JPS61141123A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPS61141123A
JPS61141123A JP59263927A JP26392784A JPS61141123A JP S61141123 A JPS61141123 A JP S61141123A JP 59263927 A JP59263927 A JP 59263927A JP 26392784 A JP26392784 A JP 26392784A JP S61141123 A JPS61141123 A JP S61141123A
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JP
Japan
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gas
uniform temperature
temperature region
semiconductor substrates
semiconductor
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JP59263927A
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JPH0763059B2 (ja
Inventor
Tsugimi Konno
今野　次視
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半堺体裳造工程において外部からガスを導入
し、均一温度領域を保持しなければならない熱酸化・熱
拡散・アニール等の熱処理炉に関するものである。
〔従来技術〕
従来、第２図に示す様に熱拡散炉のガス導入口ｌからガ
スを導入し、均一温度領域に半導体基板保持具４を挿入
して熱酸化・熱拡散・アニール等の各種熱処理を実施し
てきた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、従来の熱拡散炉は、均一温度領域を得るために
半導体基板５を挿入せず、半導体基板の熱処理時と同等
のガス（５〜２０リットル／分）を炉芯管２ヘガス導入
口１から流入させながら温度測定を行ない均一温度領域
を確保していたため、その後に半導体基板５を挿入する
と、ガス導入口に最も近い半導体基板に、均一温度領域
の温度に達していないガスが塞き止められ、その後段の
均一温度領域のはずの温度が一定でなくなり、半導体基
板毎の均一な熱処理が阻害されると云う問題があった。
そこで１本発明は従来のこの様な問題点を解決するため
、半導体基板を挿入しない状態で均一温度領域を確保し
、その後半導体基板の熱処理を実施しても均一温度領域
の温度が変化せず半導体基板は均一な熱処理が行なわれ
る熱拡散炉を得る仁とを目的としている。
〔問題を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために、本発明の熱拡散炉は、外
部からの導入ガスの導入口と一定温度領域に挿入される
半導体基板の間に、導入ガスの温度を均一温度領域の温
度に近づけるためのガス加熱手段を有することを特徴と
する。
〔実施例〕
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
１図は本発明の第１の実施例の断面図である。第１図に
示す様に熱拡散炉の外周部からのガス導入口ｌより導入
されたガスは、半導体保持具４に立てられた半導体基板
５ｔ−挿入する均一温度領域に達する前にガス干渉板６
に達し、直進の進路を妨げられるために半導体基板に達
するまでに時間がかかりその間にガスが暖められる。ガ
ス干渉板は炉芯管２に溶接され一体化している。３は均
一温度領域を作るためのヒーターである。
第８図は本発明の第２の実施例の断面図である。
第８図は第１の実施例の改良型であり、ガス干渉板の前
段により熱効率を上げるために補助のガス干渉板７を設
けたものである。
第４図は本発明の第８の実施例の断面図であ乞゛。
第８の実施例はガス導入口からの配管を炉芯管の内部ま
で延長し、導入ガスの温度上昇を効率よく得るためにラ
セン状にして長さを稼ぎ、ガス流入口を半導体基板に向
けない事でより効率を良くしたものである。
第６図は本発明の第４の実施例の断面図である。
第４の実施例は、ガスの干渉部を炉芯管と一体化せずに
単独にしたものである。このため補修や洗浄が簡単に行
なえる利点がある。
、第６図は本発明の第５の実施例の断面図である。
第６の実施例は、半導体保持具４にガス干渉板も保持可
能としたもの、または直接溶接したものである。
９７図は本発明の第６の実施例の断面図である。
第６の実施例は、ガス導入口付近に半導体基板の熱処理
用ヒーター８とは別に単独にヒーターを配置し、導入ガ
スの加熱処理を行なうものである。　゛以上の実施例に
おいて、温度測定時の均一温度領域の温度は半導体基板
挿入後も変化しなくなる。
導入ガスの温度をできる限り均一温度領域の温度に近づ
ける程有効に作用する。
〔発明の効果〕
本発明は以上説明した様に、半導体製造装置の熱拡散に
おいて、均一温度領域と外部からのガス導入口の間に導
入ガスを暖める手段を具備するという簡単な構造により
、半導体基板の有無によらない均一温度領域が保持され
る効果がある。このため、半導体基板の熱処理時の温度
の均一性が保たれ、集積回路の電気特性の安定化、歩留
りの向上、及び半導体基板の多量処理が可能となったの
で集積回路のコストダウンにつながった。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明にかかる半導体製造装置の熱拡散炉の
断面図、第２図は、従来の半導体製造装置の熱拡散炉の
断面図、第８図、紀４図、第５図、第６図及び第７図は
、この発明にかかる導入ガスを暖める手段の実施例を示
す断面図である。 ｌ・・・ガス導入口 ２・・・炉芯管 ８・・・熱拡散炉ヒーター ４・・・半導体基板保持具 ６・・・半導体基板 ６・・・ガス干渉板 ７・・・補助ガス干渉板 ８・・・ヒーター 以　　　上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　外部からガスを導入し均一温度領域のもとで半導体基
    板を熱処理する半導体製造装置において、均一温度領域
    の前段に導入ガスを暖める手段を具備することを特徴と
    する半導体製造装置。
JP59263927A 1984-12-14 1984-12-14 半導体製造装置 Expired - Lifetime JPH0763059B2 (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0763059B2 (ja) 1995-07-05

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