JPS61147501A - 薄膜サ−ミスタ - Google Patents
薄膜サ−ミスタInfo
- Publication number
- JPS61147501A JPS61147501A JP59269949A JP26994984A JPS61147501A JP S61147501 A JPS61147501 A JP S61147501A JP 59269949 A JP59269949 A JP 59269949A JP 26994984 A JP26994984 A JP 26994984A JP S61147501 A JPS61147501 A JP S61147501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- temperature
- sensitive resistor
- insulating substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は熱応答性の速い薄膜サーミスタに関するもの゛
である。
である。
従来の技術
薄膜サーミスタは、例えば、長井、他ナショナルテクニ
カルレポート（ＮａｔｉｏｎａＪ Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌＲ＠ｐｏｒｔ ）Ｖｏｌ、２６（１９８０）Ｐ、４０
３に示されているように、平板状絶縁性基板の一方の表
面に感温抵抗体膜と一対の電極膜とを形成して構成され
る。
カルレポート（ＮａｔｉｏｎａＪ Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌＲ＠ｐｏｒｔ ）Ｖｏｌ、２６（１９８０）Ｐ、４０
３に示されているように、平板状絶縁性基板の一方の表
面に感温抵抗体膜と一対の電極膜とを形成して構成され
る。
発明が解決しようとする問題点
しかし、゛このような従来の薄膜サーミスタは、熱応答
性が遅いという問題があった。これは下記の理由による
。
性が遅いという問題があった。これは下記の理由による
。
例えば、室温に保たれた薄膜サーミスタを、手早く高温
に保たれたオーブン中に移しだ時、サーミスタ温度は時
間経過とともに上昇する。このときの熱応答性はサーミ
スタの熱容量に大きく依存し、熱容量が大きくなると熱
応答性は遅くなる。
に保たれたオーブン中に移しだ時、サーミスタ温度は時
間経過とともに上昇する。このときの熱応答性はサーミ
スタの熱容量に大きく依存し、熱容量が大きくなると熱
応答性は遅くなる。
従来の薄膜サーミスタは、平板状絶縁性基板の上に感温
抵抗体膜と電極膜とを形成して構成されるので、薄膜サ
ーミスタの熱容量はほぼ平板状絶縁性基板により支配さ
れる。感温抵抗体膜と電極膜は数μｍ〜数１０μｍの厚
さで形成されるが、平板状絶縁性基板は０．３〜１．０
關 の厚さのものが用いられる。従って、感温抵抗体膜
と電極膜との熱容量は小さくても、平板状絶縁性基板の
熱容量は大きいので、従来の薄膜サーミスタの熱応答性
は遅かった。
抵抗体膜と電極膜とを形成して構成されるので、薄膜サ
ーミスタの熱容量はほぼ平板状絶縁性基板により支配さ
れる。感温抵抗体膜と電極膜は数μｍ〜数１０μｍの厚
さで形成されるが、平板状絶縁性基板は０．３〜１．０
關 の厚さのものが用いられる。従って、感温抵抗体膜
と電極膜との熱容量は小さくても、平板状絶縁性基板の
熱容量は大きいので、従来の薄膜サーミスタの熱応答性
は遅かった。
本発明は感温抵抗体膜と電極膜とから成る感温部の熱容
量を小さくすることにより、熱応答性の速い薄膜サーミ
スタを提供するものである。
量を小さくすることにより、熱応答性の速い薄膜サーミ
スタを提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決する本発明の技術的な手段け、感温抵
抗体膜の形成された部分の平板状絶縁性基板の一部また
は全部を除去することにある。
抗体膜の形成された部分の平板状絶縁性基板の一部また
は全部を除去することにある。
作 用
本発明は上記した構成を有するので、゛感温部、すなわ
ち、感温抵抗体膜の形成された部分、の平板状絶縁性基
板は除去される。従って感温部の熱容量は、感温抵抗体
膜のみの熱容量、もしくは感温抵抗体膜と電極膜との熱
容量となるので、従来に比べ非常に小さくできる。この
結果、熱応答性の速い薄膜サーミスタが得られる。
ち、感温抵抗体膜の形成された部分、の平板状絶縁性基
板は除去される。従って感温部の熱容量は、感温抵抗体
膜のみの熱容量、もしくは感温抵抗体膜と電極膜との熱
容量となるので、従来に比べ非常に小さくできる。この
結果、熱応答性の速い薄膜サーミスタが得られる。
実施例
第１図は本発明の薄膜サーミスタの一実施例を示す断面
図である。平板状石英基板１の一方表面上に感温抵抗体
膜２と電極膜３とを形成したのち、感温抵抗体膜２の形
成された部分の平板状石英基板１１（感温部石英基板１
１）を除去した。感温抵抗体膜２として、Ｆｅ、Ｎｉ
ＳＣｏ、Ｍｎなどの複合酸化物膜、Ｓｉ膜、ＳｉＣ膜な
どが用いられる。
図である。平板状石英基板１の一方表面上に感温抵抗体
膜２と電極膜３とを形成したのち、感温抵抗体膜２の形
成された部分の平板状石英基板１１（感温部石英基板１
１）を除去した。感温抵抗体膜２として、Ｆｅ、Ｎｉ
ＳＣｏ、Ｍｎなどの複合酸化物膜、Ｓｉ膜、ＳｉＣ膜な
どが用いられる。
電極膜３として、Ａｕ、ＰｔＳＰｄＳＡｇ−Ｐｄ。
Ａｕ−Ｐｔ などの厚膜電極膜、Ｃｒ −Ａｕ 、
Ｃｒ −Ｃｕ、Ａ／ などの薄膜電極膜が用いられる
。また、感温部石英基板１１は、ＨＦなどにより化学的
に溶解して除去される。
Ｃｒ −Ｃｕ、Ａ／ などの薄膜電極膜が用いられる
。また、感温部石英基板１１は、ＨＦなどにより化学的
に溶解して除去される。
平板状石英基板１の厚さを０．５朋、感温抵抗体膜２の
厚さを〜２μｍ、電極膜の厚さを〜１５μｍとしたとき
、従来の薄膜サーミスタ（第１図において感温部石英基
板１１が除去されていないもの）の熱時定数は約１５秒
であった。他方、感温部石英基板１１を除去した本発明
の薄膜サーミスタの熱時定数は約５秒であった。
厚さを〜２μｍ、電極膜の厚さを〜１５μｍとしたとき
、従来の薄膜サーミスタ（第１図において感温部石英基
板１１が除去されていないもの）の熱時定数は約１５秒
であった。他方、感温部石英基板１１を除去した本発明
の薄膜サーミスタの熱時定数は約５秒であった。
平板状絶縁性基板１は硝子板、石英板、シリコン板の群
から選ばれた１種で構成されることが望ましい。この理
由は、前述した材料がＨＦあるいはＨＮＯ３とＨＦの混
合液中に容易に溶解するからである。
から選ばれた１種で構成されることが望ましい。この理
由は、前述した材料がＨＦあるいはＨＮＯ３とＨＦの混
合液中に容易に溶解するからである。
また、感温抵抗体膜２はＳｉＣ膜で構成されることが望
ましい。ＳｉＣ膜は、化学的に安定で、ＨＦあるいはＨ
Ｎ Ｏ３と１（Ｆの混合液に溶解しないので、感温部の
平板状絶縁性基板１１を化学的に除去するとき、ＳｉＣ
膜は化学的に影響を受けない。また、５ｉＣｌｐＪは熱
的安定性にも優れる。
ましい。ＳｉＣ膜は、化学的に安定で、ＨＦあるいはＨ
Ｎ Ｏ３と１（Ｆの混合液に溶解しないので、感温部の
平板状絶縁性基板１１を化学的に除去するとき、ＳｉＣ
膜は化学的に影響を受けない。また、５ｉＣｌｐＪは熱
的安定性にも優れる。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、感温部の熱容
量をきわめて小さくできるので、熱応答性の速い薄膜サ
ーミスタが容易に得られる。
量をきわめて小さくできるので、熱応答性の速い薄膜サ
ーミスタが容易に得られる。
図は本発明の一実施例を示す薄膜サーミスタの断面図で
ある。 １・・・・・・平板状絶縁性基板、２・・・・・・感温
抵抗体膜、３・・・・・・電極膜、１１・・・・・・感
温部の平板状石英基板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｆ・
・、孕仮吠結縁竹基板 ２・・・＆゛ン魯ト札林頃 ３・・」し慢臘
ある。 １・・・・・・平板状絶縁性基板、２・・・・・・感温
抵抗体膜、３・・・・・・電極膜、１１・・・・・・感
温部の平板状石英基板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｆ・
・、孕仮吠結縁竹基板 ２・・・＆゛ン魯ト札林頃 ３・・」し慢臘
Claims (3)
- （１）平板状絶縁性基板と、この平板状絶縁性基板の一
方の表面に形成された感温抵抗体膜と、一対の電極膜と
から成り、前記感温抵抗体膜の形成された部分の前記平
板状絶縁性基板の少なくとも一部を除去した薄膜サーミ
スタ。 - （２）平板状絶縁性基板は硝子板、石英板、シリコン板
の群の中から選ばれた１種で構成された特許請求の範囲
第１項記載の薄膜サーミスタ。 - （３）感温抵抗体膜がＳｉＣ膜で構成された特許請求の
範囲第２項記載の薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59269949A JPS61147501A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 薄膜サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59269949A JPS61147501A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 薄膜サ−ミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61147501A true JPS61147501A (ja) | 1986-07-05 |
| JPH0334202B2 JPH0334202B2 (ja) | 1991-05-21 |
Family
ID=17479450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59269949A Granted JPS61147501A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 薄膜サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61147501A (ja) |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP59269949A patent/JPS61147501A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0334202B2 (ja) | 1991-05-21 |
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