JPS6113430A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは高密度
記録に適した磁気記録媒体に関する。

〔従来技術〕

近年、開発が進められてきている高密度記録用磁気記録
媒体においては磁気ヘッドと磁気テープとの間のいわゆ
る間隙損失を軽減させるため、磁性層の表面性をより高
度なものとすることが要求される。この目的のためには
、磁性層の製造技術、すなわち磁性粒子の分散、塗布、
表面成形技術などの改良により磁性層の表面性を向上さ
せることが必要であると共Ｋ、支持体の表面性を向上さ
せることもまた必要となる。とくに、記録密度が高くな
るにともない記録波長が小となることにより、厚み損失
を逃がれるために磁性層を薄くする試みがなされてきて
いる。それにより、支持体の表面性が磁性層の表面性に
与える影響はますます大となってきている。

しかしながら磁気記録媒体に使用される支持体の表面性
を向上させることは下記の理由から限界がある。つまり
、製膜して巻き取る工程において、フィルムの表面性が
良いと搬送ローラーに対する摩擦抵抗が大となり、しば
しば蛇行を起こしたり、シワが生じたりする。またフィ
ルム間の摩擦抵抗が増大し巻き取りロールの形状にゆが
みが生じたりもする。

前記の背反する問題点の解決のために、これまでに種々
の試みがなされてきている。たとえば特開昭５３−１０
９６０５号公報には、支持体上に熱可塑性樹脂の微粒子
を突出させ、巻き取り後、磁性層形成時に溶剤にて該樹
脂を溶解除去する方法が記載されている。しかしながら
、この方法も溶解除去の工程を要するばかりでなく、高
密度記録用磁気記録媒体としての満足すべき特性を付与
しうるにはいたっていない。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前記の従来技術の欠点を除き、高密度
記録に適する磁気記録媒体を提供することにある。

本発明の他の目的はＳ／Ｎ又はＣ／Ｈの優れた磁気記録
媒体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、非磁性支持体との接着力の高
い中間層を有する磁気記録媒体を提供することにある。

本発明の他の目的は塗布適性の優れた中間層を有する磁
気記録媒体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、耐久性の優れた磁気記録媒体
を提供することにある・ 〔発明の構成〕 本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、
表面あらさくＲａ）が０．０１μｒｒＬ（カットオフ　
０．２５ｍ＋　）以上である非磁性支持体と磁性層との
間に、下記の化学式で表わされる化合物（以下、化合物
Ａと称する）を含有し、放射線照射により重合硬化され
た中間層を設けることにより上記の目的が達成され、顕
著な効果が得られることを見出し、本発明に到った。

Ａ　−Ｃ（−Ｂ　−Ｃｉ　Ａ Ａニアクリロイル基又はメタクリロイル基Ｂ：フタル酸
、インフタル酸又はテレフタル酸Ｃ：ボリエーテルポリ
オール すなわち、本発明は、表面あらさが０．０１μｍ以上で
ある非磁性支持体と磁性層との間に化合物Ａを含有する
中間層を設け、該中間層が放射線照射されていることを
特徴とする磁気記録媒体である０また、特に、本発明の
磁気記録媒体では、前記中間層の表面あらさが０．０１
μｍ以下であることが好ましい。

以下１本発明について詳述する。

本発明に使用される非磁性支持体の表面あらさば表、裏
で異なるものを使用することも可能であるが、そのよう
な支持体の調製には高度の技術を要し、また製造効率も
低い。そこで本発明では表裏両面の表面あらさがほば同
一に調製された支持体を主たる適用対象とするが、本発
明の範囲はこれのみにと父まるものではない０ 本発明に使用される支持体は、ｙｔ？リエチレンテレフ
タレート、ポリエラレフ−２，６−ナフタレート等のポ
リエステル類；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリ
オレフィン類；セルローストリアセテート、セルロース
ダイアセテート、セルロースアセテートブチレート、セ
ルロースアセテートプロピオネート等のセルロース誘導
体；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系
樹脂；ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミｒイミ
ド等のプラスチックの他に用途に応じてアルミニウム、
銅、スズ、亜鉛またはこれらを含む非磁性合金、不銹銅
などの非磁性金属類；紙、バライタまたはポリエチレン
、ポリプロピレン、エチレン−ブテン共重合体などの炭
素数２〜１０のａ−ポリオレフィン類を塗布またはラミ
ネートした紙などである。

本発明における表面あらさとは、ＪＩＳ−ＢＯ６０１の
５項で定義される中心線平均あらさをさし、カットオフ
値は０．２５ｍである。

本発明に使用される支持体の表面あらさば０．０１μｍ
以上、とくに０．０１５μ？ＦＬ〜０．５μｍであるこ
とが好ましい。　　　　− 支持体の裏面には走行性などの改良を目的としていわゆ
るバック層を設けることができる。この場合、バック層
の表面あらさを０，０１μｍ以上、好ましくは０．０１
５μｍ以上とすることにより本発明の効果は同様に発揮
される。

本発明の中間層に使用される化合物Ａは、多価アルコー
ルの重縮合またはアルキレンオキシドの開環重合などに
より得られるポリエーテルポリオールと７タル飲（イソ
あるいはテレ）とのポリエステルの両末端の水酸基をア
クリレート変性またはメタクリレート変性したものであ
る。

多価アルコールとしては、エチレングリコール、プロピ
レングリコール、メタンジオール、はンタンジオール、
ネオインチルグリコール、ヘキサンジオール、オクタン
ジオール、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン１
．４−：）メタノール、ジエ、チレンクリコール、トリ
エチレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロ
パン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール
等がある。

アルキレンオキシド９としては、エチレンオキシド、プ
ロピレンオキシド、及びこれらオキシド類のアルキル置
換オキシド９等がある。

本発明で用いる化合物Ａの好ましい分子量は３００以上
であり、より好ましくは５００以上ｓｏｏ。

以下である。化学式におけるルの値は分子量の上記範囲
に従う。

本発明により化合物Ａを支持体上に設け、これに放射線
照射を行なって重合硬化させて中間層を形成すると、支
持体との密着性が極めて良好な中間層が得られ、また表
面あらさが０．０１μｍ以上（このような表面あらさの
支持体は製膜時の巻取り操作等に好ましい）の支持体を
用いても表面性の良い（例えば、表面あらさが０．０１
μｍ以下）中間層を形成することができ、従って、この
上に形成する磁性層の表面性を著しく改良することがで
きる。また１本発明による中間層を設けた場合には磁性
層の塗布性も改良され、上記の表面性と相俟って耐久性
の優れ、特に高密度記録に適した磁気記録媒体を得るこ
とができる。

更に化合物Ａを含むことによって中間層と支持体及び磁
性層との密着性が著しく向上するため、耐久性を極めて
高くすることができる。

本発明の中間層には、必要に応じて炭素−炭素不飽和結
合を含むモノマーや或は熱可塑性樹脂を化合物Ａと共に
用いることができる。

モノマーとしては放射線照射により重合可能な化合物で
あって、炭素−炭素不飽和結合を分子中に１個以上有す
る化合物であり、アクリル酸エステル類、アクリルアミ
ド９類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類
、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類
、ヒニル異節環化合物、Ｎ−ビニル化合物、スチレン類
、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸類、イタコン
酸類、オレフィン類、などが例としてあげられる。

これらのうち好ましいものとしてアクリロイル基または
メタクリロイル基を２個以上含む下記の化合物があげら
れる。具体的には、ジエチレングリコールジアクリレー
）、）ＩＪエチレングリコールジアクリレート、テトラ
エチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプ
ロノントリツクリレート、ペンタエリスリトールテトラ
アクリレート、などのアクリレート類、ジエチングリコ
ールジメタクリレート、トリエチレンダリコールトリメ
タクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレ
ート、トリメチロールプロノントリツタクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラメタクリレート、などのメタ
クリレート類あるいはその他の２官能以上のポリオール
とアクリル酸メタクリル酸とのエステル類、などがある
。

これらのモノマーは１種でもよくまた２種以上用い【も
よい。

熱可塑性樹脂としては塩化ビニル−塩化ビニリデン系樹
脂、ウレタン樹脂、アクリロニトリルツタジエン樹脂、
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、繊維素系樹脂、アセ
タール系樹脂等がある。

本発明において使用される放射線は電子線および紫外線
である。紫外線を使用する場合には前記の化合物に増感
剤を添加することが好ましい。増感剤としては、特に限
定されないが、紫外線照射光源として通常使用される水
銀灯の輝線スペクトルを生ずる２５４．３１３．３６５
ｒＬｍの波長において吸光係数の比較的太なるものが好
ましい。その代表例としては、アセトフェノン、ばンゾ
フエノン、ベンゾインエチルエーテル、ベンジルメチル
ケタール、インジルエチルケタール、ペンゾインインブ
チルケトン、ヒドロキシジメチルフェニルケトン、１−
ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン、２−２ジエ
トキシアセトフエノン、Ｍｉｃｈｌｅｒ’ｓケトンなど
の芳香族ケトンが使用できる。

増感剤の混合比率は、化合物１ｏｏ重量部に対し０．５
〜２０重量部、好ましくは２〜１５重量部、さらに好ま
しくは３〜１０重量部である・前記中間層を支持体上に
塗設する場合、種々の有機溶媒が必要に応じ使用できる
。中間層塗布液が液体である場合無溶媒でもよい。使用
できる有機溶媒としてはアセトン、メチルエチルケトン
、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケト
ン系；メタノール、エタノール、プロパツール、ブタノ
ール等のアルコール系；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル、乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエーテ
ル等ノエスｆｈ系；ｘ−チル、ダリコールジメチルエー
テル、ダリコールモノエチルエーテル、ジオキサン等の
ダリコールエーテル系：ヘンイン、トルエン、キシレン
等のタール系（芳香族炭化水素）；メチレンクルライド
、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、エ
チレンクロルヒドリン、ジクロルベンゼン等があげられ
る。

前記中間層の厚さは放射線照射による重合硬化後の測定
で０．１〜２μｍであることが好ましく、該層の表面あ
らさは０．０１μｍ以下であることが好ましい。このた
めには比較的低粘度の化合物、あるいは有機溶媒の添加
により低粘度に保ち塗設によるいわゆるレベリング効果
をもたせることが有効な手段の１つとなる。本発明にお
ける化合物Ａは粘度が低く、上記厚みのような薄層塗布
が可能となり、またレベリングによる平滑化が容易に可
能である。

電子線加速器としてはスキャニング方式、ダブルスキャ
ニング方式あるいはカーテンビーム方式が採用できるが
、好ましいのは比較的安価で大出力が得られるカーテン
ビーム方式である。電子線特性としては、加速電圧が１
０〜１０００ｋＶ、好ましくは５０〜３００　ｋＶであ
り、吸収線量として０．５〜２０メガランド、好ましく
は１〜１０メガランドである。

加速電圧が１０ｋＶ以下の場合は、エネルギーの透過量
が不足し１０００ｋＶ　を超えると重合に使われるエネ
ルギー効率が低下し経済的でない。

吸収線量が０．５メガラツド以下では硬化反応が不充分
で２０メガッツド以上になると、硬化に使用されるエネ
ルギー効率が低下したり、被照射体が発熱し、特にプラ
スティック支持体が変形するので好ましくない。

本発明の重合硬化層の上に設けられる磁性層は強磁性粉
末と結合剤とを主成分とするものであっても、磁性金属
薄膜であってもよい。

本発明に適用される磁性金属薄膜の形成法は真空槽内で
膜を形成する方法ある（・はメッキ法によればよく、金
属薄膜の形成速度の速いこと、製造工程が簡単であるこ
と、あるいは排液処理等の必要のないこと等の利点を有
する真空槽内で膜を形成する方法が好ましい。真空槽内
で膜を形成する方法とは希薄な気体あるいは真空空間中
において析出させようという物質またはその化合物を蒸
気あるいはイオン化した蒸気として基体となる支持体上
に析出させる方法で真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンブレーティング法、化学気相メッキ法等がこれに相
当する。

さらに本発明において磁気記録層となるべき強磁性金属
層としては鉄、コバルト、ニッケルその他の強磁性金属
あるいはＦ　ｔ　−Ｃｏ、　Ｆｇ　−Ｎｉ、　Ｇｏ−Ｎ
ｉ、Ｆａ−８ｉ、Ｆｇ−ＲＡ、Ｃ０−Ｐ、Ｇｏ−Ｂ、Ｇ
ｏ−Ｅ３ｉ、Ｃｏ−Ｖ、Ｇｏ　−Ｙ、　Ｇｏ−Ｌａ、Ｇ
ｏ−Ｇｅ、Ｇｏ−Ｐｒ、　Ｇｏ−８ｍ、　ｃｏ−Ｐｔ、
Ｇｏ　−Ｍｎ、　Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｇｏ−Ｎｉ　−Ｐ
、　Ｇｏ−Ｎｉ−Ｂ。

Ｇｏ　−Ｎｉ−Ａｙ、Ｇｏ−Ｎｉ−Ｎａ、Ｇｏ−Ｎｉ−
Ｇｇ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｎ。

Ｇｏ　−Ｎｉ−ＣｔＬ、Ｃｏ−Ｎｉ　−Ｗ、　Ｇｏ　−
Ｎｉ−Ｒｅ、Ｇｏ　−Ｅ３ｍ−Ｑｕ等の強磁性合金を真
空槽内で膜を形成する方法あるいはメッキ法によって薄
膜状に形成せしめたもので、その膜厚は磁気記録媒体と
して使用する場合０．０５ｆｉｍ〜２ｔｉｎｇの範囲で
あり特に０．１　ｐｍ　〜０．４　ｔｔｍが好ましい。

本発明の磁性層に使用される強磁性粉末、各種添加剤、
有機溶媒、さらに分散・塗布方式などの詳細に関しては
特開昭５２−１０８８０４号、同５４−２１８０４号、
同５４−４６０１１号に記載されており必要に応じ本発
明に適用できる。

〔実施例〕

以下に本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。

なお実施例中食は重量部を示す。

実施例り 表面あらさｏ、ｏ　ｉ　ｏμｍ、厚さ１４．５μ簿のポ
リエチレンテレフタレート支持体上に下記の式で表わさ
れる化合物Ａ−（＜塗設し、加速電圧１６５　ｋＶ、ビ
ーム電流５ｍＡで吸収線量２　ＭｒａｔＬの電子線照射
を行なった。

硬化後の塗設層厚は０．５μ溝である。

下記組成の磁性塗液なボールミルで１０時間混線分散し
た。

分散後、トリイソシアネート化合物のトリメチロールプ
ロパン付加体（分子約７６０、ＮＣＯ含有量１３，３ｗ
ｔ％、商品名：バイエルＡ、Ｇ、社製「デスモジュール
Ｌ−７５Ｊ）の７５ｗｔ％酢酸エチル溶液を２２部加え
１時間高速剪断分散して磁性塗布液を調製した。得られ
た塗布液を前記層の上側に乾燥後の厚さが４μ扉となる
よう塗設した。ついで。

直流磁場中で配向処理して１００℃の熱風を送って乾燥
した。乾燥後、カレンダリング処理を施して、％インチ
巾にスリットしてビデオ用の磁気テープサンプル１ｌａ
ｌｌを得た。

比較例１ 実施例１において中間層を塗設せず、他は実施例１と同
様に磁気テープサンプルＮｎ２を得た。

実施例２ 実施例１において、化合物Ａに代えて化合物Ｂを含む下
記組成の塗液を調製し、塗設後８０Ｗ／ｃｍ化合物Ｂ：
　化合物ＡのＣのジエチレングリコールをプロピレンダ
リコールに代えたもの。

分子量約１２００ 重合硬化後の厚さを０．５μｍとした。

他は実施例１と同様にして磁気テープサンプルＮｎ３を
得た〇 実施例３ 実施例１において表面あらさ０．０１５μｍのポリエチ
レンテレフタレート支持体を使用し、他は実施例１と同
様にして磁気テープサンプル１１＆１４を得た。

比較例２ 比較例１において表面あらさ００１５μｍのポリエチレ
ンテレフタレート支持体を使用し、他は比較例１と同様
にして磁気テープサンプルＮｎ５を得た。

実施例４ 実施例１において表面あらさ０．０２０μｍのポリエチ
レンテレフタレート支持体を使用し、他は実施例１と同
様にして磁気テープサンプルＮｎ６を得たＯ 実施例５ 実施例１と同様にして中間層を設けた。該層上に斜め蒸
着によりＧｏ　−Ｎｉ　（Ｎｉ　；２Ｑｗｔ％）磁性膜
を、１００ＯＸ厚となるよう設け、磁気テープサンプル
ｒｌ＆１７を得た。

比較例３ 実施例５において、中間層を塗設せず、他は実施例５と
同様に磁気テープサンプルＮｎ８を得た。

比較例４ 実施例１に於て、化合物Ａの代りにエチレンダリコール
ジアクリレートを用い実施例１と同様にして磁気テープ
サンプルＮｈ９を得た。

以上のサンプルについてビデオ感度およびＯ／Ｎを測定
した。測定方法の概略を下記に示す。

ビデオ感度：ＶＨ８方式ＶＴＲ（松下電産製造、商品名
ｒＮＶ７８ｓｏＯＪ　）ｋ使用して４ＭＨ，での再生出
力を比較例１を基準（±０ｄＢ）として測定した。

Ｃ／Ｎ　　　：３ＭＨ２および３．５ＭＨ２の搬送波（
キャリヤー）を記録し、再生したときのキャリヤーとノ
イズの比（Ｓ／ＮｔＣ相当）を比較例１を基準（±０ｄ
Ｂ）として測定した。

接着力　　：磁気テープ（Ｓインチ巾）の磁性面にポチ
かりで測定した。

結果を表に示す。

〔発明の効果〕

表より明らかなごとく、支持体の表面あらさが０．０１
μｍ以上で、かつ支持体と磁性層との間に化合物Ａを含
む中間層を設は放射線照射し該中間層の表面あらさｏ、
ｏ　１μ専以下にすることによりビデオ感度、Ｃ／Ｎ、
および密着性が著しく改良された磁気記録媒体のえられ
ることがわかる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面あらさが０．０１μｍ以上である非磁性支持
   体と磁性層との中間に下記化学式で表わされる化合物か
   ら選ばれた１種以上の化合物を含有する中間層を設け、
   該層が放射線照射されていることを特徴とする磁気記録
   媒体、 Ａ−Ｃ−（Ｂ−Ｃ）−＿ｎＡ 但しＡ：アクリロイル基或はメタクリロイル基Ｂ：フメ
   ル酸、イソフタル酸又はテレフタル酸Ｃ：ポリエーテル
   ポリオール。
2. （２）前記中間層の表面あらさが０．０１μｍ以下であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の磁
   気記録媒体。