JPS61152012A - 検査システム - Google Patents
検査システムInfo
- Publication number
- JPS61152012A JPS61152012A JP59272822A JP27282284A JPS61152012A JP S61152012 A JPS61152012 A JP S61152012A JP 59272822 A JP59272822 A JP 59272822A JP 27282284 A JP27282284 A JP 27282284A JP S61152012 A JPS61152012 A JP S61152012A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- reticle
- inspection
- optical system
- laser
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置のリングラフィ技術に係り、特許リ
ソグラフィ技術′によって転写されるパターンの欠陥を
検査しかつこのパターン欠陥の発生を未然に防止するこ
とのできる検査システムに関するものである。
ソグラフィ技術′によって転写されるパターンの欠陥を
検査しかつこのパターン欠陥の発生を未然に防止するこ
とのできる検査システムに関するものである。
半導体装置の製造に必要とされるリソグラフィ技術は、
例えばレチクルパターンを縮小してウェーハ上に転写す
るステッパに適用されているが、このリソグラフィ技術
における問題はレチクルに付着した鳳埃等の異物であり
、この種の異物によって転写パターンにパターン欠陥が
発生する。このため、従来からレチクル上の異物を検査
することが要求され、これまでは次のような方法が行な
われている。
例えばレチクルパターンを縮小してウェーハ上に転写す
るステッパに適用されているが、このリソグラフィ技術
における問題はレチクルに付着した鳳埃等の異物であり
、この種の異物によって転写パターンにパターン欠陥が
発生する。このため、従来からレチクル上の異物を検査
することが要求され、これまでは次のような方法が行な
われている。
即ち、第６図にプロセスブロック図を示すように、ダミ
ー又は先行するウェーハにレチクルのパターン焼付を行
なった上でこのウェーハを現像（レジスト現像）シ、か
つエツチングを行なっ℃パターンを形成する。そして、
このパターンを顕微鏡や光電素子を利用して認識した上
でこれを基準パターンと比較して形成されたパターンの
良否判定を行なっている。このとき、パターンに欠陥が
なければ直ちに本焼付工程に進むが、欠陥が生じていた
ときにはレチクル洗浄を行なって異物を取り除く必要が
あり、以下パターン欠陥がなくなるまで同一工程を繰返
す。
ー又は先行するウェーハにレチクルのパターン焼付を行
なった上でこのウェーハを現像（レジスト現像）シ、か
つエツチングを行なっ℃パターンを形成する。そして、
このパターンを顕微鏡や光電素子を利用して認識した上
でこれを基準パターンと比較して形成されたパターンの
良否判定を行なっている。このとき、パターンに欠陥が
なければ直ちに本焼付工程に進むが、欠陥が生じていた
ときにはレチクル洗浄を行なって異物を取り除く必要が
あり、以下パターン欠陥がなくなるまで同一工程を繰返
す。
しかしながら、このような検査方法では、少なくとも１
回はダミーウェーハへのパターンの焼付。
回はダミーウェーハへのパターンの焼付。
現偉、エツチングおよび形成されたパターンの検査を行
なう必要があるため罠、異物有無の判定を得るまでに、
前述の工程に必要とされる時間、大略１〜２時間を必要
とし、その間作業を停止しなければならない等作業性の
低下を招くことになる。
なう必要があるため罠、異物有無の判定を得るまでに、
前述の工程に必要とされる時間、大略１〜２時間を必要
とし、その間作業を停止しなければならない等作業性の
低下を招くことになる。
特許高価なステッパをこの間停止させておくことはその
稼動率の低下を生じ、実質スルーブツトが低下すること
になる。
稼動率の低下を生じ、実質スルーブツトが低下すること
になる。
また、レチクルのパターンの焼付後に現像、エツチング
等の工程が存在するために、これらの工程条件の違いや
ばらつき和よってレチクル上の異物の影響が常に一定し
て形成パターン上に現われるとは限らず、特に０．５μ
ｍ以下の異物を高い信頼度で検査することは困難である
。このため、検査時には存在しない欠陥が本パターン上
に発生することがあり、製品歩留の低下を招くことにな
る。
等の工程が存在するために、これらの工程条件の違いや
ばらつき和よってレチクル上の異物の影響が常に一定し
て形成パターン上に現われるとは限らず、特に０．５μ
ｍ以下の異物を高い信頼度で検査することは困難である
。このため、検査時には存在しない欠陥が本パターン上
に発生することがあり、製品歩留の低下を招くことにな
る。
更に、パターン検査では光学系を利用するが、形成され
たパターンは深さくエツチング深さ）の存在する次元パ
ターンであるため、光学系の焦点深度との関係で高解像
度を得ることが難かしく、検査精度が低下される。
たパターンは深さくエツチング深さ）の存在する次元パ
ターンであるため、光学系の焦点深度との関係で高解像
度を得ることが難かしく、検査精度が低下される。
なお、この種のパターン検査として、本出願人が先に提
案している特願昭５５−１３１６７１号や特願昭５５−
１７８８６６号が一例として挙げられる。
案している特願昭５５−１３１６７１号や特願昭５５−
１７８８６６号が一例として挙げられる。
本発明の目的はダミーウェーハ等を用いた検査用のパタ
ーン転写工程を全て省略し、レチクルパターンを直接的
に検査して異物を検査することにより作業効率の向上を
図ると共に検査の信頼度を向上し、製品歩留の向上を図
ることのできる検査システムを提供することにある。
ーン転写工程を全て省略し、レチクルパターンを直接的
に検査して異物を検査することにより作業効率の向上を
図ると共に検査の信頼度を向上し、製品歩留の向上を図
ることのできる検査システムを提供することにある。
また、本発明の目的は複数台のアライナを稼動する構成
においても検査システムの構成の簡易化を図りかつ稼動
効率の向上を図ることのできる検査システムを提供する
ことにある。
においても検査システムの構成の簡易化を図りかつ稼動
効率の向上を図ることのできる検査システムを提供する
ことにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、パターン転写を行なうウェーハ等の被転写体
を載置する可動テーブルの一部にパターン検査系のセン
サ部を設け、このセンサ部に転写パターンの照射を行な
い得るように構成する一方テハターン検査系は転写パタ
ーンを認識しかつそのパターン欠陥を検査し得るように
構成すること忙より、転写パターンにおける欠陥を直接
的に検査でき、これによりダミーの被転写体の処理工程
を不要にして検査の効率を向上しかつ欠陥の検査精度を
高めて製品歩留の向上を達成できる。
を載置する可動テーブルの一部にパターン検査系のセン
サ部を設け、このセンサ部に転写パターンの照射を行な
い得るように構成する一方テハターン検査系は転写パタ
ーンを認識しかつそのパターン欠陥を検査し得るように
構成すること忙より、転写パターンにおける欠陥を直接
的に検査でき、これによりダミーの被転写体の処理工程
を不要にして検査の効率を向上しかつ欠陥の検査精度を
高めて製品歩留の向上を達成できる。
また、パターン検査系は複数台のアライナに夫夫設けた
センサ部と、これらセンサ部に共通して設けた中央制御
部とで構成することにより、コンビエータを内蔵する制
御部の共用化を図って全体システムを簡易化でき、かつ
一方ではステッパの稼動効率を向上できる。
センサ部と、これらセンサ部に共通して設けた中央制御
部とで構成することにより、コンビエータを内蔵する制
御部の共用化を図って全体システムを簡易化でき、かつ
一方ではステッパの稼動効率を向上できる。
第１図は本発明の一実施例の全体構成図であり、複数台
（本例では３台）のアライナ１，２．３を備するパター
ン転写システムに本検査システムを適用した例である。
（本例では３台）のアライナ１，２．３を備するパター
ン転写システムに本検査システムを適用した例である。
前記アライナ１，２．３は、その構成をアライナ１で代
表して示すように、転写パターンとしてのレチクル４を
有する投影光学系５と、レチクル４のパターンが転写さ
れる被転写体としてのウェーハ６を載置するＸＹテーブ
ル７とを備えている。
表して示すように、転写パターンとしてのレチクル４を
有する投影光学系５と、レチクル４のパターンが転写さ
れる被転写体としてのウェーハ６を載置するＸＹテーブ
ル７とを備えている。
前記投影光学系５は、レチクル４を照明する光源８と、
レチクル４のパターンをＸＹテーブル７上に縮小投影す
る結像レンズ９を有している。また、ＸＹテーブル７は
、テーブル載置面をＸ方向、Ｙ方向に夫々移動させるＸ
駆動部１０．Ｘ駆動部１１を有し、これらをテーブル制
御回路１２に接続している。また、ＸＹテーブル７には
Ｘ、Ｙ位置を検出するためのレーザ光学系１３を付設し
ており、レーザ源１５をレーザ制御回路１４に接続して
いる。これらのテーブル制御回路１２とレーザ制御回路
１４とはステッパ制御回路１６に接続している。
レチクル４のパターンをＸＹテーブル７上に縮小投影す
る結像レンズ９を有している。また、ＸＹテーブル７は
、テーブル載置面をＸ方向、Ｙ方向に夫々移動させるＸ
駆動部１０．Ｘ駆動部１１を有し、これらをテーブル制
御回路１２に接続している。また、ＸＹテーブル７には
Ｘ、Ｙ位置を検出するためのレーザ光学系１３を付設し
ており、レーザ源１５をレーザ制御回路１４に接続して
いる。これらのテーブル制御回路１２とレーザ制御回路
１４とはステッパ制御回路１６に接続している。
一方、前記ＸＹテーブル７の載置面一部にはセッサ部と
して光電素子（本例ではＣ０Ｄ）１７を設置している。
して光電素子（本例ではＣ０Ｄ）１７を設置している。
このＣＣＤ１７は、ＸＹテーブル７の移動に伴なって前
記投影光学系５の直下位置に移動でき、ここでレチクＡ
／４のパターンが投影される。前記ＣＣＤ１７にはセン
サ制御回路１８を接続している。
記投影光学系５の直下位置に移動でき、ここでレチクＡ
／４のパターンが投影される。前記ＣＣＤ１７にはセン
サ制御回路１８を接続している。
そして、前記ステッパ制御回路１６とセンサ制御回路１
８とをアライナ１外に設けた中央制御部１９に接続し、
特にセンサ制御回路１８は前記センサ部１７と中央制御
部１９とでパターン検査系を構成している。
８とをアライナ１外に設けた中央制御部１９に接続し、
特にセンサ制御回路１８は前記センサ部１７と中央制御
部１９とでパターン検査系を構成している。
なお、他の２個のアライナ２，３も同様に構成され、夫
々のステッパ制御回路とセンサ制御回路を中央制御部１
９に接続している。
々のステッパ制御回路とセンサ制御回路を中央制御部１
９に接続している。
図中、１５はレーザ光学系１３な構成するためのレーザ
源、２０はミラーである。
源、２０はミラーである。
以上の構成によれば、ウェーハ６上へのレチクル４パタ
ーンの投影露光に先立ち、ＸＹテーブル７を移動して第
２図のように、投影光学系５の直下にＣＣＤ１７を位置
させ、この状態でレチクル４のパターンｔｃｃＤ１７上
に投影する。セして、これと同時にＸＹテーブル７をＸ
方向およびＹ方向に移動させ、ＣＣＤ１７を投影された
パターン４Ａに対して走査させる。このときのＸＹテー
ブル７の移動は、レーザ光学系１３とレーザ制御回路１
４によるＸＹテーブル７位置検出作用と、Ｘ駆動部１０
．Ｘ駆動部１１およびテーブル制御回路１２による駆動
作用とをステッパ制御回路１６および中央制御部１９で
コントロールすることにより好適に行なわれる。
ーンの投影露光に先立ち、ＸＹテーブル７を移動して第
２図のように、投影光学系５の直下にＣＣＤ１７を位置
させ、この状態でレチクル４のパターンｔｃｃＤ１７上
に投影する。セして、これと同時にＸＹテーブル７をＸ
方向およびＹ方向に移動させ、ＣＣＤ１７を投影された
パターン４Ａに対して走査させる。このときのＸＹテー
ブル７の移動は、レーザ光学系１３とレーザ制御回路１
４によるＸＹテーブル７位置検出作用と、Ｘ駆動部１０
．Ｘ駆動部１１およびテーブル制御回路１２による駆動
作用とをステッパ制御回路１６および中央制御部１９で
コントロールすることにより好適に行なわれる。
投影パターン４Ａに対して走査されるＣＣＤ１７は、Ｃ
ＣＤの微細素子から明暗のパターン信号を出力し、この
信号はセンサ制御回路１８から中央制御部１９へ出力さ
れ、ここでパターン信号として取出される。更に、中央
制御部１９では内蔵すルコンピュータによって、このパ
ターンヲ基準パターンと比較でき、その良否が判断され
かつ出力される。したがって、この検出したパターンに
欠陥が認められない場合には、ＸＹテーブル７を移動さ
せて第１図のようにウェーハ６を投影光学系５位置に戻
し、公知のステッパ動作によりウェーハ６上にパターン
転写を開始する。一方、パターンに欠陥が認められた場
合にはレチクル４の洗浄を行なって異物を除去し、再度
の検査を行なうことになる（第３図のブロック図参照）
。
ＣＤの微細素子から明暗のパターン信号を出力し、この
信号はセンサ制御回路１８から中央制御部１９へ出力さ
れ、ここでパターン信号として取出される。更に、中央
制御部１９では内蔵すルコンピュータによって、このパ
ターンヲ基準パターンと比較でき、その良否が判断され
かつ出力される。したがって、この検出したパターンに
欠陥が認められない場合には、ＸＹテーブル７を移動さ
せて第１図のようにウェーハ６を投影光学系５位置に戻
し、公知のステッパ動作によりウェーハ６上にパターン
転写を開始する。一方、パターンに欠陥が認められた場
合にはレチクル４の洗浄を行なって異物を除去し、再度
の検査を行なうことになる（第３図のブロック図参照）
。
ここで、例えばＣＣＤ１７を素子ピッチ１０μｍの５０
０素子として構成し、検出光学系２２を１００倍（１／
１００の縮小率）とすれば素子の分解能は１０μｍ／１
００＝０．１μｍピッチとなり、ウェーハ換算で０．２
μｍの寸法の異物（欠陥）を検出できる。また、ＸＹテ
ーブル７の移動速度を０．５ｓｅｃ／１０箇、中央制御
部１９等における信号処理（演算）速度を１０ｍ１０．
５５ｅｃＸ０．ＩＸ １０−” ｍ ＝ ２００ ＫＨ
２とすれば、パターン投影寸法２０Ｘ２０ｍをＣＣＤ１
７によって走査する時間は、（２０ｍＸ０．５１１６Ｃ
／１０ｍ５＋Ｘ６０）Ｘ （２０ｍ１５００Ｘ０．ｌＸ
１０−”ｍ）！７ｍ１ｎとなり、大略５〜１０分で完了
することになる。
０素子として構成し、検出光学系２２を１００倍（１／
１００の縮小率）とすれば素子の分解能は１０μｍ／１
００＝０．１μｍピッチとなり、ウェーハ換算で０．２
μｍの寸法の異物（欠陥）を検出できる。また、ＸＹテ
ーブル７の移動速度を０．５ｓｅｃ／１０箇、中央制御
部１９等における信号処理（演算）速度を１０ｍ１０．
５５ｅｃＸ０．ＩＸ １０−” ｍ ＝ ２００ ＫＨ
２とすれば、パターン投影寸法２０Ｘ２０ｍをＣＣＤ１
７によって走査する時間は、（２０ｍＸ０．５１１６Ｃ
／１０ｍ５＋Ｘ６０）Ｘ （２０ｍ１５００Ｘ０．ｌＸ
１０−”ｍ）！７ｍ１ｎとなり、大略５〜１０分で完了
することになる。
したがって、パターン欠陥検査に要する時間、つまりア
ライナの停止時間は５〜１０分でよく、検査効率、稼動
効率を大幅に向上できる。また、投影パターンをＣＯＤ
によって直接検査しているので、現像、エツチング等の
要因が関係されることがなく、高精度かつ高信頼度の検
査が可能になる。
ライナの停止時間は５〜１０分でよく、検査効率、稼動
効率を大幅に向上できる。また、投影パターンをＣＯＤ
によって直接検査しているので、現像、エツチング等の
要因が関係されることがなく、高精度かつ高信頼度の検
査が可能になる。
なお、前記した検査は各アライナ１，２．３において行
なわれるが、中央制御部１９は各アライナ１，２．３に
共通に利用でき、共用化を図ることにより全体構成の簡
易化を図ることができる。
なわれるが、中央制御部１９は各アライナ１，２．３に
共通に利用でき、共用化を図ることにより全体構成の簡
易化を図ることができる。
第４図はセンサ部の変形例を示しており、ＸＹテーブル
７の一部に４５°ミラー２１を取着する一方、このミラ
ー２１に対向するテープｌｖ７上にＣＣＤ１７等の光電
素子を配設している。なお、ミラー２１とＣＣＤ１７の
間圧レンズ２２を設けている。この構成によれば投影光
の方向なＸＹテーブル７０表面と平行にしかつ検出光学
系２２の作用により℃投影パターンの結像位置な自由に
調節できるので、ＣＣＤ１７の設置を容易に行なうこと
かできる。
７の一部に４５°ミラー２１を取着する一方、このミラ
ー２１に対向するテープｌｖ７上にＣＣＤ１７等の光電
素子を配設している。なお、ミラー２１とＣＣＤ１７の
間圧レンズ２２を設けている。この構成によれば投影光
の方向なＸＹテーブル７０表面と平行にしかつ検出光学
系２２の作用により℃投影パターンの結像位置な自由に
調節できるので、ＣＣＤ１７の設置を容易に行なうこと
かできる。
第５図はセ／す部の更に異なる実施例である。
この構成はパターン検査に走査レーザを使用したもので
あり、投影光学系５０光源８とレチクル４０間にハーフ
ミラ−２３を介装すると共にこのミラー２３に向け℃レ
ーザ光源２４を配置し、更にミラー２３とレーザ光源２
４との間にポリゴンミラー２５やガルバーミラー２６等
の走査ミラーなＸ、Ｙ方向に向けて配設している。２７
はレンズである。また、ＸＹテープＮ７上には投影パタ
ーン４人全体をカバーし得る大きさの光電素子、本例で
は太陽電池２８を配置し、センサ制御回路に接続してい
る。
あり、投影光学系５０光源８とレチクル４０間にハーフ
ミラ−２３を介装すると共にこのミラー２３に向け℃レ
ーザ光源２４を配置し、更にミラー２３とレーザ光源２
４との間にポリゴンミラー２５やガルバーミラー２６等
の走査ミラーなＸ、Ｙ方向に向けて配設している。２７
はレンズである。また、ＸＹテープＮ７上には投影パタ
ーン４人全体をカバーし得る大きさの光電素子、本例で
は太陽電池２８を配置し、センサ制御回路に接続してい
る。
この構成によれば、ＸＹテーブル７を移動して太陽電池
２８をレチクル４のパターン投影位置にセットすると共
和、光源８は点灯させない状態でレーザ光源２４からレ
ーザ光を射出し、レンズ２７、ガルバーミラー２６．ポ
リゴンミラー２５゜ハーフミラ−２３を通してレチクル
４に投射させる。レチク）ｖ４を通過したレーザ光は結
像レンズ９により太陽電池２８上に結像される。したが
って、ガルバーミラー２６．ポリゴンミラー２５を夫々
Ｙ方向、Ｘ方向に作動することによりレーザ光をレチク
ルに対して走査し、結局レチクル４の全面パターンを太
陽電池２８上にレーザ投射し、太陽電池の出力によって
パターン欠陥の検査を行なうことができる。
２８をレチクル４のパターン投影位置にセットすると共
和、光源８は点灯させない状態でレーザ光源２４からレ
ーザ光を射出し、レンズ２７、ガルバーミラー２６．ポ
リゴンミラー２５゜ハーフミラ−２３を通してレチクル
４に投射させる。レチク）ｖ４を通過したレーザ光は結
像レンズ９により太陽電池２８上に結像される。したが
って、ガルバーミラー２６．ポリゴンミラー２５を夫々
Ｙ方向、Ｘ方向に作動することによりレーザ光をレチク
ルに対して走査し、結局レチクル４の全面パターンを太
陽電池２８上にレーザ投射し、太陽電池の出力によって
パターン欠陥の検査を行なうことができる。
本例によればレーザ光の走査を高速で行なうことができ
検査時間の短縮化を図ると・共に、レーザ光の光束径を
調節することによりパターン分解能を任意にコントロー
ルできる。
検査時間の短縮化を図ると・共に、レーザ光の光束径を
調節することによりパターン分解能を任意にコントロー
ルできる。
（１） アライナの可動テーブルの一部にセ／す部を
設け、このセンサ部に対して転写パターンを投影露光し
得るように構成すると共に、このセンサ部には中央制御
部を接続してパターン欠陥を検査し得るように構成して
いるので、ダミーウェーハな用いた検査方法に比較して
短時間で検査を完了でき作業効率の向上を達成できる。
設け、このセンサ部に対して転写パターンを投影露光し
得るように構成すると共に、このセンサ部には中央制御
部を接続してパターン欠陥を検査し得るように構成して
いるので、ダミーウェーハな用いた検査方法に比較して
短時間で検査を完了でき作業効率の向上を達成できる。
（２）現像、エツチング等の工程が不要であるので、こ
れらの要因のバラツキによる検査のバラツキもなく、微
小な欠陥や異物を高精度にかつ高信頼度で検査できる。
れらの要因のバラツキによる検査のバラツキもなく、微
小な欠陥や異物を高精度にかつ高信頼度で検査できる。
（３） 複数台のアライナ九対して１台の中央制御部
を接続しているので、中央制御部の共用化を図って設備
の簡易化を達成できる。
を接続しているので、中央制御部の共用化を図って設備
の簡易化を達成できる。
（４）可動テーブルの一部にセンサ部を設けているので
、被露光体への露光の直前に検査を行なうことができ、
検査の効果を向上できる。
、被露光体への露光の直前に検査を行なうことができ、
検査の効果を向上できる。
（５）パターン検査のセンサ部に光電素子（ＣＣＤ。
太陽電池等）を用いているので、パターン検出の高速化
を図り、更に検査全体を高速化できる。
を図り、更に検査全体を高速化できる。
以上本発明者によりてなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、センサ部の
具体的な構成やそのパターン検出法には他の構成や他の
方法を利用することもできる。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、センサ部の
具体的な構成やそのパターン検出法には他の構成や他の
方法を利用することもできる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウェーハへの
レチクルパターン縮小転写用アライナの検査システムに
ついて説明したが、それに限定されるものではなく、た
とえば１７１投影型アライナ、Ｘｍアライナ、フォトマ
スクやその外のパターン転写用アライナのいずれにも適
用できる。
をその背景となった利用分野である半導体ウェーハへの
レチクルパターン縮小転写用アライナの検査システムに
ついて説明したが、それに限定されるものではなく、た
とえば１７１投影型アライナ、Ｘｍアライナ、フォトマ
スクやその外のパターン転写用アライナのいずれにも適
用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の全体構成図、第２図はパタ
ーン検出時の状態を示す要部の構成図、 第３図は本発明の方法のブロック図、 第４図はセンサ部の変形例の斜視構成図、第５図は更に
異なるセンサ部の斜視構成図、第６図は従来方法のブロ
ック図である。 １．２．３・・・アライナ、４・・・レチクル、５・・
・投影光学系、６・・・ウェーハ、７・・・ＸＹテーブ
ル、８・・・光源、９・・・結像レンズ、１２・・・テ
ーブル制御回路、１３・・・レーザ光学系、１４・・・
レーザ制御回路、１５・・・レーザ源、１６・・・ステ
ッパ制御回路、１７・・・ＣＣＤ、１８・・・センサ制
御回路、１９・・・中央制御部、２１・・・４５°ミラ
ー、２２・・・検出光学系、２３・・・ハーフミラ−１
２４・・・レーザ光源、２５・・・ポリゴンミラー、２
６・・・ガルバーミラー、２８・・・太陽電池。
ーン検出時の状態を示す要部の構成図、 第３図は本発明の方法のブロック図、 第４図はセンサ部の変形例の斜視構成図、第５図は更に
異なるセンサ部の斜視構成図、第６図は従来方法のブロ
ック図である。 １．２．３・・・アライナ、４・・・レチクル、５・・
・投影光学系、６・・・ウェーハ、７・・・ＸＹテーブ
ル、８・・・光源、９・・・結像レンズ、１２・・・テ
ーブル制御回路、１３・・・レーザ光学系、１４・・・
レーザ制御回路、１５・・・レーザ源、１６・・・ステ
ッパ制御回路、１７・・・ＣＣＤ、１８・・・センサ制
御回路、１９・・・中央制御部、２１・・・４５°ミラ
ー、２２・・・検出光学系、２３・・・ハーフミラ−１
２４・・・レーザ光源、２５・・・ポリゴンミラー、２
６・・・ガルバーミラー、２８・・・太陽電池。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レチクル等に形成した転写パターンをウェーハ等の
被転写体に転写し得るように構成したアライナを備え、
このアライナには前記被転写体を載置する可動テーブル
の一部にセンサ部を設け、このセンサ部に対して前記転
写パターンを照射し得るように構成する一方、センサ部
は検出した転写パターンの良否を検査する中央制御部と
でパターン検査系を構成することを特徴とする検査シス
テム。 ２、センサ部は光電素子からなり、この光電素子を転写
パターンの照射域内で走査し得るよう構成してなる特許
請求の範囲第１項記載の検査システム。 ３、複数台のアライナに夫々センサ部を設けると共に、
これらのセンサ部を一つの中央制御部に接続してパター
ン検査系を構成してなる特許請求の範囲第１項又は第２
項記載の検査システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59272822A JPS61152012A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 検査システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59272822A JPS61152012A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 検査システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61152012A true JPS61152012A (ja) | 1986-07-10 |
Family
ID=17519240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59272822A Pending JPS61152012A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 検査システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61152012A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05303193A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | マスク検査方法およびマスク検出装置 |
| JP2001194318A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 損傷検出装置及び方法 |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP59272822A patent/JPS61152012A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05303193A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | マスク検査方法およびマスク検出装置 |
| JP2001194318A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 損傷検出装置及び方法 |
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