JPS6330687B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6330687B2 JPS6330687B2 JP56148096A JP14809681A JPS6330687B2 JP S6330687 B2 JPS6330687 B2 JP S6330687B2 JP 56148096 A JP56148096 A JP 56148096A JP 14809681 A JP14809681 A JP 14809681A JP S6330687 B2 JPS6330687 B2 JP S6330687B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- sendust
- substrate
- crystallized glass
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ヘツド用部材に関するものであ
る。
る。
最近磁気記録もしくは再生用の磁気ヘツドとし
てセンダスト（Sendust）を磁性材とするものが
広く使用されるようになつてきた。センダストと
は、よく知られているように、高い透磁率と優れ
た耐摩耗性をもつ合金であり、基本成分が重量％
で５〜12％のSi、２〜10％のAl、残りFeからな
るものである。
てセンダスト（Sendust）を磁性材とするものが
広く使用されるようになつてきた。センダストと
は、よく知られているように、高い透磁率と優れ
た耐摩耗性をもつ合金であり、基本成分が重量％
で５〜12％のSi、２〜10％のAl、残りFeからな
るものである。
ところで、センダストはもろくて、加工し難い
ため、薄くする事がむつかしく、最近のVTR用
録画ヘツドに要求されているようなトラツク幅15
〜20μの磁気ヘツドをセンダストの機械加工によ
り作製するのは多くの技術上の問題点を含む。こ
のため、トラツク幅に相当するセンダストの薄膜
を結晶化ガラスのフオトセラム（Photoceram―
米国コーニング社商品名）の表面上にスパツター
により被覆し、トラツク幅の狭い磁気ヘツドを作
製する方法が提案されている。
ため、薄くする事がむつかしく、最近のVTR用
録画ヘツドに要求されているようなトラツク幅15
〜20μの磁気ヘツドをセンダストの機械加工によ
り作製するのは多くの技術上の問題点を含む。こ
のため、トラツク幅に相当するセンダストの薄膜
を結晶化ガラスのフオトセラム（Photoceram―
米国コーニング社商品名）の表面上にスパツター
により被覆し、トラツク幅の狭い磁気ヘツドを作
製する方法が提案されている。
しかし、このフオトセラムの結晶化ガラスは、
熱膨張係数が100×10-7／℃であるため、このフ
オトセラムの基板表面に約160×10-7／℃の熱膨
張特性を有しているセンダストの磁性膜を作成す
ると、この両者の熱膨張特性の差に起因して、フ
オトセラムの基板が反り、又、センダストの磁性
膜に歪が入り、これが磁気ヘツドとして使用され
た場合の磁気特性を劣化させる。従つて、磁気ヘ
ツド用のセンダスト磁性膜を作るための基板に
は、熱膨張係数がセンダストに近似する150〜170
×10-7／℃のものが良い。
熱膨張係数が100×10-7／℃であるため、このフ
オトセラムの基板表面に約160×10-7／℃の熱膨
張特性を有しているセンダストの磁性膜を作成す
ると、この両者の熱膨張特性の差に起因して、フ
オトセラムの基板が反り、又、センダストの磁性
膜に歪が入り、これが磁気ヘツドとして使用され
た場合の磁気特性を劣化させる。従つて、磁気ヘ
ツド用のセンダスト磁性膜を作るための基板に
は、熱膨張係数がセンダストに近似する150〜170
×10-7／℃のものが良い。
結晶化ガラスを磁性膜の基板材料とする場合に
は、その結晶化ガラスの結晶粒径が小さく1μ以
下であるのが良い。結晶粒径が大きいと、基板製
作の研磨で、表面粗さ（Rmax）0.03μ以下のよ
うな基板として要求される十分平滑な面が得られ
にくいばかりでなく、結晶組織の不均質性を増し
て基板の表面電荷が一様になりにくく、均質な磁
性膜を作成する上で障害となる。
は、その結晶化ガラスの結晶粒径が小さく1μ以
下であるのが良い。結晶粒径が大きいと、基板製
作の研磨で、表面粗さ（Rmax）0.03μ以下のよ
うな基板として要求される十分平滑な面が得られ
にくいばかりでなく、結晶組織の不均質性を増し
て基板の表面電荷が一様になりにくく、均質な磁
性膜を作成する上で障害となる。
磁気ヘツドの基板は、磁気テープの摺動によつ
て摩耗しないように高い硬度のものが要求され、
ビツカース硬度が600以上であるのが良い。
て摩耗しないように高い硬度のものが要求され、
ビツカース硬度が600以上であるのが良い。
本発明は、センダストを磁性材とする磁気ヘツ
ド用部材を提供することを目的とする。
ド用部材を提供することを目的とする。
本発明者は、熱膨張係数が150〜170×10-7／
℃、結晶粒径が1μ以下、ビツカース硬度600以上
の特性を有する結晶化ガラスが、磁気ヘツドとし
て使用するセンダスト磁性膜を作るための基板と
して最適であり、上記の特性を有する結晶化ガラ
スは、主結晶相がα―石英及びα―クリストバラ
イトであるSiO2―ZnO―Li2O系の組成を有する
ものであることを見い出した。
℃、結晶粒径が1μ以下、ビツカース硬度600以上
の特性を有する結晶化ガラスが、磁気ヘツドとし
て使用するセンダスト磁性膜を作るための基板と
して最適であり、上記の特性を有する結晶化ガラ
スは、主結晶相がα―石英及びα―クリストバラ
イトであるSiO2―ZnO―Li2O系の組成を有する
ものであることを見い出した。
以下、本発明の実施例を図面を参照に説明す
る。
る。
図面は、結晶化ガラスの基板Ｐの表面にスパツ
タリング法により被覆したセンダストの磁性膜Ｓ
を有する本発明に係る磁気ヘツド用部材を示して
いる。結晶化ガラスの基板Ｐは、熱膨張係数150
〜170×10-7／℃、結晶粒径1μ以下、ビツカース
硬度600以上のものである。このような結晶化ガ
ラスとして、SiO2―ZnO―Li2O系の結晶化ガラ
ス、例えば重量％で、SiO260.0、ZnO26.5、
Li2O9.5、P2O52.0、Al2O32.0の組成を有し、主結
晶相がα―石英及びα―クリストバライトであ
り、熱膨張係数163×10-7／℃、結晶粒径0.5μ、
ビツカース硬度800の特性を有するものがある。
実際の磁気ヘツドは、図面のセンダストの磁性膜
Ｓの上に、結晶化ガラス基板Ｐと同じものがガラ
スシールにより接着され、全体としてサンドイツ
チ状にされて完成される。
タリング法により被覆したセンダストの磁性膜Ｓ
を有する本発明に係る磁気ヘツド用部材を示して
いる。結晶化ガラスの基板Ｐは、熱膨張係数150
〜170×10-7／℃、結晶粒径1μ以下、ビツカース
硬度600以上のものである。このような結晶化ガ
ラスとして、SiO2―ZnO―Li2O系の結晶化ガラ
ス、例えば重量％で、SiO260.0、ZnO26.5、
Li2O9.5、P2O52.0、Al2O32.0の組成を有し、主結
晶相がα―石英及びα―クリストバライトであ
り、熱膨張係数163×10-7／℃、結晶粒径0.5μ、
ビツカース硬度800の特性を有するものがある。
実際の磁気ヘツドは、図面のセンダストの磁性膜
Ｓの上に、結晶化ガラス基板Ｐと同じものがガラ
スシールにより接着され、全体としてサンドイツ
チ状にされて完成される。
以上、説明したように、本発明は、基板を磁性
材料のセンダストに適した結晶化ガラスにしたの
で、良好な磁性特性を有する磁気ヘツドを得るこ
とができる。
材料のセンダストに適した結晶化ガラスにしたの
で、良好な磁性特性を有する磁気ヘツドを得るこ
とができる。
図面は、本発明に係る磁気ヘツド用部材を示す
説明図である。 Ｐは結晶化ガラスの基板、Ｓはセンダストの被
膜を示す。
説明図である。 Ｐは結晶化ガラスの基板、Ｓはセンダストの被
膜を示す。
Claims (1)
- １ 熱膨張係数が150〜170×10-7／℃、結晶粒径
が1μ以下、ビツカース硬度が600以上、主結晶相
がα―石英及びα―クリストバライトである
SiO2―ZnO―Li2O系の組成を有する結晶化ガラ
スの表面に、センダストの磁性膜を被覆した磁気
ヘツド用部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14809681A JPS5848218A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 磁気ヘッド用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14809681A JPS5848218A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 磁気ヘッド用部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848218A JPS5848218A (ja) | 1983-03-22 |
| JPS6330687B2 true JPS6330687B2 (ja) | 1988-06-20 |
Family
ID=15445148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14809681A Granted JPS5848218A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 磁気ヘッド用部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848218A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4697217A (en) * | 1982-10-13 | 1987-09-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetic head having a main core of sheet amorphous magnetic material |
| JPH0630129B2 (ja) * | 1983-08-23 | 1994-04-20 | 富士通株式会社 | 薄膜磁気ヘッド用基板及び薄膜磁気ヘッド |
| JPS62188206A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-08-17 | Nippon Mining Co Ltd | Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金磁性膜及びその製造方法並びに薄膜積層磁気ヘツド |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS594768B2 (ja) * | 1976-02-10 | 1984-01-31 | 住友特殊金属株式会社 | 薄膜ヘッド基盤材料 |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP14809681A patent/JPS5848218A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5848218A (ja) | 1983-03-22 |
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