JPS61144006A - 磁性薄膜及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は磁性薄膜及びその製造方法に関し、さ［従来技
術］ 近年、磁気ディスク装置など、各種磁気記録再生装置の
高性能化が進み、記録の高密度化が強く求められている
。また、磁気ヘッドの小型化、あるいは生産性向上に対
する要求も適用機器の小型軽量化、ないし生産数の増大
にともなって大きくなってきている。この結果、最近で
はフェライトなどのコアを突き合わせて磁気ギャップを
形成する従来型の磁気ヘッドに代って非磁性層及び磁性
金属層か、ら構成される磁性薄膜から構成されるいわゆ
る薄膜磁気ヘッドが注目されている。

この薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気ヘッドの耐摩耗性
、磁気媒体の走行性１表面性などの総合的な信頼性の見
地から前述非磁性層としての基板の材料として非磁性フ
ェライトや結晶化ガラスなどが用いられていフ、また。

磁性金属としては、磁電変換特性の点で有利な非晶質磁
性合金が注目されている。

ところが、従来？薄膜磁気ヘッドの磁気薄膜は磁性金属
そのものだけ、すなわち一層の磁性金属層として形成さ
れるので、非晶質磁性合金により上記のような基門に薄
膜形成を行なう場合には以下に述べるような問題がある
。

一般に非晶質磁性合金のスパッタリングにおいては、薄
膜形成を受ける基板を充分冷却しないと、磁気特性に優
れた非晶質膜を形成することができない、これは基板温
度が高いと、ターゲットからアルゴンなどによりたたき
出される金属が基板に到達した際、金属の微結晶が成長
してしまい、完全な非晶質膜を得られないからである。

一方この要請とは反対に基板温度を下げて非晶質磁性合
金から薄膜を形成すると、基板に対する薄膜の密着力が
低く、膜形成後の基板の切断、研摩等の加工時に薄膜に
浮きや剥れが発生し易い、この結果薄膜磁気ヘッドの歩
留まりと信頼性が低くなる。

［目　的］ 本発明は以上のような事情に鑑みて成されたもので、磁
気特性に優れ、しかも形成面に対する密着力の高い磁性
薄膜及びその製造方法を提供することを目的としている
。

［発明の構成］ 以上の目的を達成するために本発明によれば、非磁性元
素からなる非磁性層と非晶質磁性合金層との間に非磁性
金属層を配してなる構成を採用した。

［実施例］ 以下、添付した図面を参照して本発明の実施例の詳細を
説明する。

第１図〜第３図は本発明の実施例として、先述した薄膜
磁気ヘッドの基板上に形成される磁性薄膜の構成をその
製造方法とともに説明するものである。

まず第１図に示すように、結晶化ガラス等の非磁性材か
らなる基板１を用意し、これを洗浄する。

次にこの基板１を不図示のスパッタリング装置内ヘセッ
トし、非晶質磁性合金膜を構成できる非磁性金属を材料
としてスパッタリングを行ない。

第２図に示すように基板ｌ上に非磁性金属層２を１００
０〜２０００Ａ程度の厚みで形成する。ここで前記の非
磁性元素としては後述する非晶質磁性合金膜として例え
ばＧｏ−Ｚｒ−Ｎｂ（コバルト−ジルコニウム−ニオブ
）からなる非晶質磁性合金を用いる場合シリコニウムや
ニオブを用いれば良い。

そしてこのような非磁性金属層２を形成するためのスパ
ッタリングは、基板ｌに対して非磁性金属層２に高い密
着力が得られる温度まで基板ｌの温度を上げて行なう、
この温度は例えば基板ｌが結晶化ガラスで非磁性金属層
２がジルコニウムの場合３００℃程度である。こうする
事により非磁性金属層２は基板ｌに対して高い密着力で
密着する。

次に上記の非磁性元素を構成中に含む非晶質磁性合金材
をスパッタリングして第３図に示すように非磁性層２上
に非晶質磁性合金層３を形成する。但しこの場合のスパ
ッタリングは磁気特性の高い完全な非晶質が得られるの
に適した温度まで基板１（及び非磁性金属層２）の温度
を下げて行なう、この温度は例えば非晶質磁性合金が上
述のＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂの場合５℃程度である。

こうする事により磁気特性の良好な非晶質磁性合金層３
が形成されるとともに、非晶質磁性合金層３は非磁性金
属層２の非磁性元素を含む非磁性金属層２と同類の構成
であるので、非磁性層２に高い密着力で密着し、非磁性
金属層２を介して基板１に高い密着力で密着する。

すなわち磁性薄ＷＩ４全体として磁気特性に優れ、しか
も基板ｌに対して高い密着力で密着するものが得られる
。

なお上述のように二重の層形成を行ない、非磁性層２の
かわりに磁性層を形成した場合、高い密着力は得られる
が、この磁性層に、は良好な磁気特性が得られず、全体
の特性が悪くなるとともに、二重の磁性層全体の厚みの
管理が困難となってしまう。

また本実施例の構成において非晶質磁性合金層３の形成
はスパッタリングによらないと困難であるが、非磁性層
２の形成は蒸着等でも行なう事ができる。

また以上のような本発明の磁性薄膜の用途は薄膜磁気ヘ
ッドに限らない事は勿論である。

［効　果］ 以上の説明から明らかなように、本発明の磁性薄膜によ
れば、非磁性金属からなる非磁性層上に前記非磁性元素
を構成中に含む非晶質磁性合金層を形成してなる構成で
あるので、磁気特性に優れるとともに形成面に対する密
着力の高い優れた磁性薄膜が得られる。特に薄膜磁気ヘ
ッドに用いる場合には薄膜磁気ヘッド歩留まりと信頼性
を向上できる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明の実施例による磁性薄膜の構成
をその製造方法とともに説明するもので、第１図は基板
の断面図、第２図は非磁性層を形成した基板の断面図、
第３図は非磁性金属層上に非晶質磁性合金層を形成した
基板の断面図である。 ｌ・・・基板　　　　　　　２・・・非磁性金属層３・
・・非晶質磁性合金層　４・・・磁性薄膜第１図 ユニ二二３１ 第２図 第３図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）非磁性層と、非晶質磁性合金層との間に非磁性金
   属層を配してなることを特徴とする磁性薄膜。
2. （２）非磁性層上に非磁性金属層を形成した後、該非磁
   性金属層上に非晶質磁性合金層を形成することを特徴と
   する磁性薄膜の製造方法。