて高い記録密度が達
成される。中でも最も注目なあつめているのが、垂直磁
化記録方式である。この方式においては媒体の膜面こ垂
直な方向が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる
。このような媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の
膜面に垂直方向を向き、従って信号が短波長になる程、
媒体内反磁界は減少して、優れた再生出力が得られる。
成される。中でも最も注目なあつめているのが、垂直磁
化記録方式である。この方式においては媒体の膜面こ垂
直な方向が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる
。このような媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の
膜面に垂直方向を向き、従って信号が短波長になる程、
媒体内反磁界は減少して、優れた再生出力が得られる。
垂直記録媒体は高分子材料や非磁性金属等の非磁性材料
から成る基板上に、例えば、Ｃｏ−Ｃｒより成る磁性層
を蒸着法あるいはスパッタリング法により形成したもの
である。また、基板とＣｏ−Ｃｒ垂直磁性層の間に、信
号記録再生の効率を上げる為に、膜面内に磁化容易軸を
有するパーマロイ等より成る磁性層を設けた構造をとる
こともある。
から成る基板上に、例えば、Ｃｏ−Ｃｒより成る磁性層
を蒸着法あるいはスパッタリング法により形成したもの
である。また、基板とＣｏ−Ｃｒ垂直磁性層の間に、信
号記録再生の効率を上げる為に、膜面内に磁化容易軸を
有するパーマロイ等より成る磁性層を設けた構造をとる
こともある。
強磁性層には、Ｃｏ−Ｃｒの他、Ｃｏ−Ｎｉ、 Ｃｏ、
Ｃｏ−０等スパッタリング法により形成できる膜や。
Ｃｏ−０等スパッタリング法により形成できる膜や。
Ｃｏ−Ｐ、 Ｃｏ−Ｎｉ −Ｐ、 Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｎ
−Ｐ、 Ｃｏ −Ｒｅ−Ｎｉ−Ｐ等めっき膜が用いられ
る。
−Ｐ、 Ｃｏ −Ｒｅ−Ｎｉ−Ｐ等めっき膜が用いられ
る。
（背景技術の問題点）
以上の高密度特性を有する媒体を実用化する際の問題と
して、腐蝕、摩耗からいかに強磁性層を保護するかとい
うことがあった。
して、腐蝕、摩耗からいかに強磁性層を保護するかとい
うことがあった。
この為に、保護層として種々の材料を強磁性層上に形成
する試みがなされてきた。これまでに。
する試みがなされてきた。これまでに。
Ｓ鳳０！ 、 Ｔｉ０１ 、８ｉ３Ｎ４ 、ＷＣ，８ｉ
Ｃ，ＢＮ、 Ａｔ、ｏ、等が検討されてきた。しかしな
がら、これらの物質は硬度が低かったり、密着性が悪か
ったり潤滑性が悪いため、保護膜上にわずかな突起があ
ると、記録・再生用の磁気ヘッドとの間の摺接Ｃ二より
、そこで保護層の剥離が生じ、更には磁性−がはがれて
ノイズが発生したり、記録、再生が不能となるような実
用上致命的な欠陥が発生する場合があった。
Ｃ，ＢＮ、 Ａｔ、ｏ、等が検討されてきた。しかしな
がら、これらの物質は硬度が低かったり、密着性が悪か
ったり潤滑性が悪いため、保護膜上にわずかな突起があ
ると、記録・再生用の磁気ヘッドとの間の摺接Ｃ二より
、そこで保護層の剥離が生じ、更には磁性−がはがれて
ノイズが発生したり、記録、再生が不能となるような実
用上致命的な欠陥が発生する場合があった。
（発明の目的）
不発明は以上の欠点に鑑みなされたもので、密着性、硬
度に優れた保護層を得るため、基板温度を高めて保護膜
を形成する工程を含む磁気記録媒体の製造方法を提供す
ることを目的とする。
度に優れた保護層を得るため、基板温度を高めて保護膜
を形成する工程を含む磁気記録媒体の製造方法を提供す
ることを目的とする。
（発明の概要）
本発明は基板温度を高めることにより得られた保護膜が
、磁気記録媒体としての特性、特に耐久性に優れている
点に看目し、その目的を達成したものである。
、磁気記録媒体としての特性、特に耐久性に優れている
点に看目し、その目的を達成したものである。
まず記録媒体の耐久性試験からの知見について記す。理
想的には保護膜上に形成した潤滑層中をヘッドが移動す
る状態が好しいが、実際には基板の凹凸やヘッドの荷重
のために、ヘッドの一部は保護膜と接して移動していく
と考えられる。このため、媒体とヘッドとの摺動耐久性
試験を行うと、保護膜の剥離が生じ劣化を招く、 保護膜と磁性膜との密着性を上げる為に種々の実験を行
った。保護膜の材料、形成条件を検討したが、基板温度
を変えたときの効果が大であった。
想的には保護膜上に形成した潤滑層中をヘッドが移動す
る状態が好しいが、実際には基板の凹凸やヘッドの荷重
のために、ヘッドの一部は保護膜と接して移動していく
と考えられる。このため、媒体とヘッドとの摺動耐久性
試験を行うと、保護膜の剥離が生じ劣化を招く、 保護膜と磁性膜との密着性を上げる為に種々の実験を行
った。保護膜の材料、形成条件を検討したが、基板温度
を変えたときの効果が大であった。
基本的な実験として、シリコン基板上に基板温度を変え
て形成した種々の膜の密着性を調べた。密着性の警備は
引掻試験により行った。その場合、先端角９０°の円錐
ダイヤモンド針を用い荷重０．１ｇで行った。表１にそ
の結果を示す。
て形成した種々の膜の密着性を調べた。密着性の警備は
引掻試験により行った。その場合、先端角９０°の円錐
ダイヤモンド針を用い荷重０．１ｇで行った。表１にそ
の結果を示す。
表 １
図中Ｘ印は６００倍の顕微鏡観察で引掻傷の発生が明瞭
に見られたもの、Δ印は少し見られたもの、Ｏ印はまっ
たく見られなかったものである。膜の密着強度には材料
による差はあるものの基板温度が高い程、密着強度が大
きい。
に見られたもの、Δ印は少し見られたもの、Ｏ印はまっ
たく見られなかったものである。膜の密着強度には材料
による差はあるものの基板温度が高い程、密着強度が大
きい。
保護膜の形成温度は高い程良いということになるが、シ
リコン基板とは異なり、磁気記録媒体では下地磁性層と
有機フィルムの制約がでてくる。
リコン基板とは異なり、磁気記録媒体では下地磁性層と
有機フィルムの制約がでてくる。
磁性層はその磁気特性の点から最高温度が限定される。
また有機フィルムも変質・変形・分解するような温度以
下で用いなければならない。
下で用いなければならない。
いま、 〜１６００が磁性層の上限温度とすれば有機フ
ィルムはこのｍ度では安定である。発明者は、基板温度
１５０ Ｃで形成した磁性層上に保護膜として８ｉ０．
とＳｉ３Ｎ４を、基板温度をかえて２００１膜形成して
みた。先程と同様の引掻試験の結果を表２に示す。
ィルムはこのｍ度では安定である。発明者は、基板温度
１５０ Ｃで形成した磁性層上に保護膜として８ｉ０．
とＳｉ３Ｎ４を、基板温度をかえて２００１膜形成して
みた。先程と同様の引掻試験の結果を表２に示す。
（以下余白）
表 ２
この場合には先程の、温度が高い程密讐性が良いという
結論はくつがえされている。また、実際に耐久性試験を
行ってみても密着性が悪い（表２中Ｘで示したもの）試
料は１万ノ（ス以下で駄目になってしまった。これに対
し表２中○で示した試料は５００万バス以上の実用可能
範囲の耐久性を記録した。
結論はくつがえされている。また、実際に耐久性試験を
行ってみても密着性が悪い（表２中Ｘで示したもの）試
料は１万ノ（ス以下で駄目になってしまった。これに対
し表２中○で示した試料は５００万バス以上の実用可能
範囲の耐久性を記録した。
結果を分析することＣ；より欠の点を発見した。
すなわち、保護膜形成時の基板温度と同じか、又は高い
温贋に、保護膜形成以前の工程で有機フィルムが処理さ
れていないと、保護膜の密着性が悪くなり、耐久性が看
しく低下する。密着性低下の原因はフィルムからの残存
溶媒や吸着・吸蔵ガスの放出であり、保護膜形成時に、
これが起こると密着性が低下するものである。これを防
ぐためには保護膜形成以前に保護膜形成温度以上でフィ
ルムを処理すればよいとわかった。
温贋に、保護膜形成以前の工程で有機フィルムが処理さ
れていないと、保護膜の密着性が悪くなり、耐久性が看
しく低下する。密着性低下の原因はフィルムからの残存
溶媒や吸着・吸蔵ガスの放出であり、保護膜形成時に、
これが起こると密着性が低下するものである。これを防
ぐためには保護膜形成以前に保護膜形成温度以上でフィ
ルムを処理すればよいとわかった。
従って、保護膜は磁性層の磁気特性を損わない限り高い
温度で形成することが好しく、フィルムは保護膜の形成
温度以上で予め熱処理しておくことが本発明のポイント
である。磁性膜の形成温度１５０ Ｃ、所望の磁気特性
を保証する上限１６０ ｒのときにフィルムの処理温度
と保護膜形成温度をパラメータとした膜の剥離性を表３
に示す。８ｉ０゜を例にとったがＳｉ、Ｎ、等でも同様
であった。
温度で形成することが好しく、フィルムは保護膜の形成
温度以上で予め熱処理しておくことが本発明のポイント
である。磁性膜の形成温度１５０ Ｃ、所望の磁気特性
を保証する上限１６０ ｒのときにフィルムの処理温度
と保護膜形成温度をパラメータとした膜の剥離性を表３
に示す。８ｉ０゜を例にとったがＳｉ、Ｎ、等でも同様
であった。
表３
「
■
コ
；
！
以上のように、基板の加熱処理温度なＴ８、磁性膜の形
成温度をＴＩ、保護膜形成温度なＴ、としたときにＴｔ
＞ Ｔ ｔ−ｔＴ ３の関係を満たすようにして形成
した保護膜を有する記録媒体は良好な耐久性を示すこと
がわかった。ＴＩ＞Ｔ、の場合、保護膜の密着性が弱＜
Ｔ、はＴ、に近づける程良い。他方Ｔｓ）Ｔ、だと先
につけた磁性膜との間に膜歪が生じ剥離率が高くなった
。従って、Ｔ２とＴ、は磁気特性を維持できる範囲で高
い方が良く、相互の温度差は無い方が有利である。以上
はマグネトロン方式の高速スパッタリングについて成立
つと同時に蒸着法（電子ビーム法）によるものについて
も同様の効果があった。
成温度をＴＩ、保護膜形成温度なＴ、としたときにＴｔ
＞ Ｔ ｔ−ｔＴ ３の関係を満たすようにして形成
した保護膜を有する記録媒体は良好な耐久性を示すこと
がわかった。ＴＩ＞Ｔ、の場合、保護膜の密着性が弱＜
Ｔ、はＴ、に近づける程良い。他方Ｔｓ）Ｔ、だと先
につけた磁性膜との間に膜歪が生じ剥離率が高くなった
。従って、Ｔ２とＴ、は磁気特性を維持できる範囲で高
い方が良く、相互の温度差は無い方が有利である。以上
はマグネトロン方式の高速スパッタリングについて成立
つと同時に蒸着法（電子ビーム法）によるものについて
も同様の効果があった。
（発明の実施例）
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は、本発明の詳細な説明する図である。
基板（１）として５０μｍ厚のポリイミドフィルムを用
い、２００ Ｃで熱処理し、上ニ１５０ ＣテＣｏＣｒ
垂直磁化膜（２）を０．６μｍマグネトロンスパッタ
リングにより形成し、更に１５０Ｃで酸化シリコン膜（
３）をマグネトロンスパッタリングにより０．０１〜０
．０４μｍ積層形成した。この記録媒体で、ヘッドを装
着したところ、ス１常３００万パス位で信号出力が低下
するところを６００万バスを越えても信号出力の低下は
認められなかった。
い、２００ Ｃで熱処理し、上ニ１５０ ＣテＣｏＣｒ
垂直磁化膜（２）を０．６μｍマグネトロンスパッタ
リングにより形成し、更に１５０Ｃで酸化シリコン膜（
３）をマグネトロンスパッタリングにより０．０１〜０
．０４μｍ積層形成した。この記録媒体で、ヘッドを装
着したところ、ス１常３００万パス位で信号出力が低下
するところを６００万バスを越えても信号出力の低下は
認められなかった。
第２図は１本発明の製造方法を実施可能な装置の説明図
である。真空チャンバー住υの中にフィルム巻き取り機
構、スパッタ電極を配置する。回転軸Ｈより送り出され
たフィルムαａを熱処理ゾーン（Ｌ！９で加熱処理する
。加熱は均−Ｃ：行われれば雰囲気による方法でも直接
加熱する方法でもよい。ここではヒータ（ｌａ ｔ ｄ
ａｂを用いた。
である。真空チャンバー住υの中にフィルム巻き取り機
構、スパッタ電極を配置する。回転軸Ｈより送り出され
たフィルムαａを熱処理ゾーン（Ｌ！９で加熱処理する
。加熱は均−Ｃ：行われれば雰囲気による方法でも直接
加熱する方法でもよい。ここではヒータ（ｌａ ｔ ｄ
ａｂを用いた。
次にフィルムａ７）上６二Ｃｏ−Ｃｒ磁性膜を０．５μ
ｍ スパッタ形成する。α−，ａｓｂはＣｏ−Ｃｒター
ゲット（元素組成比８０ ： ２０ ）を装着したマグ
ネトロンカソードで、図示しない、マツチングボックス
。
ｍ スパッタ形成する。α−，ａｓｂはＣｏ−Ｃｒター
ゲット（元素組成比８０ ： ２０ ）を装着したマグ
ネトロンカソードで、図示しない、マツチングボックス
。
電源に接続されている。熱処理ゾーンで２００ Ｃに処
理されたフィルムは一度温度低下し１５０ Ｃになる。
理されたフィルムは一度温度低下し１５０ Ｃになる。
Ｃｏ−Ｃｒスパッタゾーンでは１６０Ｃに保たれるよう
にプレヒータｌ！Ｊａ 、 ｌ１ｌｂを調整しである。
にプレヒータｌ！Ｊａ 、 ｌ１ｌｂを調整しである。
続いてやはりアフターヒータ（２Ｉａ ｓ 翰すでも１
５０Ｃに調整され１次の保護膜形成ゾーンで８ｉ０．が
スパッタされる。ｆ９１０．スパッタターゲット（財）
ａ。
５０Ｃに調整され１次の保護膜形成ゾーンで８ｉ０．が
スパッタされる。ｆ９１０．スパッタターゲット（財）
ａ。
（２１）ｂも図示しないマツチングボックス、電源に接
続される。各スパッタ室へは人ｒガスが外部のボンベか
ら供給され、所定の圧力を保つよう（二排気されている
。最後に巻きとられて成膜が完了する。
続される。各スパッタ室へは人ｒガスが外部のボンベか
ら供給され、所定の圧力を保つよう（二排気されている
。最後に巻きとられて成膜が完了する。
このような記録媒体の製造方法によれば、従来のような
耐久性の悪さに結びつく保護膜の密着性が改善され、変
形も少い微意性に優れた媒体の生産ができた。
耐久性の悪さに結びつく保護膜の密着性が改善され、変
形も少い微意性に優れた媒体の生産ができた。
第３図は本発明の別の実施例を説明する図である。基板
Ｇυとして７０μｍのポリエテレンテレフタレートを準
備し１５０Ｃに加熱後、マグネトロンスパッタリングＣ
二より０．６μｍのパーマロイ膜０り及び０．４μｍの
Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜（至）より成る磁性層を基板温度
１３０ Ｃで形成、さらに窒化シリコン膜（ロ）をやは
リマグネトロンスパッタリングで１３０Ｃに加熱して形
成した。この記録媒体で、ヘッドを装着したところ通常
３００万バス位で信号出力が低下するところを６００万
パスを越えても信号出力の低下は無かった。
Ｇυとして７０μｍのポリエテレンテレフタレートを準
備し１５０Ｃに加熱後、マグネトロンスパッタリングＣ
二より０．６μｍのパーマロイ膜０り及び０．４μｍの
Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜（至）より成る磁性層を基板温度
１３０ Ｃで形成、さらに窒化シリコン膜（ロ）をやは
リマグネトロンスパッタリングで１３０Ｃに加熱して形
成した。この記録媒体で、ヘッドを装着したところ通常
３００万バス位で信号出力が低下するところを６００万
パスを越えても信号出力の低下は無かった。
以上の趙り、本発明によればフィルムの熱処理。
磁性膜形成時の基板温度、保護膜形成時の基板温度を最
適化することに・より、積層膜の密着性の良い状態が達
成でき、耐久性の優れた、またそりの少ない生産性に優
れた記録媒体の製造方法を得ることができる。
適化することに・より、積層膜の密着性の良い状態が達
成でき、耐久性の優れた、またそりの少ない生産性に優
れた記録媒体の製造方法を得ることができる。
第１図は本発明により得られる一実施例の磁気記録媒体
の断面図、第２図は本発明を実施するための装置の概略
図、第３図は本発明により得られる別の磁気記録媒体の
断面図である。 （１）、Ｃ１υ・・・基板 （２）、 Ｃ３２，Ｃ３３・・・磁性膜（３）、（ロ）
・・・保１ｉ膜 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）第１図 第２図 第ａ図
の断面図、第２図は本発明を実施するための装置の概略
図、第３図は本発明により得られる別の磁気記録媒体の
断面図である。 （１）、Ｃ１υ・・・基板 （２）、 Ｃ３２，Ｃ３３・・・磁性膜（３）、（ロ）
・・・保１ｉ膜 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）第１図 第２図 第ａ図
Claims (1)
- 有機フィルム基板の加熱処理工程と、前記加熱処理済み
の基板を加熱しながら基板上に強磁性金属膜を形成する
工程と、前記強磁性金属膜を形成した基板を加熱しなが
ら前記金属膜上に保護膜を形成する工程とを有する磁気
記録媒体の製造方法において、加熱処理工程での基板温
度をＴ＿１、強磁性金属膜形成時の基板温度をＴ＿２、
保護膜形成時の基板温度をＴ＿１としたときに、Ｔ＿１
≧Ｔ＿２≒Ｔ＿３なる関係が成り立つように各工程の加
熱処理温度を保つようにしたことを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7341585A JPS61233427A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7341585A JPS61233427A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61233427A true JPS61233427A (ja) | 1986-10-17 |
Family
ID=13517547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7341585A Pending JPS61233427A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61233427A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6484436A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-29 | Fuji Electric Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
| JPH01103015U (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-12 | ||
| US6571729B2 (en) * | 1999-07-28 | 2003-06-03 | Anelva Corporation | Apparatus for depositing a thin film on a data recording disk |
-
1985
- 1985-04-09 JP JP7341585A patent/JPS61233427A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6484436A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-29 | Fuji Electric Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
| JPH01103015U (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-12 | ||
| US6571729B2 (en) * | 1999-07-28 | 2003-06-03 | Anelva Corporation | Apparatus for depositing a thin film on a data recording disk |
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