JPS61165731A - 絶縁保護膜を有する透明導電膜の製造方法 - Google Patents
絶縁保護膜を有する透明導電膜の製造方法Info
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- JPS61165731A JPS61165731A JP540085A JP540085A JPS61165731A JP S61165731 A JPS61165731 A JP S61165731A JP 540085 A JP540085 A JP 540085A JP 540085 A JP540085 A JP 540085A JP S61165731 A JPS61165731 A JP S61165731A
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- film
- insulating protective
- conductive film
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、絶縁保護膜を有する透明導電膜の製造方法に
関するものである。
関するものである。
（従来技術）
透明導電膜は、可視光線に対して透明で電気伝導性を有
する薄膜であり、液晶表示装置の電極等に多く採用され
ている。
する薄膜であり、液晶表示装置の電極等に多く採用され
ている。
ところで、このような透明導電膜では、通常、その表面
を保護するために、ＺｒＯ２や／１Ｎ２０３等の酸化物
を絶縁保護膜として設ける必要がある。
を保護するために、ＺｒＯ２や／１Ｎ２０３等の酸化物
を絶縁保護膜として設ける必要がある。
そこで、従来では、ガラス等の所定の基板上に成膜され
た透明導電膜に対して熱処理（アニーリング）を施し、
その熱処理後、その表面に絶縁保護膜を形成するように
なっていた。このようにして製造された絶縁保護膜を有
する透明導電膜は、可視光線透過率が高く、比抵抗も小
さいという特長を備えている。
た透明導電膜に対して熱処理（アニーリング）を施し、
その熱処理後、その表面に絶縁保護膜を形成するように
なっていた。このようにして製造された絶縁保護膜を有
する透明導電膜は、可視光線透過率が高く、比抵抗も小
さいという特長を備えている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、上述の如き従来の手法で製造された透明導電膜
では、透明導電膜と絶縁保護膜との間の密着性が必ずし
も良好に得られているとは言い難く、未だ改善の余地が
ある。
では、透明導電膜と絶縁保護膜との間の密着性が必ずし
も良好に得られているとは言い難く、未だ改善の余地が
ある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、このような事情に基づいて為されたものであ
って、その要旨とするところは、透明導電膜を成膜後、
該透明導電膜面に絶縁保護膜を形成し、その後、その絶
縁保護膜を形成した透明導電膜に対して熱処理を行うこ
とにある。
って、その要旨とするところは、透明導電膜を成膜後、
該透明導電膜面に絶縁保護膜を形成し、その後、その絶
縁保護膜を形成した透明導電膜に対して熱処理を行うこ
とにある。
なお、熱処理は、Ａｒ（アルゴン）乃至は真空雰囲気中
、特に１０−’Ｐａ以下の真空中において、３００℃以
上、好ましくは４００℃以上の温度で、２〜６時間程度
、好ましくは４時間前後加熱することにより行うことが
、高い可視光線透過率および低い比抵抗を得る上で、ま
た透明導電膜と絶縁保護膜との良好な密着性を得る上で
望ましい。
、特に１０−’Ｐａ以下の真空中において、３００℃以
上、好ましくは４００℃以上の温度で、２〜６時間程度
、好ましくは４時間前後加熱することにより行うことが
、高い可視光線透過率および低い比抵抗を得る上で、ま
た透明導電膜と絶縁保護膜との良好な密着性を得る上で
望ましい。
また、前記絶縁保護膜としてはＣｅＯ２，ＭｇＡｊ！０
４，５ｉ０２．ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，Ａｌ２Ｏ３等を採
用することができるが、密着性が良好な点においてＺｒ
Ｏ□およびＡＩ！、２０３を採用することが望ましい。
４，５ｉ０２．ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，Ａｌ２Ｏ３等を採
用することができるが、密着性が良好な点においてＺｒ
Ｏ□およびＡＩ！、２０３を採用することが望ましい。
また、本発明は特に透明導電膜としてのＩＴＯ（Ｉｎ２
０３−３ｎ０２ ）膜を製造するのに用いて良好な効果
を発揮するものであるが、これに限定されるものではな
い。
０３−３ｎ０２ ）膜を製造するのに用いて良好な効果
を発揮するものであるが、これに限定されるものではな
い。
（発明の効果）
このような方法によって製造された透明導電膜では、十
分良好な可視光透過率および比抵抗が得られることは勿
論、透明導電膜と絶縁保護膜との密着性が従来の方法に
よって製造された透明導電膜のそれより高くなる。した
がって、密着性の向上した分だけ信頼性の高い透明導電
膜を得ることが可能となる。
分良好な可視光透過率および比抵抗が得られることは勿
論、透明導電膜と絶縁保護膜との密着性が従来の方法に
よって製造された透明導電膜のそれより高くなる。した
がって、密着性の向上した分だけ信頼性の高い透明導電
膜を得ることが可能となる。
以下、本発明の詳細な説明するが、これは多数の実施例
の中の一部であり、本発明がここに例示の実施例の記載
によって限定されるものでないことは勿論である。
の中の一部であり、本発明がここに例示の実施例の記載
によって限定されるものでないことは勿論である。
（実施例）
スパッタリング装置を用い、到達真空度１Ｏ−４Ｐａ、
酸素導入圧１．３Ｘ１０−３Ｐａ、Ａｒ導入圧２．６Ｘ
１０’Ｐａの雰囲気内において、印加電力１ｋＷで、第
１図に示すように、ガラス基板１０上に透明導電膜であ
るＩＴＯ膜１２を約１μｍ成膜した。次いで、そのＩＴ
Ｏ膜１２の表面に絶縁保護膜であるＣｅＯ２，ＭｇＡＩ
ｔ２０．、Ｓ ｉ Ｏ１２ｒ ０２ 、 Ａ ２Ｏ３等
の酸化膜１４を約０．３μｍｍの厚さで成膜し、その成
膜後、真空電気炉を用いて１Ｏ−３Ｐａ以下に真空排気
した雰囲気内において、５００℃で約４時間熱処理（ア
ニーリング）した。そして、そのようにして製造した酸
化膜１４を有するＩＴＯ膜１２に対してＪｌ、Ｓ Ｒ３
２１２に準じた耐摩耗試験を行い、ヘーズ値を測定した
。
酸素導入圧１．３Ｘ１０−３Ｐａ、Ａｒ導入圧２．６Ｘ
１０’Ｐａの雰囲気内において、印加電力１ｋＷで、第
１図に示すように、ガラス基板１０上に透明導電膜であ
るＩＴＯ膜１２を約１μｍ成膜した。次いで、そのＩＴ
Ｏ膜１２の表面に絶縁保護膜であるＣｅＯ２，ＭｇＡＩ
ｔ２０．、Ｓ ｉ Ｏ１２ｒ ０２ 、 Ａ ２Ｏ３等
の酸化膜１４を約０．３μｍｍの厚さで成膜し、その成
膜後、真空電気炉を用いて１Ｏ−３Ｐａ以下に真空排気
した雰囲気内において、５００℃で約４時間熱処理（ア
ニーリング）した。そして、そのようにして製造した酸
化膜１４を有するＩＴＯ膜１２に対してＪｌ、Ｓ Ｒ３
２１２に準じた耐摩耗試験を行い、ヘーズ値を測定した
。
また、酸化膜１４の成膜後の熱処理温度を２００’Ｃ，
３００℃および４００℃に変え、同様にしてヘーズ値を
測定した。それらの結果を下記第１表に示す。
３００℃および４００℃に変え、同様にしてヘーズ値を
測定した。それらの結果を下記第１表に示す。
また、それらの測定結果と比較するために、従来の方法
、すなわちＩＴＯ膜１２を成膜後熱処理し、その後酸化
膜１４を成膜することにより製造したものについて同様
の試験を行い、その結果を第１表に併せて示した。
、すなわちＩＴＯ膜１２を成膜後熱処理し、その後酸化
膜１４を成膜することにより製造したものについて同様
の試験を行い、その結果を第１表に併せて示した。
第１表から明らかなように、酸化膜１４がＣｅＯ２，Ｍ
ｇＡβ、０４．ＳｉＯ２等のものについては、従来の方
法で製造したものでは剥離が認められたが、本発明方法
によって製造したものでは剥離が認められず、密着性が
大幅に向上していることが認められた。また、酸化膜１
４がＺｒＯ２゜Ａｌ２Ｏ３のものについては、従来の方
法によって製造されたものについてもかなり良好な密着
性を有していることが認められたが、本発明方法に従っ
て製造されたものでは、密着性が一層向上していること
が認められた。さらに、酸化膜１４の種類に拘わらず、
熱処理温度が高いほど良好な密着性が得られることが認
められた。また、第１表の結果から、密着性が高いこと
から、絶縁保護膜としてはＺｒＯ□またはＡｒ２０３が
望ましいことが認められた。
ｇＡβ、０４．ＳｉＯ２等のものについては、従来の方
法で製造したものでは剥離が認められたが、本発明方法
によって製造したものでは剥離が認められず、密着性が
大幅に向上していることが認められた。また、酸化膜１
４がＺｒＯ２゜Ａｌ２Ｏ３のものについては、従来の方
法によって製造されたものについてもかなり良好な密着
性を有していることが認められたが、本発明方法に従っ
て製造されたものでは、密着性が一層向上していること
が認められた。さらに、酸化膜１４の種類に拘わらず、
熱処理温度が高いほど良好な密着性が得られることが認
められた。また、第１表の結果から、密着性が高いこと
から、絶縁保護膜としてはＺｒＯ□またはＡｒ２０３が
望ましいことが認められた。
また、２．７ Ｘ １０−’ Ｐ ａのＡｒ雰囲気中お
よび１０〜３Ｐａの真空雰囲気中において熱処理温度を
変えて製造した酸化膜１４を有するＩＴＯ膜１２に対し
、可視光線透過率を測定した。その測定結果を第２図に
示す。なお、加熱時間は約４時間である。
よび１０〜３Ｐａの真空雰囲気中において熱処理温度を
変えて製造した酸化膜１４を有するＩＴＯ膜１２に対し
、可視光線透過率を測定した。その測定結果を第２図に
示す。なお、加熱時間は約４時間である。
第２図から明らかなように、２００℃程度以上の熱処理
温度において、いずれも良好な可視光線透過率が得られ
ることが認められた。
温度において、いずれも良好な可視光線透過率が得られ
ることが認められた。
さらに、上述と同様にして製造したＩＴＯ膜１２、およ
び空気雰囲気中において同様の条件下で製造したＩＴＯ
膜１２の熱処理前後の抵抗値を測定した。第３図にその
測定の結果得られた熱処理前後の抵抗値の変化率（Ｒ／
ＲＯ）を示す。なお、第３図中、Ｒｏは熱処理前の抵抗
値であり、Ｒは熱処理後の抵抗値である。また、第３図
においては、Ｒｏが１のときが約４Ｘ１０−’Ω印の比
抵抗に対応している。
び空気雰囲気中において同様の条件下で製造したＩＴＯ
膜１２の熱処理前後の抵抗値を測定した。第３図にその
測定の結果得られた熱処理前後の抵抗値の変化率（Ｒ／
ＲＯ）を示す。なお、第３図中、Ｒｏは熱処理前の抵抗
値であり、Ｒは熱処理後の抵抗値である。また、第３図
においては、Ｒｏが１のときが約４Ｘ１０−’Ω印の比
抵抗に対応している。
第３図から明らかように、特に真空雰囲気中において低
い比抵抗が安定して得られ、３００ ”Ｃ以上の温度、
特に４００℃以上の温度で熱処理をした場合において比
抵抗が極めて小さくなることが認められた。
い比抵抗が安定して得られ、３００ ”Ｃ以上の温度、
特に４００℃以上の温度で熱処理をした場合において比
抵抗が極めて小さくなることが認められた。
第１図は本発明方法によって製造される透明導電膜の一
例を説明するための断面図であり、第２図は本発明の一
例の方法によって製造された透明導電膜の熱処理温度と
可視光線透過率との関係を示すグラフであり、第３図は
同じく本発明の一例の方法によって製造された透明導電
膜の熱処理温度と比抵抗との関係を示すグラフである。
例を説明するための断面図であり、第２図は本発明の一
例の方法によって製造された透明導電膜の熱処理温度と
可視光線透過率との関係を示すグラフであり、第３図は
同じく本発明の一例の方法によって製造された透明導電
膜の熱処理温度と比抵抗との関係を示すグラフである。
Claims (3)
- （１）透明導電膜を成膜後、該透明導電膜面に絶縁保護
膜を形成し、該絶縁保護膜を形成した透明導電膜に対し
て熱処理を行うことを特徴とする絶縁保護膜を有する透
明導電膜の製造方法。 - （２）前記熱処理が、１０＾−＾１Ｐａ以下の真空中に
おいて、３００℃以上の温度で２〜６時間加熱すること
により行われる特許請求の範囲第１項記載の製造方法。 - （３）前記絶縁保護膜がＺｒＯ＿２またはＡｌ＿２Ｏ＿
３である特許請求の範囲第１項または第２項記載の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60005400A JPH0769531B2 (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 絶縁保護膜を有する透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60005400A JPH0769531B2 (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 絶縁保護膜を有する透明導電膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61165731A true JPS61165731A (ja) | 1986-07-26 |
| JPH0769531B2 JPH0769531B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=11610093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60005400A Expired - Lifetime JPH0769531B2 (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 絶縁保護膜を有する透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0769531B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0432555A (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-04 | Nippon Steel Corp | 絶縁性に優れた絶縁材被覆金属基板 |
| EP0738694A1 (en) * | 1995-04-18 | 1996-10-23 | SOCIETA' ITALIANA VETRO - SIV - S.p.A. | Process for the improvement of the abrasion resistance features and the chemical inertia of transparent thin coatings |
| KR100710276B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2007-04-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111348A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Fujitsu Ltd | Liquid crystal cell |
| JPS53151931U (ja) * | 1978-03-30 | 1978-11-30 |
-
1985
- 1985-01-16 JP JP60005400A patent/JPH0769531B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111348A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Fujitsu Ltd | Liquid crystal cell |
| JPS53151931U (ja) * | 1978-03-30 | 1978-11-30 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0432555A (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-04 | Nippon Steel Corp | 絶縁性に優れた絶縁材被覆金属基板 |
| EP0738694A1 (en) * | 1995-04-18 | 1996-10-23 | SOCIETA' ITALIANA VETRO - SIV - S.p.A. | Process for the improvement of the abrasion resistance features and the chemical inertia of transparent thin coatings |
| US5800684A (en) * | 1995-04-18 | 1998-09-01 | Societa Italiana Vetro - Siv - S.P.A. | Process for the improvement of the abrasion resistance features and of the chemical inertia of transparent thin coatings |
| KR100710276B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2007-04-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0769531B2 (ja) | 1995-07-31 |
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