JPS6113682A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPS6113682A JPS6113682A JP13371884A JP13371884A JPS6113682A JP S6113682 A JPS6113682 A JP S6113682A JP 13371884 A JP13371884 A JP 13371884A JP 13371884 A JP13371884 A JP 13371884A JP S6113682 A JPS6113682 A JP S6113682A
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Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 3
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザダイオードの製造方法に関する。
レーザダイオードを用いた光フアイバー通信も実用段階
に入ると共に長距離・大容鳳のシステムが主流となって
きた。そこで使用するレーザダイオード高性能化の要求
が強くなり、エビ成長においてデバイス形状を作り込む
埋め込み型が主流となってきた。
に入ると共に長距離・大容鳳のシステムが主流となって
きた。そこで使用するレーザダイオード高性能化の要求
が強くなり、エビ成長においてデバイス形状を作り込む
埋め込み型が主流となってきた。
埋め込み型レーザダイオードはエビ成長でデバイスを作
り込むため後工程が簡素化され、後工程の歩留りはよい
。しかしエビ成長工程でチャンネル形成及び埋め込み成
長という工程がアシ、この工程の再現性がこの埋め込み
型レーザダイオードの特性及び歩留シを支配している。
り込むため後工程が簡素化され、後工程の歩留りはよい
。しかしエビ成長工程でチャンネル形成及び埋め込み成
長という工程がアシ、この工程の再現性がこの埋め込み
型レーザダイオードの特性及び歩留シを支配している。
従来埋め込み型レーザダイオードの製造におけるチャン
ネル形成においてはクエ、トエ、チングが使われていた
。ウニ、トエ、チングでは工、チングの条件及び結晶と
マスクの密着性によシチャンネルの形状及びメサ幅等が
変化し埋め込み成長の再現性を悪いものとしている０ 本発明の目的はチャンネルの形状を再現性よく形成し、
再現性よく埋め込み型のレーザダイオードを形成するこ
とにある。
ネル形成においてはクエ、トエ、チングが使われていた
。ウニ、トエ、チングでは工、チングの条件及び結晶と
マスクの密着性によシチャンネルの形状及びメサ幅等が
変化し埋め込み成長の再現性を悪いものとしている０ 本発明の目的はチャンネルの形状を再現性よく形成し、
再現性よく埋め込み型のレーザダイオードを形成するこ
とにある。
本発明によれば四塩化炭素等を用いた異方性のあるドラ
イエッチと異方性のないウニ、トエ、チの組合せによｐ
チャンネルの形を再現性よく形成し、埋め込みエビを再
現性よく行う方法が得られる０ 次に図面を用いて本発明の一実施例であるＩ ｎＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓＰ系のダブルチャンネル型埋め込みレーザダ
イオードについて詳細に説明する。
イエッチと異方性のないウニ、トエ、チの組合せによｐ
チャンネルの形を再現性よく形成し、埋め込みエビを再
現性よく行う方法が得られる０ 次に図面を用いて本発明の一実施例であるＩ ｎＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓＰ系のダブルチャンネル型埋め込みレーザダ
イオードについて詳細に説明する。
第１図及び第２図は従来の方法でチャンネルを形成した
場合の図である。あらかじめダブルへテロエピを成長さ
せたウェハース１にフォトレジスト２でパターニングを
行う０ウニ、トで工、チングを行いチャンネル３を形成
する。この時フォトレジスト２とウェハース１の密着性
によジアンダーエ、チの程度が異る。活性層４の巾を規
定するためアンダーカットの程度により浅い形のチャン
ネル（第１図）あるいは深い形のチャンネル（第２図）
となり、活性層の巾及びチャンネルの形を制御出来ない
。これら二種類のチャンネルを埋め込む条件は大きく異
るため、チャンネル３形成の再現性が悪い場合には埋め
込みエピの歩留シは著るしく低下−ｒる。
場合の図である。あらかじめダブルへテロエピを成長さ
せたウェハース１にフォトレジスト２でパターニングを
行う０ウニ、トで工、チングを行いチャンネル３を形成
する。この時フォトレジスト２とウェハース１の密着性
によジアンダーエ、チの程度が異る。活性層４の巾を規
定するためアンダーカットの程度により浅い形のチャン
ネル（第１図）あるいは深い形のチャンネル（第２図）
となり、活性層の巾及びチャンネルの形を制御出来ない
。これら二種類のチャンネルを埋め込む条件は大きく異
るため、チャンネル３形成の再現性が悪い場合には埋め
込みエピの歩留シは著るしく低下−ｒる。
第３図、第４図は本発明の詳細な説明する図である。ダ
ブルへテロエビを行ったウェハース１１にフォトレジス
ト１２でパターニングを行う。
ブルへテロエビを行ったウェハース１１にフォトレジス
ト１２でパターニングを行う。
次に四塩化炭素を用い異方性の強い条件でドライエッチ
ングを行い深さ３μのチャンネル１３を形成する。この
ドライエッチングによると異方性が強いためマスク巾で
規定される井戸形に近い形のチャンネル１３が形成出来
るが、プラズマでアタ、りされるため工、チングされた
部分の表面から数百オングストロームのダメージ層１４
が出来る。このダメージ層１４を取り去りてやらないと
埋め込み成長を行いデバイスを形成した場合、結晶性の
悪い部分が結晶内部に残るためデバイスの信頼性を悪く
する。そこで異方性のないウニ、トエ、チにより表面か
ら１０００〜２０００オングストロームエ、チングし、
このダメージ層１４を取り去る。このようにして形成さ
れたチャンネル１５は常に形状が一定する。この基板に
埋め込み成長を行うとチャンネルの形が一定しているの
で埋め込み形状の再現性がきわめてよい。又、チャンネ
ルの形が一定しているので活性層中の再現性もよい０ このようにして四塩化炭素を用いた異方性の強いドライ
エツチングで形状を作シ異方性のないウニ、トエ、チン
グでダイージ層を取り去る方法でチャンネルを形成する
ことにより再現性のよい埋め込み成長が出来ると共に特
性の安定したレーザダイオードが得られる。
ングを行い深さ３μのチャンネル１３を形成する。この
ドライエッチングによると異方性が強いためマスク巾で
規定される井戸形に近い形のチャンネル１３が形成出来
るが、プラズマでアタ、りされるため工、チングされた
部分の表面から数百オングストロームのダメージ層１４
が出来る。このダメージ層１４を取り去りてやらないと
埋め込み成長を行いデバイスを形成した場合、結晶性の
悪い部分が結晶内部に残るためデバイスの信頼性を悪く
する。そこで異方性のないウニ、トエ、チにより表面か
ら１０００〜２０００オングストロームエ、チングし、
このダメージ層１４を取り去る。このようにして形成さ
れたチャンネル１５は常に形状が一定する。この基板に
埋め込み成長を行うとチャンネルの形が一定しているの
で埋め込み形状の再現性がきわめてよい。又、チャンネ
ルの形が一定しているので活性層中の再現性もよい０ このようにして四塩化炭素を用いた異方性の強いドライ
エツチングで形状を作シ異方性のないウニ、トエ、チン
グでダイージ層を取り去る方法でチャンネルを形成する
ことにより再現性のよい埋め込み成長が出来ると共に特
性の安定したレーザダイオードが得られる。
本実施例ではＩｎＰ／Ｉ ｎＧａＡｓＰ系のダブルチャ
ンネル型埋め込みレーザダイオードについて説明したが
Ｉ ｎＰ／ｆ ｎＧａＡｓＰ系のシングルメサ型等その
他の埋め込みレーザダイオードについても同様の効果が
あることは明らかである。又ＧａＡ ｓ／ＡＬＧａＡｓ
系の埋め込みレーザダイオードについても同様の効果が
あることは明らかである。
ンネル型埋め込みレーザダイオードについて説明したが
Ｉ ｎＰ／ｆ ｎＧａＡｓＰ系のシングルメサ型等その
他の埋め込みレーザダイオードについても同様の効果が
あることは明らかである。又ＧａＡ ｓ／ＡＬＧａＡｓ
系の埋め込みレーザダイオードについても同様の効果が
あることは明らかである。
第１図、第２図は従来方法を説明する断面図、第３図は
ドライエッチングを終了した所の断面図で、第４図はチ
ャンネル形成を完了した所の断面図。１・・・・・・ダ
ブルへテロエビウェハース、２・・・・・・フォトレジ
スト、３・・・・・・チャンネル、４・・・・・・活性
５一 層、１１・・・・・・タプルへテロエピウェハース、１
２・・・・・・フォトレジスト、１３・・・・・・チャ
ンネル、１４・・・・・・ダメージ層、１５・・・・・
・チャンネル。
ドライエッチングを終了した所の断面図で、第４図はチ
ャンネル形成を完了した所の断面図。１・・・・・・ダ
ブルへテロエビウェハース、２・・・・・・フォトレジ
スト、３・・・・・・チャンネル、４・・・・・・活性
５一 層、１１・・・・・・タプルへテロエピウェハース、１
２・・・・・・フォトレジスト、１３・・・・・・チャ
ンネル、１４・・・・・・ダメージ層、１５・・・・・
・チャンネル。
Claims (1)
- 埋め込み型の半導体レーザの製造工程において埋め込
み成長前のメサエッチングを四塩化炭素等を用いた異方
性のあるドライエッチと異方性のないエッチング液を用
いたウェットエッチとの組合せにより行う工程を有する
半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13371884A JPS6113682A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13371884A JPS6113682A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113682A true JPS6113682A (ja) | 1986-01-21 |
Family
ID=15111278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13371884A Pending JPS6113682A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6113682A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6338279A (ja) * | 1986-08-04 | 1988-02-18 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JPS6392075A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-28 JP JP13371884A patent/JPS6113682A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6338279A (ja) * | 1986-08-04 | 1988-02-18 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JPS6392075A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光装置の製造方法 |
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