JPH0388327A - 拡散炉 - Google Patents
拡散炉Info
- Publication number
- JPH0388327A JPH0388327A JP22612989A JP22612989A JPH0388327A JP H0388327 A JPH0388327 A JP H0388327A JP 22612989 A JP22612989 A JP 22612989A JP 22612989 A JP22612989 A JP 22612989A JP H0388327 A JPH0388327 A JP H0388327A
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- Japan
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Links
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 35
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Landscapes
- Furnace Details (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板に不純物を拡散する拡散炉に関す
る。
る。
従来、この種の拡散炉では、使用する数種類の反応気体
を反応気体混合装置で混合後、反応気体混合装置と拡散
炉に装填された炉芯管の反応気体注入口を接続する配管
を通し、直接、炉芯管へ転送する構造になっていた。
を反応気体混合装置で混合後、反応気体混合装置と拡散
炉に装填された炉芯管の反応気体注入口を接続する配管
を通し、直接、炉芯管へ転送する構造になっていた。
しかしながら、上述した従来の拡散炉への反応気体の転
送方法では、炉芯管に転送された直後の反応気体の温度
が室温程度であり、この炉芯管内に供給されている間に
、加熱されて拡散炉の設定温度まで上昇する。その為、
反応気体の使用量、拡散炉の設定温度、例えば、水素と
酸素を反応させて使用する場合等、拡散炉の使用条件に
よって反応気体の温度が拡散炉の設定温度まで上昇する
前に炉芯管内を移動するため、炉芯管の温度が不均一に
なるという欠点がある。
送方法では、炉芯管に転送された直後の反応気体の温度
が室温程度であり、この炉芯管内に供給されている間に
、加熱されて拡散炉の設定温度まで上昇する。その為、
反応気体の使用量、拡散炉の設定温度、例えば、水素と
酸素を反応させて使用する場合等、拡散炉の使用条件に
よって反応気体の温度が拡散炉の設定温度まで上昇する
前に炉芯管内を移動するため、炉芯管の温度が不均一に
なるという欠点がある。
この不均一な温度分布が、そのまま、拡散層の厚さのば
らつきをもたらすという問題がある。
らつきをもたらすという問題がある。
本発明の目的は、かかる問題を解消する拡散炉を提供す
ることにある。
ることにある。
本発明の拡散炉は、半導体基板を収納する炉芯管と、こ
の炉芯管内に反応気体を供給する配管と、この配管と炉
芯管との間に接続されるとともに前記反応気体を予備加
熱する加熱装置とを備えてＩＩＩｔｊ、される。
の炉芯管内に反応気体を供給する配管と、この配管と炉
芯管との間に接続されるとともに前記反応気体を予備加
熱する加熱装置とを備えてＩＩＩｔｊ、される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す拡散炉の模式断面図
である。この拡散炉は、同図に示すように、例えば、酸
素と水素のような気体を混合し供給する反応気体混合装
置１とウェーハが収納された炉芯管６との間に反応気体
を加熱する加熱装置９が配管接続治具７を用いて、接続
されたことである。それ以外は従来と同様である。
である。この拡散炉は、同図に示すように、例えば、酸
素と水素のような気体を混合し供給する反応気体混合装
置１とウェーハが収納された炉芯管６との間に反応気体
を加熱する加熱装置９が配管接続治具７を用いて、接続
されたことである。それ以外は従来と同様である。
この拡散炉の動作を説明すると、まず、反応気体混合装
置１で混合された反応気体は、配管を通して室温近傍の
温度あるいはそれ以下の温度状態で反応気体加熱装置９
の加熱室８へ転送される。
置１で混合された反応気体は、配管を通して室温近傍の
温度あるいはそれ以下の温度状態で反応気体加熱装置９
の加熱室８へ転送される。
次に、加熱室８は、加熱室保護装置５とし命へい治具２
により断面しやへいされ、ヒーター４によって、拡散炉
の設定温度近傍まで加熱されている。このような動作を
行うことによって、加熱室８に転送された時点では、室
温近傍の温度であった反応気体が、加熱室８を通る間に
拡散炉の設定温度に近い温度まで加熱され、炉芯管６に
転送される。
により断面しやへいされ、ヒーター４によって、拡散炉
の設定温度近傍まで加熱されている。このような動作を
行うことによって、加熱室８に転送された時点では、室
温近傍の温度であった反応気体が、加熱室８を通る間に
拡散炉の設定温度に近い温度まで加熱され、炉芯管６に
転送される。
第２図は本発明の他の実施例を示す拡散炉の模式断面図
である。この拡散炉は、同図に示すように、反応気体混
合装置１と炉芯管６の間に反応気体加熱装置９が配管接
続治具７を用いて接続さ゛れている状態まで前述の実施
例と同じである。ただ、この実施例では、炉芯管の温度
を検出し、ヒータの温度を制御する温度制御装置１１を
設けたことである。この拡散炉の動作は、まず、反応気
体混合装置１で混合された反応気体が、配管を通して反
応気体加熱装置９の加熱室８へ転送される０次に、加熱
室８は実施例１と同様に、加熱室保護装置５としゃへい
治具２により断熱しゃへいされ、ヒーター４によって加
熱される。また、これと同時に、ヒーター用熱電対１０
により、ヒーター４の温度を検出し、拡散炉制御装置１
２からの拡散炉の設定温度信号と加熱装置の温度制御装
置１１で比較することによって、加熱室８の温度を拡散
炉の設定温度と同一温度に維持する。
である。この拡散炉は、同図に示すように、反応気体混
合装置１と炉芯管６の間に反応気体加熱装置９が配管接
続治具７を用いて接続さ゛れている状態まで前述の実施
例と同じである。ただ、この実施例では、炉芯管の温度
を検出し、ヒータの温度を制御する温度制御装置１１を
設けたことである。この拡散炉の動作は、まず、反応気
体混合装置１で混合された反応気体が、配管を通して反
応気体加熱装置９の加熱室８へ転送される０次に、加熱
室８は実施例１と同様に、加熱室保護装置５としゃへい
治具２により断熱しゃへいされ、ヒーター４によって加
熱される。また、これと同時に、ヒーター用熱電対１０
により、ヒーター４の温度を検出し、拡散炉制御装置１
２からの拡散炉の設定温度信号と加熱装置の温度制御装
置１１で比較することによって、加熱室８の温度を拡散
炉の設定温度と同一温度に維持する。
ここでこの実施例の拡散炉では、拡散炉の設定温度が変
化した場合に自動的に加熱室８の温度に変更されるため
、拡散炉の設定温度と炉芯管６に転送される反応気体の
温度差が少なく、炉芯管６内温度がより安定しやすいと
いう利点がある。
化した場合に自動的に加熱室８の温度に変更されるため
、拡散炉の設定温度と炉芯管６に転送される反応気体の
温度差が少なく、炉芯管６内温度がより安定しやすいと
いう利点がある。
以上説明したように本発明は、拡散炉で使用する反応気
体を炉芯管に転送する前に、反応気体加熱装置により加
熱することにより、反応気体の使用量、拡散炉の設定温
度、例えば、水素と酸素を反応させて使用する場合等に
おける拡散炉の使用条件にかかわらず、炉芯管内の温度
を均一に維持することが可能になる。
体を炉芯管に転送する前に、反応気体加熱装置により加
熱することにより、反応気体の使用量、拡散炉の設定温
度、例えば、水素と酸素を反応させて使用する場合等に
おける拡散炉の使用条件にかかわらず、炉芯管内の温度
を均一に維持することが可能になる。
したがって、処理枚数は増加しても、その炉芯管内の半
導体基板の位置による履歴の差をなくすことができ、均
一な拡散層を形成出来る拡散炉が得られるという効果が
ある。
導体基板の位置による履歴の差をなくすことができ、均
一な拡散層を形成出来る拡散炉が得られるという効果が
ある。
第１図は、本発明の一実施例を示す拡散炉の模式断面図
、第２図は本発明の他の実施例を示す拡散炉の模式断面
図である。 １・・・反応気体混合装置、２・・・し命へい治具、３
・・・ヒーター用電力供給装置、４・・・ヒーター、５
・・・・加熱室保護装置、６・・・炉芯管、７・・・配
管接続治具、８・・・加熱室、９・・・反応気体加熱装
置、１０・・・ヒーター用熱電対、１１・・・温度制御
装置、１２・・・拡散炉制御装置。
、第２図は本発明の他の実施例を示す拡散炉の模式断面
図である。 １・・・反応気体混合装置、２・・・し命へい治具、３
・・・ヒーター用電力供給装置、４・・・ヒーター、５
・・・・加熱室保護装置、６・・・炉芯管、７・・・配
管接続治具、８・・・加熱室、９・・・反応気体加熱装
置、１０・・・ヒーター用熱電対、１１・・・温度制御
装置、１２・・・拡散炉制御装置。
Claims (1)
- 半導体基板を収納する炉芯管と、この炉芯管内に反応気
体を供給する配管と、この配管と炉芯管との間に接続さ
れるとともに前記反応気体を予備加熱する加熱装置とを
備えることを特徴とする拡散炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22612989A JPH0388327A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 拡散炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22612989A JPH0388327A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 拡散炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0388327A true JPH0388327A (ja) | 1991-04-12 |
Family
ID=16840301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22612989A Pending JPH0388327A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 拡散炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0388327A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5199470A (ja) * | 1975-02-27 | 1976-09-02 | New Nippon Electric Co | Handotaisochinoseizohoho |
| JPS605511A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-12 | Toshiba Corp | 半導体用拡散装置 |
| JPS61141123A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP22612989A patent/JPH0388327A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5199470A (ja) * | 1975-02-27 | 1976-09-02 | New Nippon Electric Co | Handotaisochinoseizohoho |
| JPS605511A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-12 | Toshiba Corp | 半導体用拡散装置 |
| JPS61141123A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
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