JPS61134031A - 半導体素子用熱圧着装置 - Google Patents
半導体素子用熱圧着装置Info
- Publication number
- JPS61134031A JPS61134031A JP59256645A JP25664584A JPS61134031A JP S61134031 A JPS61134031 A JP S61134031A JP 59256645 A JP59256645 A JP 59256645A JP 25664584 A JP25664584 A JP 25664584A JP S61134031 A JPS61134031 A JP S61134031A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- glass capillary
- heat
- layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07531—Techniques
- H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明に、半導体装置の製造装置に関し、特に熱圧溜装
置に関するものである。
置に関するものである。
一般にダイオードの様な２端子の半導体素子に、高周波
に於る電気的特性の劣化金防ぐ為に、外部引出し用電極
はその動作層に隣接した構造になっている。再２図は、
従来より行われている半導体素子の電極に金属細線を熱
圧層する方法金示す図であり、ガラスキャピラリ１の貫
通穴内の金８２が半導体素子３上の電極４に熱圧着され
ているところである。半導体素子３の動作層５は電極４
のすぐ下にあるため、圧着時の機械的ストレスを直接受
け、更に半導体素子自体も３００″Ｃ程度まで加熱され
、熱的ストレスも受ける定め、電気的特性や信頼性の劣
化金招く恐れがある。
に於る電気的特性の劣化金防ぐ為に、外部引出し用電極
はその動作層に隣接した構造になっている。再２図は、
従来より行われている半導体素子の電極に金属細線を熱
圧層する方法金示す図であり、ガラスキャピラリ１の貫
通穴内の金８２が半導体素子３上の電極４に熱圧着され
ているところである。半導体素子３の動作層５は電極４
のすぐ下にあるため、圧着時の機械的ストレスを直接受
け、更に半導体素子自体も３００″Ｃ程度まで加熱され
、熱的ストレスも受ける定め、電気的特性や信頼性の劣
化金招く恐れがある。
そこで、半導体素子の下地加熱温度をエリ低くする几め
に工夫されたのが、第３図に示す様に、ガラスキャピラ
リ１の周囲にヒーター６ｔ−巻き付けたものである。こ
の方法によれば、金線２と電極４の圧着部は、ヒーター
６Ｖｃ工り加熱されたガラスキャピラリｌから熱が供給
される為、半導体素子３の下地加熱温度が低く押えられ
るわけである。
に工夫されたのが、第３図に示す様に、ガラスキャピラ
リ１の周囲にヒーター６ｔ−巻き付けたものである。こ
の方法によれば、金線２と電極４の圧着部は、ヒーター
６Ｖｃ工り加熱されたガラスキャピラリｌから熱が供給
される為、半導体素子３の下地加熱温度が低く押えられ
るわけである。
ところが、一般にガラスは熱伝導があまり良くないので
、ガラスキャピラリの先端部の熱は、圧着する毎に半導
体素子へうばわれ、特に連続作業する場合は、ヒーター
からのガラスキャピラリ先端部への熱の供給が間に合わ
なくなる。従って、連続作業を高速・高能率で行おうと
すると、下地加熱の温度を上げなければならず、半導体
素子に熱ストレスを与え、電気的特性や信頼性が劣化す
るという欠点があっ九。
、ガラスキャピラリの先端部の熱は、圧着する毎に半導
体素子へうばわれ、特に連続作業する場合は、ヒーター
からのガラスキャピラリ先端部への熱の供給が間に合わ
なくなる。従って、連続作業を高速・高能率で行おうと
すると、下地加熱の温度を上げなければならず、半導体
素子に熱ストレスを与え、電気的特性や信頼性が劣化す
るという欠点があっ九。
本発明の半導体素子用熱圧着装置は、半導体素子の電極
と、外部引出し用リード線とを圧着せしめるガラスキャ
ピラリの側面にメタライズ層が形成されており、しかも
ガラスキャピラリを加熱するヒーターをメタライズの上
から巻き付けていることを特徴としている。
と、外部引出し用リード線とを圧着せしめるガラスキャ
ピラリの側面にメタライズ層が形成されており、しかも
ガラスキャピラリを加熱するヒーターをメタライズの上
から巻き付けていることを特徴としている。
次に、本発明の一実施例を説明する。
第１図は本発明の一実施例である。ガラスキャピラリ１
の貫通穴中のリード？ＩＡ２が半導体素子３の電極４に
圧着されているところであり、ガラスキャピラリ１の周
囲は、先端部を除いて、例えば金などのメタライズ層７
が施こされている。一般に金属は熱伝導がガラスＬり優
れているので、ヒーター６から供給されｔ熱がメタライ
ズ層７を伝わって素早くガラスキャピラリー１の先端部
まで達することができる。従って、圧着の際半導体素子
にうばわれた熱も、従来Ｌ９、素早く供給されることに
なる。
の貫通穴中のリード？ＩＡ２が半導体素子３の電極４に
圧着されているところであり、ガラスキャピラリ１の周
囲は、先端部を除いて、例えば金などのメタライズ層７
が施こされている。一般に金属は熱伝導がガラスＬり優
れているので、ヒーター６から供給されｔ熱がメタライ
ズ層７を伝わって素早くガラスキャピラリー１の先端部
まで達することができる。従って、圧着の際半導体素子
にうばわれた熱も、従来Ｌ９、素早く供給されることに
なる。
この様に、ガラスキャビツリの側面にメタライズを施し
、巻線ヒーターからの熱全効率的にガラスキャピラリの
先端部に供給することにより、半導体素子の下地加熱温
度を工９低くでき、動作層への熱的ストレスも圧漕時だ
けの極く短時間に押えることができる。従つて、熱的ス
トレスが起因する電気的特性劣化や信頼度劣化も極力低
減させることができる。更に、半導体素子が低融点接着
剤（例えばＰｂ−８ｎ共晶半田など）で固定されている
場合でも、接着剤を溶かさずにリード線を圧着できる利
点がある。
、巻線ヒーターからの熱全効率的にガラスキャピラリの
先端部に供給することにより、半導体素子の下地加熱温
度を工９低くでき、動作層への熱的ストレスも圧漕時だ
けの極く短時間に押えることができる。従つて、熱的ス
トレスが起因する電気的特性劣化や信頼度劣化も極力低
減させることができる。更に、半導体素子が低融点接着
剤（例えばＰｂ−８ｎ共晶半田など）で固定されている
場合でも、接着剤を溶かさずにリード線を圧着できる利
点がある。
以上説明し７を工うに、本発明に工れば、半導体素子に
熱的ストレス音導えることなくワイヤーボンデインクの
可能な半導体素子用熱圧着装置を得ることができる。
熱的ストレス音導えることなくワイヤーボンデインクの
可能な半導体素子用熱圧着装置を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例による熱圧看装置金使用する
時の断面図、第２図お工び８１！３図はそれぞれ従来の
熱圧着装置ｆｔ使用する時の断面図である。 １・−・・・・ガラスキャピラリ、２・・・・・・金線
、３・−・・・半導体素子、４・・・・・−電極、５・
・・・・・動作層、６・・・・・ヒーター、７・・・・
・メタライズ層。
時の断面図、第２図お工び８１！３図はそれぞれ従来の
熱圧着装置ｆｔ使用する時の断面図である。 １・−・・・・ガラスキャピラリ、２・・・・・・金線
、３・−・・・半導体素子、４・・・・・−電極、５・
・・・・・動作層、６・・・・・ヒーター、７・・・・
・メタライズ層。
Claims (1)
- 半導体素子の電極に金属細線を接続する熱圧着装置に
於て、リード線圧着用のガラスキャピラリの側面がメタ
ライズ層が形成されていることを特徴とする半導体素子
用熱圧着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59256645A JPS61134031A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 半導体素子用熱圧着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59256645A JPS61134031A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 半導体素子用熱圧着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134031A true JPS61134031A (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=17295481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59256645A Pending JPS61134031A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 半導体素子用熱圧着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134031A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100895519B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2009-04-30 | 가부시키가이샤 신가와 | 와이어 본더, 와이어 본딩 방법 및 이를 위한 프로그램을기록한 컴퓨터 판독가능한 기록매체 |
| JP2009147185A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Fujitsu Ltd | ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 |
| CN103824786A (zh) * | 2013-12-10 | 2014-05-28 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种粗金丝键合方法 |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP59256645A patent/JPS61134031A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100895519B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2009-04-30 | 가부시키가이샤 신가와 | 와이어 본더, 와이어 본딩 방법 및 이를 위한 프로그램을기록한 컴퓨터 판독가능한 기록매체 |
| JP2009147185A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Fujitsu Ltd | ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 |
| CN103824786A (zh) * | 2013-12-10 | 2014-05-28 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种粗金丝键合方法 |
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