JPS61160945A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS61160945A
JPS61160945A JP60001623A JP162385A JPS61160945A JP S61160945 A JPS61160945 A JP S61160945A JP 60001623 A JP60001623 A JP 60001623A JP 162385 A JP162385 A JP 162385A JP S61160945 A JPS61160945 A JP S61160945A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
island
chip
bonding
wire
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60001623A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanobu Yanagiya
柳谷 正信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP60001623A priority Critical patent/JPS61160945A/ja
Publication of JPS61160945A publication Critical patent/JPS61160945A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/541Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は樹脂封止型半導体装置とくに集積回路の製造工
程において、ワイヤボンディング工程に関するものであ
る。従来ボンデイング工程は、リードフレーム全固定し
次状態で実施し、ボンデイング後、ワイヤとリードフレ
ームおよびアイランドの相対位置は固定されている。こ
の方法の場合、ワイヤがチックに接近し次状態でボンデ
ィングされると、その後の封入工程でワイヤとチックが
接触する、いわゆるエツジタッチを起こす恐れがある。
本発明は、上記エツジタッチを防ぐ九めに、ボンディン
グ後リードフレームの弾性管利用して、アイランド會、
ワイヤの存在する側と反対方向へ移動するものでるる〇 従来のボンデイング工程によって炸裂され次。
ワイヤおよびリードフレームの測面図を第1図に示す。
第1図において、1がアイランド、2がリードステッチ
、3がチップ、4がワイヤでめる。
本発明は、上述の従来のボンデイング工程に、アイラン
ドに相当する大きさの押し上げ板を用いる。本発明によ
るボンデイング工程について、ボンデイング時の611
面図および上面図を、各々WIz図a、第2図すに示す
。第2図aにおいて、5がアイランド、6がリードステ
ッチ、7がチッ7゜8がワイヤで69.9はアイランド
5金浮かせる几めの押し上げ板でるる。同様に第2図す
において10がアイランド、11がリードステッチ、1
2がチップ、13がワイヤである。また第3図において
14がアイランド、15がリードステッチ。
16がチップ、17がワイヤであり、18はワイヤとチ
ップを隔てる空間である。
本発明では、ボンデイングはWE2図aの状態で行なわ
れる。そしてボンデイング終了後第2図aの押し上げ板
9を取り去ることによシ、アイランド自体の弾性によっ
て押し上げ板の厚さ分だけ、アイランドが低くなシ、第
3図の状態に移行する。
この結果、第2図aで、ワイヤとチップが接近してい死
場合でも、アイランドが低くなることによってワイヤと
チップの距離(第3図18)が大きくなるため、エツジ
タッチの可能性が低くなることが期待できる。本発明は
すべての樹脂封止型半導体に適用することができる。従
来、封入後のエツジタッチ危険性を確認すること、およ
びスクリーニング除去が困難であり九が1本発明による
工程を導入することにより、エツジタッチによる市場不
良が大幅に減少する。本実施例は押し上げ板だけを用い
て説明しているが、ワイヤボンデイング時のリードフレ
ームのズレ全防止する固定治具t−IJ−トスチッチ、
リードフレームに使用することも考えられる。
【図面の簡単な説明】
第1図に従来のボンデイング工程終了後のチップ及びリ
ードフレーム側面図であり、1がアイランド、2がリー
ドステッチ、3がチップ、4がワイヤである。 第2図a及び第2図すは、本発明の実施例によるポンデ
ィング工程におけるチップ及びリードフレームの側面図
及び上面図でめる。第2図aで5がアイランド、6がリ
ードステッチ、7がチップ。 8がワイヤ、9がアイランド5會浮かせる友めの押し上
げ板でおる。また第2図すで10がアイランド、11が
リードステッチ、12がチップ、13がワイヤである。 第3図は第2図aによるボンデイング終了後の状態を示
す側面図であり、14がアイランド、15がリードステ
ッチ、16がチップ、17がワイヤ。 18がワイヤとチップを隔てる空間でろる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  樹脂封止型半導体装置の組立製造におけるワイヤボン
    デイング時に、リードフレームのうちチップを搭載する
    部分を、最終リードフレームが形造る平面より上げた状
    態でボンデイングを行い、ボンデイング終了後再びアイ
    ランドを、該平面に戻す工程を含むことを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
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