JPS61140596A - 3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイシンaの製造法 - Google Patents
3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイシンaの製造法Info
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- JPS61140596A JPS61140596A JP59261776A JP26177684A JPS61140596A JP S61140596 A JPS61140596 A JP S61140596A JP 59261776 A JP59261776 A JP 59261776A JP 26177684 A JP26177684 A JP 26177684A JP S61140596 A JPS61140596 A JP S61140596A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Saccharide Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイシン
Aの製造法に関する。
Aの製造法に関する。
本発明者らは、先の特願昭59−161615号(出願
臼:昭和59年g月2日)に新規な半合成アミノ配糖体
抗生物質として3′−フルオロ−3′−デオキシカナマ
イシン人を創製したことを記載し、tたこの新規化合物
の製造のためには、既知物質としての3−デオキシ−3
−フルオロ−1,2;5,6−ジー0−イソプロピリデ
ン−α−り一グルコフラノースから出発して多段階より
なるルートラ経る合成方法を記載した。前記の特許出願
に記載された3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイ
シンAの合成法は煩雑で効率が低いので、カナマイシン
人から出発して3′−フルオロ−31−デオキシカナマ
イシン人を製造する方法を開発することを意図して更に
研究を重ねた。その結果、カナマイシンAから出発して
、カナマイシン人のN、0−保護誘導体として既知(特
開昭55−105699号公報、及び特開昭56−68
698号明細書。
臼:昭和59年g月2日)に新規な半合成アミノ配糖体
抗生物質として3′−フルオロ−3′−デオキシカナマ
イシン人を創製したことを記載し、tたこの新規化合物
の製造のためには、既知物質としての3−デオキシ−3
−フルオロ−1,2;5,6−ジー0−イソプロピリデ
ン−α−り一グルコフラノースから出発して多段階より
なるルートラ経る合成方法を記載した。前記の特許出願
に記載された3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイ
シンAの合成法は煩雑で効率が低いので、カナマイシン
人から出発して3′−フルオロ−31−デオキシカナマ
イシン人を製造する方法を開発することを意図して更に
研究を重ねた。その結果、カナマイシンAから出発して
、カナマイシン人のN、0−保護誘導体として既知(特
開昭55−105699号公報、及び特開昭56−68
698号明細書。
又はr Carbohydr、 Bes、 J 89e
91〜+01頁(1981)参照)である次式 〔式中、 Ta はトシル基を示す〕で示される6′
−N、4’−0−カルボニル−4’、6’−0−シクロ
ヘキシリデン−1,3,3’−1リ−N−トシルカナマ
イシンム〔化合物(4)という〕を調製し、この化合物
(a)をピリジンの存在下に無水のジメチルスルホキシ
ド中で2.5〜5モル比のN−アセチルイミダゾールと
0〜50°Cの温度で反応させると、化合物(a)の3
′−ヒドロキシル基をアセチル化することなく2′−ヒ
ドロキシル基及ヒ2′−ヒドロキシ基のみを選択的にア
セチル化できることを知見した・このように生成された
6’−N 、 4’−0−カルボニル−4’、6’−0
−シクロヘキシリデン−2’、2’−ジーO−アセチル
ー1.3.3’−トリーN−)ジルカナマイシンA〔化
合物(婉という〕は、これをベンジルスルホニルクロラ
イドの如@ ヘ:/ シルスルホニル化剤、メシルクロ
ライドの如きメシル化剤又はトシルクロライドの如きト
シル化剤と無水ピリジン中で50°C以下の温度で反応
すると・化合物(υの5′−ヒドロキシル基が殆んどス
ルホニル化されずに3′−ヒドロキシル基が実質的に選
択的にスルホニル化できること従って3’ −0−スル
ホニル−6’ −N 、 4’ −0−カルボニル−4
1、bl −Q−シクロヘキシリテン−2′−2’−u
−o−食(アセチル−1,3,3’−1リ−N−)シル
ーカナマイシン人〔化合物(C)という〕を生成できる
こと、また化合物(ロ)の3′−ヒドロキシル基の選択
的スルホニル化にはベンジルスルホニル化剤が最も良く
適すること、更にメタル化剤を用いた場合には化ニル化
生成物をクロマトグラフィーの手法で所望のモノ−3’
−0−スルホニル誘導体、即ち化合物(c)から分離で
きることを知見し念。この化合物(e)は、これt−0
〜so’cの反り温度及び10分間〜2時間の反応時間
の範囲で選ばれた温和な反応条件・例えば反応温度を室
温として10〜20分間の反応時間の灰石条件下で、化
合物(e)に対して0.1〜0・8モル比のナトリウム
・メチラートを用い、1〜5%(重量)の濃度でナトリ
ウム・メチラートを含む無水メタノール中でナトリウ、
ム・メチラートで処理すると at、 be−環状力/
I/ ハ)1−ル基及び2’−0−アセチル基が脱離で
き、こうして3′−〇−スルホニルー6’−N、4’−
0’カルボニル−4’、6’−0−シクロヘキシリデン
−1,3゜31−トリーN−トシルカナマイシンA〔化
合物(2)という〕を生戊できることを知見した・更に
、化合物(山は、これt−ooCないしメタノール又は
エタノールの沸点までの反応温度、5分間〜2時間又は
それ以上の反応時間で、化合物(イ)に対して2〜lO
モル比のナトリウム・メチラート又はナトリウム・エチ
ラート又はナトリウム・ベンジレートを用い、1〜5チ
(重量)の濃度でナトリウム・メチラートを含む無水メ
タノール又は1〜5チ(重ik)の濃度でナトリウム・
エチラートを含む無水エタノール中で若しくはベンジル
アルコールの存在下に1〜51t%のナトリウム・ベン
ジレートで処理すると、化合物(ψの3′−スルホニル
オキシ基と2′−ヒドロキシル基とが反応してエポキシ
比を起し、またこれと同時に、化合物(ψの6′−アミ
ノ基と4′−ヒドロキシル基とを架橋していたカド口中
シル基から切れてメタノール、エタノール又はベンジル
アルコールと反応し、6′−アミノ基はエトキクカルボ
ニルアミノ基又はエトキクカルボニルアミノ基又はベン
ジルオキシカルボニルアミノ基の形に転化し、こうして
次式 〔式中、 Ta はトシル基であり、A′ はメト
キクカルボニル基、エトキシカルボニル基又はベンジル
オキシカルボニル基である〕で示される2’、3’カル
ボニル−1,3,3’−)リ−N−)ジルカナマイシン
A〔化合物(e)という〕を生成できることを知見した
。
91〜+01頁(1981)参照)である次式 〔式中、 Ta はトシル基を示す〕で示される6′
−N、4’−0−カルボニル−4’、6’−0−シクロ
ヘキシリデン−1,3,3’−1リ−N−トシルカナマ
イシンム〔化合物(4)という〕を調製し、この化合物
(a)をピリジンの存在下に無水のジメチルスルホキシ
ド中で2.5〜5モル比のN−アセチルイミダゾールと
0〜50°Cの温度で反応させると、化合物(a)の3
′−ヒドロキシル基をアセチル化することなく2′−ヒ
ドロキシル基及ヒ2′−ヒドロキシ基のみを選択的にア
セチル化できることを知見した・このように生成された
6’−N 、 4’−0−カルボニル−4’、6’−0
−シクロヘキシリデン−2’、2’−ジーO−アセチル
ー1.3.3’−トリーN−)ジルカナマイシンA〔化
合物(婉という〕は、これをベンジルスルホニルクロラ
イドの如@ ヘ:/ シルスルホニル化剤、メシルクロ
ライドの如きメシル化剤又はトシルクロライドの如きト
シル化剤と無水ピリジン中で50°C以下の温度で反応
すると・化合物(υの5′−ヒドロキシル基が殆んどス
ルホニル化されずに3′−ヒドロキシル基が実質的に選
択的にスルホニル化できること従って3’ −0−スル
ホニル−6’ −N 、 4’ −0−カルボニル−4
1、bl −Q−シクロヘキシリテン−2′−2’−u
−o−食(アセチル−1,3,3’−1リ−N−)シル
ーカナマイシン人〔化合物(C)という〕を生成できる
こと、また化合物(ロ)の3′−ヒドロキシル基の選択
的スルホニル化にはベンジルスルホニル化剤が最も良く
適すること、更にメタル化剤を用いた場合には化ニル化
生成物をクロマトグラフィーの手法で所望のモノ−3’
−0−スルホニル誘導体、即ち化合物(c)から分離で
きることを知見し念。この化合物(e)は、これt−0
〜so’cの反り温度及び10分間〜2時間の反応時間
の範囲で選ばれた温和な反応条件・例えば反応温度を室
温として10〜20分間の反応時間の灰石条件下で、化
合物(e)に対して0.1〜0・8モル比のナトリウム
・メチラートを用い、1〜5%(重量)の濃度でナトリ
ウム・メチラートを含む無水メタノール中でナトリウ、
ム・メチラートで処理すると at、 be−環状力/
I/ ハ)1−ル基及び2’−0−アセチル基が脱離で
き、こうして3′−〇−スルホニルー6’−N、4’−
0’カルボニル−4’、6’−0−シクロヘキシリデン
−1,3゜31−トリーN−トシルカナマイシンA〔化
合物(2)という〕を生戊できることを知見した・更に
、化合物(山は、これt−ooCないしメタノール又は
エタノールの沸点までの反応温度、5分間〜2時間又は
それ以上の反応時間で、化合物(イ)に対して2〜lO
モル比のナトリウム・メチラート又はナトリウム・エチ
ラート又はナトリウム・ベンジレートを用い、1〜5チ
(重量)の濃度でナトリウム・メチラートを含む無水メ
タノール又は1〜5チ(重ik)の濃度でナトリウム・
エチラートを含む無水エタノール中で若しくはベンジル
アルコールの存在下に1〜51t%のナトリウム・ベン
ジレートで処理すると、化合物(ψの3′−スルホニル
オキシ基と2′−ヒドロキシル基とが反応してエポキシ
比を起し、またこれと同時に、化合物(ψの6′−アミ
ノ基と4′−ヒドロキシル基とを架橋していたカド口中
シル基から切れてメタノール、エタノール又はベンジル
アルコールと反応し、6′−アミノ基はエトキクカルボ
ニルアミノ基又はエトキクカルボニルアミノ基又はベン
ジルオキシカルボニルアミノ基の形に転化し、こうして
次式 〔式中、 Ta はトシル基であり、A′ はメト
キクカルボニル基、エトキシカルボニル基又はベンジル
オキシカルボニル基である〕で示される2’、3’カル
ボニル−1,3,3’−)リ−N−)ジルカナマイシン
A〔化合物(e)という〕を生成できることを知見した
。
なお、化合物(e)に対してナトリウム・メチラート又
はナトリウム・エチラート等を無水メタノ−#又1d無
水エタノール中で反応させる際に、ナトリウム・メチラ
ート又はナトリウム°エチラート・等を作用させる反応
温度1反応時間及び作用濃度。
はナトリウム・エチラート等を無水メタノ−#又1d無
水エタノール中で反応させる際に、ナトリウム・メチラ
ート又はナトリウム°エチラート・等を作用させる反応
温度1反応時間及び作用濃度。
等を高かくすること1等によって1反応条件を前述の適
当条件より苛酷にすると、2’−0−アセチル基及び2
’−0−アセチル基が脱離するが、これと同時に、fヒ
合物(e)から4′°、6’−環状カルバメート部分(
o=c’Q)までが分解して終い、3’−。
当条件より苛酷にすると、2’−0−アセチル基及び2
’−0−アセチル基が脱離するが、これと同時に、fヒ
合物(e)から4′°、6’−環状カルバメート部分(
o=c’Q)までが分解して終い、3’−。
−スルホニル−4# 、 bl −o−シクロヘキシI
77’ ン−l 、 3 、3’−)リーN−トシルカ
ナマイシン人〔化合物(d’)という〕が生成する。こ
の化合物(d′)は、これを、前述の如く化合物(山を
ナトリウム・メチラート又はナトリウム・エチラートで
処理する際と同じ反応条件で、メタノール中ナトリウム
°メチラート又はエタノール中ナトリウム・エチラート
で処理する場合には 21.31−アンヒドロ−4’、
6’−0−シクロヘキシリデン−3′−二一−1,3
,3’−トリーN−)ジルカナマイシン人と3’、4’
−アンヒドロ−41,bl−o−シクロへΦシソー−−
3′−二−−1.3.3’−1−ジ−N−トシルカナマ
イシンAとが混成状態で生成されること、またこれら2
’、3’−エポキシ体と31 、 d′−エポキシ体と
の両者は通常のクロマトグラフィー法では相互に単離で
きないことを認めた・これと同様な混成のエポキシ化反
応は特開昭56−152497号公報と米国特許第4−
359.572号6頁及び8頁に既に示されている・ また、化合物(C)に対して、前述の如き2’−o−ア
セチル基及び2′−0−アセチル基の1選択的脱離のた
めのアルカリ金属アルコレートによる処理を省略したま
ま、化合物(e)の2′−アセトキシ基と3′−スルホ
ニルオΦシ基とが反応してエポキシ化を起すほどの強い
反応条件下で直ちに化合物(→をアルカリ金属アルコレ
ートで処理した場合には、その処理中に4’、6’−環
状カルバメート部分の脱離が化合物(e)で起り、化合
物(d’) t−処理した前述の場合と同様に、 2’
、 3’−エポキシ体と3’、4’−エポキシ体とが混
成状態で生成されて不利である・この3’、4’−エポ
キシ体は1本発明の方法の目的とする3′−フルオ四−
3′−デオ會シカナマイシンAの合成に直接には役立た
ず、またクロマトグラフィー含金的除去も困難であるの
で、 3’、 4’−エポキシ体の副生は好ましくな
い。従って、化合物(a)から化合物(ロ)を生成し、
化合物(ロ)から化合物(→を生成し、化合物(e)か
ら化合物(→を生成するルートを辿ることが、2’、3
’−エボ會シー3′−エピカナマイシン人誘導体の形で
ある化合物(e) t−調製するための効率の高い方法
を提供するのに必要であると認められた・e 更に本発明者は実験を重ねて研究を続けた結果。
77’ ン−l 、 3 、3’−)リーN−トシルカ
ナマイシン人〔化合物(d’)という〕が生成する。こ
の化合物(d′)は、これを、前述の如く化合物(山を
ナトリウム・メチラート又はナトリウム・エチラートで
処理する際と同じ反応条件で、メタノール中ナトリウム
°メチラート又はエタノール中ナトリウム・エチラート
で処理する場合には 21.31−アンヒドロ−4’、
6’−0−シクロヘキシリデン−3′−二一−1,3
,3’−トリーN−)ジルカナマイシン人と3’、4’
−アンヒドロ−41,bl−o−シクロへΦシソー−−
3′−二−−1.3.3’−1−ジ−N−トシルカナマ
イシンAとが混成状態で生成されること、またこれら2
’、3’−エポキシ体と31 、 d′−エポキシ体と
の両者は通常のクロマトグラフィー法では相互に単離で
きないことを認めた・これと同様な混成のエポキシ化反
応は特開昭56−152497号公報と米国特許第4−
359.572号6頁及び8頁に既に示されている・ また、化合物(C)に対して、前述の如き2’−o−ア
セチル基及び2′−0−アセチル基の1選択的脱離のた
めのアルカリ金属アルコレートによる処理を省略したま
ま、化合物(e)の2′−アセトキシ基と3′−スルホ
ニルオΦシ基とが反応してエポキシ化を起すほどの強い
反応条件下で直ちに化合物(→をアルカリ金属アルコレ
ートで処理した場合には、その処理中に4’、6’−環
状カルバメート部分の脱離が化合物(e)で起り、化合
物(d’) t−処理した前述の場合と同様に、 2’
、 3’−エポキシ体と3’、4’−エポキシ体とが混
成状態で生成されて不利である・この3’、4’−エポ
キシ体は1本発明の方法の目的とする3′−フルオ四−
3′−デオ會シカナマイシンAの合成に直接には役立た
ず、またクロマトグラフィー含金的除去も困難であるの
で、 3’、 4’−エポキシ体の副生は好ましくな
い。従って、化合物(a)から化合物(ロ)を生成し、
化合物(ロ)から化合物(→を生成し、化合物(e)か
ら化合物(→を生成するルートを辿ることが、2’、3
’−エボ會シー3′−エピカナマイシン人誘導体の形で
ある化合物(e) t−調製するための効率の高い方法
を提供するのに必要であると認められた・e 更に本発明者は実験を重ねて研究を続けた結果。
ft化合物)は、エチレングリコール、グロピレングリ
コールの如き液状の低級アルキレングリコールを反応媒
質として用いて、化合物(6) tす) +7ウム水素
ジ弗化物又はカリウム水素ジ弗化物と100〜200°
Cの温度で例えば1時間〜約1日間の反応時間反応させ
ると、2’、3’−エポキシ環が開環し且つ3′位が弗
素化されること、及び同時に4′位、6′ 位のヒド
ロキシル保護基(シクロヘキシリデン基)が脱離される
こと、従ってこうして3′−フルオロ−3′−デオキシ
−6′−N−メトキシ(又はエトキシ)カルボニル−1
1i3’−トIJ−N−トシルカナマイシン人〔化合物
(0という〕が生成されることを発見した。このように
エポキシ環の開環に伴って、前記のアルカリ金属水素ジ
弗化物によりカナマイシンA化合物の3′位が弗素化さ
れることri、ステロイド類のエポキシ環及び糖類のエ
ポキシ環に求核性反応試薬を作用させて開環させた時に
求核基が開環生成物中に導入される位置を予言するFH
rst −Plattner、ノ法則(ムdvanee
s in Carbohydrate Chemist
ry andsioehemish 頁e % tic
l 23〜l 24 頁(Acadmic Pres
s社発行)参照)刀1ら見ると異常な現象であると認め
られる・ 前記の化合物(f)は、これの6′−アミノ基及び1−
93−及び3N−アミノ基にシけるアミノ保護基を脱離
させる公知の脱保護法で処理すると、目的の3′−フル
オロ−3’−チオキシカナマイシンA(化合物I)を生
成し九〇また。化合物Ce”)から先づアミノ保護基及
びヒドロキシル保護基を脱離し。
コールの如き液状の低級アルキレングリコールを反応媒
質として用いて、化合物(6) tす) +7ウム水素
ジ弗化物又はカリウム水素ジ弗化物と100〜200°
Cの温度で例えば1時間〜約1日間の反応時間反応させ
ると、2’、3’−エポキシ環が開環し且つ3′位が弗
素化されること、及び同時に4′位、6′ 位のヒド
ロキシル保護基(シクロヘキシリデン基)が脱離される
こと、従ってこうして3′−フルオロ−3′−デオキシ
−6′−N−メトキシ(又はエトキシ)カルボニル−1
1i3’−トIJ−N−トシルカナマイシン人〔化合物
(0という〕が生成されることを発見した。このように
エポキシ環の開環に伴って、前記のアルカリ金属水素ジ
弗化物によりカナマイシンA化合物の3′位が弗素化さ
れることri、ステロイド類のエポキシ環及び糖類のエ
ポキシ環に求核性反応試薬を作用させて開環させた時に
求核基が開環生成物中に導入される位置を予言するFH
rst −Plattner、ノ法則(ムdvanee
s in Carbohydrate Chemist
ry andsioehemish 頁e % tic
l 23〜l 24 頁(Acadmic Pres
s社発行)参照)刀1ら見ると異常な現象であると認め
られる・ 前記の化合物(f)は、これの6′−アミノ基及び1−
93−及び3N−アミノ基にシけるアミノ保護基を脱離
させる公知の脱保護法で処理すると、目的の3′−フル
オロ−3’−チオキシカナマイシンA(化合物I)を生
成し九〇また。化合物Ce”)から先づアミノ保護基及
びヒドロキシル保護基を脱離し。
その後に前述の条件下でアルカリ金属水素ジ弗化物と反
応させる場合にも、3’−フルオロ−3′−デオキシカ
ナマイクンA(Dt−生成できることを認めた・このよ
うにして本発明者は、カナマイシン人から出発して3′
−フルオロ−3′−テオキシヵtマイシンムを合成する
ルートを開発することに成功した。
応させる場合にも、3’−フルオロ−3′−デオキシカ
ナマイクンA(Dt−生成できることを認めた・このよ
うにして本発明者は、カナマイシン人から出発して3′
−フルオロ−3′−テオキシヵtマイシンムを合成する
ルートを開発することに成功した。
更に、化合物(e)の’ −+ 3−e 3’−アミノ
基上のアミノ保護基(トシル基)及び6′−アミノ基上
口キシルJlのヒドロキシル保護基(シクロヘキシリデ
ン基)t−化合物(e)から脱離し、こうして得られ7
t 2’ 、 3’〜アンヒドロ−31−二ピーカナマ
イシン人の夫々のアミノ基に改めて別種のアミノ保護基
を導入し、こうして得られた1、3.6’、3’−テト
ラ−N−保護−2’、3’−アンヒドロ−3′−二ピー
カナマイシンAを前述と同様の手法でアルカリ金属水素
ジ弗化物で処理する場合にも、望ましい1,3.6’、
3’−テトラ−N−保護−31−フルオロ−3′−デオ
Φシカナマイシン人を生成できることを認めた。
基上のアミノ保護基(トシル基)及び6′−アミノ基上
口キシルJlのヒドロキシル保護基(シクロヘキシリデ
ン基)t−化合物(e)から脱離し、こうして得られ7
t 2’ 、 3’〜アンヒドロ−31−二ピーカナマ
イシン人の夫々のアミノ基に改めて別種のアミノ保護基
を導入し、こうして得られた1、3.6’、3’−テト
ラ−N−保護−2’、3’−アンヒドロ−3′−二ピー
カナマイシンAを前述と同様の手法でアルカリ金属水素
ジ弗化物で処理する場合にも、望ましい1,3.6’、
3’−テトラ−N−保護−31−フルオロ−3′−デオ
Φシカナマイシン人を生成できることを認めた。
前述し九合成ルートで用いた出発中間体化合物(4)で
は、l−,3−及び3′−丁ミノ基を保護するアミノ保
護基はトシル基であり且つ3′−及び6′−ヒドロキシ
ル基を保護するヒドロキシル保護基はシクロヘキシリデ
ン基であったが、これらの保護基は夫々に、均等的に働
く他の公知のアミノ保護基及び他の公知のヒドロキシル
保護基で取代えて得られるような、化合物(10の均等
な保護誘導体を用いても、前述と同様な反応工程を施す
ことによって、化合物(→と均等な41,6#−ジーo
−、保護−カルボニルーカナマイシンAQ調製できるこ
とを認めた・ 本発明は前述した諸知見に基づいて完成されたものであ
る。
は、l−,3−及び3′−丁ミノ基を保護するアミノ保
護基はトシル基であり且つ3′−及び6′−ヒドロキシ
ル基を保護するヒドロキシル保護基はシクロヘキシリデ
ン基であったが、これらの保護基は夫々に、均等的に働
く他の公知のアミノ保護基及び他の公知のヒドロキシル
保護基で取代えて得られるような、化合物(10の均等
な保護誘導体を用いても、前述と同様な反応工程を施す
ことによって、化合物(→と均等な41,6#−ジーo
−、保護−カルボニルーカナマイシンAQ調製できるこ
とを認めた・ 本発明は前述した諸知見に基づいて完成されたものであ
る。
従って、第1の本発明の要旨とするところは。
次の一般式
〔式中、Aはスルホニル基型のアミノ保護基以外のアミ
ノ保1基、又は水素原子であシ、Bri水素原子、ある
いは、任意のアミノ保護基であり、Xは水素原子又は1
価のとドロキンル保護基でアリ。
ノ保1基、又は水素原子であシ、Bri水素原子、ある
いは、任意のアミノ保護基であり、Xは水素原子又は1
価のとドロキンル保護基でアリ。
Yは水素原子又Fi1価のヒドロキシル保護基であり、
あるいはX及びYは共同して1個の2価のヒドロキシル
保護基を形成する〕で示される2′・3′−アンヒドロ
ー3′−エピ−カナマイシンA又はこれの保護誘導体を
次式 %式%() 〔式中、 Me はアルカリ金属原子である〕のアル
カリ金属水素ジ弗化物と有機溶媒中で100〜200’
Cの温度で反応させて次の一般式〔式中、A、B、X及
びYは前記と同じ意味である〕で示される3′−フルオ
ロ−3′−デオキシカナマイシンA化合物を生成させ、
さらに式(■)の化合物中にアミノ保護基及び(又は)
ヒドロキシル保護基が残留する場合には、これら保護基
を公知方法で脱離することf:1%徴とする1次式で示
される3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイシン人
の製造法にある。
あるいはX及びYは共同して1個の2価のヒドロキシル
保護基を形成する〕で示される2′・3′−アンヒドロ
ー3′−エピ−カナマイシンA又はこれの保護誘導体を
次式 %式%() 〔式中、 Me はアルカリ金属原子である〕のアル
カリ金属水素ジ弗化物と有機溶媒中で100〜200’
Cの温度で反応させて次の一般式〔式中、A、B、X及
びYは前記と同じ意味である〕で示される3′−フルオ
ロ−3′−デオキシカナマイシンA化合物を生成させ、
さらに式(■)の化合物中にアミノ保護基及び(又は)
ヒドロキシル保護基が残留する場合には、これら保護基
を公知方法で脱離することf:1%徴とする1次式で示
される3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイシン人
の製造法にある。
第Eの本発明の方法にお^で、一般式(「)の2’、3
’−7ンヒトロー3′−エビ−カナマイシンA保護誘導
体におけるアミノ保@基Aは灰石に関与しな^何れか既
知のアミノ保護基・例えばアセチル基、トリフルオロア
セチル基の如、キアルヵノイル基、ベンゾイル基の如き
アロイル11sなどのアシル基、さらにメトキシカルボ
ニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基
の如きアルコ命ジカルボニル基: ベンジルオキシカル
ボニル基。
’−7ンヒトロー3′−エビ−カナマイシンA保護誘導
体におけるアミノ保@基Aは灰石に関与しな^何れか既
知のアミノ保護基・例えばアセチル基、トリフルオロア
セチル基の如、キアルヵノイル基、ベンゾイル基の如き
アロイル11sなどのアシル基、さらにメトキシカルボ
ニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基
の如きアルコ命ジカルボニル基: ベンジルオキシカル
ボニル基。
7エネテルオキシカルボニル基の如きアラルキルオキシ
カルボニル基、又はフェノキシカルボニル基又はメトキ
クフェノΦジカルボニル基の如き了り−ルオキシカルボ
ニル基であることができる。
カルボニル基、又はフェノキシカルボニル基又はメトキ
クフェノΦジカルボニル基の如き了り−ルオキシカルボ
ニル基であることができる。
但し、基ムがメシル基又はトシル基の如きアルキル−、
アリール−又はアラルキルスルホニル基の形のものであ
ると、アルカリ金属水素ジ弗化物との反応に関与しで、
望ましくない副生物を生ずる恐れがあるので、アミノ保
護基(A)Fiスルホニル基型のものでないのが好まし
い・基(A)Vi水素原子であることもできるが、化合
物(II)の6′−アミノ基は保護されであるのが好ま
しい。
アリール−又はアラルキルスルホニル基の形のものであ
ると、アルカリ金属水素ジ弗化物との反応に関与しで、
望ましくない副生物を生ずる恐れがあるので、アミノ保
護基(A)Fiスルホニル基型のものでないのが好まし
い・基(A)Vi水素原子であることもできるが、化合
物(II)の6′−アミノ基は保護されであるのが好ま
しい。
一般式(rl)の化合物における1−93−及び31ル
基、エトキクカルボニル基、!トキシヵルボニル基O如
キアルコキシカルボニル基:ベンジルオ中ジカルボニル
基、7エネチルオキ7カルボニル基の如きアラルギルオ
ギシカルボニル基:フエノキシカルボニル基の如きアリ
ールオキシカルボニに基:lクル基の如キアルキルスル
ホニル基、ベンジルスルホニル基の如キアラルキルスル
ホニル基ニドシル基の如きアリールスルホニル基9等の
アミノ保護基で保護されているのが好ましい6化合物(
I[)における4′−ヒドロキシル基及び6′−ヒドロ
キシル基金保護する保護基(X、Y)は低級アルキル基
、フェニル基の如きアリール基ニアセチル基の如きアル
カノイル基、又はペンシイ 。
基、エトキクカルボニル基、!トキシヵルボニル基O如
キアルコキシカルボニル基:ベンジルオ中ジカルボニル
基、7エネチルオキ7カルボニル基の如きアラルギルオ
ギシカルボニル基:フエノキシカルボニル基の如きアリ
ールオキシカルボニに基:lクル基の如キアルキルスル
ホニル基、ベンジルスルホニル基の如キアラルキルスル
ホニル基ニドシル基の如きアリールスルホニル基9等の
アミノ保護基で保護されているのが好ましい6化合物(
I[)における4′−ヒドロキシル基及び6′−ヒドロ
キシル基金保護する保護基(X、Y)は低級アルキル基
、フェニル基の如きアリール基ニアセチル基の如きアル
カノイル基、又はペンシイ 。
ル基の如きアロイル基を含めて、何れか既知の1価ヒド
ロキシル保護基であることができる・しかし、X及びY
は共同してインプロピリデン基の如き低級アルキリデン
基、ベンジリデン基の如きアラルキリデン基、シクロヘ
キシリデン基の如きシクロアル中すデン基、又はテトラ
ヒドロピラニリデン基を含めて、何れか既知の2価ヒド
ロキシル保護基を形成していることができる@これらア
ミノ保護基及びヒドロキシル保護基をカナマイシン人化
合物に導入することは1例えば特開昭55−10569
9号、英国特許第20436348号:特開昭56−6
’8698号、米国特許第4357466号;特開昭5
6−152497号、米国特許第4.359.572号
明細書に酊載される如き従来知られ九保護技術で達成で
きる・ 第1の本発明の方法において、一般式(II)のN・〇
−保護された2′・3′−エポキシ化カナマイシン人化
合物に反応させるべきアルカリ金属水素ジ弗化物(II
I)はNaHF KHF2 又はLiHF2テあ
りうるが、KHF2が好ましい。この反応は1反応に適
当な乾燥した有機溶媒中で行いうるが、液状の低級アル
キレングリコール、好ましくはエチレングリコール又は
プロピレングリコール中で行うのが好ましい。エチレン
グリコールが最も適する@使用する有機溶媒の種類によ
っては、所望の反応が進まないことがある。反応温度は
1oo〜200°Cの範囲で適当に選ぶことができるが
、120〜l 6 oqcの範囲内であるのが好ましい
。
ロキシル保護基であることができる・しかし、X及びY
は共同してインプロピリデン基の如き低級アルキリデン
基、ベンジリデン基の如きアラルキリデン基、シクロヘ
キシリデン基の如きシクロアル中すデン基、又はテトラ
ヒドロピラニリデン基を含めて、何れか既知の2価ヒド
ロキシル保護基を形成していることができる@これらア
ミノ保護基及びヒドロキシル保護基をカナマイシン人化
合物に導入することは1例えば特開昭55−10569
9号、英国特許第20436348号:特開昭56−6
’8698号、米国特許第4357466号;特開昭5
6−152497号、米国特許第4.359.572号
明細書に酊載される如き従来知られ九保護技術で達成で
きる・ 第1の本発明の方法において、一般式(II)のN・〇
−保護された2′・3′−エポキシ化カナマイシン人化
合物に反応させるべきアルカリ金属水素ジ弗化物(II
I)はNaHF KHF2 又はLiHF2テあ
りうるが、KHF2が好ましい。この反応は1反応に適
当な乾燥した有機溶媒中で行いうるが、液状の低級アル
キレングリコール、好ましくはエチレングリコール又は
プロピレングリコール中で行うのが好ましい。エチレン
グリコールが最も適する@使用する有機溶媒の種類によ
っては、所望の反応が進まないことがある。反応温度は
1oo〜200°Cの範囲で適当に選ぶことができるが
、120〜l 6 oqcの範囲内であるのが好ましい
。
上記の反ろによって一般式(■)の3′−フルオロ3′
−デオキシ−カナマイシン人保護誘導体が生成され2こ
れの採取は反応液を酢酸エチルの如き適当な有機溶媒で
抽出し、さらにシリカゲル°カラムクロマトグラフィー
で分離、精製することにより行いうる・ 一般式(■)の化合物中にアミノ保護基及び(又は)ヒ
ドロキシル保護基が残留する場合には、脱保護工程で保
護基を脱離する・この脱保護工程は・用いた保護基の種
類に応じて1段階に分けて、常用される脱保護法で公知
手法で例えば前出の特開昭公報又は米国特許明細書に示
された手法で行い得る・この脱保護反応で得られた反応
液を濃縮し、固体残渣を水に溶解しCM−セファデック
スC−25のカラムに通しアンモニア水で展開すること
により、単離、精製すると、目的の3′−フルオロ−3
’−fオキシカナマイシンA〔化合物(I)〕が収得で
きる・ 第2の本発明の要旨とするところは・次の一般式 〔式中t B’はアミノ保護基であり、X及びYは夫々
に水素原子又は1価のヒドロキシル保護基であるか、あ
るいFiX及びYは共同して1個の2価ヒドロキシル基
を形成し、2はアルキルスルホニル基、アラルギルスル
ホニル基又はアリールスルホニル基である〕で示され゛
る3’ −0−スルホニル−6’−N、4’−0−カル
ボニル−カナマイシンAの保護誘導体をメタノールの存
在下にナトリウム・メチラート又はエタノールの存在下
にナトリウム・エチラート又はベンジルアルコールの存
在下にナトリウム・ベンジレートと反応させて次の一般
式 〔式中 nl 、 x及びYは前記と同じ意味をもち、
A′はメトキシカルボニル基又はエトキシカルボニル基
又ハペンジルオΦジカルボニル基の形のアミノ保護基で
ある〕で示される2’、3’−アンヒドロ−3′−エヒ
−6’−N−アルコ午シカルボニルーカナマイシン人の
保護誘導体を生成し1次に式(r)の化合物を直ちに用
いるか、若しくは式(II’)の化合物からアミノ保護
基(A’、B’)及びヒドロキシル保護基(x、y)の
一部又は全部を脱離した後に得られた2’、 3’−ア
ンヒドロ−3′−二−−カナマイシン人化合物を用いて
、これを次式%式%() 〔式中e Me はアルカリ金属原子である〕のアルカ
リ金属水素ジ弗化物と有機溶媒中で100〜200°C
の温度で反応させて次の一般式〔式中r A’ は
メトキシカルボニル基又はエトキシカルボニル基又はベ
ンジルオキシカルボニル基の形のアミノ保護基であるか
又は水素原子であり。
−デオキシ−カナマイシン人保護誘導体が生成され2こ
れの採取は反応液を酢酸エチルの如き適当な有機溶媒で
抽出し、さらにシリカゲル°カラムクロマトグラフィー
で分離、精製することにより行いうる・ 一般式(■)の化合物中にアミノ保護基及び(又は)ヒ
ドロキシル保護基が残留する場合には、脱保護工程で保
護基を脱離する・この脱保護工程は・用いた保護基の種
類に応じて1段階に分けて、常用される脱保護法で公知
手法で例えば前出の特開昭公報又は米国特許明細書に示
された手法で行い得る・この脱保護反応で得られた反応
液を濃縮し、固体残渣を水に溶解しCM−セファデック
スC−25のカラムに通しアンモニア水で展開すること
により、単離、精製すると、目的の3′−フルオロ−3
’−fオキシカナマイシンA〔化合物(I)〕が収得で
きる・ 第2の本発明の要旨とするところは・次の一般式 〔式中t B’はアミノ保護基であり、X及びYは夫々
に水素原子又は1価のヒドロキシル保護基であるか、あ
るいFiX及びYは共同して1個の2価ヒドロキシル基
を形成し、2はアルキルスルホニル基、アラルギルスル
ホニル基又はアリールスルホニル基である〕で示され゛
る3’ −0−スルホニル−6’−N、4’−0−カル
ボニル−カナマイシンAの保護誘導体をメタノールの存
在下にナトリウム・メチラート又はエタノールの存在下
にナトリウム・エチラート又はベンジルアルコールの存
在下にナトリウム・ベンジレートと反応させて次の一般
式 〔式中 nl 、 x及びYは前記と同じ意味をもち、
A′はメトキシカルボニル基又はエトキシカルボニル基
又ハペンジルオΦジカルボニル基の形のアミノ保護基で
ある〕で示される2’、3’−アンヒドロ−3′−エヒ
−6’−N−アルコ午シカルボニルーカナマイシン人の
保護誘導体を生成し1次に式(r)の化合物を直ちに用
いるか、若しくは式(II’)の化合物からアミノ保護
基(A’、B’)及びヒドロキシル保護基(x、y)の
一部又は全部を脱離した後に得られた2’、 3’−ア
ンヒドロ−3′−二−−カナマイシン人化合物を用いて
、これを次式%式%() 〔式中e Me はアルカリ金属原子である〕のアルカ
リ金属水素ジ弗化物と有機溶媒中で100〜200°C
の温度で反応させて次の一般式〔式中r A’ は
メトキシカルボニル基又はエトキシカルボニル基又はベ
ンジルオキシカルボニル基の形のアミノ保護基であるか
又は水素原子であり。
B′ はアミノ保護基又は水素原子であり、r及びでは
前記のX及びYと同じ意味をもつか、あるいはX′及び
Y′が夫々に水素原子である〕で示される3′−フルオ
ロ−3′−チオキシカナアイシンA化合物を生成させ、
さらに式(■ワの化合物中にアミノ保護基及び(又は)
ヒドロキシル保護基が残留する場合には、これら保護基
を公知方法で脱離することを特徴とする1次式 で示される3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイシ
ンAの製造法にある・ 第2の本発明の方法において、出発化合物として用^る
一般式(V)の3′−〇−スルホニルー6′−N、4’
−0−カルボニル−カナマイシンA保護誘導体における
アミノ保護基B/、ならびにヒドロキシル保護基X及び
Yは夫々に、第1の本発明の方法で出発化合物として用
いた一般式(「)の2’、3’−アンヒドロ−3′−二
ピーカナマイシン人保護誘 ゛導体におけるアミノ
保護基B、ならびにヒドロキシル保護基X及びYと夫々
に同じものでよい。3′−〇−スルホニル基(2)は炭
素数置〜4のアルキルスルホニ”基IFIJ、tハメタ
ンスルホニル基(メシル基)、エタンスルホニル基:ア
ラルキルスルホニル基、例、tばベンジルスルホニル基
;アリールスルホニル基2例えばトシル基でありうるが
。
前記のX及びYと同じ意味をもつか、あるいはX′及び
Y′が夫々に水素原子である〕で示される3′−フルオ
ロ−3′−チオキシカナアイシンA化合物を生成させ、
さらに式(■ワの化合物中にアミノ保護基及び(又は)
ヒドロキシル保護基が残留する場合には、これら保護基
を公知方法で脱離することを特徴とする1次式 で示される3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイシ
ンAの製造法にある・ 第2の本発明の方法において、出発化合物として用^る
一般式(V)の3′−〇−スルホニルー6′−N、4’
−0−カルボニル−カナマイシンA保護誘導体における
アミノ保護基B/、ならびにヒドロキシル保護基X及び
Yは夫々に、第1の本発明の方法で出発化合物として用
いた一般式(「)の2’、3’−アンヒドロ−3′−二
ピーカナマイシン人保護誘 ゛導体におけるアミノ
保護基B、ならびにヒドロキシル保護基X及びYと夫々
に同じものでよい。3′−〇−スルホニル基(2)は炭
素数置〜4のアルキルスルホニ”基IFIJ、tハメタ
ンスルホニル基(メシル基)、エタンスルホニル基:ア
ラルキルスルホニル基、例、tばベンジルスルホニル基
;アリールスルホニル基2例えばトシル基でありうるが
。
ベンジルスルホニル基であるのが好ましい@−一般式v
)の3′−〇−スルホニルーカナマイクンA誘導体とメ
タノールの存在下ナトリウム・メチラート又はエタノー
ルの存在下ナトリウム・エチラート又はベンジルアルコ
ールの存在下にナトリウム・ベンジレート(Na0CH
2Cb Hs ) との反応は無水条件下で行われる
。ナトIJウム・メチラート又はナトリウム・エチラー
ト又はナトリウム・ベンジレートはカナマイシンA化合
物(V) ノ1 %ル当りに2〜10モル比で且つ反応
媒質中で1〜5重量%の濃度で用いるのが好ましい・反
応温度は0°Cないし反応媒質の還流温度までの範囲で
ありうる。反応時間は5分間以上あればよく1時間が長
びいても、望ましくない副生物は余り生じないけれども
、所望の2’ 、 3’−エポキシ化生成物程度の反応
条件を用いるのが工い◎ 第2の本発明の方法において、中間体として生成した一
般式(■′)の2・3−エポキシ化生成物は、所望なら
ば、これの保護基の一部又は全部を常法で脱離し、その
脱保護生成物をアルカリ金属水素ジ弗化物(III)と
の反応にかけてもよい・一般式(■′)の2’、3’−
エポキシ化生成物又はこれの脱保護体と式(III)の
アルカリ金属水素ジ弗化物との反応工程、ならびに、そ
の後に、必要に応じて行われる一般式(IV’)の3′
−フルオロ−3′−デオキシカナマイシンA化合物の脱
保護工程は第1の本発明の方法における対応の工程と同
じ要領で実施できるO 次に本発明を参考例及び実施例について具体的に説明す
る。
)の3′−〇−スルホニルーカナマイクンA誘導体とメ
タノールの存在下ナトリウム・メチラート又はエタノー
ルの存在下ナトリウム・エチラート又はベンジルアルコ
ールの存在下にナトリウム・ベンジレート(Na0CH
2Cb Hs ) との反応は無水条件下で行われる
。ナトIJウム・メチラート又はナトリウム・エチラー
ト又はナトリウム・ベンジレートはカナマイシンA化合
物(V) ノ1 %ル当りに2〜10モル比で且つ反応
媒質中で1〜5重量%の濃度で用いるのが好ましい・反
応温度は0°Cないし反応媒質の還流温度までの範囲で
ありうる。反応時間は5分間以上あればよく1時間が長
びいても、望ましくない副生物は余り生じないけれども
、所望の2’ 、 3’−エポキシ化生成物程度の反応
条件を用いるのが工い◎ 第2の本発明の方法において、中間体として生成した一
般式(■′)の2・3−エポキシ化生成物は、所望なら
ば、これの保護基の一部又は全部を常法で脱離し、その
脱保護生成物をアルカリ金属水素ジ弗化物(III)と
の反応にかけてもよい・一般式(■′)の2’、3’−
エポキシ化生成物又はこれの脱保護体と式(III)の
アルカリ金属水素ジ弗化物との反応工程、ならびに、そ
の後に、必要に応じて行われる一般式(IV’)の3′
−フルオロ−3′−デオキシカナマイシンA化合物の脱
保護工程は第1の本発明の方法における対応の工程と同
じ要領で実施できるO 次に本発明を参考例及び実施例について具体的に説明す
る。
参考例1
6’−N 、 4’−0−カルボニル−41、bl−0
−シクロヘキシリデン−2’ 、 21−ジーO−アセ
チルー1.3.3’−トリーN−トシルカナマイシン^
〔化合物 の)という〕の生成 化合物(a) 上記の式の化合物fa)すなわち6’−N、4’−0−
カルボニル−4’、6’−0−シクロへ中シリデンー■
・3・3′−トリーN−カナマイシンムの450! (
0,427ミリモル)t、fi水レジメチルスルホキシ
ド21無水ピリジン2.3−の混合物に溶解し、N−ア
セチルイミダゾールl B 8wII(1,72ミリモ
ル)を加え、室温で16時間攪拌したー反応液に5−重
ソツ水30gItを加え、生成した沈#をf取し、水洗
後乾燥した・さらにエーテルでその固体を洗浄後に乾燥
すると1表題の化合物03)の435岬(収率90%)
t−得た。
−シクロヘキシリデン−2’ 、 21−ジーO−アセ
チルー1.3.3’−トリーN−トシルカナマイシン^
〔化合物 の)という〕の生成 化合物(a) 上記の式の化合物fa)すなわち6’−N、4’−0−
カルボニル−4’、6’−0−シクロへ中シリデンー■
・3・3′−トリーN−カナマイシンムの450! (
0,427ミリモル)t、fi水レジメチルスルホキシ
ド21無水ピリジン2.3−の混合物に溶解し、N−ア
セチルイミダゾールl B 8wII(1,72ミリモ
ル)を加え、室温で16時間攪拌したー反応液に5−重
ソツ水30gItを加え、生成した沈#をf取し、水洗
後乾燥した・さらにエーテルでその固体を洗浄後に乾燥
すると1表題の化合物03)の435岬(収率90%)
t−得た。
元素分析
計算値(C5oH64N40□。S、−H2O) :
C51,98: H5,76:N 4J5: S 8.
33% 実測値: C51,84: f(5,50:N 4.
72: S C29チ 、 H−罵スにクトル(ピリジン−d5):δ2.2
2及び2.23 (それぞれ3Hシングレツト+Ac)
+δ2.26慶2.27及び2.47 (それぞれ3■
シングレツト、 NTII(CM、) ) 参考例2 3′−〇−ベンジルスルホニルー6’ −N。
C51,98: H5,76:N 4J5: S 8.
33% 実測値: C51,84: f(5,50:N 4.
72: S C29チ 、 H−罵スにクトル(ピリジン−d5):δ2.2
2及び2.23 (それぞれ3Hシングレツト+Ac)
+δ2.26慶2.27及び2.47 (それぞれ3■
シングレツト、 NTII(CM、) ) 参考例2 3′−〇−ベンジルスルホニルー6’ −N。
4′−〇−カルボニ”−4’l 6’−0−シクロへ中
シリダン−2’、2’−ジー〇−丁セチル−l + 3
+ 3’−ト’+) −N−トシル−カナマイシンA
(化合物(e’)という〕の生成 ■ 参考例1で得た化合物0の77.5 q(0−068ミ
リモル)を無水ピリジン1.54に溶解し、塩化ベンジ
ルスルホニル30. l my (0,158ミリモル
)ヲ加え、O〜5″Cで10分間反ろさせた・反応液に
水0.1.gt−加えて後減圧濃縮し、残渣をクロロホ
ルムに溶解後、溶液t″5Is重ツク水。
シリダン−2’、2’−ジー〇−丁セチル−l + 3
+ 3’−ト’+) −N−トシル−カナマイシンA
(化合物(e’)という〕の生成 ■ 参考例1で得た化合物0の77.5 q(0−068ミ
リモル)を無水ピリジン1.54に溶解し、塩化ベンジ
ルスルホニル30. l my (0,158ミリモル
)ヲ加え、O〜5″Cで10分間反ろさせた・反応液に
水0.1.gt−加えて後減圧濃縮し、残渣をクロロホ
ルムに溶解後、溶液t″5Is重ツク水。
水で順次洗浄を行い、無水硫酸マグネシウムで脱水した
。この溶液を減圧濃縮し1表題化合物((’)の88.
o W (収率100Is)e得た6元素分析 計算値(C,f(、。0□2N4S4・2H20)
: C51,57:H5,62: N 4.22 ; 89.655G 実測値: C51,45; H5,36: N 4.33 : 89.73 % 1ト脇スはクトル(ピリジン−d5):δ2.23及び
2.25 (それぞれ3HシングレツトIAC)。
。この溶液を減圧濃縮し1表題化合物((’)の88.
o W (収率100Is)e得た6元素分析 計算値(C,f(、。0□2N4S4・2H20)
: C51,57:H5,62: N 4.22 ; 89.655G 実測値: C51,45; H5,36: N 4.33 : 89.73 % 1ト脇スはクトル(ピリジン−d5):δ2.23及び
2.25 (それぞれ3HシングレツトIAC)。
2.30 、 2.44及び2.50(それぞれ3Hシ
ングレツトt NTs(C■、)) 参考例3 3′−〇−ベンジルスルホニルー6’−N。
ングレツトt NTs(C■、)) 参考例3 3′−〇−ベンジルスルホニルー6’−N。
4′−〇−カルボニルー4’、6’−0−シクロへ中シ
リデンー1 、3 、3’−トリーN−トシルカナマイ
シンAC化合物 (d#)とhう〕の生成 化合物(d’) 参考例2で得九化合物(C′)の6681!9(0,5
17ミリモル)を無水メタノールIQ−に溶解し、メタ
ノールに溶解した2%ナトリウムメチラート0.4 m
(0,15mmol ) t−氷冷下に加え、室温
テ15分反応させた・ 反応液fJ:0・5−塩化水素メタノール溶液で中和後
、減圧濃縮した・残渣をア七トンに溶解後・不溶物を除
去し、溶液を再び減圧濃縮を行うと、表題化合物(d′
)の546J’F(収率6ε−)′fr:得た0元素分
析 計算値(C5AH6602゜N4S4): C52,7
2: ■s、51:N 4.64 : 810.629
6 実測値: C52,50: H5,62:N 4.58
: 810.47− IRス−<クトル(KBr錠、 cm−’ ) : 1
705 (環状カルバメート) 1H−褐侃スベクトル(ピリジン−d5):δ2.20
゜2.33及び2.42 (それぞれ3H?’ングレツ
ト)実施例1 (’02’、3’−アンヒドロー4’、6’−0−シク
ロヘヤシリデンー3′−二一一6′−N−メトキシカル
ボニル−1,3,3’−) +7− N−トシルカナマ
イシンA〔化合物(e′)という〕の生成 R fヒ合物(d’) 参考例3で得た化合物(dつの600岬(0,500ミ
リモル)をメタノールに溶解した2%ナトリウムメチラ
ートδ−(2,96ミリモル)に加え456Cで30分
反応させた・反応液を0.5−塩化水素メタノール溶液
で中和後、減風濃縮し、さらに残留物を酢酸エチルに溶
解後不溶物を除去した・再び溶液を減圧濃縮し九〇残留
物を展開系、クロロホルム−メタノール(50:l→l
Q:l)によるシリカゲル・カラム・クロマトグラフィ
ーにより分離精製し表題化合物(e′)の4002(収
率75%)を得た。〔α〕o +4°(e 2.3.ク
ロロホルム)元素分析 計算WL(C47H6□0,8N4S、・−¥H20)
: C52,45:H5,85: N 5.20 : 8 L?3 ’) 実測値: C52,54; H5,78: N 5.04 : 8 C92% (ロ) 3′−デオキシ−3′−フルオロ−6′−N−
メトキシカルボニル−1,3,3’−トリーN−トシル
カナマイシンAC化 合物(f′)という〕の生成 H 化合物(f′) 前項(イ)で得られた化合物(e′)の17419 (
0,163ミリモル)全無水エチレングリコール3−に
溶解し、その溶液にフッ化水素カリウム(KHF2)
の90.24(1,16ミリモル)を加え封管で15
0〜I 60’Cで3,5時間反応させた(2’、3’
−エポキシ環の開環、3′−フルオロ化及びシクロヘキ
シリデン基の脱離)・反応液に酢酸エチルを加えて抽出
し、その抽出溶液t−5−重ソウ水、水で順次洗浄し・
無水硫酸マグネシウムで脱水後に溶液を減圧濃縮した。
リデンー1 、3 、3’−トリーN−トシルカナマイ
シンAC化合物 (d#)とhう〕の生成 化合物(d’) 参考例2で得九化合物(C′)の6681!9(0,5
17ミリモル)を無水メタノールIQ−に溶解し、メタ
ノールに溶解した2%ナトリウムメチラート0.4 m
(0,15mmol ) t−氷冷下に加え、室温
テ15分反応させた・ 反応液fJ:0・5−塩化水素メタノール溶液で中和後
、減圧濃縮した・残渣をア七トンに溶解後・不溶物を除
去し、溶液を再び減圧濃縮を行うと、表題化合物(d′
)の546J’F(収率6ε−)′fr:得た0元素分
析 計算値(C5AH6602゜N4S4): C52,7
2: ■s、51:N 4.64 : 810.629
6 実測値: C52,50: H5,62:N 4.58
: 810.47− IRス−<クトル(KBr錠、 cm−’ ) : 1
705 (環状カルバメート) 1H−褐侃スベクトル(ピリジン−d5):δ2.20
゜2.33及び2.42 (それぞれ3H?’ングレツ
ト)実施例1 (’02’、3’−アンヒドロー4’、6’−0−シク
ロヘヤシリデンー3′−二一一6′−N−メトキシカル
ボニル−1,3,3’−) +7− N−トシルカナマ
イシンA〔化合物(e′)という〕の生成 R fヒ合物(d’) 参考例3で得た化合物(dつの600岬(0,500ミ
リモル)をメタノールに溶解した2%ナトリウムメチラ
ートδ−(2,96ミリモル)に加え456Cで30分
反応させた・反応液を0.5−塩化水素メタノール溶液
で中和後、減風濃縮し、さらに残留物を酢酸エチルに溶
解後不溶物を除去した・再び溶液を減圧濃縮し九〇残留
物を展開系、クロロホルム−メタノール(50:l→l
Q:l)によるシリカゲル・カラム・クロマトグラフィ
ーにより分離精製し表題化合物(e′)の4002(収
率75%)を得た。〔α〕o +4°(e 2.3.ク
ロロホルム)元素分析 計算WL(C47H6□0,8N4S、・−¥H20)
: C52,45:H5,85: N 5.20 : 8 L?3 ’) 実測値: C52,54; H5,78: N 5.04 : 8 C92% (ロ) 3′−デオキシ−3′−フルオロ−6′−N−
メトキシカルボニル−1,3,3’−トリーN−トシル
カナマイシンAC化 合物(f′)という〕の生成 H 化合物(f′) 前項(イ)で得られた化合物(e′)の17419 (
0,163ミリモル)全無水エチレングリコール3−に
溶解し、その溶液にフッ化水素カリウム(KHF2)
の90.24(1,16ミリモル)を加え封管で15
0〜I 60’Cで3,5時間反応させた(2’、3’
−エポキシ環の開環、3′−フルオロ化及びシクロヘキ
シリデン基の脱離)・反応液に酢酸エチルを加えて抽出
し、その抽出溶液t−5−重ソウ水、水で順次洗浄し・
無水硫酸マグネシウムで脱水後に溶液を減圧濃縮した。
残留物をシリカlシカラムクロマトグラフィー(展開系
クロロホルム−メタノール、30:l〜5:1)で分離
精製し表題化合物(f′)の51.4sv(収率31%
)と剛生物(未確1aり+7)26.0++y’i得た
。〔α〕o+3°(c 1,3 メタノール)元素分
析 計算値(C4,へ5N40.aSsF−7馬0) :
C4g、46 :H5,55: N 5.51 % 実測[: C4B、37 : H5,48: N 5.485に 1H−高化スはクトル(ピリジン−d5):δ5.33
(IHダプルトリグレット、 H−3’ : JsI、
Fsseう 3′−チオ中シー3′−フルオロカナマイ
シンA〔化合物(■)〕の合成 H 化合物(り 前項(ロ)で得た化合物(f′)の45.7 m (0
,045ミリモル)t−−so〜−60’Cの液体アン
モニア3−に溶解し、金属ナトリウム約IQqを加え、
−50〜−60°Cで5分間反応させた(脱トシル基)
。
クロロホルム−メタノール、30:l〜5:1)で分離
精製し表題化合物(f′)の51.4sv(収率31%
)と剛生物(未確1aり+7)26.0++y’i得た
。〔α〕o+3°(c 1,3 メタノール)元素分
析 計算値(C4,へ5N40.aSsF−7馬0) :
C4g、46 :H5,55: N 5.51 % 実測[: C4B、37 : H5,48: N 5.485に 1H−高化スはクトル(ピリジン−d5):δ5.33
(IHダプルトリグレット、 H−3’ : JsI、
Fsseう 3′−チオ中シー3′−フルオロカナマイ
シンA〔化合物(■)〕の合成 H 化合物(り 前項(ロ)で得た化合物(f′)の45.7 m (0
,045ミリモル)t−−so〜−60’Cの液体アン
モニア3−に溶解し、金属ナトリウム約IQqを加え、
−50〜−60°Cで5分間反応させた(脱トシル基)
。
反応液を減圧濃縮後、残渣を水5mに溶解し50″Cで
15分加熱した(この反応で6′−N−メトキシカルボ
ニル基が脱離)。
15分加熱した(この反応で6′−N−メトキシカルボ
ニル基が脱離)。
反応液を室温まで冷却し、ダウエックス(Dowez)
50WX2樹脂(H型)3−を加えダウ、エックス50
WX2樹脂(NH4’!!II ) 4−に吸着さt2
0・5Nアンモニア水で溶離して目的の表題化合物(I
)の20.1〜(収率91チ)を得た。〔α〕二5+1
16°(c o、s水) 本物質は前の特願昭59−161615号の実施例で得
た3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイシンA物質
と H−NMRスペクトル、抗菌スはクトルの点で完全
に一致した。
50WX2樹脂(H型)3−を加えダウ、エックス50
WX2樹脂(NH4’!!II ) 4−に吸着さt2
0・5Nアンモニア水で溶離して目的の表題化合物(I
)の20.1〜(収率91チ)を得た。〔α〕二5+1
16°(c o、s水) 本物質は前の特願昭59−161615号の実施例で得
た3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイシンA物質
と H−NMRスペクトル、抗菌スはクトルの点で完全
に一致した。
実施例2
実施例1(イ)で得られた2’、3’−アンヒトa−4
′、6れ0−シクロヘギシリデンー3−エビ−6′−N
−メトキシカルボニル−1,3,3’−)り−N−1−
ジルカナマイシンA、すなわち化合物(e’)の+7o
ql+I水エチレングリコール3−に溶解し・ジフツ化
水素ナトリウム(NaHF2)701qtl−加え、実
施例1(ロ)の方法と同様に反応及び後処理して3′−
デオキシ−3′−フルオO−6’−N−メトキシカデボ
ニル−1,3,3’−)グーN−トシルカナマイシンA
、すなわち化合物(f′)の47■(収率29%)を得
た。
′、6れ0−シクロヘギシリデンー3−エビ−6′−N
−メトキシカルボニル−1,3,3’−)り−N−1−
ジルカナマイシンA、すなわち化合物(e’)の+7o
ql+I水エチレングリコール3−に溶解し・ジフツ化
水素ナトリウム(NaHF2)701qtl−加え、実
施例1(ロ)の方法と同様に反応及び後処理して3′−
デオキシ−3′−フルオO−6’−N−メトキシカデボ
ニル−1,3,3’−)グーN−トシルカナマイシンA
、すなわち化合物(f′)の47■(収率29%)を得
た。
実施例3
(42’、3’−アンヒドロ−4’、 6’−0−シク
ロヘキシリデン−3′−二一−6′−N−メトキシカル
ボニルカナマイシンA 〔化合物(e町という〕の合成 ■ H 化合物(・1) 実施例1(イ)で得られた化合物(e)、すなわち上記
の式の化合物の38.54 (0,036ミリモル)を
−55〜−60°Cにおいて液体アンモニア約15−に
溶解し金属ナトリウム約50svi激しく攪拌しながら
加えた・15秒後、塩化アンモニウムを溶液の青色が消
失するまで加えた後、室温で放置しアンモニアを蒸発せ
しめたe水1o−t−加え−約9になるまで減圧濃縮し
たe 残渣をアンバーライトCG−50(Nf(+) レジ
ン5一に吸着させ、水洗後0.2Nアンモニア水で分離
清1it−行ない減圧濃縮すると1表題の化合物(el
)・の2+、2q(収率97.Iチ)11:得た。
ロヘキシリデン−3′−二一−6′−N−メトキシカル
ボニルカナマイシンA 〔化合物(e町という〕の合成 ■ H 化合物(・1) 実施例1(イ)で得られた化合物(e)、すなわち上記
の式の化合物の38.54 (0,036ミリモル)を
−55〜−60°Cにおいて液体アンモニア約15−に
溶解し金属ナトリウム約50svi激しく攪拌しながら
加えた・15秒後、塩化アンモニウムを溶液の青色が消
失するまで加えた後、室温で放置しアンモニアを蒸発せ
しめたe水1o−t−加え−約9になるまで減圧濃縮し
たe 残渣をアンバーライトCG−50(Nf(+) レジ
ン5一に吸着させ、水洗後0.2Nアンモニア水で分離
清1it−行ない減圧濃縮すると1表題の化合物(el
)・の2+、2q(収率97.Iチ)11:得た。
’H−NMRx ハクトル(20%ND51nD20
) :δ3.72 (3H,シングレット、 ocも)
83.85 (IL 1fkffVットm H−2’
、 J1221==3Hz、J =4Hz) 27 、3’ 5.10 (IH,ダブレットe H−1’、
J 1g、 2# =4 H” )5.50 (IH
,ダシレット、 ■−1′、 J、1.27=3H2)
(ロ) 3′−フルオロ−3′−デオキシ−6′−N−
メト中ジカルボニルカナマイクンA 〔化合物(f ) という〕の生成 前項ビ)で得られt化合物(e2)の981qを無水エ
チレングリー−ル3−に溶解し、フッ化水素カリウム1
20WIIt−加え、封管で150°で3時間反応させ
て化合物(fl)を生成し・た・e13′−フルオロ−
3′−デオキシカナマイシンAの合成 前項(ロ)で得られた反応混合物からエチレングリコー
ルを減圧で除去後、化合物(f ) を含む残渣をI
N水酸化ナトリウム4−に溶解し、806Gで3時間加
熱した(メトΦジカルボニル基の脱離)。
) :δ3.72 (3H,シングレット、 ocも)
83.85 (IL 1fkffVットm H−2’
、 J1221==3Hz、J =4Hz) 27 、3’ 5.10 (IH,ダブレットe H−1’、
J 1g、 2# =4 H” )5.50 (IH
,ダシレット、 ■−1′、 J、1.27=3H2)
(ロ) 3′−フルオロ−3′−デオキシ−6′−N−
メト中ジカルボニルカナマイクンA 〔化合物(f ) という〕の生成 前項ビ)で得られt化合物(e2)の981qを無水エ
チレングリー−ル3−に溶解し、フッ化水素カリウム1
20WIIt−加え、封管で150°で3時間反応させ
て化合物(fl)を生成し・た・e13′−フルオロ−
3′−デオキシカナマイシンAの合成 前項(ロ)で得られた反応混合物からエチレングリコー
ルを減圧で除去後、化合物(f ) を含む残渣をI
N水酸化ナトリウム4−に溶解し、806Gで3時間加
熱した(メトΦジカルボニル基の脱離)。
その反応液をダウエックス50WX2(H型)樹脂20
−に吸着させ水洗後に0.5Nアンモニア水で溶離して
目的化合物を含む物質を得た・これを水に溶解し・CM
−化ファデツクスC−25(NU4’l!J )ノカラ
hvc入し、 0.03−1.5 N077モニア水で
展開、精製分離して目的化合物の21.0q(収率27
チ)t−得た。
−に吸着させ水洗後に0.5Nアンモニア水で溶離して
目的化合物を含む物質を得た・これを水に溶解し・CM
−化ファデツクスC−25(NU4’l!J )ノカラ
hvc入し、 0.03−1.5 N077モニア水で
展開、精製分離して目的化合物の21.0q(収率27
チ)t−得た。
実施例4
(へ) 2’、3’−アンヒドロ−6′−N−ベンジル
オΦジカルボニル−4’、 6’−0−シクロヘキシリ
デン−31−二一−l、3゜3′−トリーN−)ジルカ
ナマイシンA〔化合物(e ) という〕の合成 参考例3で得られた化合物(dりの6QOyt−4チナ
トリウムベンジレート(Na0CH24)を含むへ:/
:)ルlルコ−A/ (◇XCH20H)−f ト5ヒ
)’ロフラン(1:l)の混液10−に加え45°Cで
30分反応せしめた・0.5チ塩酸で中和e*縮後。
オΦジカルボニル−4’、 6’−0−シクロヘキシリ
デン−31−二一−l、3゜3′−トリーN−)ジルカ
ナマイシンA〔化合物(e ) という〕の合成 参考例3で得られた化合物(dりの6QOyt−4チナ
トリウムベンジレート(Na0CH24)を含むへ:/
:)ルlルコ−A/ (◇XCH20H)−f ト5ヒ
)’ロフラン(1:l)の混液10−に加え45°Cで
30分反応せしめた・0.5チ塩酸で中和e*縮後。
残渣を酢酸エチルに溶解、不溶物を除去した後。
その溶液を再び減圧濃縮した。残渣を展開系クロロホル
ム−メタノール(50:暑→lQ:I)によるシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーで精製し・表題化合物(e
) の420v(74%)t−得たO (→ 2′珈3′−アンヒドロ−1,3,6’、3’−
テトラ−N−ベンジルオキシカルボ ニル−3′−エピーカt−rイシy A (fE合物(
e ) という〕の生成 化合物(C4) 前項印で得られた化合物(e ) の1lojlF!
””606Cの液体アンモニア40.tK溶解し、金属
ナトリウム約15011ft−はげしく攪拌しながら加
えて反応させると、6’−N−ベンジルオキシカルボニ
ル基とトシル基が脱離される一15秒後、塩化アンモニ
ウムを溶液が無色になるまで加え、室温 。
ム−メタノール(50:暑→lQ:I)によるシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーで精製し・表題化合物(e
) の420v(74%)t−得たO (→ 2′珈3′−アンヒドロ−1,3,6’、3’−
テトラ−N−ベンジルオキシカルボ ニル−3′−エピーカt−rイシy A (fE合物(
e ) という〕の生成 化合物(C4) 前項印で得られた化合物(e ) の1lojlF!
””606Cの液体アンモニア40.tK溶解し、金属
ナトリウム約15011ft−はげしく攪拌しながら加
えて反応させると、6’−N−ベンジルオキシカルボニ
ル基とトシル基が脱離される一15秒後、塩化アンモニ
ウムを溶液が無色になるまで加え、室温 。
に放置し、アンモニアを蒸発せしめた。残渣を水に溶解
し、ダウエックス50WX2(Hfi) 樹脂3−に吸
着させ(この操作でシクロへ今シリデン基が脱離される
)、0.5 Nアン篭ニア水で溶離すると、上記の式の
化合物(e)、すなわち2’ 、 3’−アンヒドロー
3′−エピ−カナマイシンAの粗製物が得られ&、これ
を水−テトラLドロフラン(I:2)に懸濁させ、炭酸
ナトリウム2539.塩化ベンジルオキシカルボニル(
CIC0OCH2yj ) 70qを加え、室温で3
時間反応せしめてアミノ基にベンジルオキシカルボニル
基(Z)t−導入した・反応液を減圧濃縮し、水を加え
、沈澱t−F取し1表題化合物(e ) の84q(8
7%)t−得た。
し、ダウエックス50WX2(Hfi) 樹脂3−に吸
着させ(この操作でシクロへ今シリデン基が脱離される
)、0.5 Nアン篭ニア水で溶離すると、上記の式の
化合物(e)、すなわち2’ 、 3’−アンヒドロー
3′−エピ−カナマイシンAの粗製物が得られ&、これ
を水−テトラLドロフラン(I:2)に懸濁させ、炭酸
ナトリウム2539.塩化ベンジルオキシカルボニル(
CIC0OCH2yj ) 70qを加え、室温で3
時間反応せしめてアミノ基にベンジルオキシカルボニル
基(Z)t−導入した・反応液を減圧濃縮し、水を加え
、沈澱t−F取し1表題化合物(e ) の84q(8
7%)t−得た。
C93′−フルオロ−3’−fオΦシカナマイシン人〔
化合物(I) )の合成 H 化合物(f3) 前項(ロ)で得られ九化合物(e ) の9011I
ft−無水エチレングリコール3−に溶解し、フッ化水
素カリey A (K)[F2) o 50 tqt
加工、封w中1500 テ3時間反応せしめた。以後、
実施例1(ロ)の方法と同様に処理すると、上記の式の
化合物(f’)、すなわちl 、 3 、6’ 、 3
’−テトラ−N−ペンジルオキジカルボニル−3′−フ
ルオロ−3’−チオキシカナマイシンAの粗製物(24
v9)が得られ九。これを精製することなく、水−ジオ
キサン(l:+)の3艷に懸濁し、/4ラジウム黒を加
え、3気圧の水素下還元を行ってベンジルオキシカルボ
ニル基(z)を脱離させた@得られた物質を水に溶解し
。
化合物(I) )の合成 H 化合物(f3) 前項(ロ)で得られ九化合物(e ) の9011I
ft−無水エチレングリコール3−に溶解し、フッ化水
素カリey A (K)[F2) o 50 tqt
加工、封w中1500 テ3時間反応せしめた。以後、
実施例1(ロ)の方法と同様に処理すると、上記の式の
化合物(f’)、すなわちl 、 3 、6’ 、 3
’−テトラ−N−ペンジルオキジカルボニル−3′−フ
ルオロ−3’−チオキシカナマイシンAの粗製物(24
v9)が得られ九。これを精製することなく、水−ジオ
キサン(l:+)の3艷に懸濁し、/4ラジウム黒を加
え、3気圧の水素下還元を行ってベンジルオキシカルボ
ニル基(z)を脱離させた@得られた物質を水に溶解し
。
CM−セファデックスC−25(・N’H4型)にて0
.03〜1.5Nアンモニア水で展開し、精製して3′
−フルオcI−3′−デオキシカナマイシンAの9.5
キ(収率22−)を得た@ 実施例5 (至) 2’、3’−アンヒドロ−37−ニー−1゜3
、6’ 、 3’−テトラ−N−アセチルカナマイシ
ンhc(ヒ合物Ce’)トいう〕の合成 実施例4(イ)で得られた化合物(e)、すなわち2’
、3’−7ンヒドロー6’ −N−ペンジルオ中ジカル
ボニル−4’、 6’−0−シクロヘキシリデン−3′
−エピ−1,3,3’−)リーN−トシルカナマイシン
ムの1lQqf:用い、これを実施例4(ロ)における
脱保護処理と同様に処理して2’、3’=アンヒドロ−
3′−エピーカナマイシンム〔化合物(e )〕の粗製
物を収得した・この粗製化合物(a)1水−テトラヒド
ロフラン(1:2)の2111tに懸濁させ、炭酸ナト
リウム25岬の存在°Fに無水−酢酸45キを加えて意
温で反応させて、化合物(@)のアミノ基をアセチル基
で保護した0その反応液を減圧濃縮し、得られた固体を
水−メタノール(1:1)の3−に溶解し、その溶液に
ダウエックス50W(I(+型)レジンの1−を加え、
攪拌後にr過した。固体の洗液とr液とを脅せて・減圧
下に濃縮乾固すると、表題化合物(e ) の粗製物
80キを得た口 ←) 1.3.6’、3’−テトラ−N−アセテルー
3′−フルオロ−3′−デオキシ−カナ1イシンA〔1
ヒ合*(f) という)の生成 前項イ)で得られた粗製化合物(e ) を・無水エ
チレングリコール3−に溶解し、7ツ化水素カリウム(
KHF2)の50岬を加え、封管中150°で3時間反
応せしめ九〇以後実施例1←)の方法と同様に処理し表
題1ヒ合物(f4)すなわち1.3.6’。
.03〜1.5Nアンモニア水で展開し、精製して3′
−フルオcI−3′−デオキシカナマイシンAの9.5
キ(収率22−)を得た@ 実施例5 (至) 2’、3’−アンヒドロ−37−ニー−1゜3
、6’ 、 3’−テトラ−N−アセチルカナマイシ
ンhc(ヒ合物Ce’)トいう〕の合成 実施例4(イ)で得られた化合物(e)、すなわち2’
、3’−7ンヒドロー6’ −N−ペンジルオ中ジカル
ボニル−4’、 6’−0−シクロヘキシリデン−3′
−エピ−1,3,3’−)リーN−トシルカナマイシン
ムの1lQqf:用い、これを実施例4(ロ)における
脱保護処理と同様に処理して2’、3’=アンヒドロ−
3′−エピーカナマイシンム〔化合物(e )〕の粗製
物を収得した・この粗製化合物(a)1水−テトラヒド
ロフラン(1:2)の2111tに懸濁させ、炭酸ナト
リウム25岬の存在°Fに無水−酢酸45キを加えて意
温で反応させて、化合物(@)のアミノ基をアセチル基
で保護した0その反応液を減圧濃縮し、得られた固体を
水−メタノール(1:1)の3−に溶解し、その溶液に
ダウエックス50W(I(+型)レジンの1−を加え、
攪拌後にr過した。固体の洗液とr液とを脅せて・減圧
下に濃縮乾固すると、表題化合物(e ) の粗製物
80キを得た口 ←) 1.3.6’、3’−テトラ−N−アセテルー
3′−フルオロ−3′−デオキシ−カナ1イシンA〔1
ヒ合*(f) という)の生成 前項イ)で得られた粗製化合物(e ) を・無水エ
チレングリコール3−に溶解し、7ツ化水素カリウム(
KHF2)の50岬を加え、封管中150°で3時間反
応せしめ九〇以後実施例1←)の方法と同様に処理し表
題1ヒ合物(f4)すなわち1.3.6’。
31−テトラ−N−アセチル−3′−フルオロ−3′−
デオキシカナマイシンAの粗製物2011qが得られ九
〇 (ハ) 3′−フルオe1−31−デオキシカナマイシ
ンムの合成 前項(ロ)で得られた粗製の化合物(f ) 物質を
2N−水酸化ナトリウム水溶液I−にとかし・ l00
002時間処理して脱アセチルした。その後ダウエック
ス50WX2樹脂(H+型)1.5−に吸着させ、0.
5Nアンモニア水で#I4シて目的の3′−フルオ 、
、、 3′−デオΦシカナマイクン人の9.7岬を得九
@ なお、先の参考例及び実施例に示された式におかて、T
sij)シル基、 AOはアセチル基、 nzsはベン
ジルスルホニル基、 Cbmはメトキシカルボニル基
、zはベンジルオキシカルボニル基を示す。
デオキシカナマイシンAの粗製物2011qが得られ九
〇 (ハ) 3′−フルオe1−31−デオキシカナマイシ
ンムの合成 前項(ロ)で得られた粗製の化合物(f ) 物質を
2N−水酸化ナトリウム水溶液I−にとかし・ l00
002時間処理して脱アセチルした。その後ダウエック
ス50WX2樹脂(H+型)1.5−に吸着させ、0.
5Nアンモニア水で#I4シて目的の3′−フルオ 、
、、 3′−デオΦシカナマイクン人の9.7岬を得九
@ なお、先の参考例及び実施例に示された式におかて、T
sij)シル基、 AOはアセチル基、 nzsはベン
ジルスルホニル基、 Cbmはメトキシカルボニル基
、zはベンジルオキシカルボニル基を示す。
手続補正書(方式)
昭和60年 4月25日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、次の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、Aはスルホニル基型のアミノ保護基以外のアミ
ノ保護基、又は水素原子であり、Bは水素原子、あるい
は、任意のアミノ保護基であり、X及びYは夫々に水素
原子又は1価のヒドロキシル保護基であり、あるいはX
及びYは共同して1個の2価のヒドロキシル保護基を形
成する〕で示される2′,3′−アンヒドロ−3′−エ
ピ−カナマイシンA又はこれの保護誘導体を次式 MeHF_2(III) 〔式中、Meはアルカリ金属原子である〕のアルカリ金
属水素ジ弗化物と有機溶媒中で100〜200℃の温度
で反応させて次の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) 〔式中、A、B、X及びYは前記と同じ意味である〕で
示される3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイシン
A化合物を生成させ、さらに式(IV)の化合物中にアミ
ノ保護基及び(又は)ヒドロキシル保護基が残留する場
合には、これら保護基を公知方法で脱離することを特徴
とする、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) で示される3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイシ
ンAの製造法。 2、次の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(V) 〔式中、B′はアミノ保護基であり、X及びYは夫々に
水素原子又は1価のヒドロキシル保護基であるか、ある
いはX及びYは共同して1個の2価ヒドロキシル基を形
成し、Zはアルキルスルホニル基、アラルキルスルホニ
ル基又はアリールスルホニル基である〕で示される3′
−O−スルホニル−6′−N,4′−O−カルボニル−
カナマイシンAの保護誘導体をメタノールの存在下にア
ルカリ金属メチラート又はエタノールの存在下にアルカ
リ金属エチラート又はベンジルアルコールの存在下にナ
トリウム・ベンジレートと反応させて次の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II′) 〔式中、B′、X及びYは前記と同じ意味をもち、A′
はメトキシカルボニル基又はエトキシカルボニル基又は
ベンジルオキシカルボニル基の形のアミノ保護基である
〕で示される2′,3′−アンヒドロ−3′−エピ−6
′−N−アルコキシカルボニル−カナマイシンAの保護
誘導体を生成し、次に式(II′)の化合物を直ちに用い
るか、若しくは式(II′)の化合物からアミノ保護基(
A′、B′)及びヒドロキシル保護基(X、Y)の一部
又は全部を脱離した後に得られた2′,3′−アンヒド
ロ−3′一エピ−カナマイシンA化合物を用いて、これ
を次式 MeHF_2(III) 〔式中、Meはアルカリ金属原子である〕のアルカリ金
属水素ジ弗化物と有機溶媒中で100〜200℃の温度
で反応させて次の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(IV′) 〔式中、A″はメトキシカルボニル基又はエトキシカル
ボニル基又はベンジルオキシカルボニル基の形のアミノ
保護基であるか又は水素原子であり、B″はアミノ保護
基又は水素原子であり、X′及びY′は前記のX及びY
と同じ意味をもつか、あるいはX′及びY′が夫々に水
素原子である〕で示される3′−フルオロ−3′−デオ
キシカナマイシンA化合物を生成させ、さらに式(IV′
)の化合物中にアミノ保護基及び(又は)ヒドロキシル
保護基が残留する場合には、これら保護基を公知方法で
脱離することを特徴とする、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) で示される3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイシ
ンAの製造法。 3、2′,3′−アンヒドロ−3′一エピ−カナマイシ
ンA化合物(II)又は(II′)とアルカリ金属水素ジ弗
化物との反応に用いる有機溶媒は液状の低級アルキレン
グリコール、好ましくはエチレングリコール又はプロピ
レングリコールである特許請求の範囲第1項又は第2項
に記載の方法。 4、アルカリ金属水素ジ弗化物はナトリウム水素ジ弗化
物又はカリウム水素ジ弗化物である特許請求の範囲第1
項又は第2項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59261776A JPS61140596A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイシンaの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59261776A JPS61140596A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイシンaの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61140596A true JPS61140596A (ja) | 1986-06-27 |
| JPH0582394B2 JPH0582394B2 (ja) | 1993-11-18 |
Family
ID=17366537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59261776A Granted JPS61140596A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 3′−フルオロ−3′−デオキシカナマイシンaの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61140596A (ja) |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP59261776A patent/JPS61140596A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582394B2 (ja) | 1993-11-18 |
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