JPS62109331A - 半導体装置の組立て方法 - Google Patents
半導体装置の組立て方法Info
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- JPS62109331A JPS62109331A JP60249443A JP24944385A JPS62109331A JP S62109331 A JPS62109331 A JP S62109331A JP 60249443 A JP60249443 A JP 60249443A JP 24944385 A JP24944385 A JP 24944385A JP S62109331 A JPS62109331 A JP S62109331A
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- JP
- Japan
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- lead
- base
- chip
- wire bonding
- bonding unit
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- Pending
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
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- H10W72/07531—Techniques
- H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
- H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、例えばDIP Cデュアル・インライン・
パッケージ)の集積回路のような半導体チップと導線で
接続されたリードの端部を露出させて樹脂封止する半導
体装置の組立て方法に関する。
パッケージ)の集積回路のような半導体チップと導線で
接続されたリードの端部を露出させて樹脂封止する半導
体装置の組立て方法に関する。
第3図はDIPの集積回路を示し、導体基板2の上に固
定されたICチップ1の電極とリード3とを導vA4に
よって接続し、リードの脚部を露出させて樹脂5によっ
てモールドして組立てられる。 このような集積回路の組立ては、従来第4図(alに示
すようにICチップ1をリードフレーム10のマウント
部2にグイボンディング装置を用いてグイボンディング
し、バッチ処理で例えば2時間のキュア処理を施して接
着する6次いで第4図0)に示すようにリードフレーム
をワイヤボンディング装置の基台61上に置き、押さえ
具62を用いて固定したのち導線4をボンディングして
、ICチップlの電極とリードフレームのリード部3と
接続する。 しかしこの方法では、高価なグイボンディング装置を必
要とすること、キュア処理のために連続作業でワイヤボ
ンディングを行うことができないことなどの欠点がある
。さらに導線4がチップIの肩部に接触する、いわゆる
エツジタッチを避けるためには、第5図に示すようにマ
ウント部2をリード部3より低くしたパッドダウン方式
のリードフレームを使用せねばならなかった。
定されたICチップ1の電極とリード3とを導vA4に
よって接続し、リードの脚部を露出させて樹脂5によっ
てモールドして組立てられる。 このような集積回路の組立ては、従来第4図(alに示
すようにICチップ1をリードフレーム10のマウント
部2にグイボンディング装置を用いてグイボンディング
し、バッチ処理で例えば2時間のキュア処理を施して接
着する6次いで第4図0)に示すようにリードフレーム
をワイヤボンディング装置の基台61上に置き、押さえ
具62を用いて固定したのち導線4をボンディングして
、ICチップlの電極とリードフレームのリード部3と
接続する。 しかしこの方法では、高価なグイボンディング装置を必
要とすること、キュア処理のために連続作業でワイヤボ
ンディングを行うことができないことなどの欠点がある
。さらに導線4がチップIの肩部に接触する、いわゆる
エツジタッチを避けるためには、第5図に示すようにマ
ウント部2をリード部3より低くしたパッドダウン方式
のリードフレームを使用せねばならなかった。
本発明は、上述の欠点を除去して高価なグイボンディン
グ装置を必要とせず、連続作業が可能でまた導線のエツ
ジタッチのおそれのない半導体装置の組立て方法を提供
することを目的とする。
グ装置を必要とせず、連続作業が可能でまた導線のエツ
ジタッチのおそれのない半導体装置の組立て方法を提供
することを目的とする。
本発明によれば、半導体チップをワイヤボンディング装
置の基台上に基台に設けた吸引孔よりの真空吸引により
固定し、その基台上に別に固定されたリードと導線のボ
ンディングにより接続することにより、接着のためのダ
イボンディング工程を省略することができるため、上述
の目的が達成される。
置の基台上に基台に設けた吸引孔よりの真空吸引により
固定し、その基台上に別に固定されたリードと導線のボ
ンディングにより接続することにより、接着のためのダ
イボンディング工程を省略することができるため、上述
の目的が達成される。
第1図は本発明の一実、施例の工程を示し、第4図と共
通の部分には同一の符号が付されている。 この場合は第1図(a)に示すようにマウント部がなく
リード部3のみのリードフレーム11を用いる。 このリードフレーム11を第1図中)に示すようにワイ
ヤボンディング装置の基台61上に押さえ具62を用い
て固定し、チップは基台61に明けられた吸引孔63の
上に置き、真空に引くことにより固定する。 これによりワイヤボンディング装置を用いてチップ1に
接触させた導線4に超音波振動を加えることができ、リ
ード部3との間の接続が可能になる。 このようにワイヤボンディングすることにより、チップ
lは導線4によってリード部3に支持され、その後のモ
ールド工程により第2図に示すように樹脂5によって封
止することができる。
通の部分には同一の符号が付されている。 この場合は第1図(a)に示すようにマウント部がなく
リード部3のみのリードフレーム11を用いる。 このリードフレーム11を第1図中)に示すようにワイ
ヤボンディング装置の基台61上に押さえ具62を用い
て固定し、チップは基台61に明けられた吸引孔63の
上に置き、真空に引くことにより固定する。 これによりワイヤボンディング装置を用いてチップ1に
接触させた導線4に超音波振動を加えることができ、リ
ード部3との間の接続が可能になる。 このようにワイヤボンディングすることにより、チップ
lは導線4によってリード部3に支持され、その後のモ
ールド工程により第2図に示すように樹脂5によって封
止することができる。
以上述べたように、本発明は半導体チップをリードフレ
ームのマウント部に固着するのでなく、直接ワイヤボン
ディング装置の基台上に真空チャック方式により固定し
てリードとの導線接続を行うもので、高価なダイボンデ
ィング装置を必要とせず、バッチ処理のキュア工程がな
く、ワイヤボンディング装置への固定も真空吸引のみで
簡単にできるので連続作業が容易で、短時間に組立て工
程が終わるので半導体装置のコストダウンに極めて有効
である。また第2図から明らかなようにチップ面とリー
ドとの段差がないためエツジタッチのおそれがなく、信
鯨性の高い集積回路などの半導体装置を得ることができ
る。
ームのマウント部に固着するのでなく、直接ワイヤボン
ディング装置の基台上に真空チャック方式により固定し
てリードとの導線接続を行うもので、高価なダイボンデ
ィング装置を必要とせず、バッチ処理のキュア工程がな
く、ワイヤボンディング装置への固定も真空吸引のみで
簡単にできるので連続作業が容易で、短時間に組立て工
程が終わるので半導体装置のコストダウンに極めて有効
である。また第2図から明らかなようにチップ面とリー
ドとの段差がないためエツジタッチのおそれがなく、信
鯨性の高い集積回路などの半導体装置を得ることができ
る。
第1図は本発明の一実施例を示し、(alは用いられる
リードフレームの断面図、(blはワイヤボンディング
時の断面図、第2図はでき上がったDIP集積回路の断
面図、第3図は従来のDIP集積回路の断面図、第4図
はその組立て工程を順に示す断面図、第5図は別の従来
のDIP’J積回路の断面図である。 1:半導体チップ、3:リード、4;導線、5:樹脂、
11:リードフレーム、61:ワイヤボンディング装置
基台、63:真空吸引孔。 :、 、、、::4F ’、ejeA−ii、+’、i 、Lj LJ k
4e;’、−:、’、”jパ:−I 第1図 第2図
リードフレームの断面図、(blはワイヤボンディング
時の断面図、第2図はでき上がったDIP集積回路の断
面図、第3図は従来のDIP集積回路の断面図、第4図
はその組立て工程を順に示す断面図、第5図は別の従来
のDIP’J積回路の断面図である。 1:半導体チップ、3:リード、4;導線、5:樹脂、
11:リードフレーム、61:ワイヤボンディング装置
基台、63:真空吸引孔。 :、 、、、::4F ’、ejeA−ii、+’、i 、Lj LJ k
4e;’、−:、’、”jパ:−I 第1図 第2図
Claims (1)
- 1)半導体チップとリードとがワイヤボンディング装置
を用いて導線で接続され、リードの端部を露出させて樹
脂封止されるものの組立て方法において、半導体チップ
をワイヤボンディング装置の基台上に、基台に設けた吸
引孔よりの真空吸引により固定し、基台上に別に固定さ
れたリードと接続することを特徴とする半導体装置の組
立て方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249443A JPS62109331A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 半導体装置の組立て方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249443A JPS62109331A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 半導体装置の組立て方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109331A true JPS62109331A (ja) | 1987-05-20 |
Family
ID=17193043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60249443A Pending JPS62109331A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 半導体装置の組立て方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62109331A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03157944A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Sony Corp | 半導体パッケージ |
-
1985
- 1985-11-07 JP JP60249443A patent/JPS62109331A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03157944A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Sony Corp | 半導体パッケージ |
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