JPS61138414A

JPS61138414A - パタ−ン状に導電性を有する高分子フイルム及びその製造方法

Info

Publication number: JPS61138414A
Application number: JP59257395A
Authority: JP
Inventors: 敏昭玉村; 疋田　真; 修丹羽; 彰夫杉田
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: NTT Inc
Priority date: 1984-12-07
Filing date: 1984-12-07
Publication date: 1986-06-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、改良された導電性高分子フィルム及びその製
造方法に関する。

〔従来の技術〕

ある種の芳香族化合物は電解質を添加した溶剤中に溶解
させ、電解重合を行うことにより、導電性の高分子フィ
ルムを電極上例形成させることができる。このような芳
香族化合物としては、ピロール類、チオフェン類等の複
素環式化合物、アニリン類、フェノール類等のベンゼン
誘導体、アズレン等の多環芳香族化合物が知られている
。しかしながら、従来の電極上に直接電解重合して形成
した導電性高分子フィルムは以下のような欠点があった
。１）フィルムの機械的な強度が弱い。２）電気伝導度
の制御が困難である。３）厚いフィルムを形成するのに
長時間を要する。

これらの欠点を除去するために、本発明者等は、既に新
しい導電性フィルムとその製造方法を開発した（特願昭
５８−１８／＋９９１号、同５８−２１３２０１号、同
５８−２１３２０３号、同５８−２１５２０４号）。す
なわち、芳香族化合物の電解重合を行う際に、電極とし
て用いる導電性の基板上に絶縁性の高分子フィルムを密
着させておくと、適当な条件下で芳香族化合物の電解重
合が進行し、生成した電解重合体が、絶縁性のフィルム
中に複合されて、フィルムの片面あるいはフィルム全体
が導電性になる。この方法を用いることによシ、種々の
絶縁性高分子フィルムが導電化できる。このようにして
得られる導電性高分子フィルムは、以下のよう々特徴が
ある。１）絶縁性高分子フィルムとして機械強度の高い
フィルムを用いることによシ、電解重合による導電性高
分子フィルムの機械的強度を改善できる。２）電解重合
条件を変えることによシミ気伝導度の制御ができる。

３）絶縁性高分子フィルムが一定の厚さを持つているた
め、厚い導電性高分子フィルムを短時間で形成できる。

更に１本発明者等はこの技術を応用して、任意のパター
ン状に導電性を有する高分子フィルムを簡便に製造でき
る方法を開発した（特願昭５９−１０１６７６号）。こ
れは、絶縁性高分子フィルムを密着させた電極上で芳香
族化合物の電解重合を行う際に、使用する電極面を、所
望のパターン上に導電性部位が設けられるように予め加
工しておくと、絶縁性高分子フィルムの電極の導電性部
位に接触している部分のみが導電化される。この方法に
より、フィルムに直接加工を行うことなく、高い解像度
の導電性パターンを絶縁性高分子フィルム中に形成でき
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、この複合導電性フィルムは絶縁性高分子と導電
性高分子の複合体であるため、単独の電解重合体に比べ
ると、電気伝導度の値が劣っており、導電性のパターン
が細くなると、ノくターンの抵抗が著しく高くなる欠点
があった。

したがって、パターン状の導電性フィルムの用途が限定
される。

本発明の目的は、絶縁性高分子フィルム中に芳香族化合
物の電解重合体を所望のパターン状に複合させた導電性
高分子フィルムの表面抵抗を低下させたパターン状に導
電性を有する高分子フィルムとその製造方法を提供する
ととＫある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明を概説すれば、本発明の第１の発明はパターン状
に導電性を有する高分子フィルムに関する発明であって
、絶縁性高分子フィルム中に所望のパターン状に導電性
部位が形成されている高分子フィルムにおいて、導電性
部位が芳香族化合物の電解重合体から成る導電性の層と
、絶縁性高分子フィルム中に芳香族化合物の電解重合体
が混入して成る層とが、積層されてなることを特徴とす
る。

そして、本発明の第２の発明はパターン状に導電性を有
する高分子フィルムの製造方法に関する発明であって、
所望のパターン形状に導電性部位を有する電極上に芳香
族化合物の電解重合により電解重合体を形成する工程、
該電解重合体層付き電極上に絶縁性高分子フィルムを密
着させる工程、該高分子フィルム付き電極上での芳香族
化合物の電解重合により、電解重合体を高分子フィルム
中に混入させる工程の各工程を包含して成ることを特徴
とする。

換言すれば、本発明は任意のパターン状に導電性を有す
る高分子フィルムとその製造方法に関する発明であって
、パターン状に導電性部位を有するように加工された電
極上で、芳香族化合物の電解重合を行って、電極の導電
性部位にのみ導電性の電解重合体の単独層を形成し、と
の上に絶縁性高分子フィルムを密着させてから、再度芳
香族化合物の電解重合により、電極の導電性部位に相当
する絶縁性高分子フィルム部分に電解重合体を複合させ
て、パターン状に導電性高分子フィルムを得ることを特
徴とする。

以下、本発明を添付図面に基づいて具体的に説明する。

第１図は本発明のパターン状に導電性を有する高分子フ
ィルムの構造を示す断面概略図である。すなわち、芳香
族化合物の単独の電解重合体層１と、絶縁性高分子フィ
ルム材と電解重合体が複合している層２とが積層されて
成る導電性パターンが、絶縁性高分子フィルム３中に形
成されている。単独の電解重合体層が導電性パターンの
表面抵抗を下げ、複合層が単独の電解重合体層と絶縁性
高分子フィルムとの密着を強クシ、導電性パターン部の
膜厚を大きくしている。また、絶縁性高分子フィルムが
導電性パターンを保持１−でいると共に、フィルムを機
械的に強くしている。複合層は、１−ａのように全体が
導電性の場合と、１−ｂのように反対の表面まで電解重
合体が成長していない片面のみ導電性の場合とがあシ、
用途によシ選択される。

第２図は、本発明のパターン状に導電性を有する高分子
フィルムを製造する方法の工程図である。パターン状に
加工された電極４を、対抗電極と共に、芳香族化合物の
電解重合溶液に浸漬し、直流電圧を印加して、電極の導
電性部位にのみ芳香族化合物の電解重合体１を形成する
ｍ。この上に絶Ｒ４ｆｔ−高分子フイルム３を密着させ
る曲。このフィルム付電極を、再度電解重合溶液に浸漬
して、芳香族化合物の電解重合を行うと、電極の導電性
部位に形成された単独の電解重合体層に接している絶縁
性高分子フィルム部分から、電解重合体が絶縁性高分子
フィルム中に生成・混入し、導電性の複合層２が形成さ
れる（財）。この際に１電解重合を比較的初期の段階で
停止すると、１−ｂの片面のみパターン状に導電性を有
するフィルムが得られ、十分に電解重合を行うと、１−
ａの反対表面まで導電化されたパターン状に導電性を有
するフィルムが得られる。次いで、フィルムを電極から
け〈離するＯＶ）。この積層された導電性パターンは、
層間に十分強い接着性を持っており、単独の電解重合体
層が絶縁性高分子フィルムから分離することはなかった
。これは、絶縁性高分子フィルムを密着して電解重合を
行うと、単独の電解重合体層から電解重合が起こり、電
解重合体は連続的に結合しているためと推定される。

本発明に使用できる芳香族化合物としては、ピロール、
３−メチルピロール、■−メチルピロール、Ｎ−フェニ
ルピロール、チオフェン、３−メチルチオフェン、フラ
ン、アニリン、フェノール、アズレン、ピレン、カルバ
ゾール等通常の電解重合に使用される化合物が使用でき
るが、フィルムの表面抵抗を下げる目的から、ピロール
、３−メチルピロール、チオフェン、３−メチルチオフ
ェン、フランが特に有効である。

他方、本発明でパターン状に導電性にできる絶縁性高分
子フィルムとしては、ポリ塩化ビニル系樹脂、すなわち
、ポリ塩化ビニル及び塩化ビニルと各種ビニルモノマー
との共重合体、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、すなわち、
ポリ塩化ビニリデン及び塩化ビニリデンと各種ビニルモ
ノマーとの共重合体、ポリフッ化ビニリデン系樹脂、す
なわち、ポリフッ化ビニリデン及びフッ化ビニリデンと
各種ビニルモノマーとの共重合体、ポリスチレン系樹脂
、すなわち、ポリスチレン及びスチレンと各種ビニルモ
ノマーとの共重合体、アクリル系樹脂、すなわち、ポリ
メチルメタクリレート及び各種アクリル系モノマーと各
種ビニルモノマーとの共重合体、ポリビニルカルバゾー
ル及びビニルカルバシールド各種ビニルモノマーとの共
重合体、エチレンと各種ビニルモノマーとの共重合体、
ポリ酢酸ビニル及び酢酸ビニルと各種ビニルモノマーと
の共重合体、ポリビニルアルコール類、各種ポリカーボ
ネート類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン
類、ポリアミドイミド類、ナイロン類、フェノール樹脂
類、各種ゴム類、セルロース類等広範囲の材料が挙げら
れる。

更に、以上の高分子材料に１可塑剤、熱安定剤、滑剤、
紫外線吸収剤、防錆剤、顔料、染料、界面活性剤、導電
性光てん剤等を配合したフィルムも使用できる。

また、電解重合時の電解質としては、有機第４級アンモ
ニウム塩、プロトン酸、無機塩等稲々の化合物が使用で
きる。溶剤としては、アセトニトリル系、ベンゾニトリ
ル系、フロピレンカーボネート系等電解質と電解重合す
る芳香族化合物を溶解できる溶剤を、導電化する絶縁性
高分子フィルムに合わせて選ぶ。この選択は、電解溶液
が絶縁性高分子フィルムを溶かすことなく、フィルム中
を芳香族化合物と電解質アニオンを拡散させて、重合を
進行させるようＫする必要がある。

パターン状に導電性部位を持つ電極は、適当な導体面上
に、リソグラフィ技術を適用して作製できる。電極表面
の材質としては、金、白金、パラジウム等の貴金属、ニ
ッケル、クロム、ステンレス等の卑金属、酸化スズ、酸
化インジウム、スズ−インジウム酸化物（ＩＴＯ）等の
導電性金属酸化物が使用できる。また、上記の材質を組
合わせたり、絶縁物基板上に薄膜として堆積させたもの
も使用できる。リングラフィ技術として、最も良く利用
されるホトリソグラフィで電極表面を加工する場合を説
明すると、電極基板上に適当な絶縁体層を設け、その上
にレジスト材を塗布し、所望のパターンを有するホトマ
スクを用いてレジスト層にパターンを露光し、現像した
後、絶縁体層をエツチング加工する。

第３図は本発明のパターン状に導電性を有する高分子フ
ィルムを形成するための、電解重合用の電極の構造を示
す断面概略図である。第３図において、３−ａは導電体
上に絶縁体でパターン化した電極を、３−ｂは導電体で
パターン化した電極を示し、符号５は基板（絶縁性）、
６は導電性電極層、７はパターン化した絶縁体層そして
８はパターン化した導電体層を示す。

このようＫして、第３図３−ａのような、導体面上にパ
ターン化した絶縁体を持つ電極を作製できる。絶縁体層
としては、ＥｌｉＯ、ｅｉｏｌ、ム４０ｍ、！Ｊンガラ
ス（Ｐｌ？Ｇ）等の絶縁性酸化物、ｓｌ、ｘ、、ＢＮ等
の絶縁性窒化物等を蒸着、スパッタリング、ｏｖｎ法で
形成できる。また、ポリイミド等の絶縁膜、８１０ｍ、
Ａ／、ｏ、等の絶縁性の粉末の焼結体等、各種の絶縁体
も使用できる。また、いわゆる、リフトオフ法、す々わ
ち、電極の導体上にレジストでパターンを描画した後、
この上に絶縁体層を全面に付着させ、残ったレジストを
溶剤で除去して、逆パターンの絶縁体を形成する方法に
よっても、パターン状の絶縁体を有する電極を作製でき
る。また、パターン寸法が大きい場合は、適当なメタル
マスクを介して、電極表面に直接絶縁体パターンを設け
るとともできる。

電極の導電性部位の構成としては、第３図３−ｂのよう
に、絶縁体基板上に直接導体パターンを形成しても良い
。しかし、この構成では、パターンの寸法が小さくなる
と、導体パターンの抵抗が大きくカリ、電解重合の際に
、電圧降下を起こして、重合が均゛−に進まない欠点が
ある。しかし、パターン寸法が大きい場合は第３図３−
ａの構造と本発明の効果に違いけない。

更に、このようなパターン状に導電性部位を有する電極
をドラム状にすることによ）、連続的にパターン状導電
性高分子フィルムを生産することができる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明は電解重合する芳香族化合物、導電化する絶縁性
高分子フィルム、導電性にするパターンの形状、フィル
ムの構造を変化することにより、無限の組合わせがある
。したがって、本発明はこれら実施例に限定されない。

実施例　１表面抵抗１０ΩのＩＴＯ付きガラス基板上に、蒸着によ
りクロムを１５ｎｍの厚さに堆積し、電極の導体とした
。このうえにスパッタリングによシ、８１〜を五５μ惰
の厚さに付着させた。この上にホトレジストムｚ−１３
ｓａ：ｒ（シプレー社製）を２μ愼の厚さにスピンコー
トシ、ホトマスクを用いて、１０．ｐＨのライン、４ｒ
Ｊｐｍのスペースの１次元格子パターンを露光・現像し
た。この基板を、ａＶ、ガスを用いて８１偽をプラズマ
・エツチングし、更に、レジストを除去して、クロム７
１７０表面上に１ｏＰｇ４の９１へラインを５０本／Ｗ
で形成した。

他方、電解重合溶液として、ピロール（１モル／ｌ）、
テトラエチルアンモニウム拳パラトルエンスルホネート
（０，３モル／／）全溶解しり、アセトニトリル−ニト
ロベンゼン（４：１）溶液を調製した。この溶液中で、
上記の加工した電極基板を陽極として、白金メッキした
チタンメツシュを陰極として、２ｖの直流電圧を印加し
て（１，６クーロン／　ｅａｔ　”の電荷量通電し、ピ
ロールの電解重合を行い、基板上の８１０１　Ｋ覆われ
ていない、２μ常の厚さのポリピロールを形成した。こ
の基板上に、ポリ塩化ビニル（分子量＝７０．０００）
のメチルエチルケトン溶液をキャストして、厚さ２０μ
常のポリ塩化ビニルフィルムを形成した。このフィルム
付き電極基板を、前記のピロールの電解溶液中に浸漬し
、白金メッキしたチタンメツシュとの間に１．５ｖの直
流電圧を印加して、ａ１５クーロン／儒１の電荷量でピ
ロールの重合を行った。重合後のフィルムは、エタノー
ルで洗浄、乾燥した後、電極よシけ〈離した。はく離後
の電極上のパターン間には最初に形成したポリピロール
単独膜は、全く残っていなくて、ペースのポリ塩化ビニ
ルフィルムとパターン状ポリピロール単独膜は良好外密
着力を示した。はく離後のフィルムは、電極に接してい
た面（以下、電極面と略す）の格子に平行な方向と、格
子に垂直な方向の表面抵抗を、４端子法で測定した。そ
の結果、平行方向は１５Ω、垂直方向は、２０メガΩ以
上の値を示した。

他方、比較のために、同一の電極基板上に直接２０μ惰
の厚さのポリ塩化ビニルフィルムを形成し、このフィル
ム付き電極上で、上と全く同様に、１．５Ｖの電圧で、
Ｑ、１５クーロンＡ♂の電荷量で、ピロールを電解重合
した。このフィルムの表面抵抗を測定したところ、格子
に平行方向は１５ＫＱ、垂直方向は２０メガΩであった
。

以上のように、パターン状にポリピロール単独膜を形成
したのち、その上に、ポリ塩化ビニル−ポリピロール複
合膜を形成することにょジ、パターン状の導電性フィル
ムの表面抵抗を２桁程度下げることができる。

実施例　２表面抵抗１０ΩのＩＴＯ付きガラス基板上に１蒸着によ
り２０Ωｍの白金を蒸着し、この上にホトレジストムＺ
−１３５０Ｊ（シプレー社製）を３μ情の厚さにスビン
コートシ、ホトマスクを用いて、４０μ慣のライン、１
０μ爲のスペースの１、次元格子パターンを露光・現像
した。この基板上に、８１０を２μ情の厚さに蒸着した
後、メチルエチルケトン中でリフトオフすることによシ
、白金／工ＴＯ表面上ＫＩＱμ憧幅のＥＩｉＯラインを
５０本／、、で形成した。

他方、電解重合溶液として、チオフェン（Ｑ、８モル／
ｌ）、テトラエチルアンモニウム・バーク四レート（［
１２モル／／）を溶解した、アセトニトリル溶液を調製
した。この溶液中で、上記電極基板を陽極として、白金
メッキしたチタンメツシュを陰極として、５ｖの直流電
圧を印加して０．７クーロン／　ｃｍ　”の電荷量通電
し、チオフェンの電解重合を行い、白金／工ＴＯパター
ン表面上に１．８　ｐ悔の厚さのポリチオフェンを形成
した。この基板上に、ポリ塩化ビニリデンのシクロヘキ
サノン溶液をキャストして、厚さ３０μ惰のポリ堪化ビ
ニリデンフィルムを形成した。

コノフィルム付！電極を、前記のチオフェンの電解溶液
中に浸漬し、白金メッキしたチタンメツシュとの間に３
ｖの直流電圧を印加して、０．２クーロン／　ｃＩＩＩ
”の電荷量でチオフェンの重合ヲ行った。重合後のフィ
ルムは、エタノールテ洗浄、乾燥した後、電極よシはく
離した。はく離後の電極上のパターン間には最初に形成
したポリチオフェン単独膜は、全く残っていなくて、ポ
リ塩化ビ、ニリデンフィルムとポリチオフェン単独膜は
良好な密着力を示した。はく離後のフィルムは、電極面
の格子に平行な方向と、格子に垂直な方向の表面抵抗を
４端子法で測定した。

その結果、平行方向Ｆｉ１３０Ω、垂直方向は２０メガ
Ω以上の値を示した。

他方、比較のために、同一の電極上に直接３０μ情厚の
ポリ塩化ビニリデンフィルムを形成し、このフィルム付
き電極上で、上と全く同様に、’　　３７の電圧で、０
．２クーロン／　６１ｇ　”の電荷量で、チオフェンを
電解重合した。とのフィルムの表面抵抗を測定したとこ
ろ、ラインに平行方向は６．５にΩ、垂直方向は２０メ
ガΩ以上であった。

以上のように、パターン状にポリチオフェン単独膜を形
成したのち、その上に、ポリ塩化ビニリデン−ポリチオ
フェン複合膜を形成することによシ、パターン状導電性
フィルムの表面抵抗を１桁程度下げることができた。

実施例　３電解重合溶液として、ビロール（１モル／／）、テトラ
エチルアンモニウム・テトラフルオロボレート（α３モ
ル゛／ｌ）を溶解した、アセトニトリル−ニトロベンゼ
ン（４：　１）ｍＨｔ”Ａ製した。この溶液中で、実施
例１と同様な電極基板を陽極として、白金メッキしたチ
タンメツシュを陰極として、２ｖの直流電圧を印加して
０．６クーロン／　ｍ　”の電荷量通電し、ピ四−ルの
電解重合を行い、電極基板の導電性部分上に２μｍの厚
さのポリピロールを形成した。この基板上に、ポリスチ
レン（分子量：　ｅ　ｏ　ｏ、　ｏ　ｏ　ｏ　）のテト
ラヒドロフラン溶液をキャストして、厚さ４５μ常のポ
リスチレンフィルムを形成した。このフィルム付き基板
を、前記のビロールの電解溶液中に浸漬し、白金メッキ
したチタンメツシュとの間に１．５７の直流電圧を印加
して、ロ、３クーロン／　ｃｍ　”の電荷量でビロール
の重合を行った。重合後のフィルムは、エタノールで洗
浄、乾燥した後、電極よシは〈離した。はく離後の電極
上のパターン間には最初に形成したポリピロール単独膜
は、全く残っていなくて、ポリスチレンフィルムとパタ
ーン状ポリピロール単独膜は良好な密着力を示した。は
く離後のフィルムは、電極面の、格子パターンに平行な
方向と、格子に垂直な方向の表面抵抗を４端子法で測定
した。その結果、平行方向は１００、垂直方向は２０メ
ガΩ以上の値を示した。

他方、比較のために１同一の電極基板上に直接１５μ惰
厚のポリスチレンフィルムを形成し、このフィルム付き
電極上で、上と全く同様に、１．５ｖの電圧で、０．３
クーロン／ｃｒＲ鵞の電荷量で、ビロールを電解重合し
、ポリスチレン−ポリピロール複合フィルムを作製した
。このフィルムの表面抵抗を測定したところ、電極面の
格子パターンに平行な方向は２８０Ω、垂直方向は２０
メガΩ以上であった。

以上のように、パターン状にポリピロール単独膜を形成
したのち、その上に、ポリスチレン−ポリピロール複合
膜を形成することによシ、パターン状導電性フィルムの
表面抵抗を１桁程度下げることができた。

実施例　４表面抵抗１０Ωのエテ０付きガラス基板上に１蒸着によ
シ金を１５ｎｍの厚さに堆゛積し、電極の導体とした。

このうえにスパッタリングによシ、ＥｌｉＯｌを５μ慣
の厚さに付着させた。この上にホトレジストＡＺ−１３
５０Ｊ（シプレー社製）を３μ溝の厚さにスピンコート
シ、ホトマスクを用いて、５０μ餌の直径の円パターン
を、縦・横それぞれ、２００μ惰の間隔で露光・現像し
た。この基板を、ＣＦ４ガスを用いてＳｉｎｇをプラズ
マ・エツチングし、更に、レジストを除去して、全７１
７Ｏ表面上に５０ｐｆｎ直径の穴の空いた５１０ｇ層を
形成した。

他方、電解重合溶液として、ビロール（１モル／Ｉ）、
テトラエチルアンモニウム・パラトルエンスルホネー）
（０，５モル＃）ｌ！解した、アセトニトリル−エタノ
ール（４：１）溶液を調製した。この溶液中で、上記電
極基板を陽極として、白金メ′ツキしたチタンメツシュ
を陰極として、５ｖの直流電圧を印加して３クーロン１
５１雪の電荷量通電し、ビロールの電解重合を行い、電
極基板上に９ｐｍの厚さのポリピロールを形成した。こ
の基板上に１ポリフツ化ビニリデン（分子量：１２ＱＯ
ＯＯ）のジメチルホルムアミド溶液をキャストして、厚
さ１２μ琳のポリフッ化ビニリデンフィルムを形成した
。

このフィルム付き基板を、前記のピロールの電解溶液中
に浸漬し、白金メッキしたチタンメツシュとの間に３ｖ
の直流電圧を印加して、Ｑ、８クーロン／　ｅＷｔ”の
電荷量でピロールの重合を行った。重合後のフィルムは
、エタノールで洗浄、乾燥した後、電極よシはく離した
。はく離後の電極上の円形部には最初に形成したポリピ
ロール単独膜は、全く残っていなくて、ポリフッ化ビニ
リデンフィルムとポリピロール単独膜は良好な密着力を
示した。け〈離後のフィルムは、電極面と、溶液に接し
ていた面の両面の表面抵抗と、膜厚方向の抵抗を４端子
法で測定した。

その結果、面内方向は両面共に２０メガΩ以上で、膜厚
方向は２．５０で、膜厚方向にのみ導電性を有するフィ
ルムが得られた。

他方、比較のために１同一の電極基板上に直接１２μ惰
厚のポリフッ化ビニリデンフィルムを形成し、このフィ
ルム付き電極上で、５ｖの電圧で、４クーロン／　ｃｗ
ｒ　”の電荷量で、ピロールを電解重合し、ポリフッ化
ビニリデン−ポリピロール複合フィルムを作製した。こ
のフィルムの電極面と、溶液に接していた面の両面の表
面抵抗と、膜厚方向の抵抗を４端子法で測定した。

その結果、面内方向は両面共に２０メガΩ以上で、膜厚
方向は５５０で、やはり、膜厚方向にのみ導電性を有し
ていた。

以上のように、円形パターン状にポリピロール単独膜を
形成したのち、その上に、ポリフッ化ビニリデン−ポリ
ピロール複合膜を形成することにより、膜厚方向の抵抗
を１桁程度下げた、膜厚方向にのみ導電性を有するフィ
ルムを得ることができた。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、所望のパターン
状に導電性部位を有する電極上でまず芳香族化合物の単
独の電解重合体層を形成し、次いで、この上に絶縁性高
分子フィルムを密着させて芳香族化合物の電解重合を行
って、絶縁性高分子フィルム−電解重合体複合層を形成
することによシ、電気抵抗の低い、パターン状複合導電
性フィルムが得られる利点がある。このフィルムは、フ
レキシブル電極、帯電防止用のフィルム、端末機器の入
出力用コネクターを始め、多くの産業上の利用分野があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のパターン状に導電性を有する高分子フ
ィルムの構造を示す断面概略図、第２図は本発明のパタ
ーン状に導電性を有する高分子フィルムの製造方法の工
程図、そして第３図は本発明のパターン状に導電性を有
する高分子フィルムを形成するための、電解重合用の電
極の構造を示す断面概略図である。１−ａ：パターン部の複合層全体が導電性のフィルム１−ｂ：パターン部の複合層の片面のみ導電性のフィル
ム３−ａ：導電体上に絶縁体でパターン化した電極３−ｂ：導電体でパターン化した電極１：芳香族化合物の単独の電解重合体層、２：絶縁性高
分子フィルムと芳香族化合物の電解重合体の複合層、３
：絶縁性高分子フィルム、４：パターン状に加工した電
極、５：基板（絶縁性）、６：導電性電極層、７：パタ
ーン化した絶縁体層、８：パターン化した導電体層

Claims

【特許請求の範囲】１、絶縁性高分子フィルム中に所望のパターン状に導電
性部位が形成されている高分子フィルムにおいて、導電
性部位が芳香族化合物の電解重合体から成る導電性の層
と、絶縁性高分子フィルム中に芳香族化合物の電解重合
体が混入して成る層とが、積層されてなることを特徴と
するパターン状に導電性を有する高分子フィルム。２、所望のパターン形状に導電性部位を有する電極上に
芳香族化合物の電解重合により電解重合体を形成する工
程、該電解重合体層付き電極上に絶縁性高分子フィルム
を密着させる工程、該高分子フィルム付き電極上での芳
香族化合物の電解重合により、電解重合体を高分子フィ
ルム中に混入させる工程の各工程を包含して成ることを
特徴とするパターン状に導電性を有する高分子フィルム
の製造方法。