JPS61133652A - 半導体整流装置 - Google Patents
半導体整流装置Info
- Publication number
- JPS61133652A JPS61133652A JP59254888A JP25488884A JPS61133652A JP S61133652 A JPS61133652 A JP S61133652A JP 59254888 A JP59254888 A JP 59254888A JP 25488884 A JP25488884 A JP 25488884A JP S61133652 A JPS61133652 A JP S61133652A
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- JP
- Japan
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- electrode
- semiconductor
- rectifying element
- semiconductor rectifying
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/136—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having other interconnections perpendicular to the conductive base
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/40—Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
- H10W76/42—Fillings
- H10W76/47—Solid or gel fillings
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
- H10W72/07354—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/341—Dispositions of die-attach connectors, e.g. layouts
- H10W72/347—Dispositions of multiple die-attach connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は凹状電極を用いた、モールド型半導体整流装置
に係り、特に耐環境性、熱的応力を軽減しうるに好適な
半導体整流装置に関する。
に係り、特に耐環境性、熱的応力を軽減しうるに好適な
半導体整流装置に関する。
従来の半導体整流装置についての一例を第４図に示す、
すなわち、電極２とつば部３を連続形成した金属容器４
に半田５，６等適当な手段により半導体整流素子１が固
着されると共に他方電極となるリード線７が固着され、
これらが電気的に接続されている。そしてこの半導体整
流素子を、たとエバシリコーンゴムやフェス等の絶縁保
護材８で被包し、しかる後、シリコーンゴムやエポキシ
等の絶縁樹脂９で被包する。
すなわち、電極２とつば部３を連続形成した金属容器４
に半田５，６等適当な手段により半導体整流素子１が固
着されると共に他方電極となるリード線７が固着され、
これらが電気的に接続されている。そしてこの半導体整
流素子を、たとエバシリコーンゴムやフェス等の絶縁保
護材８で被包し、しかる後、シリコーンゴムやエポキシ
等の絶縁樹脂９で被包する。
このような構造を有する半導体整流装置において、電極
２では、半導体整流素子１で発生した熱を放出する放熱
板の役割と、この時に生ずる熱応力を緩和する役割、絶
縁保護材８は半導体整流素子１のｐｎ接合部を保護する
役割、つば部３、絶縁樹脂９は、外部雰囲気の遮断及び
外力からの機械的保鏝の役割をする。
２では、半導体整流素子１で発生した熱を放出する放熱
板の役割と、この時に生ずる熱応力を緩和する役割、絶
縁保護材８は半導体整流素子１のｐｎ接合部を保護する
役割、つば部３、絶縁樹脂９は、外部雰囲気の遮断及び
外力からの機械的保鏝の役割をする。
しかしながら、前記構造を有する半導体整流装置におい
て、例えば特開昭５７−５６２１８号公報第６図に示さ
れるように、車両用の整流装置として用いられる場合に
おいて、塩水雰囲気中で温度サイクルが加わる時、絶縁
樹脂９とつば部３の熱膨張係数が異なるため第５図に矢
印で示す膨張・収縮を生じ両者の接着界面１０が剥離し
て、この部分から塩水が浸入し、導通不良を招いたり、
この時の応力の影響で第６図に示すように電極２に点線
で示すような反りを生じさせ、半導体整流素子１が破壊
するということがしばしばあシ、非常に問題となってい
た。
て、例えば特開昭５７−５６２１８号公報第６図に示さ
れるように、車両用の整流装置として用いられる場合に
おいて、塩水雰囲気中で温度サイクルが加わる時、絶縁
樹脂９とつば部３の熱膨張係数が異なるため第５図に矢
印で示す膨張・収縮を生じ両者の接着界面１０が剥離し
て、この部分から塩水が浸入し、導通不良を招いたり、
この時の応力の影響で第６図に示すように電極２に点線
で示すような反りを生じさせ、半導体整流素子１が破壊
するということがしばしばあシ、非常に問題となってい
た。
本発明の目的は、前記した従来装置の欠点を解消し、絶
縁樹脂９とつば部３の熱膨張係数差による接着界面の剥
離と電極の反シの発生を防止した構造を有する半導体整
流装置を提供することにある。
縁樹脂９とつば部３の熱膨張係数差による接着界面の剥
離と電極の反シの発生を防止した構造を有する半導体整
流装置を提供することにある。
前記した従来構造の半導体整流装置に温度サイクルが繰
シ返し加わった場合、シリコーンゴムやエポキシ等から
なる絶縁樹脂９と金属からなるつば部３とは、熱膨張係
数が異なるため、第５図の両者の接着界面１０の部分で
絶縁樹脂９の熱膨張係数がつば部３のそれよう大きい場
合には、昇温時に圧縮力、降温時に引張り力、また、つ
ば部３の熱膨張係数が絶縁樹脂９のそれより大きい場合
には、昇温時に引張り力、降温時に圧縮力が加わること
になる。従って、この応力が繰り返し加わった時、遂に
は接着界面１０の先端１０ａより剥離を生じ、徐々にこ
の剥離が内部方向に進行することになる。更に前記した
温度サイクルが、塩水雰囲気中で進行した場合には、先
端１０ａ部より腐蝕も同時に進行することになり、尚一
層接着界面１０の剥離を促進させることになる。この様
な場合、気密の低下により、半導体整流装置の逆方向漏
れ電流が増大したり、あるいは導通状態（ショート状態
）となり、装置自身の機能を著しく低下させることにな
る。
シ返し加わった場合、シリコーンゴムやエポキシ等から
なる絶縁樹脂９と金属からなるつば部３とは、熱膨張係
数が異なるため、第５図の両者の接着界面１０の部分で
絶縁樹脂９の熱膨張係数がつば部３のそれよう大きい場
合には、昇温時に圧縮力、降温時に引張り力、また、つ
ば部３の熱膨張係数が絶縁樹脂９のそれより大きい場合
には、昇温時に引張り力、降温時に圧縮力が加わること
になる。従って、この応力が繰り返し加わった時、遂に
は接着界面１０の先端１０ａより剥離を生じ、徐々にこ
の剥離が内部方向に進行することになる。更に前記した
温度サイクルが、塩水雰囲気中で進行した場合には、先
端１０ａ部より腐蝕も同時に進行することになり、尚一
層接着界面１０の剥離を促進させることになる。この様
な場合、気密の低下により、半導体整流装置の逆方向漏
れ電流が増大したり、あるいは導通状態（ショート状態
）となり、装置自身の機能を著しく低下させることにな
る。
また、前記した温度サイクルにより、半導体整流素子１
を固着しである電極２にも応力が加わることになり、第
６図の如く反りの影響で逆方向漏れ電流が増大したシ、
反りの度合が半導体整流素子１の強度限界を越えた場合
には、半導体整流素子１にクラックやチッピングを生じ
させ、半導体整流装置の機能を著しく低下させたシ、停
止させたシすることになる。
を固着しである電極２にも応力が加わることになり、第
６図の如く反りの影響で逆方向漏れ電流が増大したシ、
反りの度合が半導体整流素子１の強度限界を越えた場合
には、半導体整流素子１にクラックやチッピングを生じ
させ、半導体整流装置の機能を著しく低下させたシ、停
止させたシすることになる。
従って、本発明はこのような現象を考え 絶縁樹脂９と
つば部３の接着性を向上し、且つ電極２の反シを著しく
軽減しうる半導体整流装置を提供するために生まれたも
のである。
つば部３の接着性を向上し、且つ電極２の反シを著しく
軽減しうる半導体整流装置を提供するために生まれたも
のである。
即ち、本発明では、電極２の半導体整流素子１周囲とつ
ば部３の間に凹溝を設け、つば部３の厚さけ凹溝部での
電極の厚さより薄くシ、さらに、シリコーンゴムを電極
２上に、絶縁樹脂は凹溝とつば部内周に設ける。
ば部３の間に凹溝を設け、つば部３の厚さけ凹溝部での
電極の厚さより薄くシ、さらに、シリコーンゴムを電極
２上に、絶縁樹脂は凹溝とつば部内周に設ける。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
まず、第一電極２と、これに連続形成されたつば部３を
有した凹状容器４に半田５、半導体整流素子１、半田６
、他方電極となるリード線７を順次積層し、半田５．６
で固着するに適当な温度、雰囲気により電気的に接続す
る。ここで第一電極２とこれと連続形成されたつば部３
境界の第一電極上には凹溝１１を形成しておくと共に、
つば部３の厚さは、前記凹溝１１深さよシ薄く形成して
おく。通常凹溝１１の深さは第一電極２の厚さのつば部
３の加工は、所定のプレス金型を用い、プレス作業等で
行えば良い。
有した凹状容器４に半田５、半導体整流素子１、半田６
、他方電極となるリード線７を順次積層し、半田５．６
で固着するに適当な温度、雰囲気により電気的に接続す
る。ここで第一電極２とこれと連続形成されたつば部３
境界の第一電極上には凹溝１１を形成しておくと共に、
つば部３の厚さは、前記凹溝１１深さよシ薄く形成して
おく。通常凹溝１１の深さは第一電極２の厚さのつば部
３の加工は、所定のプレス金型を用い、プレス作業等で
行えば良い。
次に、少なくとも半導体整流素子１とリード線７の固着
部を被包し、第一電極２上の凹溝１１の内側に、半導体
整流素子１のｐｎ接合部を保護する目的で用いられる第
一被包体、たとえばシリコーンゴムや、フェス等の絶縁
保護材８で被包し、しかる後、外気及び外力からの機械
的保護の目的で用いられる第二被包体、たとえばシリコ
ーンゴムや、エポキシ等の絶縁樹脂９で被包することに
よシ本発明の半導体整流装置は完成する。
部を被包し、第一電極２上の凹溝１１の内側に、半導体
整流素子１のｐｎ接合部を保護する目的で用いられる第
一被包体、たとえばシリコーンゴムや、フェス等の絶縁
保護材８で被包し、しかる後、外気及び外力からの機械
的保護の目的で用いられる第二被包体、たとえばシリコ
ーンゴムや、エポキシ等の絶縁樹脂９で被包することに
よシ本発明の半導体整流装置は完成する。
本発明によれば■絶縁樹脂９とつば部３の熱膨張係数差
によって接着界面１０に生ずる引張り、または圧縮応力
に応じて薄いつば部３が衝撃緩和作用を発揮し、接着界
面１０の剥離防止の役割をする。■凹溝１１も前記した
つば部３から電極２に伝わる応力緩和作用を発揮し、電
ｆｆ１２に生ずる反り防止の役割をする。
によって接着界面１０に生ずる引張り、または圧縮応力
に応じて薄いつば部３が衝撃緩和作用を発揮し、接着界
面１０の剥離防止の役割をする。■凹溝１１も前記した
つば部３から電極２に伝わる応力緩和作用を発揮し、電
ｆｆ１２に生ずる反り防止の役割をする。
■第一被包体の絶縁保護材８を電極２と凹溝１１の内側
までとすることにより、万一、第二被包体の絶縁樹脂９
とつば部３の接着界面１０に剥離が生じ、剥離部から外
気あるいは塩水等の浸入があった場合の、隔絶効果を高
め、保護寿命を高める効果がある。
までとすることにより、万一、第二被包体の絶縁樹脂９
とつば部３の接着界面１０に剥離が生じ、剥離部から外
気あるいは塩水等の浸入があった場合の、隔絶効果を高
め、保護寿命を高める効果がある。
尚、本発明で溝部は凹形状で述べたが、同等の作用、効
果を有する限り特にこの形状にこだわらない。第２図、
第３図はその一例である。
果を有する限り特にこの形状にこだわらない。第２図、
第３図はその一例である。
本発明の構造で、ＪＩ８−Ｚ−２３７１に規定された塩
水噴霧雰囲気中で、装置に電流を流して第一電極２の温
度を１５０Ｃまで昇温した後、電流を遮断して５０ｔｒ
まで降温することを１回として、接着界面の剥離が起こ
るまでの回数、及び剥離が発生して剥離部から塩水が入
シ込み、装置の機能が停止するまでの回数を従来装置と
比較の結果、発明構造の方がいずれも３〜５倍向上出来
ることを確認した。
水噴霧雰囲気中で、装置に電流を流して第一電極２の温
度を１５０Ｃまで昇温した後、電流を遮断して５０ｔｒ
まで降温することを１回として、接着界面の剥離が起こ
るまでの回数、及び剥離が発生して剥離部から塩水が入
シ込み、装置の機能が停止するまでの回数を従来装置と
比較の結果、発明構造の方がいずれも３〜５倍向上出来
ることを確認した。
以上説明したように、本発明によれば、つば部と絶縁樹
脂の界面の剥離を防止し、また、電極のなりを防止した
半導体整流装置を得ることができる。
脂の界面の剥離を防止し、また、電極のなりを防止した
半導体整流装置を得ることができる。
第１図〜第３図は本発明の異なる実施例を示す断面図、
第４図は従来の半導体整流装置を示す断面図、第５図及
び第６図は従来の半導体整流装置を用いて接着界面の剥
離、反りが生じた時の現象を示す断面図である。 １・・・半導体整流素子、２・・・電極、３・・・つば
部、４・・・金属容器、５．６・・・半田、７・・・リ
ード線、８・・・絶縁保護材、９・・・絶縁樹脂、１０
・・・絶縁保護材とつば部の接着界面、１１・・・凹溝
。 第１［２１ 第２０ 隼３図
第４図は従来の半導体整流装置を示す断面図、第５図及
び第６図は従来の半導体整流装置を用いて接着界面の剥
離、反りが生じた時の現象を示す断面図である。 １・・・半導体整流素子、２・・・電極、３・・・つば
部、４・・・金属容器、５．６・・・半田、７・・・リ
ード線、８・・・絶縁保護材、９・・・絶縁樹脂、１０
・・・絶縁保護材とつば部の接着界面、１１・・・凹溝
。 第１［２１ 第２０ 隼３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体整流素子の一主面に第一電極が接続され、該
第一電極は前記半導体整流素子が接続された方向に前記
第一電極に連続したつば部を有し、前記半導体整流素子
の他の主面に第二電極となるリード線が接続され、前記
半導体整流素子を薄い第一絶縁被包体が被包し、更に、
前記第一絶縁被包体に積層し前記つば部内周面に充填さ
れた第二絶縁被包体を有する半導体整流装置において、
第一電極上の半導体整流素子の周囲とつば部の間に凹溝
を有し、つば部厚さは第一電極の凹溝部での厚さより薄
いことを特徴とする半導体整流装置。 ２、上記特許請求の範囲第１項において、半導体整流素
子の周囲の第一電極上に第一絶縁被包体、凹溝およびつ
ば部内周に第二絶縁被包体が設けられることを特徴とす
る半導体整流装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59254888A JPS61133652A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体整流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59254888A JPS61133652A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体整流装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61133652A true JPS61133652A (ja) | 1986-06-20 |
Family
ID=17271229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59254888A Pending JPS61133652A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体整流装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61133652A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009277876A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5519828A (en) * | 1978-07-28 | 1980-02-12 | Hitachi Ltd | Press-in type semiconductor rectifying device |
| JPS5610938A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-03 | Hitachi Ltd | Press-fit type semiconductor device |
| JPS56147460A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-16 | Hitachi Ltd | Rectifier |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP59254888A patent/JPS61133652A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5519828A (en) * | 1978-07-28 | 1980-02-12 | Hitachi Ltd | Press-in type semiconductor rectifying device |
| JPS5610938A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-03 | Hitachi Ltd | Press-fit type semiconductor device |
| JPS56147460A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-16 | Hitachi Ltd | Rectifier |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009277876A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
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