JPS6113637A - 化合物半導体装置 - Google Patents

化合物半導体装置

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JPS6113637A
JPS6113637A JP59134788A JP13478884A JPS6113637A JP S6113637 A JPS6113637 A JP S6113637A JP 59134788 A JP59134788 A JP 59134788A JP 13478884 A JP13478884 A JP 13478884A JP S6113637 A JPS6113637 A JP S6113637A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明はホール素子、磁気抵抗素子等の化合物半導体装
置に関する。
（ロ）従来の技術 インジウムアンチモナイド（ＩｎＳｂ　）、インジウム
アーセナイド（ＩｎＡｓ　）の様にキャリア移動度の高
い化合物半導体は、磁気を作用させると抵抗値が変化す
るという性質を有しており、この種化合物半導体装置を
用いた磁気検出器が実用化されている。
第３図は上述した化合物半導体装置を用いた磁気検出器
の一般的な構成を示す正面断面図であり、図中（２１）
は筐体を示している。筐体Ｃａ１）はプラスチック成形
品であって、上面に形成した開口部（２１ａ）はベリリ
ウム−銅製の薄膜よりなる保護板（２功にて閉鎖されて
いる。保護板（２２１は筐体（２１１に一体にモールド
されており、その外面には耐摩耗性向上のために必要に
応じてクロムメッキが施される。
第４図に示すように、筐体Ｑυ内にはこの保護板（２２
と適当な間隙を隔てて化合物半導体装置からなる検出器
本体−が配設されている。この検出器本体−はセンサユ
ニットｅ３１．マウント基板（２υ及び永久磁石−等に
て構成されている。センサユニット（ハ）はフェライト
製の厚肉の磁性体基板（２４）上に相互に電気的に接続
したインジウムアンチモナイド等の化合物半導体素子か
らなる磁気抵抗素子（２６）、（５）を接着用樹脂（２
鴫を用いて並設したものであり、この磁性体基板Ｑ滲は
これよりも薄肉のプラスチック製のマウント基板ｃ！印
に穿設した穴（２８ａ）に嵌合させである。この状態で
は磁性体基板０ａの下面はマラント基板（至）下面のリ
ン青銅製の底板（２樽を隔てて、底＆（ハ）下面に一磁
極端面を固定した円柱状のバイアス用永久磁石翰に対向
し、また両側の両磁気抵抗素子Ｃ０、端はマウント基板
（２８）の上面よりも所要寸法上方に高く位置した状態
となっている。マウント基板（２８）上にはセンサユニ
ッＨ□□□な囲繞し、且つ上面を磁気抵抗素子（２６）
、（２７）表面よりも高くした環状スペーサ（至）が設
けられており、保護板（２功の周縁に該スペーサ弼の上
面を当接させて保護板（２カと磁気抵抗素子ｅ２６）、
（２７）との間隔が所定値になるようにしである。そし
て各磁気抵抗素子（財）、（５）の電極とマウント基板
（２８上のプリント配線（２８ｂ）の一端部とは金線製
の複数の導線（３１ａ）、（３ｘｂ）　　（図面には２
本のみ表われている）を用いて接続され、またプリント
配線（２８ｂ）の他端部はマウント基板（２８）の周縁
部においてリード線（３２ａ）、（３２ｂ）、（３２Ｃ
）の一端に接続されている。これらリード線（３２ａ）
、（３２ｂ）、（３２ｃ）　の他端はプラスチック類の
蓋部材Ｃ３３＋に貫設したリード板（３４ａ）、（３４
ｂ）、（３４ｃ　”）に接続されている。
ところで、従来各種トランジスタ、ＩＣ製品におけるベ
レヴト、即ち素子側の電極と、ステム、即ち基板側のリ
ード板との接続には金線を用いてベレット側に対しては
金線の端末を溶融して玉状とし、これをＷ、極に押圧し
て釘頭形状に接着する、所謂ネイルへ５・ドポンドを１
−１また基板側のリード板に対しては金線の端末を加熱
しつつ圧着する、所謂ステイッチポンドをするのが一般
的であり、磁気検出器においてもリード線はペレット側
である磁気抵抗素子の電極に対してはネイルヘッドボン
ドし、また基板側であるプリント配線に対してはスティ
ッチボンドをすることが行なわれている。
しかし上述した如き磁気検出器にあってはその感度は検
出器本体−、特にその磁気抵抗素子００、（２７）と被
検物との離隔寸法と密接な関係があり、感度の向上を図
るうえではこれを可及的に小さくするのが望ましく、従
って保護板０３の肉辱は可及的に薄く、また保護板（２
２と磁気抵抗素子Ｃに）、Ｃ？ηの表面との離隔寸法は
可及的に小さくするのが望まれる。しかし上述の如ぎネ
イルヘッドボンディング方式を採用すると、ネイルヘッ
ド部分と金線部分とが連らなる部分、即ち首の部分は弱
く折り曲げると破断するおそれがあるため、ネイルヘッ
ド部分に連らなる金線部分は所要寸法上方に立ち上らせ
金線部分の中間にて曲げる必要がある。このため導１（
３１ａ）、（３１ｂ）　　と保護板（２湯との接触を避
けるには磁気抵抗素予盛、（財）と保護板（２２上内面
との間に所定の間隔を隔てなければならずその短縮化に
は限界があり、磁気検出器の感度向上を図る上での大き
な障害となっていた。
そこで、本出願人は、上述した欠点を解消するために、
第５図に示す如く、複数の磁気抵抗素子（ホ）、（５）
及びこれを固定する基板（財）を備えた化合物半導体装
置からなる検出器本体（イ）を有する磁気検出器におい
て、前記磁気抵抗素子（ホ）、（財）の電極とマウント
基板盛上の配線部（２８ｂ）とを接続する導線（３］ａ
）、（３１ｂ）　の配線部側端部な配線部（２８ｂ）に
対し、ネイルヘッドボンドすると共に、導線（３１ａ）
、（３ｔｂ）を磁気抵抗素子（２６）、＠上にスティッ
チボンドすることにより、従来のネイルヘッドボンド方
式とは逆であって磁気抵抗素子（２旬、（５）表面と被
検物との間隔を格段に短縮して、検出感度の大幅な向上
を図り得るようにした磁気検出器を先に提案した（実願
昭５７−１６６６９０号に詳しい。）。
（ハ）発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記した導線（３１ａ）、（３１ｂ）を
磁気抵抗素子０６）、（財）上にステイツチボンドする
方式では、磁気抵抗素子（イ）、（５）がもろい化合物
半導体で形成されているという性質上、ステイツチボン
ドの際の熱圧着の応力により、磁気抵抗素子Ｑｅ、（５
）内部に亀裂が生じ易く、断線による不良やノイズ不良
などの原因となっていた。また、接着用樹脂（ハ）上に
電極を延在して、接着用樹脂（ハ）上でスティッチボン
ドして磁気抵抗素子（イ）、罰にストレスがかからない
ようＫすることもできるが、この方式では接着用樹脂（
ハ）が軟かいため、充分に加圧することができなく、電
極と導線（３１ａ）、（３１ｂ）　　との接続が不良に
なるという欠点がある。
に）問題を解消するための手段 本発明は一ヒ述した問題点を解消すべくなされたもので
、化合物半導体素子の引出し電極を、化合物半導体素子
を基板に固着する接着用樹脂まで延在して設けると共に
、少なくとも前記電極と接着用樹脂との間にシリコン化
合物からなる保護膜を配設したことを特徴とする。
（ホ）作用 本発明は、少な（とも電極と接着用樹脂との間にシリコ
ン化合物を配設することにより、接着用樹脂上圧延在し
た電極と導線との接続が強固に行うことができる。
（へ）実施例 以下、本発明をその実施例を示す図面に基いて説明する
。
第１図は本発明による化合物半導体装置を用いた磁気検
出器の検出器本体部分の拡大断面図である。検出器本体
■は化合物半導体装置からなるセンサユニットＱ飄マウ
ント基板弼、永久磁石ｅｏ等にて構成されている。セン
サユニット（ハ）はフェライト製の厚肉の磁性体基板（
２４）上に相互に電気的に接続されたインジウムアンチ
モナイドなどの化合物半導体素子からなる磁気抵抗素子
ｃ２６）、罰を接着用樹脂（２５）を用いて並設される
。また、磁気抵抗素子（イ）、（２η上には接着用樹脂
Ｃ２５１まで延在する引出し電極（４（負、（４１）が
設けられる。そして、本発明は引出し電極（４４，（４
１）と接着用樹脂（ハ）との間に酸化シリコン、窒化シ
リコンなどのシリコン化合物からなる保護膜（４カが設
けられている。
このように構成したセンサユニットｃ！３）の磁性体基
板（２４）をこれよりも薄肉のプラスチック製のマウン
ト基板（財）に穿設した穴（２８ａ）に嵌合して固定す
る。この状態では磁性体基板（財）の下面はマウント基
板内下面のリン青銅製の底板（２８）を介して、バイア
ス用の永久磁石ｃ２９）に対向し、また上面の磁気抵抗
素子（２６１、（２７）はマウント基板弼上面より所要
寸法高く位置している。マウント基板（２８１上には穴
（２８ａ）の周りにプリント配線（２８ｂ）が設けられ
、また周縁部にはセンサユニット（２段を囲繞し、且つ
周縁部上面を磁気抵抗素子０６）、（５）よりも高くし
た環状スペーサが設けられており、保護板（２２の周縁
に該スペーサの上面を当接させることにより保護板（２
２と磁気抵抗素子（２６）、（５）との間隔が所定値に
なるようにしである。
そして各磁気抵抗素子（イ）、（５）の電極とマウント
基板（２階上面のプリント配線（２８ｂ）の一端部とを
接続する導線（３１ａ）、（：ｎｂ）の一端（３１Ｃ’
）、（３１ｃ’）は夫々第３図および第４図に示す従来
の場合とは逆にプリント配線（２８ｂ）の一端部に対し
てネイルヘヴドボンドし、また他端（３１ｄ）、（３１
ｄ）は磁気抵抗素子（イ）、（５）の引出し電極（４１
、（４１）に対してスティッチボンドしである。
このように、接着用樹脂（ハ）と引出し電極顛、（４υ
との間に保護膜（４りを介在せしめている。従って、接
着用樹脂Ｑ５１上の電極顛、（４１）にスティッチポン
ドする際に、保護膜（４２にてボンディング部分が堅固
になっているので、十分な加圧力を加えることができ、
導線（３１ａ）、（３１ｂ）を電極（４１、（４１）に
十分な接続強度を持たして接続できる。しかも、磁気抵
抗素子（２６）１７）Ｋは、ストレスはかからないので
、亀裂など生じるおそれはない。
つぎに、本発明によるセンサユニッ）（２３）の製造方
法の一例を第２図面の簡単な説明する。
インジウムアンチモナイドなどの化合物半導体片ｅＪＫ
フォトレジストのパターン５１）を形成する（第２図（
イ））。半導体片６（＋１を一定深さにまでエツチング
して堀り込む（第２図（ロ））。そして、フォトレジス
トを取り除いて、酸化シリコンあるいは窒化シリコンな
どからなる保護膜（４２をＣＶＤ法などにより形成する
（第２図（ハ））。接着用樹脂Ｃ５１で半導体片１５１
を基板（財）に貼りつける（第２図に））。
その後半導体片６１の裏面を研摩して均一な厚さに形成
して、化合物半導体素子からなる磁気抵抗素子■、（財
）を形成する（第２図（ホ））。然る後に、磁気抵抗体
素子（イ）、（５）に接着用樹脂（２つまで延在する引
出し電極（４０、（４１）を設けてセンサユニット（ハ
）が形成される。
尚、本実施例では、基板Ｃ１１）と磁気抵抗体素子（ホ
）、（５）との間にも保護膜（４２１が設げられている
が、必要に応じて取り除いても良い。
（ト）発明の効果 以上説明したように、本発明は、少なくとも電極と接着
用樹脂との間にシリコン化合物を配設したので、接着用
樹脂上に延在した電極に導線を接着するのに充分な加圧
力を加えることができ導線を電極に充分な接着力で接続
できると共に、磁気抵抗素子などの化合物半導体素子に
は、ストレスがかからないので、亀裂が発生するおそれ
もない。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の化合物半導体装置を用いた磁気検出器
の要部拡大断面図、第２図は本発明の化合物半導体装置
の製造方法の一例を示す工程図である。第３図ないし第
５図は従来の化合物半導体装置を用いた磁気検出器を示
すもので、第３図は正面断面図、第４図および第５図は
要部拡大断面図である。 （２４Ｊ・・・基板、　Ｑ５１・・・接着用樹脂、　（
２６）、（ハ）・・・化合物半導体素子からなる磁気抵
抗素子、　（４ｆ）、（４１）・・・引出し電極、　（
４カ・・・保護膜。 出願人　三洋電機株式会社　外１名 代理人　弁理士　　佐　野　靜　夫 第１図 ２９　２Ｂ’　２８ 派 −１ト 館　３図 旬 特開昭６ｌ−１３６３７（５） ｉ５図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）化合物半導体素子を基板に接着用樹脂で固着した
    化合物半導体装置において、前記化合物半導体素子の引
    出し電極を前記接着用樹脂上まで延在して設けると共に
    、少なくとも前記電極と接着用樹脂表面との間にシリコ
    ン化合物からなる保護膜を配設したことを特徴とする化
    合物半導体装置。
JP59134788A 1984-06-28 1984-06-28 化合物半導体装置 Granted JPS6113637A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59134788A JPS6113637A (ja) 1984-06-28 1984-06-28 化合物半導体装置

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JP59134788A JPS6113637A (ja) 1984-06-28 1984-06-28 化合物半導体装置

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JPS6113637A true JPS6113637A (ja) 1986-01-21
JPH0342497B2 JPH0342497B2 (ja) 1991-06-27

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ID=15136559

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