JPS6120772Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6120772Y2 JPS6120772Y2 JP1981116460U JP11646081U JPS6120772Y2 JP S6120772 Y2 JPS6120772 Y2 JP S6120772Y2 JP 1981116460 U JP1981116460 U JP 1981116460U JP 11646081 U JP11646081 U JP 11646081U JP S6120772 Y2 JPS6120772 Y2 JP S6120772Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- conductive terminal
- integrated circuit
- resin
- hybrid integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は改良された混成集積回路装置等の半導
体装置に関するものである。
体装置に関するものである。
第１図ａ，ｂは従来の混成集積回路装置の平面
図および要部断面図である。
図および要部断面図である。
図において、１はアルミユーム、銅等からなる
ヒートシンク、２はヒートシンク１に固着された
混成集積回路基板（以下H.I.C基板という）、３は
H.I.C基板１の表面に取り付けられた第１導電端
子であり、樹脂製のフレーム５に保持された第２
導電端子６にろう付等によつて接続される。
ヒートシンク、２はヒートシンク１に固着された
混成集積回路基板（以下H.I.C基板という）、３は
H.I.C基板１の表面に取り付けられた第１導電端
子であり、樹脂製のフレーム５に保持された第２
導電端子６にろう付等によつて接続される。
この第２導電端子６の一端は外部に導出され
る。図より明らかなようにこの混成集積回路装置
は第１導電端子３が設けられたH.I.C基板２を固
着したヒートシンク１を接着剤４で第２導電端子
６が設けられたフレーム５に接着し、固定後ヒー
トシンク１とフレーム５とがなす空間に樹脂７を
充填し、硬化することにより製作されていた。
る。図より明らかなようにこの混成集積回路装置
は第１導電端子３が設けられたH.I.C基板２を固
着したヒートシンク１を接着剤４で第２導電端子
６が設けられたフレーム５に接着し、固定後ヒー
トシンク１とフレーム５とがなす空間に樹脂７を
充填し、硬化することにより製作されていた。
さて上記ヒートシンク１は、H.I.C基板２の機
械的強度の向上のための補強と、H.I.C基板２の
動作時の発熱をヒートシンク１が吸収し、この熱
を外部へ放熱する機能を有している。ヒートシン
ク１を接着剤４でフレーム５と接着し、樹脂７を
充填し、硬化させるのはH.I.C基板２を樹脂７で
包囲することによりH.I.C基板２上の回路部品を
外気の湿気、ガス、じんかい等から保護し、前記
各部品を樹脂で固定することにより、機械的振動
に耐える構造にするためである。
械的強度の向上のための補強と、H.I.C基板２の
動作時の発熱をヒートシンク１が吸収し、この熱
を外部へ放熱する機能を有している。ヒートシン
ク１を接着剤４でフレーム５と接着し、樹脂７を
充填し、硬化させるのはH.I.C基板２を樹脂７で
包囲することによりH.I.C基板２上の回路部品を
外気の湿気、ガス、じんかい等から保護し、前記
各部品を樹脂で固定することにより、機械的振動
に耐える構造にするためである。
しかしながら前記従来の混成集積回路装置にお
いては樹脂製のフレーム５とアルミニユーム等の
ヒートシンク１とは熱膨張率が異なるので40℃〜
＋150℃の熱サイクルで接着部が剥離し外部から
じんかい、湿気、有害なガス等が浸入し、混成集
積回路装置を故障にいたらしめるという欠点があ
つた。また接着剤４や樹脂７がヒートシンク１と
フレーム５の間隙から洩出するという欠点もあつ
た。
いては樹脂製のフレーム５とアルミニユーム等の
ヒートシンク１とは熱膨張率が異なるので40℃〜
＋150℃の熱サイクルで接着部が剥離し外部から
じんかい、湿気、有害なガス等が浸入し、混成集
積回路装置を故障にいたらしめるという欠点があ
つた。また接着剤４や樹脂７がヒートシンク１と
フレーム５の間隙から洩出するという欠点もあつ
た。
本考案は上記従来の混成集積回路装置の欠点を
取り除くためになされたものであり、半導体素子
が底面に載置され断面が凹形の放熱体を設け外部
からの湿気、じんかい、有害なガス等の侵入およ
び接着剤や樹脂の洩出がない半導体装置を提供す
るものである。
取り除くためになされたものであり、半導体素子
が底面に載置され断面が凹形の放熱体を設け外部
からの湿気、じんかい、有害なガス等の侵入およ
び接着剤や樹脂の洩出がない半導体装置を提供す
るものである。
第２図ａ，ｂは本考案の一実施例の混成集積回
路装置の平面図および要部断面図である。
路装置の平面図および要部断面図である。
以下本考案の一実施例について第２図ａ，ｂに
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
図において２と３は前記従来の混成集積回路装
置と同じであり説明は省略する。８は凹形断面を
有する皿状のヒートシンクであり、アルミニユー
ム板、銅板等をしぼり加工を施すことにより成形
したものである。９は第２導電端子６を保持する
端子保持部材でありヒートシンク８と熱融着しや
すいように複数個の凸部９ａを有している。ヒー
トシンク８には孔が設けられ、この孔に前記各々
の凸部９ａをはめ込み、超音波融着、ガス融着加
熱体による熱融着等によりヒートシンク１と端子
保持部材９が互に結合される。
置と同じであり説明は省略する。８は凹形断面を
有する皿状のヒートシンクであり、アルミニユー
ム板、銅板等をしぼり加工を施すことにより成形
したものである。９は第２導電端子６を保持する
端子保持部材でありヒートシンク８と熱融着しや
すいように複数個の凸部９ａを有している。ヒー
トシンク８には孔が設けられ、この孔に前記各々
の凸部９ａをはめ込み、超音波融着、ガス融着加
熱体による熱融着等によりヒートシンク１と端子
保持部材９が互に結合される。
組立はヒートシンク８の凹部にH.I.C基板２を
固着し、端子保持部材９をヒートシンク８に前述
の如く融着し樹脂７を充填した後、硬化させるこ
とにより行なわれる。なお、第２導電端子６と
H.I.C基板２に取り付けられた第１導電端子３と
は樹脂７を充填する前または後にはんだ付けもし
くは、溶接により接続される。
固着し、端子保持部材９をヒートシンク８に前述
の如く融着し樹脂７を充填した後、硬化させるこ
とにより行なわれる。なお、第２導電端子６と
H.I.C基板２に取り付けられた第１導電端子３と
は樹脂７を充填する前または後にはんだ付けもし
くは、溶接により接続される。
このように本考案の一実施例によればH.I.C基
板２上の回路部品から生じた熱はヒートシンク８
より、従来の混成集積回路装置以上に放熱するこ
とができる。
板２上の回路部品から生じた熱はヒートシンク８
より、従来の混成集積回路装置以上に放熱するこ
とができる。
また、外囲からのじんかい、湿気、有害ガス等
により混成集積回路装置に特性劣化が生じること
がない。さらに、ヒートシンクの外部表面に樹脂
や接着剤が付着することがないので、余分な作業
時間を要しない。
により混成集積回路装置に特性劣化が生じること
がない。さらに、ヒートシンクの外部表面に樹脂
や接着剤が付着することがないので、余分な作業
時間を要しない。
なお、ヒートシンク８の凹部は浅くとも深くと
もまた円形でも角形でもよく、段がついても良
い。さらに、上記一実施例ではヒートシンク８と
端子保持部材９の融着部は凸部９ａをヒートシン
ク８の孔に入れて融着する構造であつたが、逆に
ヒートシンク８の一部を端子保持部材９に設けた
孔にはめ込みこの孔を封じて融着してもよい。
もまた円形でも角形でもよく、段がついても良
い。さらに、上記一実施例ではヒートシンク８と
端子保持部材９の融着部は凸部９ａをヒートシン
ク８の孔に入れて融着する構造であつたが、逆に
ヒートシンク８の一部を端子保持部材９に設けた
孔にはめ込みこの孔を封じて融着してもよい。
なお、融着のための加熱方法も前述の方法以外
に高周波加熱、レーザ等を使用することができ
る。
に高周波加熱、レーザ等を使用することができ
る。
上記一実施例ではヒートシンク８の凹部にH.I.
C基板２を収納する構造であつたがこの凹部に半
導体チツプ単体を収納することもでき、また他の
電子部品を収納してモジユール体とすることもで
きる。
C基板２を収納する構造であつたがこの凹部に半
導体チツプ単体を収納することもでき、また他の
電子部品を収納してモジユール体とすることもで
きる。
以上説明のように本考案は半導体素子が底面に
載置され断面が凹形の放熱体を設けたので、外部
からの湿気、じんかい、有害ガス等の侵入および
接着剤や樹脂の洩出がなく、したがつて特性が良
好で安価な半導体装置を得ることができるという
優れた効果を有する。
載置され断面が凹形の放熱体を設けたので、外部
からの湿気、じんかい、有害ガス等の侵入および
接着剤や樹脂の洩出がなく、したがつて特性が良
好で安価な半導体装置を得ることができるという
優れた効果を有する。
第１図ａ，ｂは従来の混成集積回路装置の平面
図および要部断面図、第２図ａ，ｂは本考案の一
実施例の平面図および要部断面図である。 ２は混成集積回路基板、３は第１導電端子、６
は第２導電端子、７は樹脂、８はヒートシンク、
９は端子保持部材である。なお図中、同一符号は
同一、または相当部分を示す。
図および要部断面図、第２図ａ，ｂは本考案の一
実施例の平面図および要部断面図である。 ２は混成集積回路基板、３は第１導電端子、６
は第２導電端子、７は樹脂、８はヒートシンク、
９は端子保持部材である。なお図中、同一符号は
同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 第１導電端子が取り付けられた半導体素子と、
この半導体素子が底面に載置された断面が凹形の
放熱体と、前記放熱体の端部に取り付けられ前記
底面に対向する位置に張り出すと共に前記第１導
電端子と接触する第２導電端子を支持する導電端
子取付部材と、前記半導体素子を前記放熱体中に
埋没させると共に前記放熱体の内壁に接するよう
に充填された樹脂とを備えた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11646081U JPS5822742U (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11646081U JPS5822742U (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5822742U JPS5822742U (ja) | 1983-02-12 |
| JPS6120772Y2 true JPS6120772Y2 (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=29910680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11646081U Granted JPS5822742U (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5822742U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0630192Y2 (ja) * | 1989-06-29 | 1994-08-17 | オージー技研株式会社 | 車椅子入浴装置 |
| JP5386910B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2014-01-15 | 株式会社デンソー | 電子回路装置 |
-
1981
- 1981-08-04 JP JP11646081U patent/JPS5822742U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5822742U (ja) | 1983-02-12 |
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