JPS6136360A - 透明性に優れた導電性高分子フイルム及びその製造方法 - Google Patents
透明性に優れた導電性高分子フイルム及びその製造方法Info
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- JPS6136360A JPS6136360A JP59155605A JP15560584A JPS6136360A JP S6136360 A JPS6136360 A JP S6136360A JP 59155605 A JP59155605 A JP 59155605A JP 15560584 A JP15560584 A JP 15560584A JP S6136360 A JPS6136360 A JP S6136360A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、改良された透明性の良い導電性高分子フィル
ム及びその製造力＠に関する。
ム及びその製造力＠に関する。
ある種の芳香族化合物は電鮮質會添加した溶剤中［！解
させ、電解酸化を行うことにより、導電性の高分子フィ
ルム全電極基板上に形成させることができる。このよう
な芳香族化合物としてはビロール類、チオフェン類等の
複素環式化合物、アズレン、ピレン％１１フェニレン等
の多環芳香族化合物が知られている〔例えばＪ。
させ、電解酸化を行うことにより、導電性の高分子フィ
ルム全電極基板上に形成させることができる。このよう
な芳香族化合物としてはビロール類、チオフェン類等の
複素環式化合物、アズレン、ピレン％１１フェニレン等
の多環芳香族化合物が知られている〔例えばＪ。
バーボン（Ｊ、 Ｂａｒｇｏｎ ）、８．モーマッド（
８，Ｍｏｈ−ｍａＭ ）、Ｒ，Ｊ、クオルトマ７ （Ｒ
ｊ、 Ｗａｌｔｍａｎ ）、ＩＢＭ ジャーナル オ
プ リサーチ エンドデベロップメント（ＩＢＭ Ｊｏ
ｕｒｎａｌｏｆ Ｒｅ５ｅａｒｃｈ＆ Ｄｅｖｅｌｏｐ
ｍｅｎｔ ）第２７巻 第４号 第３３０頁（１９８５
年ン参照〕。
８，Ｍｏｈ−ｍａＭ ）、Ｒ，Ｊ、クオルトマ７ （Ｒ
ｊ、 Ｗａｌｔｍａｎ ）、ＩＢＭ ジャーナル オ
プ リサーチ エンドデベロップメント（ＩＢＭ Ｊｏ
ｕｒｎａｌｏｆ Ｒｅ５ｅａｒｃｈ＆ Ｄｅｖｅｌｏｐ
ｍｅｎｔ ）第２７巻 第４号 第３３０頁（１９８５
年ン参照〕。
しかしながら、従来の電極基板上に直接電解酸化して形
成し良導電性高分子フィルムは以下のような欠点があつ
几。
成し良導電性高分子フィルムは以下のような欠点があつ
几。
（１） フィルムの機械的な強度が弱い九め、特に薄
膜状態では基板上でも、また、フィルムとして単離した
状態でも破れやすく取扱いが困難であった。
膜状態では基板上でも、また、フィルムとして単離した
状態でも破れやすく取扱いが困難であった。
（２ン 電気伝導度を制御することが困難であった。
（３） フィルムの成形性に劣っていた。
（４） 可視光の透過率が著しく低かった。
これらの欠点を除去するため、本発明者等は、既に新し
い導電性フィルムとその製造方法全開発した（特願昭５
８−１８６９９１号、同５８−２１３２０１号、同５８
−２１３２０５号、同５８−２１３２０４号）。すなわ
ち、電解重合による導電性高分子フィルムは通常電極基
板金、アセトニトリル等の有機溶媒中に電解重合用モノ
マーとなる芳香族系化合物と通電させるための電解質と
金浴解させた浴液中に、対向電極と共に入れ、両電極間
に通電させることにより形成される。この際、電極基板
を絶縁性の高分子フィルムでコーティングすれば、当然
通電できず導電性フィルム強度く形成されない。しかし
ながら、本発明者等は電極基板上に各種の高分子フィル
ムを塗布し、これｔＳ解させることのない適切な電解反
応溶液を組合せることによＶｔｔ解反応が通常の電極上
と同様に進むこと全見出した。この方法音用いることに
より、フィルム強度、均−性等が改良され７を種々の導
電性高分子フィルムを得ることができ、ま几電気伝導度
の制御も可能である。
い導電性フィルムとその製造方法全開発した（特願昭５
８−１８６９９１号、同５８−２１３２０１号、同５８
−２１３２０５号、同５８−２１３２０４号）。すなわ
ち、電解重合による導電性高分子フィルムは通常電極基
板金、アセトニトリル等の有機溶媒中に電解重合用モノ
マーとなる芳香族系化合物と通電させるための電解質と
金浴解させた浴液中に、対向電極と共に入れ、両電極間
に通電させることにより形成される。この際、電極基板
を絶縁性の高分子フィルムでコーティングすれば、当然
通電できず導電性フィルム強度く形成されない。しかし
ながら、本発明者等は電極基板上に各種の高分子フィル
ムを塗布し、これｔＳ解させることのない適切な電解反
応溶液を組合せることによＶｔｔ解反応が通常の電極上
と同様に進むこと全見出した。この方法音用いることに
より、フィルム強度、均−性等が改良され７を種々の導
電性高分子フィルムを得ることができ、ま几電気伝導度
の制御も可能である。
′また、この方法で絶縁性の高分子フィルム全導電化す
る際、電解重合時間？短くすると、電気伝導度は余り高
くできないが、高い透光率金有する半導性フィルムが得
られる。これらのフィルムは高透過率帯電防止用フィル
ム等の産業上有益な利用が期待できる。
る際、電解重合時間？短くすると、電気伝導度は余り高
くできないが、高い透光率金有する半導性フィルムが得
られる。これらのフィルムは高透過率帯電防止用フィル
ム等の産業上有益な利用が期待できる。
しかし２０μｍ以上の実用的な膜厚になると、ｍ解重合
時間が短い場合は、電極面に接触しているフィルム面の
み導電性になり、フィルム全体全導電性にできず、高透
過率半導体フィルムとして使用する際に問題が多い。
時間が短い場合は、電極面に接触しているフィルム面の
み導電性になり、フィルム全体全導電性にできず、高透
過率半導体フィルムとして使用する際に問題が多い。
他方、このような膜厚で反対面まで導電性を伺与しよつ
とすると、電解重合時間を長くせざるｔ得す、したがっ
て透光率が低下してくる。
とすると、電解重合時間を長くせざるｔ得す、したがっ
て透光率が低下してくる。
本発明は前記従来技術の問題点を解決するためになされ
たものであり、その目的は透明性に優れた導電性高分子
フィルム及びその製造方法全提供することにある。
たものであり、その目的は透明性に優れた導電性高分子
フィルム及びその製造方法全提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明は透明性に優
れ良導電性高分子フィルムに関する発明であって、高分
子フィルム中に芳香族化合物の電解重合体が複合された
導電性高分子フィルムにおいて、規則的な細線状の高導
電性部位金有すること全特徴とする。
れ良導電性高分子フィルムに関する発明であって、高分
子フィルム中に芳香族化合物の電解重合体が複合された
導電性高分子フィルムにおいて、規則的な細線状の高導
電性部位金有すること全特徴とする。
そして、本発明の第２の発明は、透明性に優れ良導電性
高分子フィルムの製造方法に関する極上で芳香族化合物
の電解重合全行５工程、及び電解重合後のフィルムを該
電極からはく離する工程の各工程を包含することを特徴
とする。
高分子フィルムの製造方法に関する極上で芳香族化合物
の電解重合全行５工程、及び電解重合後のフィルムを該
電極からはく離する工程の各工程を包含することを特徴
とする。
高分子フィルム全密着した電極上で、芳香族化合物の電
解重合を行い、高分子フィルムと芳香族化合物の電解重
合体が複合化され良導電性高分子フィルムｋ ４Ｊ ６
際に、電極の端部や欠陥のある部分で電流の集中が起り
、電解重合がより早く進行し、フィルムの電気伝導度に
著しい不均一が生じる。
解重合を行い、高分子フィルムと芳香族化合物の電解重
合体が複合化され良導電性高分子フィルムｋ ４Ｊ ６
際に、電極の端部や欠陥のある部分で電流の集中が起り
、電解重合がより早く進行し、フィルムの電気伝導度に
著しい不均一が生じる。
本発明者等は、この現象全利用し、このような電流の集
中が生じやすい部分を電極上に規則的に設けることによ
ｐ１光透過率の高い導電性高分子フィルムが得られるこ
とを見出し几。
中が生じやすい部分を電極上に規則的に設けることによ
ｐ１光透過率の高い導電性高分子フィルムが得られるこ
とを見出し几。
以下、本発明全添付図面に基づいて具体的に説明する。
第１図は、本発明の製造方法の１例の工程図である。第
１図において符号１μ電極、２はバタン化され几絶縁体
、５は絶縁性高分子フィルム、４は導電化された高分子
フィルム全意味する。また、第２図に本発明による規則
的な細線状の導通部位？もつ電極バタン０１例の概要図
である。まず、第１図に本発明で使用する電極の代表的
製造例金示す。低抵抗の電極１の表面に、細い線状のギ
ャップを残すようにしてバタン化し几絶縁体２全設は皮
ものであり、この表面に高分子フィルムｔ−ｍ布する。
１図において符号１μ電極、２はバタン化され几絶縁体
、５は絶縁性高分子フィルム、４は導電化された高分子
フィルム全意味する。また、第２図に本発明による規則
的な細線状の導通部位？もつ電極バタン０１例の概要図
である。まず、第１図に本発明で使用する電極の代表的
製造例金示す。低抵抗の電極１の表面に、細い線状のギ
ャップを残すようにしてバタン化し几絶縁体２全設は皮
ものであり、この表面に高分子フィルムｔ−ｍ布する。
このような電極上で芳香族化合物の電解重合を行うと、
細線ギャップ部に電流が集中して電解重合が進行し、フ
ィルム表ＷＪＫまで導電パスが形成てれる。これと同時
に横方向にもわずかに電解重合が進行する。シ九がって
適当な重合時間で電解重合上停止することにより、細線
ギヤラグ近傍部は高導電性で深く着色するものの、ギャ
ップの中間部は、低導電性であるが光透過率を高くでき
る。このため、フィルム全体としては相当の光透過性全
確保でき、とりわけ、これを用いて静電気防止用の透明
フィルム’ｅｌｌ造する際には、内部の物体全十分目視
できる。光透過率は電解重合条件以外に、ａ線ギャップ
部の幅と、そのピッチ間隔を制御することによっても、
変化させることができる。この間隔は、導電化する膜厚
も考慮に入れて適正化する必要がある。
細線ギャップ部に電流が集中して電解重合が進行し、フ
ィルム表ＷＪＫまで導電パスが形成てれる。これと同時
に横方向にもわずかに電解重合が進行する。シ九がって
適当な重合時間で電解重合上停止することにより、細線
ギヤラグ近傍部は高導電性で深く着色するものの、ギャ
ップの中間部は、低導電性であるが光透過率を高くでき
る。このため、フィルム全体としては相当の光透過性全
確保でき、とりわけ、これを用いて静電気防止用の透明
フィルム’ｅｌｌ造する際には、内部の物体全十分目視
できる。光透過率は電解重合条件以外に、ａ線ギャップ
部の幅と、そのピッチ間隔を制御することによっても、
変化させることができる。この間隔は、導電化する膜厚
も考慮に入れて適正化する必要がある。
フィルム面内の電気伝導度と光透過率を均一にするには
、細線ギャップ部全均−に規則的に設けることが必要で
、このためには、第２図のような六角形のハチの巣形や
、六角形のよりな構造に配置するのが有効である。
、細線ギャップ部全均−に規則的に設けることが必要で
、このためには、第２図のような六角形のハチの巣形や
、六角形のよりな構造に配置するのが有効である。
電流の集中を起させる細線状ギャップとしては１０μｍ
以下、特に５μｍ以下が有効である。他方、ギャップ間
のピッチμ、導電性にする高分子フィルムの膜厚＃後が
望ましく、少なくとも２０μｍ以上にしないと十分な光
透過率を示さない場合が多い。
以下、特に５μｍ以下が有効である。他方、ギャップ間
のピッチμ、導電性にする高分子フィルムの膜厚＃後が
望ましく、少なくとも２０μｍ以上にしないと十分な光
透過率を示さない場合が多い。
このような電極は、適当な導体面上に通常のホトリソグ
ラフィ技術を適用して作製できる。
ラフィ技術を適用して作製できる。
電極表面の材質としては、金、白金、パラジウム等の貴
金属あるいは酸化スズ、酸化インジウム等の導電性金属
酸化物、あるいは、クロム、ニッケル、ステンレス等の
卑金属あるいはこれら？組合せたものが使用できる。
金属あるいは酸化スズ、酸化インジウム等の導電性金属
酸化物、あるいは、クロム、ニッケル、ステンレス等の
卑金属あるいはこれら？組合せたものが使用できる。
また、電極導体面に細線状のギャップを設けるための絶
縁体としては、レジスト材そのものが使用できるが、フ
ィルムの作製、引きはがしを繰返すｉとレジストバタン
かはがれやすいため、繰返しの使用に耐えない。この九
め、密着力を高＜ｔ、７ｔＳｉＯや８１０３ 等の絶
縁性酸化物、Ｓｉ、Ｎ、 、ＢＮ等の窒化物を使用した
方が望ましい。
縁体としては、レジスト材そのものが使用できるが、フ
ィルムの作製、引きはがしを繰返すｉとレジストバタン
かはがれやすいため、繰返しの使用に耐えない。この九
め、密着力を高＜ｔ、７ｔＳｉＯや８１０３ 等の絶
縁性酸化物、Ｓｉ、Ｎ、 、ＢＮ等の窒化物を使用した
方が望ましい。
細線状の導通部位を形成するには、このようなパタン全
盲するホトマスクを用い、レジスト層ニハタン全転写し
、これｔ基にリフトオフ又はエツチングにより絶縁体で
バタンを形成する。
盲するホトマスクを用い、レジスト層ニハタン全転写し
、これｔ基にリフトオフ又はエツチングにより絶縁体で
バタンを形成する。
２．０μｎ＠以下のギャップ全形成するＫは電子ビーム
露光やＸｌｊ転写技術を使用すればよい。
露光やＸｌｊ転写技術を使用すればよい。
本発明で導電性にできる高分子フィルムとしてはポリ塩
化ビニル系樹脂、すなわち、ポリ塩化ビニル及び塩化ビ
ニルと各種ビニルエステル類、ビニルエーテル類、アク
リル酸及びそのエステル類、メタクリル酸及びそのエス
テル類、マレイン酸及びそのエステル類、フマル酸及び
そのエステル類、無水マレイン酸、スチレンを始めとす
る芳香族ビニル化合物、ノ・ロゲン化ビニリデン化合物
、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、プロピレン
等のモノマーとの共重合体が使用で′ｆ！る。′また、
塩化ビニリデンと各檀ビニルエステル、ビニルエーテル
、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、塩化ビニル
等の共重合体、また、ポリエチレン及びエチレンと上記
各種モノマーとの共重合体も使用できる。
化ビニル系樹脂、すなわち、ポリ塩化ビニル及び塩化ビ
ニルと各種ビニルエステル類、ビニルエーテル類、アク
リル酸及びそのエステル類、メタクリル酸及びそのエス
テル類、マレイン酸及びそのエステル類、フマル酸及び
そのエステル類、無水マレイン酸、スチレンを始めとす
る芳香族ビニル化合物、ノ・ロゲン化ビニリデン化合物
、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、プロピレン
等のモノマーとの共重合体が使用で′ｆ！る。′また、
塩化ビニリデンと各檀ビニルエステル、ビニルエーテル
、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、塩化ビニル
等の共重合体、また、ポリエチレン及びエチレンと上記
各種モノマーとの共重合体も使用できる。
また用途により、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビ
ニル、ポリカーボネート類、各種ナイロン類、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエーテルイミド、ポリスルホ
ン、ポリイミド類、各種ゴム類も使用できる。
ニル、ポリカーボネート類、各種ナイロン類、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエーテルイミド、ポリスルホ
ン、ポリイミド類、各種ゴム類も使用できる。
更に以上の樹脂に可塑剤、熱、安定剤、滑剤、紫外線吸
収剤、防鍾剤、顔料、染料、界面活性剤等全配合したフ
ィルムも使用できる。
収剤、防鍾剤、顔料、染料、界面活性剤等全配合したフ
ィルムも使用できる。
また、電解重合できる芳香族化合物としては、ビロール
、５−メチルビロール、Ｎ−／？ルビロール、チオフェ
ン、６−メチルチオフェン、フラン、フェノール、チオ
フェノール、セレノフェン、テルロフェン、ビフェニル
、アズレン、ｐ−１−フェニル、０−ターフェニル、ｐ
−クォータフェニル、２−ヒドロキシピフェニル、ジフ
ェニルスルフィド、２−（α−チェニル）チオフェン、
２−（α−チェニルンフラン、２−（２−ピロリル）ビ
ロール、２−（２−ピロリル）チオフェン、２−フェニ
ルチオフェン、α−チェニルフェニルエーテル、β−フ
リル−α−チェニルセレニド、２−（２−ピロリル）セ
レノフェン、２−（２−セレニエニル）テルロフェン、
Ｎ−ビニルカルバゾール、Ｎ−エチニルカルバゾール、
メチルアズレン、ピレン等の芳香族化合物が使用できる
。ま友、芳香族化合物ではないが各種置換ブタジェン化
合物も使用できる。
、５−メチルビロール、Ｎ−／？ルビロール、チオフェ
ン、６−メチルチオフェン、フラン、フェノール、チオ
フェノール、セレノフェン、テルロフェン、ビフェニル
、アズレン、ｐ−１−フェニル、０−ターフェニル、ｐ
−クォータフェニル、２−ヒドロキシピフェニル、ジフ
ェニルスルフィド、２−（α−チェニル）チオフェン、
２−（α−チェニルンフラン、２−（２−ピロリル）ビ
ロール、２−（２−ピロリル）チオフェン、２−フェニ
ルチオフェン、α−チェニルフェニルエーテル、β−フ
リル−α−チェニルセレニド、２−（２−ピロリル）セ
レノフェン、２−（２−セレニエニル）テルロフェン、
Ｎ−ビニルカルバゾール、Ｎ−エチニルカルバゾール、
メチルアズレン、ピレン等の芳香族化合物が使用できる
。ま友、芳香族化合物ではないが各種置換ブタジェン化
合物も使用できる。
また、電解重合時の電解質としては有機第４級アンモニ
ウム塩、無機塩、プロトン散及びエステル等種々の化合
物が使用できる。溶剤としてはアセトニトリル系のもの
全通常使用するプζ芳香族化合物の電解重合が可能で、
適当な電解質を溶解させるものであれば選択できる。
ウム塩、無機塩、プロトン散及びエステル等種々の化合
物が使用できる。溶剤としてはアセトニトリル系のもの
全通常使用するプζ芳香族化合物の電解重合が可能で、
適当な電解質を溶解させるものであれば選択できる。
以下、本発ＢＡ全実施例により更に具体的に説明するが
、本発明は高分子フィルム材、電解重合する芳香族化合
物の種類、フィルムの構造等全変化することにより無限
の組合せがある。したがって本発明はこれら実施例に限
定されない。
、本発明は高分子フィルム材、電解重合する芳香族化合
物の種類、フィルムの構造等全変化することにより無限
の組合せがある。したがって本発明はこれら実施例に限
定されない。
実施例１
表面抵抗１０Ω／−のネサガラス基板を電極として用い
た。この上にホトレジストムＺ−１５５０Ｊ（シプレー
社製） ｉ １．２μｍの厚さにスピンコードし、第２
図のような形状で２μｍの線幅、１８μｍの間隔のバタ
ンをもつホトマスクを用いて、密着露光でバタンを転写
した。Ｙシストを現俸後、５Ｉｏｙ熱蒸着でα２５μｍ
厚に蒸着し、アセトン中でリフトオフすることによりネ
サガラス基板面を約２μｍ幅のギャップを残して８１０
で絶縁化した。
た。この上にホトレジストムＺ−１５５０Ｊ（シプレー
社製） ｉ １．２μｍの厚さにスピンコードし、第２
図のような形状で２μｍの線幅、１８μｍの間隔のバタ
ンをもつホトマスクを用いて、密着露光でバタンを転写
した。Ｙシストを現俸後、５Ｉｏｙ熱蒸着でα２５μｍ
厚に蒸着し、アセトン中でリフトオフすることによりネ
サガラス基板面を約２μｍ幅のギャップを残して８１０
で絶縁化した。
この上にポリフッ化ビニリデンのＮ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド溶液ｔキャストし、厚さ２０μｍのポリフッ化
ビニリデンフィルムを形成した。
ムアミド溶液ｔキャストし、厚さ２０μｍのポリフッ化
ビニリデンフィルムを形成した。
他方、電解重合溶液として、ビロール（１，２モル／ｌ
）、テトラエチルアンモニウムテトラフルオロポレート
（α５モル／ｌ ） ｔ−ｔむアセトニトリル−エチル
アルコール（２：１）溶液を調製した。
）、テトラエチルアンモニウムテトラフルオロポレート
（α５モル／ｌ ） ｔ−ｔむアセトニトリル−エチル
アルコール（２：１）溶液を調製した。
この溶液中に前記フィルム付電極を浸漬し、白金メツシ
ュ全対向電極として５ｖで２分間ビロールの電解重合金
行った。
ュ全対向電極として５ｖで２分間ビロールの電解重合金
行った。
電解重合後、フィルムは電極より容易にはく離でき、フ
ィルムの抵抗と６００ｎｍでの光透過率を測定したとこ
ろ表１のような結果が得られた。
ィルムの抵抗と６００ｎｍでの光透過率を測定したとこ
ろ表１のような結果が得られた。
表 １
１１１ 電極面に接した面金裏面、その反対面を表面
とする。また、口は１画角 を意味する。（以下同じ） ！！１から明らかなように、低い面抵抗と高い光透過率
？あわせもつ導電性高分子フィルムが得られ、また、フ
ィルムの膜厚方向に本導電性全有していた。
とする。また、口は１画角 を意味する。（以下同じ） ！！１から明らかなように、低い面抵抗と高い光透過率
？あわせもつ導電性高分子フィルムが得られ、また、フ
ィルムの膜厚方向に本導電性全有していた。
実施例２
実施例１で用い几電極と同一の電極を用い、ポリ塩化ビ
ニルのテトラヒドロフラン−メチルエテルケトン混合溶
液を中ヤストレ、厚さ５５μｍ のフィルムを形成し几
。
ニルのテトラヒドロフラン−メチルエテルケトン混合溶
液を中ヤストレ、厚さ５５μｍ のフィルムを形成し几
。
このフィルム付基板を、白金／ツシュ対向電極と共にチ
オフェン（１モル／１）、テトラエテルアンモニウムバ
ークロレート（＋ｌＬ５モル／ｌ ） ｆｆｉ含ｔｒア
セトニトリル−ニトロベンゼン（１：１）溶液に浸漬し
、２分間ａｏｖでチオフェンの電解重合を行った。この
フィルムは、電極基板より容易にはく離でき、電気伝導
度と光透過率（６００ｎｍ）ｔ″求めたところ、表２の
ような結果が得られ几。
オフェン（１モル／１）、テトラエテルアンモニウムバ
ークロレート（＋ｌＬ５モル／ｌ ） ｆｆｉ含ｔｒア
セトニトリル−ニトロベンゼン（１：１）溶液に浸漬し
、２分間ａｏｖでチオフェンの電解重合を行った。この
フィルムは、電極基板より容易にはく離でき、電気伝導
度と光透過率（６００ｎｍ）ｔ″求めたところ、表２の
ような結果が得られ几。
表 ２
表２から明らかなように、５５μｍの比較的厚いフィル
ムでも両面だけでなく膜厚方向にも導電性を有し、高い
光透過率のフィルムが得られた。
ムでも両面だけでなく膜厚方向にも導電性を有し、高い
光透過率のフィルムが得られた。
以上説明したように、本発明に従って、規則的な細線状
の導通部位を有する電極上に高分子フィルム全密着させ
て、芳香族化合物の電解重合を行うと、細線状の導通部
位に接した高分子フィルム部から速かに導電性の電解重
合体が生成し、フィルム全体を導電性にする。こうして
得られたフィルム扛細線部に接した部分は、深い着色が
みられるものの電解重合条件全適正に設定することによ
り全体としては光透過率の高いフィルムが得られる利点
がある。このよつな光透過率の高い導電性フィルムは静
電気防止用包装フィルム、入出力機器用透明導電性フィ
ルム等の産業上の有益な利用分野がある。
の導通部位を有する電極上に高分子フィルム全密着させ
て、芳香族化合物の電解重合を行うと、細線状の導通部
位に接した高分子フィルム部から速かに導電性の電解重
合体が生成し、フィルム全体を導電性にする。こうして
得られたフィルム扛細線部に接した部分は、深い着色が
みられるものの電解重合条件全適正に設定することによ
り全体としては光透過率の高いフィルムが得られる利点
がある。このよつな光透過率の高い導電性フィルムは静
電気防止用包装フィルム、入出力機器用透明導電性フィ
ルム等の産業上の有益な利用分野がある。
第１図は本発明の製造方法の１例の工程図、第２図は本
発明による規則的な細線状の導通部位にもつ電極パタン
の１例の概要図である。 １：電極、２：バタン化された絶縁体、５：絶縁性高分
子フィルム、４：導電化された高分子フィルム
発明による規則的な細線状の導通部位にもつ電極パタン
の１例の概要図である。 １：電極、２：バタン化された絶縁体、５：絶縁性高分
子フィルム、４：導電化された高分子フィルム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高分子フィルム中に芳香族化合物の電解重合体が複
合された導電性高分子フィルムにおいて、規則的な細線
状の高導電性部位を有することを特徴とする透明性に優
れた導電性高分子フィルム。 ２、規則的な細線状の導通部位を有する電極上に高分子
フィルムを密着させる工程、該フィルム付電極上で芳香
族化合物の電解重合を行う工程、及び電解重合後のフィ
ルムを該電極からはく離する工程の各工程を包含するこ
とを特徴とする透明性に優れた導電性高分子フィルムの
製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59155605A JPS6136360A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 透明性に優れた導電性高分子フイルム及びその製造方法 |
| EP19850303589 EP0162706B1 (en) | 1984-05-22 | 1985-05-21 | Polymer film with conductive pattern and method of manufacturing the same |
| DE8585303589T DE3581835D1 (de) | 1984-05-22 | 1985-05-21 | Folie aus polymerisiertem kunststoff mit leitendem muster und verfahren zur herstellung derselben. |
| US06/736,491 US4608129A (en) | 1984-05-22 | 1985-05-21 | Polymer film with conductive pattern and method of manufacturing the same |
| CA000482107A CA1243736A (en) | 1984-05-22 | 1985-05-22 | Polymer film with conductive pattern and method of manufacturing the same |
| KR1019850003528A KR900003155B1 (ko) | 1984-05-22 | 1985-05-22 | 패턴상 도전성을 갖는 고분자 필름과 그 제조방법 |
| US07/243,242 US4898766A (en) | 1984-05-22 | 1988-09-08 | Polymer film with conductive pattern and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59155605A JPS6136360A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 透明性に優れた導電性高分子フイルム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6136360A true JPS6136360A (ja) | 1986-02-21 |
Family
ID=15609675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59155605A Pending JPS6136360A (ja) | 1984-05-22 | 1984-07-27 | 透明性に優れた導電性高分子フイルム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6136360A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010500729A (ja) * | 2006-08-16 | 2010-01-07 | サン−ゴバン グラス フランス | 透明電極 |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP59155605A patent/JPS6136360A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010500729A (ja) * | 2006-08-16 | 2010-01-07 | サン−ゴバン グラス フランス | 透明電極 |
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