JPH012208A - 異方導電性フィルムおよびその製法 - Google Patents
異方導電性フィルムおよびその製法Info
- Publication number
- JPH012208A JPH012208A JP62-155350A JP15535087A JPH012208A JP H012208 A JPH012208 A JP H012208A JP 15535087 A JP15535087 A JP 15535087A JP H012208 A JPH012208 A JP H012208A
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- JP
- Japan
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- electrode
- film
- conductive film
- island
- insulating layer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は多層配線、スイッチ等に有用な異方導電性フィ
ルムに関する。
ルムに関する。
［従来技術］
従来、異方導電性材料としては感圧導電性ゴム等が知ら
れているが、これは圧力を加えることによってのみ異方
導電性が発現するものである。
れているが、これは圧力を加えることによってのみ異方
導電性が発現するものである。
［目 的］
本発明は圧力を加えることなしに常態で異方導電性をも
つフィルム、すなわちフィルム面に垂直な方向に導電性
を有し、平行な方向においては実質的に絶縁性である新
規な異方導電性フィルムを提供することおよびその製法
を提供することを目的とするものである。
つフィルム、すなわちフィルム面に垂直な方向に導電性
を有し、平行な方向においては実質的に絶縁性である新
規な異方導電性フィルムを提供することおよびその製法
を提供することを目的とするものである。
［構 成］
本発明の異方導電性フィルムおよびその製法の構成は次
のとおりでおる。
のとおりでおる。
（１）連続した絶縁性薄膜および該絶縁性薄膜中に島状
に存在する導電性高分子からなることを特徴とする異方
導電性フィルムおよび、（２）電極上に設けられた絶縁
性層を島状パターンにエツチングして電極を島状に露出
させ、あるいは電極を島状に露出させるようにあらかじ
めエツチングされた絶縁性層を電極上に設け、該露出電
極部に電気化学的重合法により導電性高分子層を重合析
出させた後、形成された連続した該絶縁性層おにび該絶
縁性層中に島状に存在する導電性高分子からなる複合層
を該電極から剥離することを特徴とする異方導電性フィ
ルムの製法である。
に存在する導電性高分子からなることを特徴とする異方
導電性フィルムおよび、（２）電極上に設けられた絶縁
性層を島状パターンにエツチングして電極を島状に露出
させ、あるいは電極を島状に露出させるようにあらかじ
めエツチングされた絶縁性層を電極上に設け、該露出電
極部に電気化学的重合法により導電性高分子層を重合析
出させた後、形成された連続した該絶縁性層おにび該絶
縁性層中に島状に存在する導電性高分子からなる複合層
を該電極から剥離することを特徴とする異方導電性フィ
ルムの製法である。
本発明を図面に基づいて説明すると、第１図は本発明の
異方導電性フィルムの一例を示すものであり、図中１は
異方導電性フィルム、３は絶縁性薄膜、４は導電性高分
子である。
異方導電性フィルムの一例を示すものであり、図中１は
異方導電性フィルム、３は絶縁性薄膜、４は導電性高分
子である。
また、第２図は本発明の異方導電性フィルムの製法を説
明する図であり、図中２は電極、Ａはエツチング工程、
Ｂは電解手合工程、Ｃは剥離工程を表わす。
明する図であり、図中２は電極、Ａはエツチング工程、
Ｂは電解手合工程、Ｃは剥離工程を表わす。
本発明の異方導電性フィルムの連続部を構成する絶縁性
薄膜層としては、絶縁性フィルムであればいずれのもの
でもよいが、好ましくは高分子フィルムが用いられる。
薄膜層としては、絶縁性フィルムであればいずれのもの
でもよいが、好ましくは高分子フィルムが用いられる。
モの具体例をあげれば、ポリニスデル、ポリメチルメタ
クリレート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、
ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド
、ポリビニルアルコール、ポリウレタン、ポリビニルブ
チラール、ポリカーポート、ポリエチレン等のポリオレ
フィン、ポリ塩化ビニル等のポリハロゲン化ビニル、ポ
リふつ化ビニリデン等のポリハ［１ゲン化ビニリデン、
セルロース系樹脂等絶縁性の樹脂でフィルム状に成形可
能なしのであればよい。
クリレート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、
ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド
、ポリビニルアルコール、ポリウレタン、ポリビニルブ
チラール、ポリカーポート、ポリエチレン等のポリオレ
フィン、ポリ塩化ビニル等のポリハロゲン化ビニル、ポ
リふつ化ビニリデン等のポリハ［１ゲン化ビニリデン、
セルロース系樹脂等絶縁性の樹脂でフィルム状に成形可
能なしのであればよい。
また、電極との密着性を確保するため、この層は塗布で
形成するのが好ましいが、それが難しい場合は圧着、融
着でも良い。
形成するのが好ましいが、それが難しい場合は圧着、融
着でも良い。
さらにあらかじめ島状パターン化した上記高分子からな
るフィルムを圧着してもよい。
るフィルムを圧着してもよい。
また、感光性ポリイミドとの感光性ポリマーフィルムも
使用できる。
使用できる。
電極との密着性が悪いと電解重合の際、手合物（導電性
高分子）が電極と絶縁層との界面でも成長することがあ
る。
高分子）が電極と絶縁層との界面でも成長することがあ
る。
絶縁性層を島状にパターン化する方法としては、湿式エ
ツチング、打扱き、ドライエツヂング等が使用できる。
ツチング、打扱き、ドライエツヂング等が使用できる。
好ましくはマスクパターンが不要で、かつドライプロセ
スであるレーリ７−エッチングを用いるのがよい。この
方法はＲ，５ｒｉｎｉｖａｓａｎ簀によって開発された
もので、ＩＭｒガスレーザー、アルゴンイオンレーザ−
、エキシマ−レーザー等の強力光源を用いて高分子フィ
ルムを直接エツチングする方法である。
スであるレーリ７−エッチングを用いるのがよい。この
方法はＲ，５ｒｉｎｉｖａｓａｎ簀によって開発された
もので、ＩＭｒガスレーザー、アルゴンイオンレーザ−
、エキシマ−レーザー等の強力光源を用いて高分子フィ
ルムを直接エツチングする方法である。
高分子フィルムのエツヂレグ法に関しては、例えばＡｐ
ｐｌ、Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、４１（６）、５７８（１
９８２） ：同４４．８４９ （１９８４） ： Ｊ、
Ｐｈｙｓ、Ｃｈｅｍ、、 ８８．３０４８（１９８４）
： Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、４５．１０（
１９８４） ：同４５．１１０（１９８４） ； Ｊ、
Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｒｏｌ、、Ａ ３．７４６（
１９８５） ： Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、５８．２
０３６（１９８５） ：同５８、２０９８（１９８５）
等に開示されている。
ｐｌ、Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、４１（６）、５７８（１
９８２） ：同４４．８４９ （１９８４） ： Ｊ、
Ｐｈｙｓ、Ｃｈｅｍ、、 ８８．３０４８（１９８４）
： Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、４５．１０（
１９８４） ：同４５．１１０（１９８４） ； Ｊ、
Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｒｏｌ、、Ａ ３．７４６（
１９８５） ： Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、５８．２
０３６（１９８５） ：同５８、２０９８（１９８５）
等に開示されている。
本発明に使用する電解重合法は、陽）※としてニッケル
、白金、Ｉ−「０、グラファイト等を用いることができ
、陰極も通常の電極が使用できる。
、白金、Ｉ−「０、グラファイト等を用いることができ
、陰極も通常の電極が使用できる。
単量体としては、たとえばピロール、チオフェン、ベン
ゼン、アニリンあるいはそれらの誘導体等、電解重合可
能で、かつ重合物か導電性を示す単量体であればいずれ
のものでもよい。
ゼン、アニリンあるいはそれらの誘導体等、電解重合可
能で、かつ重合物か導電性を示す単量体であればいずれ
のものでもよい。
電解重合法については、例えば、Ｊ。
ＥＩｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、９１３０．Ｎｏ、７
．１５０６〜１５０９（１９８３） ； ＥＩｅｃｔｒ
ｏｃｈｅｍ、Ａｃｔａ、、 ２７ 、Ｎｏ、１．６１〜
６５（１９８２） ； Ｊ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、、Ｃｈ
ｅｍ、Ｃｏｍｕｎ、、１１９９（１９８４）など多数の
文献が知られている。
．１５０６〜１５０９（１９８３） ； ＥＩｅｃｔｒ
ｏｃｈｅｍ、Ａｃｔａ、、 ２７ 、Ｎｏ、１．６１〜
６５（１９８２） ； Ｊ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、、Ｃｈ
ｅｍ、Ｃｏｍｕｎ、、１１９９（１９８４）など多数の
文献が知られている。
電解重合法において用いられる電解質塩としては、Ｌｉ
ＰＦｒ＋、ＬｉＳｂＦ６、Ｌ！ＡＳＦ６．１−ＩＣＩＯ
４、ＮａＣｌＯ４、Ｋｉ ＫＰＦ６ 、ＫＳｂＦ＆ 、
ＫＡＳＦ６、ＫＣｌ ０４ 、ＡＱＢＦ４ 、ＮａＢＦ
４、ＮａＡＳＦ６ 、ＮａＰＦ６、 ［（ｎ−ＢＬＪ） ４ Ｎ コ ”−ＡＳＦ６”
、［（ｎ Ｂｕ）４ Ｎ］” ・ＣｌＯ４−
、ＬｉＡｌＣ１４ａるいはＦｅＣ１ｔ、 ＡｌＣｌ ３ 、ＺｎＣｌ ２、Ａｌ３ｒ：＋、ＢＦ
３などのフリーゾルタラフッ反応に用いられる触媒など
が例示される。ここで、Ｂｕはブチル基を示す。
ＰＦｒ＋、ＬｉＳｂＦ６、Ｌ！ＡＳＦ６．１−ＩＣＩＯ
４、ＮａＣｌＯ４、Ｋｉ ＫＰＦ６ 、ＫＳｂＦ＆ 、
ＫＡＳＦ６、ＫＣｌ ０４ 、ＡＱＢＦ４ 、ＮａＢＦ
４、ＮａＡＳＦ６ 、ＮａＰＦ６、 ［（ｎ−ＢＬＪ） ４ Ｎ コ ”−ＡＳＦ６”
、［（ｎ Ｂｕ）４ Ｎ］” ・ＣｌＯ４−
、ＬｉＡｌＣ１４ａるいはＦｅＣ１ｔ、 ＡｌＣｌ ３ 、ＺｎＣｌ ２、Ａｌ３ｒ：＋、ＢＦ
３などのフリーゾルタラフッ反応に用いられる触媒など
が例示される。ここで、Ｂｕはブチル基を示す。
また、溶媒としては、例えばアセトニトリル、ベンゾニ
トリル、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン
、ジクロルメタン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド
、あるいはニトロメタン、ニトロエタン、ニトロプロパ
ン、ニトロベンゼンなどのニトロ系溶媒などを挙げるこ
とができる。
トリル、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン
、ジクロルメタン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド
、あるいはニトロメタン、ニトロエタン、ニトロプロパ
ン、ニトロベンゼンなどのニトロ系溶媒などを挙げるこ
とができる。
このような出発物質（単量体）、電解質成分、溶媒以外
に、必要に応じてピリジン、２．４．６−コリジン、２
，６−ルチジンなどの電子供与性物質を加えることによ
り成膜性を改善することもできる。
に、必要に応じてピリジン、２．４．６−コリジン、２
，６−ルチジンなどの電子供与性物質を加えることによ
り成膜性を改善することもできる。
以下実施例をあげて本発明をざらに詳細に説明する。
［実施例］
５０ｍｍｘ ５０ｍｍ、厚さ １．１ｍｍ、表面抵抗３
０Ω／口のＩＴＯカラスに厚さ１０μｉｎのポリエステ
ルフィルム（東洋紡パイロン２００）を浸漬法により塗
イロした、その後ＡｒＦエキシマレーザ−（１９３ｎｍ
、 ５００ｍＪ ／パルス、スポットリーイズ５ｃｍ’
、１ ｔ−１２）とレンズ、マスクを用いて１０μｍ
角の島状エツチングパターンを１０μＩ１１おきに形成
した。この時のポリエステルフィルム而におけるパワー
は３００ｍＪ／Ｃｍ２で、１０μｍのエツチング終了ま
で約２分（面積１ｃｍ２： １ｃｍ角）を必要とした
。この様にして得られた島状パターンフィルム７１丁０
電極（２１層体を陽極とし、Ｎｉ板（５ｘ ５ｃｍ）を
陰惨として、ピロールＯ，ＩＭ １パラトルエンスルホ
ンｐｏ、ＩＭ、水：アセ１〜ニル１対１の系で定電圧（
４ｖ）電解を実施した。約３０分後、通電電荷ｂｉ３ク
ーロン／ｃｍ２でエツヂング部がほぼ完全に電ＶＲ−中
合膜で埋められた。この様にして得れた導電性ポリピロ
ール／パターン化ポリエステルフィルム／ＩＴＯ電極複
合体を電解液よりとり出しアセトニトリル回洗浄した後
、乾燥器で５０’Ｃ １ ｈｒ乾燥し、電極基板より異
方導電性フィルムを剥離した。
０Ω／口のＩＴＯカラスに厚さ１０μｉｎのポリエステ
ルフィルム（東洋紡パイロン２００）を浸漬法により塗
イロした、その後ＡｒＦエキシマレーザ−（１９３ｎｍ
、 ５００ｍＪ ／パルス、スポットリーイズ５ｃｍ’
、１ ｔ−１２）とレンズ、マスクを用いて１０μｍ
角の島状エツチングパターンを１０μＩ１１おきに形成
した。この時のポリエステルフィルム而におけるパワー
は３００ｍＪ／Ｃｍ２で、１０μｍのエツチング終了ま
で約２分（面積１ｃｍ２： １ｃｍ角）を必要とした
。この様にして得られた島状パターンフィルム７１丁０
電極（２１層体を陽極とし、Ｎｉ板（５ｘ ５ｃｍ）を
陰惨として、ピロールＯ，ＩＭ １パラトルエンスルホ
ンｐｏ、ＩＭ、水：アセ１〜ニル１対１の系で定電圧（
４ｖ）電解を実施した。約３０分後、通電電荷ｂｉ３ク
ーロン／ｃｍ２でエツヂング部がほぼ完全に電ＶＲ−中
合膜で埋められた。この様にして得れた導電性ポリピロ
ール／パターン化ポリエステルフィルム／ＩＴＯ電極複
合体を電解液よりとり出しアセトニトリル回洗浄した後
、乾燥器で５０’Ｃ １ ｈｒ乾燥し、電極基板より異
方導電性フィルムを剥離した。
このフィルムの電気抵抗を測定したところ、フィルム而
に垂直な方向で５Ｘ１０−’Ω・ｃｍ１平行な方向で１
０１５Ω・ｃｍてあった。この場合測定用電極の大きさ
は当然１０μｍ角以上必要で、これ以下では測定値にバ
ラツキが生じる。
に垂直な方向で５Ｘ１０−’Ω・ｃｍ１平行な方向で１
０１５Ω・ｃｍてあった。この場合測定用電極の大きさ
は当然１０μｍ角以上必要で、これ以下では測定値にバ
ラツキが生じる。
［効 果］
以上説明したことから明らかなように、本発明の構成に
よれば、圧力を加えることなく、多層配線、スイッチ等
に有用な、常態で異方導電性フィルムを容易にしかも確
実に１ｑることかできる。
よれば、圧力を加えることなく、多層配線、スイッチ等
に有用な、常態で異方導電性フィルムを容易にしかも確
実に１ｑることかできる。
第１図は本発明の異方導電性フィルムの一例を示す図、
第２図は本発明の異方導電性フィルムの製法を説明する
図。 １・・・異方導電性フィルム、２・・・電極、３・・・
絶縁性簿膜、４・・・導電性高分子。
第２図は本発明の異方導電性フィルムの製法を説明する
図。 １・・・異方導電性フィルム、２・・・電極、３・・・
絶縁性簿膜、４・・・導電性高分子。
Claims (2)
- （１）連続した絶縁性薄膜および該絶縁性薄膜中に島状
に存在する導電性高分子からなることを特徴とする異方
導電性フィルム。 - （２）電極上に設けられた絶縁性層を島状パターンにエ
ッチングして電極を島状に露出させ、あるいは電極を島
状に露出させるようにあらかじめエッチングされた絶縁
性層を電極上に設け、該露出電極部に電気化学的重合法
により導電性高分子層を重合析出させた後、形成された
連続した該絶縁性層および該絶縁性層中に島状に存在す
る導電性高分子からなる複合層を該電極から剥離するこ
とを特徴とする異方導電性フィルムの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62155350A JPS642208A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Aeolotropic conductive film and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62155350A JPS642208A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Aeolotropic conductive film and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH012208A true JPH012208A (ja) | 1989-01-06 |
| JPS642208A JPS642208A (en) | 1989-01-06 |
Family
ID=15603974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62155350A Pending JPS642208A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Aeolotropic conductive film and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS642208A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2074648C (en) * | 1991-07-26 | 1999-02-23 | Hisashi Ishida | Polyimide multilayer wiring substrate and method for manufacturing the same |
-
1987
- 1987-06-24 JP JP62155350A patent/JPS642208A/ja active Pending
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